JPH0423460A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0423460A
JPH0423460A JP2126981A JP12698190A JPH0423460A JP H0423460 A JPH0423460 A JP H0423460A JP 2126981 A JP2126981 A JP 2126981A JP 12698190 A JP12698190 A JP 12698190A JP H0423460 A JPH0423460 A JP H0423460A
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JP
Japan
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semiconductor device
soldering
external lead
bent
lead
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JP2126981A
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English (en)
Inventor
Yasuhiro Murasawa
村沢　靖博
Hitoshi Toda
均 戸田
Hiroshi Sawano
沢野　寛
Hideya Yagoura
御秡如　英也
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/421—Shapes or dispositions
    • H10W70/424—Cross-sectional shapes
    • H10W70/427—Bent parts
    • H10W70/429—Bent parts being the outer leads
    • H—ELECTRICITY
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    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W90/811—Multiple chips on leadframes
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    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置、特に、表面実装タイプの半導
体装置に関するものである。
［従来の技術］ 第５図〜第７図は従来の表面実装タイプの半導体装置を
示す側面図であり、これらの半導体装置はそれぞれガル
ウィング形（ｓｍａｌｌ　ｏｕｔｌｉｎｅｐａｃｋａｇ
ｅ）、■形（ｓｍａｌｌ　ｏｕｔｌｉｎｅ　ｐａｃｋａ
ｇｅ　ｕ＋１ｔｈＩ　　１ｅａｄ）、　Ｊ　形　（ｓｍ
ａｌｌ　　ｏｕｔｌｉｎｅ　　ｐａｃｋａｇｅ　　ｕ＋
ｉｔｌ＋Ｊ　　１ｅａｄ）の外部リードを有している。
これらの図において、半導体素子（図示しない）及びこ
の半導体素子に電気的に接続された外部リード（２ａ）
、（２ｂ）、（２ｃＨ以下、外部リードを単にリードと
する）は、樹脂により封止されパッケージ本体（１ａ）
、（１ｂ）、（１ｃ）が形成される。
リード（２ａ）、（２ｂ）、（２ｃ）はパッケージ本体
（１ａ）、（１ｂ〉、（１ｃ）から外部に突出しており
、その先端にはハンダ付け部（３ａ）、（３ｂ）、（３
ｃ）が形成されている。このハンダ付け部（３ａ）、（
３ｂ）、（３ｃ）により半導体装置（４ａ）、（４ｂ）
、（４ｃ）を基板（図示しない）等にそれぞれ実装する
。
［発明が解決しようとする課題］ 上述したような半導体装置はハンダ付けによって基板等
に実装されており、高温−低温に亙るヒートサイクル試
験等の信頼性試験を実施した場合、第５図及び第６図に
示す半導体装置（４ａ）、（４ｂ）では、パッケージ本
体（１ａ）、（１ｂ）と基板等との熱膨張係数の差に起
因してハンダ付け部（３ａ）、（３ｂ）に付着したハン
ダ（図示しない）にクラックが発生するという問題点が
あった。また、第７図に示ず半導体装置（４Ｃ）では、
３字状に湾曲した外部リード（２ｃ）の先端部がパッケ
ージ本体（１ｃ）の裏面に回り込んでいて、表面から見
えにくいため、ハンダ付けの状態確認が困難であるとい
う問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、外部リードのハンダ付け部に加わる応力を吸
