JPH04241401A - セラミック製絶縁基板を備えた電子部品の製造方法 - Google Patents

セラミック製絶縁基板を備えた電子部品の製造方法

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JPH04241401A
JPH04241401A JP3014681A JP1468191A JPH04241401A JP H04241401 A JPH04241401 A JP H04241401A JP 3014681 A JP3014681 A JP 3014681A JP 1468191 A JP1468191 A JP 1468191A JP H04241401 A JPH04241401 A JP H04241401A
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JP
Japan
Prior art keywords
ceramic material
insulating substrate
material plate
breaking
resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP3014681A
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English (en)
Inventor
Hiroaki Hayashi
浩昭 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP3014681A priority Critical patent/JPH04241401A/ja
Publication of JPH04241401A publication Critical patent/JPH04241401A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ型抵抗器やチッ
プ型コンデンサ、サーマルヘッド或いはハイブリッドI
Cのように、セラミック製の絶縁基板の表面に、抵抗等
の素子や回路等を塗着焼成にて形成して成る電子部品の
製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】これらセラミック製の絶縁基板を備えた
電子部品のうちチップ型抵抗器Rは、従来は、例えば特
開平2−222103号公報に記載され、且つ、図4に
示すような工程を経て量産されていた。すなわち、多数
個の絶縁基板1を縦方向及び横方向に並べて連接した状
態のセラミック素材板2を、当該セラミック素材板2を
各絶縁基板1ごとにブレイクするための縦筋目線3と横
筋目線4とを予め形成した状態に焼成することによって
製作し、このセラミック素材板2における各絶縁基板1
の上面に、ペースト状の抵抗体をスクリーン印刷にて塗
着して炉内で焼成することによって各抵抗膜5を形成し
、次いで、セラミック素材板2を各横筋目線4に沿って
各棒状セラミック素材板2aごとにブレイクし、これら
各棒状セラミック素材板2aの長手方向に沿った両側縁
に、各抵抗膜5に対する側面電極6を塗着形成し、それ
から、各棒状セラミック素材板2aを、各縦筋目線3に
沿って各絶縁基板1ごとにブレイクするようにしていた
【0003】ところが、このように、セラミック素材板
2を、予め縦筋目線3と横筋目線4とを形成した状態で
焼成して形成する方法では、セラミック素材板2を焼成
するに際しての収縮により、各絶縁基板の平面形状が変
形て、寸法精度が著しく低下してしまうため、抵抗膜5
を印刷するに際して、抵抗膜5の位置がずれてしまう事
態が頻発すると言う問題があった。
【0004】そこで最近は、図5に示すように、セラミ
ック素材板2を、縦及び横筋目線3,4を形成していな
い状態に焼成して製作して、焼成後におけるセラミック
素材板2の表面に、レーザーを連続的に又は断続的に照
射することにより、直線状又はミシン目状に延びる縦及
び横筋目線3,4を形成し、次いで、セラミック素材板
2における各絶縁基板1への抵抗膜5の塗着工程、抵抗
膜5の焼成工程、側面電極6の形成工程、各絶縁基板1
へのブレイクと言う工程を順次行うようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この図5による製法で
は、各絶縁基板1を所定の平面形状及び所定の寸法に正
確に形成できるので、抵抗膜5を印刷するに際しての抵
抗膜5の位置のずれを防止することはできるが、その反
面、抵抗膜5を焼成して形成する際に、セラミック素材
板2も高温で加熱されるため、縦及び横筋目線3,4の
深さ寸法Hを深く形成すると、抵抗膜5を焼成する際の
熱応力により、セラミック素材板2に、縦及び横筋目線
3,4に沿った割れや亀裂の発生が頻発すると言う問題
があり、このため、縦及び横筋目線3,4の深さ寸法H
を、セラミック素材板2の板厚寸法Tの3分の1程度の
浅い寸法に形成せざるを得なかった。
【0006】しかし、縦及び横筋目線3,4の深さ寸法
Hが浅いと、セラミック素材板2を各棒状セラミック素
材板2aにブレイクする際、及び、各棒状セラミック素
材板2aを各絶縁基板1ごとにブレイクする際に、セラ
ミック素材板2及び棒状セラミック素材板2aが各絶縁
基板1の表面と直角な方向に沿って割れずに、図3に示
すように、絶縁基板1の表面に対して傾斜した方向に沿
って割れる現象が多発しており、このため、ブレイク後
における各絶縁基板1における端面1aの形状が不揃い
になる、換言すると、絶縁基板1の寸法精度が低下して
しまって、側面電極6の形成に支障をきたしたり、プリ
ント基板への装着が不能になったりすることになり、不
良品の発生率が高いと言う問題があった。
【0007】同様の問題は、チップ型コンデンサやサー
マルヘッド、或いは、ハイブリッドIC等のように、広
い面積のセラミック素材板を材料として、これに素子や
回路等を焼成したのちブレイクして製造するようにした
電子部品の製造一般において生じていた。本発明は、セ
ラミック製の絶縁基板を備えた電子部品を、不良率を格
段に低減した状態で製造できるようにした方法を提供す
ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明は、多数個の絶縁基板を整列して連接した状態の
