JPH04235285A - 無電解メッキ方法 - Google Patents

無電解メッキ方法

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JPH04235285A
JPH04235285A JP3184633A JP18463391A JPH04235285A JP H04235285 A JPH04235285 A JP H04235285A JP 3184633 A JP3184633 A JP 3184633A JP 18463391 A JP18463391 A JP 18463391A JP H04235285 A JPH04235285 A JP H04235285A
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カロライン・アン・コウバク
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ドメーニコ・トルトレツラ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は前駆物質ポリアミド酸から生成さ
せたポリイミドフィルム表面をシーディング（ｓｅｅｄ
ｉｎｇ）して電子パッケージング適用に好適したポリマ
ー誘電体を提供する方法に関し、この場合前記誘電体に
金属回路パターンを十分に接着させて適用する能力が得
られる。
【０００２】半導体技術特に電子パッケージング適用に
おけるポリマー誘電体、例えばポリイミド、ポリシロキ
サン、シリコーン、シクロブタジエンおよび他の高温ポ
リマー例えばポリフェニルキノキサリンの使用はよく知
られている。前述の組成物の内、特に有用なそれはポリ
イミドである。
【０００３】米国特許第３，９２８，６６３号は誘電体
を無電解金属付着によって自触媒的にする方法を開示し
ており、この場合ヘクトライトをポリイミドに混合して
複合板を形成させ、ヘクトライト中の置換性カチオンは
周期律表のＩ−ＢとＶＩＩＩ群の種種な金属のカチオン
で置換されている。ここに開示する具体例は、複合板の
表面を砂で磨き、その位置にメッキ溶液からＩＢまたは
ＶＩＩＩ群の金属の１つを付着させる。
【０００４】米国特許第４，６６６，７４２号はポリマ
ー組成物とそれに均一に分散または溶解させた有機金属
錯体を開示している。開示された多くのポリマーと金属
錯体の中にはそれぞれポリイミドとパラジウムがある。
【０００５】米国特許第４，７７５，４４９号はポリイ
ミド表面を金属でメッキする前、窒素−酸素部分を持つ
接着促進化合物で処理することによりポリイミド表面に
塗布した金属層の接着を改善する方法を開示している。
【０００６】本発明は前駆物質ポリアミド酸フィルムか
ら生成させたポリイミドフィルムを機械的または化学的
手段でシーディングおよびメッキする方法に関する。
【０００７】本発明の方法の目的は、標準の電子パッケ
ージング適用に使用するポリイミドの表面を、メタロン
（ｍｅｔａｌｏｎ）の無電解付着に適するようにシーデ
ィングしたポリイミド表面にすることである。
【０００８】本発明の具体化の一つにおいては、ポリイ
ミド前駆物質例えばポリアミド酸表面をシーディング用
媒質例えばパラジウム・カチオンを含有する溶液にさら
す。シード（ｓｅｅｄ）で処理した表面を熱にさらして
前駆物質組成物をイミド化する。金属をシーディングし
た表面に無電解的に付着させることができる。
【０００９】代わりに本発明を含む他の方法においては
、ポリイミド表面を例えばサンドペーパーですりへらし
、その後処理した表面をシーディング媒質にさらし、シ
ードをゼロ酸化状態（ｚｅｒｏ　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　
ｓｔａｔｅ）で付着させる。その後金属をシーディング
した表面に無電解メッキすることができる。
【００１０】本発明においては、基体上のポリアミド酸
フィルムを当該技術分野で公知の慣用的なスピンコーテ
ィングまたは他の溶液コーティング法を用いて形成させ
る。ポリアミド酸フィルムをパラジウム・カチオンを含
む溶液にさらす。このパラジウムで処理したフィルムを
ポリマーのイミド化を起こさせる時間／温度スケジュー
