JPH04235531A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置等の電気光
学装置に関する。更に詳しくは、液晶層を挟持した一対
の基板の一方の基板上に画素電極とそれを駆動する非線
形素子とを例えばマトリックス状に配置した電気光学装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】上記のような非線形素子を備えた従来の
電気光学装置を、液晶表示装置を例にして説明する。

【０００３】図１９は従来のこの種の液晶表示装置にお
ける非線形素子を有する側の基板（以下、素子基板とい
う）の一部の平面図、図２０は図１９におけるｃ−ｃ線
拡大断面図である。図において、１は基板、２はその基
板１上に設けたＴａ（タンタル）等よりなる第１の導電
体、３はＴａＯｘ（酸化タンタル）等よりなる絶縁体、
４はＣｒ（クロム）等よりなる第２の導電体、５は画素
電極を示す。上記第１の導電体２と絶縁体３および第２
の導電体４とで、画素（画素電極）を駆動するための非
線形素子１０としてのメタル・インシュレータ・メタル
（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　　Ｍｅｔａｌ、以
下ＭＩＭと略記する）が構成されている。

【０００４】特に図示例のＭＩＭは、第１の導電体２の
側面だけを非線形素子１０として利用するいわゆるラテ
ラルＭＩＭの構造を用いている。即ち、このラテラルＭ
ＩＭは、図２０のように非線形素子を構成する第１の導
電体２の側面以外の表面を厚い絶縁体（以下、バリア層
ともいう）３ｂで覆うことにより、上記導電体側面を覆
う絶縁体３ａよりも電気抵抗を高くして非線形素子とし
て働かないようにしたものである。このような構造にす
ることで、非線形素子の面積を非常に小さくできるもの
で、ＭＩＭを画素用の非線形素子として用いた液晶表示
装置の高密度化、高精細化には極めて有効な技術ある。

【０００５】次に、上記のような素子基板の製造プロセ
スの一例を図２１に基づいて説明する。 Ａ）まず透明基板１上に第１の導電体２を膜付けする（
図２１（ａ））。 Ｂ）その導電膜をホトエッチングにより成形して第１の
導電体２を形成する（同図（ｂ））。 Ｃ）その第１の導電体２を含む透明基板１の上面に絶縁
体３を膜付けする（同図（ｃ））。 Ｄ）第１の導電体２の側面を除く該導電体表面に絶縁体
３を残すためのホトエッチングを行いバリア層３ｂを形
成する（同図（ｄ））。 Ｅ）第１の導電体２の側面に非線形素子の絶縁体となる
絶縁体３ａを膜付けする（同図（ｅ））。 Ｆ）次いで、第２の導電体４と画素電極５をそれぞれ膜
付けし、ホトエッチングによって成形する（同図（ｆ）
）。

【０００６】上記のようにして形成した第１の導電体２
と、その側面の絶縁体３ａおよび第２の導電体４の重な
る部分が非線形素子１０としてのＭＩＭを構成するもの
である。なお、上記Ｄ）の工程における絶縁体３のホト
エッチングは、以下のように行う。すなわち図２１の（
ｃ）の状態で第１の導電体２は不透明膜であり、絶縁体
３は透明膜である。透明基板１の膜面にポジレジスト（
露光された部分のレジストが取れる）を塗布し、透明基
板の裏面から露光を行い現像すれば第１の導電体２上の
レジストだけが残ることになる。その後、絶縁体３のエ
ッチングを行えば同図（ｄ）の形状が得られる。

【０００７】従来の液晶表示装置の場合には、ホトエッ
チングのプロセス数は、以下のようになる。前記Ｂ）の
工程で第１の導電体を形成する際に１回、Ｄ）の工程で
絶縁体を形成する際に１回、Ｆ）の工程で第２の導電体
と画素電極を形成する際に２回、さらにＥ）の工程で第
１の絶縁体に部分的に穴を開けコンタクトホールを形成
する際に１回の合計５回のホトエッチングを行う。その
際に必要なホトマスクは４種である。なお前記のプロセ
スで、第１の導電体２を膜付けした後、絶縁体３を連続
して膜付けし、同時にホトエッチングを行って図２０の
（ｄ）の形状を得るプロセスもある。この場合のプロセ
ス数は、ホトエッチングが４回、ホトマスクは３種必要
となる。