収することができる半導体装置を得ることを目的とする
。
また、この発明の別の発明は、ハンダ付けの状態を容易
に確認することができる半導体装置を得ることを目的と
する。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置は、外部リードの高さを従来
のものに比べて高くなるように、実装面と反対側に外部
リードの一部を突出するように折り曲げ、折り曲げられ
た外部リードの長さが上記半導体装置の外部リード埋設
部がら底部までの長さより長くなるようにしたものであ
る。
また、この発明の別の発明は、外部リードの先端部を半
導体装置のハンダ付け側に逆Ｊ字形に折り曲けなもので
ある。
［作　用］ この発明においては、外部リードの長さが長いので、ヒ
ートサイクル試験において半導体装置の信頼性が向上す
る。
また、この発明の別の発明においては、外部リードの先
端部を外側に逆Ｊ字形になるように折り曲げたので、ハ
ンダ付け状態の確認を容易に行うことができる。
［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す要
部側面図であり、図において、パッケージ本体（ＩＡ）
の側部からリード（２Ａ）が突出しており、その先端は
ハンダ付け部（３Ａ）となっている。また、半導体装Ｍ
（４Ａ）のハンダ付け側と反対方向に突起部（５Ａ）が
形成されるように折り曲げる。このとき、折り曲げられ
たリード（２Ａ）の直線部分（６Ａ）の長さＬｌすなわ
ち高さは、リード（２人）の埋設部（７Ａ）とパッケー
ジ本体（１）の底部との長さｐより長く、すなわちり、
＞（どなるように折り曲げる。
上述したように構成された半導体装置（４Ａ）において
は、リード（２Ａ）の直線部分（６Ａ）の長さＬｌが！
より長いのて、ヒートサイクル試験等においてリード（
２Ａ）で熱応力を緩和することができる。従って、ハン
ダ付け部にかかる応力に起因してハンダにクラックが入
り半導体装置（４Ａ）が絶縁不良となるのを防止するこ
とができる。
この発明による半導体装置（４Ａ）及びガラスエポキシ
基板にＴＳＯＰパッケージをハンダ付けした従来の薄型
パッケージについて、−４０℃から１２５℃の温度範囲
でヒートサイクル試験を行った。その結果、従来の半導
体装置では３００回程庇上−トサイクルを繰り返した時
点で、ハンダ付け部にクラックが入り絶縁不良になった
。これに対してこの発明による半導体装Ｗ（４Ａ）では
、１０００回程度０ヒートサイクルまで絶縁不良になら
なかった。
次に、第２図に示す半導体装置（４Ｂ）では、リード（
２Ｂ）は半導体装置（４Ｂ）のハンダ付けがなされる下
方向に逆Ｊ字形になるように折り曲げ、突起部（５Ｂ）
を形成する。第７図に示した従来のＪリードタイプの半
導体装置（４ｃ）は、第５図及び第６図に示したガルウ
ィングリード及び■リードタイプの半導体装置（４ａ）
、（４ｂ）に比ベヒートサイクル試験における信頼性が
高いと言われているが、ハンダ付け部（３Ｃ）かパッケ
ージ本体（１Ｃ）の裏面に位置するため、ハンダ付け状
態が確認しにくい。しかし、第２図に示した半導体装置
（４Ｂ）では、ハンダ付け部（３Ｂ）がパッケージ本体
（ＩＢ）の裏面にないため、ハンダ付け状態の確認が容
易である。
また、第３図に示すように、リード（２Ｃ）の先端の直
線部分く６Ｃ）をパッケージ本体（ＩＣ）の上面まで延
長し、その先端にもハンダ付け部（３Ｄ）を設けること
により、パッケージ本体（ＩＣ）に対し上下両面でのハ
ンダ付けが可能となる。この場合、リード（２Ｃ）を容
易に成形することができる。
さらに、第４図に示ずように、リード（２Ｃ）の先端を
パッケージ本体（ＩＤ）側に向けて上方向に突起部（５
Ｅ）ができるように折り曲げ、上下端とも逆Ｊ字形リー
トにすることも可能である。この場合、突起部（５Ｄ）
、（５Ｅ）においてハンダ付けを行うことにより、半導
体装置（４Ｄ）の上下両面ての表面実装が可能となる。
なお、第３図に示した半導体装置（４Ｃ）の場合、ハン
ダ付け部（３Ｄ）により実装すれば、リード高さＬ２が
第６図に示した従来の■リードの高さ１゜に比べて約２
倍程度とれるため、ヒートサイクル試験において高い信
頼性が得られる。また、第３図及び第４図において、半
導体装置（４Ｃ）、（４Ｄ）の上下両面から実装可能と
するためには、パッケージ本体（ＩＣ）、（ＩＤ）の厚
さＬｐが、Ｌ　ｐ　＜Ｌ２、Ｌ３となることが必要であ
る。しかし、第４図の半導体装置（４Ｄ）において、ハ
ンダ付け部（３Ｆ）のみハンダ付けを行う場合には、Ｌ
ｐ＞Ｌ３であってもヒートサイクル試験における信頼性