セラミック素材板を製作し、このセラミック素材板にお
ける各絶縁基板の上面に、抵抗等の素子や回路等を塗着
焼成にて形成し、次いで、前記セラミック素材板を、当
該セラミック素材板を各絶縁基板ごとにブレイクするた
めの筋目線をレーザーの照射にて形成したのち、前記各
筋目線に沿って各絶縁基板ごとにブレイクする構成にし
た。
【0009】
【作用・効果】このように、セラミック素材板に抵抗等
の素子や回路等を塗着焼成にて形成してから、ブレイク
用の筋目線を形成する構成にすると、セラミック素材板
における各絶縁基板に素子や回路等を焼成する工程にお
いて、セラミック素材板に割れや亀裂が発生することを
、確実に防止できるのであり、しかも、各筋目線を形成
した後においてセラミック素材板に大きな熱応力が生じ
ることはないから、各筋目線の深さ寸法を充分に深くし
て、セラミック素材板を、各絶縁基板の端面を絶縁基板
の上面と略直角にした状態にして、各絶縁基板ごとにブ
レイクすることができ、ブレイク後における各絶縁基板
の寸法精度を格段に向上できることになる。更に、セラ
ミック素材板に筋目線を形成する手段としてのレーザー
は、ごく細巾であるので、レーザーの熱によって抵抗等
の素子や回路等が損傷することもない。
【0010】従って本発明によれば、セラミック素材板
に素子や回路等を焼成にて形成するに際してセラミック
素材板に割れや亀裂が発生することを確実に防止できる
ことと、ブレイク後における絶縁基板の寸法精度を格段
に向上できること、及び、抵抗等を損傷するこことなく
ブレイク用の筋目線を形成できることとの三者が相俟っ
て、絶縁基板に抵抗等の素子や回路等を焼成して成る電
子部品を、不良率を格段に低減した状態で量産できる効
果を有する。
【0011】
【実施例】次に、本発明をチップ型抵抗器の製造に適用
した場合の実施例を、図面(図1〜図2)に基づいて説
明する。本発明では、先ず、絶縁基板1を縦横に整列し
て連接した状態のセラミック素材板2を、成形してから
炉内で焼成することにより製作し、焼成後におけるセラ
ミック素材板2における各絶縁基板1の上面に、ペース
ト状の抵抗体をスクリーン印刷等にて塗着してから、炉
内で焼成することにより、抵抗膜5を形成する。
【0012】次いで、セラミック素材板2の表面に、各
絶縁基板1ごとにブレイクするための縦筋目線3と横筋
目線4とを、炭酸ガスレーザー等のレーザーを連続的に
照射して直線状に形成するか、又は、レーザーを断続的
に照射してミシン目状に形成する。この場合、縦及び横
筋目線3,4の深さ寸法は、セラミック素材板2の板厚
寸法Tの半分以上(例えば、セラミック素材板2の板厚
寸法Tの10分の9程度)の深い寸法に形成し、また、
縦及び横筋目線3,4をミシン目状に形成する場合には
、レーザーの照射間隔を150ミクロン以下の寸法にす
る。
【0013】そして、セラミック素材板2を、裏返した
状態でゴム製等の弾性板の上に載せて、これを、軸線を
横筋目線4と平行にしたローラにて押圧するか、又は、
外周面にゴム等の弾性体を張設した2つの平行なローラ
の間に、横筋目線4を両ローラの軸線と平行にした状態
で挿入して、両ローラでセラミック素材板2を挟み付け
た状態で当該両ローラを回転するとかして、セラミック
素材板2を、各横筋目線4に沿って各棒状セラミック素
材板2aごとにブレイクする。それから、各棒状セラミ
ック素材板2aの長手方向に沿った両側縁に、ペースト
状の電極を被覆したのち乾燥することによって側面電極
6を形成し、次いで、各棒状セラミック素材板2aを、
各縦筋目線4に沿って各絶縁基板1ごとにブレイクする
ことにより、チップ型抵抗器Rの単体を得る。
【0014】この製造工程において、抵抗膜5の焼成に
よる形成は、セラミック素材板2に縦及び横筋目線3,
4を形成する以前において行うものであるから、抵抗膜
5を焼成して形成するに際して、セラミック素材板2に
割れや亀裂が発生することは全くないのであり、また、
縦及び横筋目線3,4を形成したあとにおいてセラミッ
ク素材板2に大きな熱応力が生じることがないことによ
り、縦及び横筋目線3,4の深さ寸法を深く形成するこ
とができるから、ブレイク後における各絶縁基板1の端
面1aを、絶縁基板1の上面と略直角な状態に形成する
ことができ、ブレイク後における各絶縁基板1の寸法精
度を格段に向上できるのである。
【0015】上記の実施例は、チップ型抵抗器の製造に
適用した場合であったが、本発明は、チップ型コンデン
サやサーマルヘッド、或いは、ハイブリッドICのよう
に、絶縁基板の表面に抵抗等の素子や回路等を焼成する
ようにした電子部品一般の製造に適用できることは言う
までもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にてチップ型抵抗器を製造する場合の工
程の概略を示す図である。
【図2】図1のII−II視拡大断面図である。
【図3】図5のIII −III 視断面図である。
【図4】チップ型抵抗器の従来の製造工程の概略を示す
図である。
【図5】チップ型抵抗器の従来の製造工程の改良型を示
す概略図である。
【符号の説明】
R  電子部品の一例としてのチップ型抵抗器1  絶
縁基板 2  セラミック素材板 3  縦筋目線 4  横筋目線 5  抵抗膜 6  側面電極

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】多数個の絶縁基板を整列して連接した状態
    のセラミック素材板を製作し、このセラミック素材板に
    おける各絶縁基板の上面に、抵抗等の素子や回路等を塗
    着焼成にて形成し、次いで、前記セラミック素材板を、
    当該セラミック素材板を各絶縁基板ごとにブレイクする
    ための筋目線をレーザーの照射にて形成したのち、前記
    各筋目線に沿って各絶縁基板ごとにブレイクするように
    したことを特徴とするセラミック製絶縁基板を備えた電
    子部品の製造方法。
JP3014681A 1991-01-14 1991-01-14 セラミック製絶縁基板を備えた電子部品の製造方法 Pending JPH04241401A (ja)

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