【０００８】ＭＩＭ素子に用いられる導電体２・４とし
ては、Ｔａ、Ａｌ、Ａｕ、ＩＴＯ、ＮｉＣｒ＋Ａｕさら
にＩＴＯ＋Ｃｒなどがよく知られている。また絶縁体３
（３ａ）としては、ＴａＯｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、Ｓ
ｉＯｘＮｙ、ＴａＮｘ、ＺｎＯｘなどがよく知られてい
る。これらの絶縁体（絶縁膜）は、一般に熱酸化や陽極
酸化、またはスパッタリングなどで形成される。またバ
リア層３ｂとしては、上記絶縁体に使われる無機材料の
ほかにポリイミドなどの有機膜を用いるものも知られて
いる。ＭＩＭ素子として最もよく知られている構造は、
第１の導電体２にＴａ（タンタル）、絶縁体３にＴａＯ
ｘ（酸化タンタル）、第２の導電体４にＣｒ（クロム）
を用いたものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
図１９および図２０に示した従来の液晶表示装置の構造
では、ＭＩＭ素子の極性差によって生じる直流成分によ
って液晶が劣化してしまい液晶表示装置として良質な画
質を得られないという問題点を有していた。また、液晶
が劣化するため液晶表示装置の信頼性も低いという大き
な問題点も存在した。特にＭＩＭ素子の極性差は、温度
によっても変化するので駆動上では制御することができ
ないという大きな問題がある。本発明は上記の問題点に
鑑みて提案されたもので、ＭＩＭ素子の極性差をなくし
て画質が良好で信頼性の高い電気光学装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明による電気光学装置は、以下の構成としたも
のである。

【００１１】即ち、液晶層を狭持する一対の基板の一方
の基板上に、複数個の画素電極と、その各画素電極を駆
動するための非線形素子とがマトリックス状に配置され
、該非線形素子が第１の導電体と、該第１の導電体の少
なくとも側面に形成された絶縁体と、第２の導電体とを
有してなり、該第１の導電体と絶縁体および第２の導電
体の重なる部分が、電流電圧特性に非線形性をもつ液晶
表示装置等の電気光学装置において、上記各画素電極は
それに接続されている非線形素子を少なくとも２つ備え
、その第１の非線形素子を通って画素電極に入力される
信号の経路は、少なくとも前記第１の導電体、絶縁体、
第２の導電体を経て画素電極に至り、第２の非線形素子
を通って画素電極に入力される信号の経路は、少なくと
も前記第２の導電体、絶縁体、第１の導電体を経て画素
電極に至るように構成されていることを特徴とする。

【００１２】

【作用】上記のように、各画素電極に非線形素子を少な
くとも２つ備え、第１の非線形素子を通って該画素電極
に入力される信号の経路が、第１の導電体、絶縁体、第
２の導電体を経て画素電極に至り、第２の非線形素子を
通って画素電極に入力される信号の経路が、第２の導電
体、絶縁体、第１の導電体を経て画素電極に至るように
したことにより、極性差をなくすことが可能となる。

【００１３】なお、上記の各非線形素子を構成する絶縁
体は、第１の導電体の側面に形成された絶縁体を利用す
るいわゆるラテラルＭＩＭもしくはそれ以外のものでも
よい。又より好ましくは上記第１の非線形素子の面積と
、第２の非線形素子の面積が等しくなるようにするとよ
い。さらに第２の導電体と画素電極とは同一の導電体で
構成することも可能である。また、上記第１の非線形素
子を通って画素電極に入力される信号の経路は、第１の
導電体、絶縁体、第２の導電体を経て画素電極に至る部
分と、第１の導電体、絶縁体、第２の導電体、絶縁体、
第１の導電体を経て該画素電極に至る部分に分岐する。 あるいは第１の非線形素子を通って画素電極に入力され
る信号の経路は、第１の導電体、絶縁体、第２の導電体
を経て画素電極に至る部分と、第１の導電体、絶縁体、
第２の導電体、第１の導電体を経て該画素電極に至る部
分に分岐する構成としても前記と同様の効果が得られる
。また前記の第１の非線形素子を通って該画素電極に入
力される信号の経路は、第１の導電体、絶縁体、第２の
導電体、該第１の導電体と第２の導電体間のコンタクト
ホール、第１の導電体を経て画素電極に至り、第２の非
線形素子を通って画素電極に入力される信号の経路は、
第１の導電体、該第１の導電体と第２の導電体間のコン
タクトホール、該第２の導電体、絶縁体、第１の導電体
を経て画素電極に至るように構成してもよい。さらに前
記第１の非線形素子と第２の非線形素子とを直列に接続
することも可能である。