を向上させることができる。この場合、ハンダ付け部（
３Ｅ）は必要ないため、ハンダ付け部（３Ｅ）の形状は
どのようなものでもよく、ハンダ付け部（３Ｅ）が半導
体装置（４Ｄ）のハンダ付け側と反対側にあればよい。
なお、上述した実施例では、突起部（５Ａ）は半円形状
であるが、突起部（５Ａ）がハンダ付け側と反対側にあ
れば、この形状はどのようなものでもよい。また、ハン
ダ付け部（３Ａ）、（３Ｄ１３Ｆ）についても、ガルウ
ィング形、５字形等どのような形状であってもよい。
［発明の効果］ この発明は、以上説明したとおり、半導体素子及びこの
半導体素子に電気的に接続され外部に突出した外部リー
ドを樹脂封止した表面実装形の半導体装置であって、上
記外部リードは、上記半導体装置のハンダ付け側と反対
方向に突起するように折り曲げられ、かつ折り曲げられ
た外部リードの長さは上記半導体装置の外部リード埋設
部から上記半導体装置の底部までの長さより長いので、
半導体装置のヒートサイクル試験における熱応力による
歪みを緩和し、信頼性が向上するという効果を奏する。
また、この発明の別の発明は、半導体素子及びこの半導
体素子に電気的に接続され外部に突出した外部リードを
樹脂封止した表面実装形の半導体装置であって、上記外
部リードは、上記半導体装置のハンダ付側に逆Ｊ字形に
折り曲げられたので、ハンダ付け状態を容易に確認する
ことができると共に、上下両面において表面実装が可能
であるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す要
部側面図、第２図はこの発明の別の発明の一実施例によ
る半導体装置を示す要部側面図、第３図及び第４図は第
２図に示した半導体装置の他の実施例による半導体装置
を示す要部側面図、第５図〜第７図は従来の半導体装置
を示ず側面図である。 図において、（ＩＡ）〜（ＩＤ）はパッケージ本体、（
２Ａ）〜（２Ｄ）は（外部）リード、（３Ａ）〜（３Ｆ
）はハンダ付け部、（４Ａ）〜（４Ｄ）は半導体装置、
（５Ａ）〜（５Ｅ）は突起部、（６Ａ）、（６Ｃ）は直
線部分、（７Ａ）は埋設部である。 なお、 各図中、 同一符号は同一または相当部分 を示ず。 代 理 人 曾 我 道 照 第 図 ３Ｂ＝パンフ付け部 第 図 １　Ｄ　：　ノ％Ｏ，ンプージイく体 Ｃ Ｃ ３Ｃ，３Ｄ：へンプ付け部 ６Ｃ：直保偶分 ４Ｄ：牛導俸装置 ５Ｄ、５Ｅ：突剋部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体素子及びこの半導体素子に電気的に接続さ
    れ外部に突出した外部リードを樹脂封止した表面実装形
    の半導体装置であって、上記外部リードは、上記半導体
    装置のハンダ付け側と反対方向に突起するように折り曲
    げられ、かつ折り曲げられた外部リードの長さは上記半
    導体装置の外部リード埋設部から上記半導体装置の底部
    までの長さより長いことを特徴とする半導体装置。
  2. （２）半導体素子及びこの半導体素子に電気的に接続さ
    れ外部に突出した外部リードを樹脂封止した表面実装形
    の半導体装置であって、上記外部リードは、上記半導体
    装置のハンダ付側に逆Ｊ字形に折り曲げられたことを特
    徴とする半導体装置。
  3. （３）逆Ｊ字形に折り曲けられた外部リードの先端は、
    ハンダ付け側と逆方向に半導体装置の上面まで延び、半
    導体装置の上下両面でハンダ付けを可能としたことを特
    徴とする請求項２記載の半導体装置。
  4. （４）半導体装置の上面まで延びた外部リードの先端は
    、半導体装置の上側に突起するように折り曲げられたこ
    とを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
JP2126981A 1990-05-18 1990-05-18 半導体装置 Pending JPH0423460A (ja)

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US07/577,111 US5055912A (en) 1990-05-18 1990-09-04 Semiconductor device
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US5055912A (en) 1991-10-08
KR910020873A (ko) 1991-12-20

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