ルで加熱処理する。ここで準備が整い、その後シーディ
ングしたフィルムを無電解メッキ浴にさらし、それによ
りポリマー表面に被覆金属フィルムの付着を起こさせる
。
【００１１】代わりに、この方法の具体化は上に開示し
た方法で基体上にポリアミド酸フィルムを形成させ、フ
ィルムをポリイミド形態に硬化させ、そこでフィルム表
面をサンドペーパーまたは他のすりへらし手段を用いて
こすり、表面を粗くする。次いで表面をパラジウム・カ
チオンを含む溶液にさらす。その後シーディングしたフ
ィルムを無電解メッキ浴にさらし、ポリマーフィルムの
表面上に金属フィルム被覆の付着を起こさせる。
【００１２】本発明により基体または誘電体として満足
に使用することができるポリマーは次の群、すなわちポ
リアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリシロキサ
ン、フェノール樹脂、ポリスルフィド、ポリアセタール
、ポリエチレン、ポリイソブチレン、ポリアクリロニト
リル、ポリビニルクロリド、ポリスチレン、ポリメチル
メタクリレート、ポリビニルアセテート、ポリテトラフ
ルオロエチレン、ポリイソプレン、ポリカーボネート、
ポリエーテル、ポリイミド、ポリベンズイミダゾール、
ポリベンゾキサゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリオ
キサジアゾール、ポリトリアゾール、ポリキノキサリン
、ポリイミダゾピロロン、並びに芳香族成分およびビニ
ルとシクロブテン基から選ばれる成分を含むコポリマー
から選ばれ、この場合芳香族成分およびビニルとシクロ
ブテン基は　　年　　月　　日に出願し、係属中の米国
特許願第　　　　　　　　号に記述されているようにＳ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、ＺｎおよびＦｅからなる群より選ばれ
る少なくとも１つの元素を含む。
【００１３】本発明により使用する最も高度に好ましい
ポリマーはポリイミド型ポリマーである。ポリイミドポ
リマーは「化学技術辞典（Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ　
ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）」、
第３版の「ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）」１８
巻、７０４ページの箇条に記述されており、その教示す
るところは参考例としてここに組み入れる。
【００１４】一般に、ポリイミドは次の繰り返しユニッ
ト（矢印は異性を表す）
【化４】 （式中、ｎは約１０，０００〜約１００，０００の分子
量を与える繰り返しユニットの数を表す整数であり、Ｒ
は
【００１５】
【化５】 からなる群より選ばれる少なくとも１つの４価の有機基
であり、この場合Ｒ２は１〜４の炭素原子を持つ２価の
脂肪族炭化水素基およびカルボニル、オキシ、スルホ、
スルフィド、エーテル、シロキサン、ホスフィン・オキ
シド、ヘキサフルオロイソプロピリデンおよびスルホニ
ル基からなる群より選ばれ、そしてＲ１は脂肪族有機基
または
【００１６】
【化６】 に示す基からなる群より選ばれる少なくとも１つの２価
の基であり、この場合Ｒ３はＲ２、シリコン、およびア
ミノ基からなる群より選ばれる２価の有機基である）を
含む。２つまたはそれより多いＲおよび／またはＲ１基
、特にアミノ基を含むＲ１の多重系列を含むポリマーを
使用することができる。
【００１７】ポリイミドは種々な供給者から次の３つの
形態、すなわちａ）ポリアミド酸前駆物質の溶液（例え
ばＤｕＰｏｎｔ、Ｐｙｒａｌｉｎ）；ｂ）予めイミド化
したポリイミド形態（例えばＤｕＰｏｎｔ、Ｋａｐｔｏ
ｎフィルム）；またはｃ）予めイミド化した粉末（例え
ばＣｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ、Ｍａｔｒｉｍｉｄ　５２１８
）、または溶液（例えばＣｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ、Ｐｒｏ
ｂｉｍｉｄｅ）の１つとして商業的に入手することがで