【００１４】

【実施例】以下、本発明による電気光学装置を、液晶表
示装置に適用した図の実施例に基づいて具体的に説明す
る。なお以下の実施例において前記図１９および図２０
の従来例と同様の機能を有する部材には同一の符号を付
して説明する。

【００１５】また以下の実施例においては、第１の導電
体２としてＴａ、第２の導電体４としてＣｒをそれぞれ
用い、また非線形素子を構成する絶縁体３ａおよびバリ
ア層３ｂを含めて絶縁体３としてＴａＯｘを、さらに画
素電極５としてＩＴＯを用いたものであるが、これに限
られるものではなく、前記の従来公知の各種材質のもが
使用可能である。また上記の非線形素子を構成する絶縁
体３ａとバリア層３ｂとを別の材質で形成することもあ
る。

【００１６】図１は本発明による液晶表示装置の一実施
例を示す素子基板の平面図、図２の（ａ）・（ｂ）はそ
れぞれ図１におけるａ−ａ、ｂ−ｂ線拡大断面図である
。本実施例では、図２（ａ）において１０１で示される
部分と、同図（ｂ）において１０２で示される部分が、
それぞれ第１および第２の非線形素子（ＭＩＭ素子）と
なっており、それぞれの非線形素子１０１・１０２を通
る信号の経路は、以下のようになっている。第１の非線
形素子１０１の場合は、第２の導電体４に入力された信
号が、コンタクトホール１１を経て第１の導電体２に入
り、第１の導電体２とその側面の絶縁体３ａおよび第２
の導電体４とで構成される第１の非線形素子１０１を通
って画素電極５に印加される。第２の非線形素子１０２
の場合は、第２の導電体４に入力された信号が、第２の
導電体４と絶縁体３ａおよび第１の導電体２とは独立の
第１の導電体２１とで構成される非線形素子１０２を通
って画素電極５に印加される。

【００１７】上記のような構造にすれば、非線形素子１
０１・１０２は、互いに極性差を相殺する方向に画素電
極５に接続されていることになる。なお、この場合、第
１の非線形素子１０１と第２の非線形素子１０２の面積
を同じに設定すれば極性差を完全になくすことが可能と
なる。

【００１８】上記のように構成した素子基板の製造プロ
セスは、前記図２０で示した前記従来例の場合とほぼ同
様である。又この場合、第１の導電体２を膜付けした後
、絶縁体３を連続して膜付けし、同時にホトエッチング
を行って図２０の（ｄ）のような所定の形状を得るよう
にしてもよいことは従来の場合と同様である。従来の場
合には、バリア層３ｂを部分的にエッチングし、第１の
導電体２へのコンタクトホールを形成するホトエッチン
グの工程で、第１の導電体２を残してエッチングする。 本発明の場合、同様の工程で第１の導電体２をエッチン
グですべて取り除くことになる。この場合、図２の（ｂ
）で明らかなように第１の導電体２と第２の導電体４の
コンタクトは、第１の導電体２の側面を利用して行う。 このとき図２（ｂ）の第２の非線形素子１０２を形成し
ている第１の導電体２の独立した部分である第１の導電
体２１の画素電極５とのコンタクト面１２を同時に形成
する。コンタクトホール１１と同様に第１の導電体２１
の側面で画素電極５とのコンタクトを行う。上記のよう
なコンタクト構造の具体的な製造プロセスは後述する図
３および図５の実施例の場合とほぼ同様であり、その詳
細は後述する。

【００１９】図３は上記実施例の変形例を示す素子基板
の平面図、図４の（ａ）・（ｂ）はそれぞれ図３におけ
るａ−ａ、ｂ−ｂ線拡大断面図である。第１の非線形素
子１０１を構成する部分の第１の導電体２の側面と第２
の非線形素子１０２を構成する部分の第１の導電体２１
の側面の状態を、第１の導電体２のエッチングやバリア
層３ｂのエッチングに対して同等にして、それぞれの側
面の形状（テーパー形状）を制御し易くするために、第
１の導電体２および第１の導電体２１と独立の第１の導
電体２２を設けたものである。

【００２０】第１の非線形素子１０１を通る信号の経路
は、第２の導電体４に入力された信号が、コンタクトホ
ール１１を経て第１の導電体２に入り、第１の導電体２
とその側面に形成した絶縁体３ａおよび第２の導電体４
とで構成された第１の非線形素子１０１を通ったのち、
画素電極５に直接印加される経路と、さらに第１の導電
体２２を経由して画素電極５に印加される経路に分岐点
１３で分岐されることになる。第２の非線形素子１０２
を通る信号の経路は、第２の導電体４に入力された信号
が、第２の導電体４と絶縁体３ａおよび第１の導電体２
１とで構成された第２の非線形素子１０２を通り画素電
極５に印加される。上記の素子基板の製造プロセスは前
記実施例の場合と同様であり、プロセスの負荷は従来と
変わらない。

【００２１】図５は他の変形例を示す素子基板の平面図
、図６は（ａ），（ｂ）はそれぞれ図５におけるａ−ａ
・ｂ−ｂ線拡大断面図である。本例は上記図３における
独立の第１の導電体２２を別途設ける代わりに第２の非
線形素子１０２側の第１の導電体２１を延長して上記導
電体２２に兼用したもので、その第１の導電体２１と画
素電極５とのコンタクト面１２の面積を増やすことがで
きる等の利点がある。

【００２２】第１の非線形素子１０１を通る信号の経路
は、第２の導電体４に入力された信号が、コンタクトホ
ール１１を経て第１の導電体２に入り、第１の導電体２
と絶縁体３ａおよび第２の導電体４とで構成される第１
の非線形素子１０１を通ったのち、画素電極５に直接印
加される経路と、第２の非線形素子１０２に使われる絶
縁体３ａ、第１の導電体２１を経由して画素電極５に印
加される経路に分岐点１３で分岐されることになる。第
２の非線形素子１０２を通る信号の経路は、第２の導電
体４に入力された信号が、第２の導電体４と絶縁体３ａ
および第１の導電体２とで構成される第２の非線形素子
１０２を通り画素電極５に印加される。

【００２３】本例においても素子基板の製造プロセスは
、前記図１の実施例の場合と同様であり、プロセスの負
荷は従来と変わらない。

【００２４】ここで、具体的な製造プロセスを、上記図
５に示す構成の素子基板を例にして図７〜図１０に基づ
いて順に説明する。図７は第１の導電体２を形成した状
態である。図８で絶縁体３（バリア層３ｂ）を形成した
後、非線形素子を構成する絶縁体３ａを第１の導電体２
の側面に形成する。その絶縁体３ａは、陽極酸化または
熱酸化などで形成されるが、陽極酸化で行う場合など絶
縁体３ａを形成する部分の第１の導電体２は、電気的に
つながっている必要がある。図８において破線で記され
ている部分をホトエッチングで抜取りコンタクトホール
１１と第２の非線形素子１０２のコンタクト面１２を形
成する。図９が、上記エッチング後の様子である。ここ
で第２の非線形素子１０２の第１の導電体２１が形成さ
れる。図１０は第２の導電体４と画素電極５を形成した
状態である。