きる。市販ポリイミドの化学は上に挙げた種々な成分の
例を含むが、本発明による使用に好ましいポリマーはモ
ノマーとしてピロメリット酸２無水物（ＰＭＤＡ）とオ
キシジアニリン（ＯＤＡ）（４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテルとも称する）に基づく。本発明による使用
に好ましい他のポリマーはベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸２無水物（ＢＴＤＡ）およびＯＤＡおよび／または
１，３−フェニレンジアミンのポリマー並びに３，３′
−ビフェニレンジアミン（ＰＤＡ）のポリマーである。
【００１８】ＰＭＤＡ−ＯＤＡに基づくポリイミドフィ
ルムはＡｌｌｉｅｄ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから商品
名Ａｐｉｃａｌで、およびＤｕＰｏｎｔから商品名Ｋａ
ｐｔｏｎで入手することができる。ＢＴＤＡ−ＰＤＡに
基づくフィルムはＵＢＥ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから
Ｕｐｉｌｅｘの名称で、およびＨｉｔａｃｈｉ　Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ　ＣｏｍｐａｎｙからＰＩＱ−Ｌ１００の名
称で溶液形態で入手することができる。本発明に有用な
他の商品名のポリイミドは、Ｒｏｇｅｒｓ　Ｃｏｒｐｏ
ｒａｔｉｏｎから発売のＤｕｒｉｍｉｄおよびＤｕＰｏ
ｎｔからのＰＩ−２５２５とＰＩ−２５６６を含むＰｙ
ｒａｌｉｎ系商品を含む。
【００１９】高分子量芳香族ポリイミドの１段階重合に
よる直接生産は、ポリイミドが不溶性かつ不融性である
ことより達成されないことが知られている。困難な点は
ポリマー鎖が高分子量が得られる前に、反応媒質（溶液
または溶融物の如何にかかわらず）から沈殿することで
ある。従ってポリイミドは２段階法により合成される。 第一段階は極性溶媒例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、またはＮ−メチル−２−ピロリドン中で実行して
高分子量ポリアミド酸を生成させるアミド化反応を含む
。
【００２０】典型的な反応は次のスキームの通りである
。
【００２１】
【化７】
【００２２】ポリマーの処理は第一段階の後においての
み達成され、この時点でそれはなお可溶性で溶融性であ
る。このポリマーは工程の第二段階の後においては不溶
性で不融性である。ポリアミド酸は最終のポリマー製品
の望ましい物理的形態（すなわちフィルム）に形成させ
、反応の第二段階を実行する。ポリアミド酸を１５０℃
以上の適度に高い温度で加熱することによりポリイミド
に固体状態に環化させる。ポリマーはアミド化反応の間
、環化の量を最小に保つように穏やかな条件すなわち７
０℃またはそれより低い温度に保つことにより溶液状態
に保たれる。
【００２３】本発明に有用なアミドはポリエーテルイミ
ド、ポリアミド、ポリイソイミダゾールおよびポリイソ
インドロキナゾリンジオンを含む。高温ラダーまたはラ
ダー型すなわち半ラダーポリマー、例えばポリイミダゾ
ピロロンが有用であることが確定された。
【００２４】本発明の１つの態様においては、適当な厚
さのポリアミド酸を基体上に付着させ、この場合基体は
都合よく銅または幾つかの他の金属であることができる
。ポリマーは低温すなわち５０℃〜１５０℃で、１０％
〜１００％のアミド酸における２０〜１００％の重量パ
ーセント固体となるまで乾燥する。生成する複合材料を
金属カチオン例えば硝酸パラジウムの水溶液と、０．０
０１〜１０ｍｇ／ｍｌの濃度でポリマーのシーディング
を許容する時間、例えば大体３０秒〜４５分間好ましく
は１〜５分間接触させる。得られる処理ずみ生産品を水
で十分な時間洗浄して不純物を除く。この洗浄時間は６
０分程度の長さとすることができるが、通常は１〜５分
である。次いで生産品を室温オーブンに入れ、約１８０
〜２２５℃の温度で十分な時間加熱してイミド化を起こ
させる。オーブンの温度は通常約２２５℃に上げてイミ
ド化を起こさせる。その処理のため室温オーブンに置く
時間は５分〜１時間で、通常は約１５分である。