【００２５】以上のように前記各実施例による構造を用
いても製造プロセスの負荷は、ホトエッチング５回、ホ
トマスク４種で従来の構造の場合と変わらない。

【００２６】図１１は前記図５の変形例を示す素子基板
の平面図、図１２（ａ）・（ｂ）はそれぞれ図１１にお
けるａ−ａ・ｂ−ｂ線拡大断面図である。本例は前記図
５の実施例における第１の非線径素子１０１と導電体２
１との間の第２の導電体４、および必要に応じて導電体
２上の第２の導電体４をも含めて画素電極５と共通の導
電体で構成したものである。特に液晶表示装置等におい
ては、画素電極は透明膜であることが要求されるので、
本実施例では先の実施例における画素電極５と同様にＩ
ＴＯによって形成している。なお例えば反射型の液晶表
示装置等にあってはＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ａｕなどの反射
率の高い金属等を用いることもある。また上記の第１の
非線径素子１０１と導電体２１との間の第２の導電体４
と、導電体２上の第２の導電体４とを別の材質で形成し
てもよい。

【００２７】通常、前記のような非線形素子（ＭＩＭ素
子）を構成する第１の導電体と絶縁体および第２の導電
体としてそれぞれＴａ、ＴａＯｘ、Ｃｒを用いた非線形
素子と、Ｔａ、ＴａＯｘ、ＩＴＯを用いた非線形素子と
を比較した場合、後者の非線形素子は前者よりも極性差
が大きく実用的ではない。しかしながら上記実施例のよ
うな構造にすれば極性差を相殺することができる。しか
も上記のように画素電極を第２の導電体に兼用すること
により、製造プロセスの負荷を従来の構造より少なくす
ることができる。実際に本実施例ではホトエッチングが
４回、ホトマスク数は３種で製造できる。

【００２８】図１３は本発明の他の実施例を示す素子基
板の平面図、図１４（ａ）・（ｂ）はそれぞれ図１３に
おけるｃ−ａ・ｃ−ｂ線拡大断面図である。図１４（ａ
）の１０１で示される部分と図１４（ｂ）の１０２で示
される部分がそれぞれ第１の非線形素子、第２の非線形
素子となっている。それぞれの非線形素子１０１・１０
２を通る信号の経路は以下のようになっている。第１の
非線形素子１０１の場合は、第１の導電体２に入力され
た信号が、第１の導電体２と絶縁体３ａおよび第２の導
電体４とで構成された第１の非線形素子１０１を通り、
コンタクトホール１１を介して第１の導電体２１に入り
コンタクト面１２を介して画素電極５に入力される。第
２の非線形素子１０２の場合は、第１の導電体２に入力
された信号がコンタクトホール１１を介して第２の導電
体４に入り、第２の導電体４と絶縁体３ａおよび第１の
導電体２１とで構成された第２の非線形素子１０２を通
り、コンタクト面１２を介して画素電極５に入力される
。

【００２９】本実施例は上記のように構成することによ
り、非線形素子を除く部分の信号の経路も、第１の非線
形素子１０１と第２の非線形素子１０２とで同等となる
ようにしたものである。従ってコンタクトホール１１や
コンタクト面１２の抵抗まで含めて非線形素子の極性差
を解消することが可能である。それぞれのコンタクト抵
抗が非線形素子と比較して無視できないほど大きな抵抗
値の場合には、特に有効である。なお本例においても、
画素電極５と第２の導電体４とを同一の導電性材料で形
成してもよく、例えばＩＴＯや金属の極薄膜等を用いる
ことができる。

【００３０】図１５は上記実施例の変形例を示すもので
、その平面形状は前記図１３と略同様であり、同図１５
の（ａ）・（ｂ）は図１４の（ａ）・（ｂ）と同様にそ
れぞれ図１３におけるｃ−ａ・ｃ−ｂ線拡大断面図を示
す。本例は、前記図１３および図１４におけるコンタク
トホール１１やコンタクト面１２のコンタクト部分を第
１の導電体２１の側面で行わず、第１の導電体２１の上
面で行ったものである。このようにすると、ホトエッチ
ング用のホトマスクは一種増えるがコンタクト抵抗を減
らすためには有効である。