【００２５】次いで複合材料を任意の標準の市販の無電
解浴中で大体３０秒〜５分間、好ましくは約２分間メッ
キする。メッキした生産品を流水中で１〜６０分間洗浄
し、そこで約８５℃〜１００℃の温度で、０．５〜２４
時間ベークする。ここで処理した複合材料は準備が整い
、標準の酸性硫酸第二銅電気メッキ浴中で電気メッキす
る。
【００２６】本発明の他の具体化においては、十分に硬
化させた２オンスの銅上にある適当な厚さの二重クラッ
ドのＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイミドを任意の便利な方法、
例えばサンドペーパーを用いてすりへらす。ポリイミド
表面の機械的すりへらしの程度は、表面化学種の形成を
許容するに十分な程度であるべきであり、前記化学種は
そこに露出した場合金属カチオンを錯体化する。次いで
すりへらしたポリマー表面を所望により超音波水槽を使
用して水で洗浄する。次いで金属例えば硝酸パラジウム
水溶液中で０．００１〜１０ｍｇ／ｍｌの濃度範囲で約
３０秒〜約４５分間シーディングする。次いでシーディ
ングしたポリマーを水で十分な時間洗浄して不純物を除
き、ここでメッキする準備が整い、標準の無電解銅浴中
で３０秒〜５分間、一般に２分間メッキする。無電解処
理後生産品を水で５分までの間、または不純物を除去す
るに十分な時間洗浄する。
【００２７】上に記述した具体化により、能率よく有効
にシーディングとメッキを行い、次いでメッキした金属
を接着させて作った製品は無電解浴中で９０分後標準の
スコッチテープ剥離試験で破損を認めないようなもので
あった。
【００２８】ここに記述した方法はポリイミドフィルム
特にポリアミド酸として供給され、加熱によりイミド化
されるポリイミドフィルムのメッキが望まれる如何なる
適用にも明らかな用途を持つ。ここに記述した方法はそ
れが容易に処理され、また従来技術で要求される特別な
取り扱い装置と処理、例えばドライボックス雰囲気、真
空蒸着、プラズマ処理を必要としない点で従来技術の方
法を上回る利点を持つ。
【００２９】本発明の好ましい態様は次の実施例により
例証することができる。
【００３０】〔実施例１〕２オンスの銅上にある二重ク
ラッドの０．００５０８ｃｍの厚さを持つポリイミド２
５２５と称するイミドポリマーの試料を、９４％のアミ
ド酸において６９重量％固体になるまで低温で乾燥した
。 生産品を１ｍｇ／ｍｌの濃度を持つ硝酸パラジウム水溶
液中で４５分間シーディングした。シーディングした生
産品を流水中で６０分間洗浄し、次いで室温オーブンに
入れ、１５分の静置時間中２２５℃に上げた。次いで生
産品を標準の室温無電解浴中で２分間メッキし、流水中
で６０分間洗浄し、８５℃で２４時間ベークした。次い
で生産品を標準の酸性硫酸第二銅電気メッキ浴中で４ｍ
Ａ／ｃｍ２で０．０００３１７５ｃｍの厚さになるまで
電気メッキした。電気メッキした生産品を流水中で６０
分間洗浄し、８５℃で２４時間ベークした。９０度剥離
試験を実施し、剥離強さは２、３および４ｍｍ剥離線で
３５±７ｇ／ｍｍに等しいことが測定された。
【００３１】〔実施例２〕２オンスの銅上にある二重ク
ラッドの０．００５０８ｃｍの厚さを持つ十分に硬化さ
せたＰＭＤＡ／ＯＤＡポリイミドを４００グリットのサ
ンドペーパーでこすり、処理した表面を超音波水層で清
浄にした。すりへらした表面を持つポリイミドを０．１
ｇ／ｍｌの濃度の硝酸パラジウムの水溶液に１分間接触
させることによりシーディングした。次いで生産品を水
で約５分間洗浄し、標準の室温無電解銅浴中で約９０分
間メッキした。無電解メッキした複合材料を５分間水中
で洗浄し、ここで電解メッキに適するようになり、標準
の酸性硫酸第二銅電気メッキ浴で４０ｍＡ／ｃｍ２で約
０．０００３１７５ｃｍの厚さになるまで電気メッキす
る。
【００３２】本発明を上述の好ましい具体例との関連で
詳細に示しかつ説明したが、前述のおよび他の形態と細
部における変化を本発明の思想と範囲から逸脱すること
なくなし得ることが当業者に理解されるであろう。

Claims (36)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ａ）　　基体上にポリアミド酸のフィ
    ルムを生成させ、 ｂ）　　前記ポリアミド酸フィルムをパラジウム・カチ
    オンを含む溶液と接触させ、 ｃ）　　前記パラジウムで処理したポリアミド酸フィル
    ムを前記ポリアミド酸のイミド化を起こさせるに十分な
    時間温度にさらし、そして ｄ）　　生成する前記パラジウムを含むポリイミドフィ
    ルムを無電解メッキ浴にさらして、その上に被覆金属フ
    ィルムの付着を達成する、 ことからなるポリイミドフィルム表面を無電解金属付着
    に適するようにするためのポリイミドフィルム表面のシ
    ーディングの方法。
  2. 【請求項２】　　ａ）　　基体上にポリアミド酸のフィ
    ルムを生成させ、 ｂ）　　前記ポリアミド酸フィルムを前記ポリアミド酸
    のイミド化を起こさせるに十分な時間温度にさらし、ｃ
    ）　　生成するポリイミドフィルムの表面を機械的にす
    りへらし、 ｄ）　　前記ポリイミドフィルムをパラジウム・カチオ
    ンを含む溶液と接触させ、そして ｅ）　　前記パラジウムを含むポリイミドフィルムを無
    電解メッキ浴にさらして、その上に被覆金属フィルムの
    付着を達成する、ことからなるポリイミドフィルム表面
    を無電解金属付着に適するようにするためのポリイミド
    フィルム表面のシーディングの方法。
  3. 【請求項３】　　ポリイミドは次の繰り返しユニット【
    化１】 （式中、ｎは約１０，０００〜約１００，０００の分子
    量を与える繰り返しユニットの数を表す整数であり、Ｒ
    は【化２】 からなる群より選ばれる少なくとも１つの４価の有機基
    であり、この場合Ｒ２は１〜４の炭素原子を持つ２価の
    脂肪族炭化水素基およびカルボニル、オキシ、スルホ、
    スルフィド、エーテル、シロキサン、ホスフィン・オキ
    シド、ヘキサフルオロイソプロピリデンおよびスルホニ
    ル基からなる群より選ばれ、そしてＲ１は脂肪族有機基
    または 【化３】 に示す基からなる群より選ばれる少なくとも１つの２価
    の基であり、この場合Ｒ３はＲ２、シリコン、およびア
    ミノ基からなる群より選ばれる２価の有機基である）を
    含む請求項１または２記載の方法。
  4. 【請求項４】　　ポリイミドをピロメリット酸２無水物
    とオキシジアニリンのモノマーに基づいて形成させる請
    求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】　　ポリイミドをベンゾフェノンテトラカ
    ルボン酸２無水物とオキシジアニリンのモノマーに基づ
    いて形成させる請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】　　ポリイミドをベンゾフェノンテトラカ
    ルボン酸２無水物とオキシジアニリンと１，３−フェニ
    レンジアミンのモノマーに基づいて形成させる請求項１
    記載の方法。
  7. 【請求項７】　　ポリイミドをベンゾフェノンテトラカ
    ルボン酸２無水物と１，３−フェニレンジアミンのモノ
    マーに基づいて形成させる請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】　　ポリイミドをベンゾフェノンテトラカ
    ルボン酸２無水物および３，３−ビフェニレンジアミン
    のポリマーに基づいて形成させる請求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】　　ポリアミド酸を形成させる反応をＮ，
    Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
    ミド、ジメチルスルホキシドまたはＮ−メチル−２−ピ
    ロリドンからなる群より選ばれる極性溶媒中で実行する
    請求項３記載の方法。
  10. 【請求項１０】　　ポリアミド酸を１５０℃以上の温度
    で固体状態でポリイミドに環化させる請求項９記載の方
    法。
  11. 【請求項１１】　　ポリアミド酸を適当な金属基体上に
    付着させる請求項１０記載の方法。
  12. 【請求項１２】　　金属が銅である請求項１１記載の方
    法。