【００３１】また、ホトマスク数を増やさない工程とし
てレシスト密度に依存するエッチングレートの差を利用
して上記コンタクトと前記図８の破線部分で示される第
１の導電体２の抜き取りを同時に行うことも可能である
。コンタクトホール１１は上記破線部分に対して面積が
小さい。エッチングされる部分の面積に対する周辺のレ
ジスト密度が高いということになる。エッチング中にレ
ジストも同時にエッチングされるようなドライエッチン
グで上記のエッチングを行う場合などには、特にエチン
グレートはレジスト密度に左右される。レジスト密度が
相対的に高いコンタクトホールなどは、エッチングレー
トを上記破線部分に比較して相対的に遅くすることがで
きる。同時にエッチングして破線部分を完全に抜き取り
ながらコンタクトホール部分の第１の導電体を残すこと
も可能である。この場合、ホトマスク数を増やすことな
くコンタクトホールのコンタクト抵抗を減らすことがで
きる。

【００３２】図１６は前記図１３における画素電極５の
面積を増やすための実施例を示す。図１３の実施例の場
合には画素２つに対してコンタクトホール１１が４つ必
要になるが、隣接する画素の第１の導電体２上のコンタ
クトホールを共通化して画素２つに対してコンタクトホ
ール１１を３つにしたものである。上記のように構成す
ると、コンタクトホールの総数が４分の３に少なくでき
るため、コンタクトホールに起因する不良も減少するこ
とができる。なお、この場合、コンタクトホールを共通
化する隣接した画素は同時に選択信号を受けないもので
あることが望ましい。つまり一方の画素が選択されてい
る場合には他方の画素は非選択状態であることが望まし
い。

【００３３】以上の実施例は非線形素子を並列に接続し
たが直列に接続してもよく、図１７は２種の非線形素子
を直列に接続した場合の実施例を示す素子基板の平面図
、図１８は図１７におけるｃ−ｃ線拡大断面図である。 本実施例の信号の経路は、図１８で左側の第２の導電体
４から、その第２の導電体４と絶縁体３ａおよび第１の
導電体２１とで構成される第１の非線形素子１０１を通
り、その第１の導電体２１と絶縁体３ａおよび第２の導
電体４とで構成される第２の非線形素子１０２を経て画
素電極５に入力される。第２の導電体と第１の導電体を
入れ換えた場合でも同等である。

【００３４】なお上記の各実施例はいわゆるラテラルＭ
ＩＭを例示したが、これに限られるものではなく、また
液晶表示装置に限らず他の各種液晶装置その他の電気光
学装置にも適用できる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による電気
光学装置は、各画素電極に接続されている非線形素子を
少なくとも２つ備え、第１の非線形素子は、該画素電極
に入力される信号の経路が、第１の導電体、絶縁体、第
２の導電体を経て画素電極に至るようにすると共に、第
２の非線形素子は、画素電極に入力される信号の経路が
、第２の導電体、絶縁体、第１の導電体を経て画素電極
に至るようにしたから、非線形素子の極性差を解消する
ことができるもので、液晶表示装置等の電気光学装置に
おける画質や信頼性を大幅に向上させることが可能とな
る。また、製造プロセスが簡略化されて製造コストを低
減できる等の効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による電気光学装置の一実施例を示す素
子基板の平面図。