  13. 【請求項１３】　　ポリマーを約５０℃〜１５０℃の温
    度で１０％〜１００％のアミド酸における約２０％〜１
    ００％の重量パーセント固体まで乾燥する請求項１２記
    載の方法。
  14. 【請求項１４】　　パラジウム化合物を含む溶液は約３
    ０秒〜約４５分間０．００１〜１０ｍｇ／ｍｌの濃度に
    おける硝酸パラジウムである請求項１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】　　硝酸パラジウムで処理したフィルム
    を約６０分までの間水で洗浄する請求項１４記載の方法
    。
  16. 【請求項１６】　　ポリイミド酸を約５分〜１時間約１
    ８０〜約２２５℃の温度に加熱することによりイミド化
    を起こさせる請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】　　加熱を約１５分間行う請求項１６記
    載の方法。
  18. 【請求項１８】　　無電解メッキを約３０秒〜５分間行
    う請求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】　　無電解メッキを約２分間行う請求項
    １８記載の方法。
  20. 【請求項２０】　　無電解メッキした生産品を約１分〜
    約６０分間流水で洗浄し、その後約８５℃〜１００℃の
    温度で約３０分〜２４時間乾燥する請求項１９記載の方
    法。
  21. 【請求項２１】　　機械的すりへらしがそれにさらした
    場合金属イオンを錯体化する表面化学種の形成を許容す
    るに十分である請求項２記載の方法。
  22. 【請求項２２】　　ポリイミドはピロメリット酸２無水
    物およびオキシジアニリンのモノマーに基づいて形成さ
    れる請求項２１記載の方法。
  23. 【請求項２３】　　ポリイミドはベンゾフェノンテトラ
    カルボン酸２無水物およびオキシジアニリンのモノマー
    に基づいて形成される請求項２１記載の方法。
  24. 【請求項２４】　　ポリイミドはベンゾフェノンテトラ
    カルボン酸２無水物、オキシジアニリンおよび１，３−
    フェニレンジアミンのモノマーに基づいて形成される請
    求項２１記載の方法。
  25. 【請求項２５】　　ポリイミドはベンゾフェノンテトラ
    カルボン酸２無水物および１，３−フェニレンジアミン
    のモノマーに基づいて形成される請求項２１記載の方法
    。
  26. 【請求項２６】　　ポリイミドはベンゾフェノンテトラ
    カルボン酸２無水物および３，３−ビフェニレンジアミ
    ンのポリマーに基づいて形成される請求項２１記載の方
    法。
  27. 【請求項２７】　　すりへらしをサンドペーパーで行う
    請求項２１記載の方法。
  28. 【請求項２８】　　すりへらしたポリマーの表面を水で
    洗浄する請求項２７記載の方法。
  29. 【請求項２９】　　洗浄段階を超音波水槽で行う請求項
    ２８記載の方法。
  30. 【請求項３０】　　ポリアミド酸を金属基体上に付着さ
    せる請求項２８記載の方法。
  31. 【請求項３１】　　金属が銅である請求項３０記載の方
    法。
  32. 【請求項３２】　　パラジウム化合物を含有する溶液が
    約０．００１〜１０ｍｇ／ｍｌの濃度の硝酸パラジウム
    溶液であり、そしてフィルムと約３０秒〜４５分間接触
    させる請求項３０記載の方法。
  33. 【請求項３３】　　硝酸パラジウムで処理したフィルム
    を５分までの間水で洗浄する請求項３２記載の方法。
  34. 【請求項３４】　　無電解メッキを約３０秒〜５分間行
    う請求項３３記載の方法。
  35. 【請求項３５】　　無電解メッキを約２分間行う請求項
    ３４記載の方法。
  36. 【請求項３６】　　無電解メッキした生産品を約１分〜
    ６０分間水で洗浄し、その後約８５℃〜１００℃の温度
    で約３０分〜２４時間乾燥する請求項３５記載の方法。
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