【図２】（ａ）は図１におけるａ−ａ線拡大断面図。 （ｂ）は図１におけるｂ−ｂ線拡大断面図。

【図３】図１の実施例の変形例を示す素子基板の平面図
。

【図４】（ａ）は図３におけるａ−ａ線拡大断面図。 （ｂ）は図３におけるｂ−ｂ線拡大断面図。

【図５】図３の実施例の変形例を示す素子基板の平面図
。

【図６】（ａ）は図５におけるａ−ａ線拡大断面図。 （ｂ）は図５におけるｂ−ｂ線拡大断面図。

【図７】本発明の電気光学装置における素子基板の製造
工程を示す説明図。

【図８】本発明の電気光学装置における素子基板の製造
工程を示す説明図。

【図９】本発明の電気光学装置における素子基板の製造
工程を示す説明図。

【図１０】本発明の電気光学装置における素子基板の製
造工程を示す説明図。

【図１１】図５の実施例の変形例を示す素子基板の平面
図。

【図１２】（ａ）は図１１におけるａ−ａ線拡大断面図
。 （ｂ）は図１１におけるｂ−ｂ線拡大断面図。

【図１３】本発明による電気光学装置の他の実施例を示
す素子基板の平面図。

【図１４】（ａ）は図１３におけるｃ−ａ線拡大断面図
。 （ｂ）は図１３におけるｃ−ｂ線拡大断面図。

【図１５】（ａ）は図１４の変形例を示す図１３におけ
るｃ−ａ線拡大断面図。 （ｂ）は図１４の変形例を示す図１３におけるｃ−ｂ線
拡大断面図。

【図１６】本発明による電気光学装置の他の実施例を示
す素子基板の平面図。

【図１７】本発明による電気光学装置の更に他の実施例
を示す素子基板の平面図。

【図１８】図１７におけるｃ−ｃ線拡大断面図。

【図１９】従来の電気光学装置における素子基板の平面
図。

【図２０】図１９におけるｃ−ｃ線拡大断面図。

【図２１】従来の電気光学装置における素子基板の製造
工程を示す説明図。

【符号の説明】

１　　基板 ２、２１、２２　　第１の導電体 ３　　絶縁体 ４　　第２の導電体 ５　　画素電極 １１　　コンタクトホール １２　　コンタクト面 １３　　分岐点 １０１　　第１の非線形素子 １０２　　第２の非線形素子

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　液晶層を狭持する一対の基板の一方の
   基板上に、複数個の画素電極と、その各画素電極を駆動
   するための非線形素子とを配置し、該非線形素子が第１
   の導電体と絶縁体および第２の導電体とを有してなり、
   該第１の導電体と絶縁体および第２の導電体の重なる部
   分が、電流電圧特性に非線形性をもつ液晶表示装置等の
   電気光学装置において、上記各画素電極はそれに接続さ
   れている非線形素子を少なくとも２つ備え、その第１の
   非線形素子を通って画素電極に入力される信号の経路は
   、少なくとも前記第１の導電体、絶縁体、第２の導電体
   を経て画素電極に至り、第２の非線形素子を通って画素
   電極に入力される信号の経路は、少なくとも前記第２の
   導電体、絶縁体、第１の導電体を経て画素電極に至るよ
   うに構成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】　　前記の絶縁体は少なくとも第１の導電
   体の側面に形成され、その導電体側面に形成された絶縁
   体で非線形素子を構成するものである請求項１記載の電
   気光学装置。
3. 【請求項３】　　前記第１の非線形素子の面積と、第２
   の非線形素子の面積が等しいことを特徴とする請求項１
   記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】　　前記第２の導電体と画素電極が同一の
   導電体であることを特徴とする請求項１記載の電気光学
   装置。
5. 【請求項５】　　前記第１の非線形素子を通って画素電
   極に入力される信号の経路は、第１の導電体、絶縁体、
   第２の導電体を経て画素電極に至る部分と、第１の導電
   体、絶縁体、第２の導電体、絶縁体、および第１の導電
   体を経て画素電極に至る部分に分岐していることを特徴
   とする請求項１記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】　　前記第１の非線形素子を通って画素電
   極に入力される信号の経路は、第１の導電体、絶縁体、
   第２の導電体を経て画素電極に至る部分と、第１の導電
   体、絶縁体、第２の導電体、第１の導電体を経て画素電
   極に至る部分に分岐していることを特徴とする請求項１
   記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】　　前記第１の非線形素子を通って画素電
   極に入力される信号の経路は、第１の導電体、絶縁体、
   第２の導電体、第１の導電体と第２の導電体間のコンタ
   クトホール、第１の導電体を経て画素電極に至、第２の
   非線形素子を通って画素電極に入力される信号の経路は
   、第１の導電体、該第１の導電体と第２の導電体間のコ
   ンタクトホール、該第２の導電体、絶縁体、第１の導電
   体を経て画素電極に至るように構成されていることを特
   徴とする請求項１記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】　　前記第１の非線形素子と第２の非線形
   素子が直列に接続されていることを特徴とする請求項１
   記載の電気光学装置。