JPH04242964A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JPH04242964A JPH04242964A JP3000281A JP28191A JPH04242964A JP H04242964 A JPH04242964 A JP H04242964A JP 3000281 A JP3000281 A JP 3000281A JP 28191 A JP28191 A JP 28191A JP H04242964 A JPH04242964 A JP H04242964A
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- Japan
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- wire bonding
- lead frame
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- bonding surface
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
用などのリードフレームおよびその製造方法に関するも
のであり、特に、狭ピッチ、多ピンパッケージに適した
リードフレームおよびその製造方法に関するものである
。
用などのリードフレームおよびその製造方法に関するも
のであり、特に、狭ピッチ、多ピンパッケージに適した
リードフレームおよびその製造方法に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置の製造においては
、まず図６に示すように、中央部に金メッキまたは銀メ
ッキなどのメッキ部１が施されたリードフレーム２が用
意され、そのインナーリード３およびアウターリード４
の断面形状は、一般に、図７に点線で示すように、正方
形状または長方形状、つまり上面と下面とが同寸法とさ
れている。図９に示すように、アイランド部５には半導
体ペレット６が接着され、その半導体ペレット６のボン
ディングパッド部とインナーリード３のメッキ部１とが
金線７などでワイヤーボンディングされる。そして、ボ
ンディング終了後、封止樹脂８により樹脂封止されると
ともにタイバー部９（図６〜図８参照）が切断され、リ
ードフレーム２の外部露出部表面１０に半田メッキが施
され、アウターリード４のリードカットと曲げが行われ
て製品が製造される。
、まず図６に示すように、中央部に金メッキまたは銀メ
ッキなどのメッキ部１が施されたリードフレーム２が用
意され、そのインナーリード３およびアウターリード４
の断面形状は、一般に、図７に点線で示すように、正方
形状または長方形状、つまり上面と下面とが同寸法とさ
れている。図９に示すように、アイランド部５には半導
体ペレット６が接着され、その半導体ペレット６のボン
ディングパッド部とインナーリード３のメッキ部１とが
金線７などでワイヤーボンディングされる。そして、ボ
ンディング終了後、封止樹脂８により樹脂封止されると
ともにタイバー部９（図６〜図８参照）が切断され、リ
ードフレーム２の外部露出部表面１０に半田メッキが施
され、アウターリード４のリードカットと曲げが行われ
て製品が製造される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のリ
ードフレーム２によれば、インナーリード３およびアウ
ターリード４の断面形状が正方形状または長方形状、す
なわち上面と下面とが同一幅であるため、多ピンパッケ
ージや狭ピッチパッケージにおいては、インナーリード
３がより細いものとなるため、一般にワイヤーボンディ
ングされる上面のスペースが狭くなり、ワイヤーボンデ
ィングを良好な位置に行うことが困難となる。最悪の場
合、インナーリード３のエッジ近傍にボンディングされ
て、ワイヤーボンドの強度保証や設備の稼働率などが低
下するという問題があった。
ードフレーム２によれば、インナーリード３およびアウ
ターリード４の断面形状が正方形状または長方形状、す
なわち上面と下面とが同一幅であるため、多ピンパッケ
ージや狭ピッチパッケージにおいては、インナーリード
３がより細いものとなるため、一般にワイヤーボンディ
ングされる上面のスペースが狭くなり、ワイヤーボンデ
ィングを良好な位置に行うことが困難となる。最悪の場
合、インナーリード３のエッジ近傍にボンディングされ
て、ワイヤーボンドの強度保証や設備の稼働率などが低
下するという問題があった。
【０００４】この問題に対処するリードフレームとして
図８に示すようなものがある。このリードフレーム１１
は、ワイヤーボンディングのスペースを確保するために
、インナーリード１２およびアウターリード１３の断面
形状が逆台形状、つまり上面の幅が下面の幅より広くな
るように構成している。このリードフレーム１１によれ
ば、一般にボンディング面となる上面を長くした分だけ
ボンディングスペースが拡大するため、ワイヤーボンデ
ィングを良好な位置に容易に行える。
図８に示すようなものがある。このリードフレーム１１
は、ワイヤーボンディングのスペースを確保するために
、インナーリード１２およびアウターリード１３の断面
形状が逆台形状、つまり上面の幅が下面の幅より広くな
るように構成している。このリードフレーム１１によれ
ば、一般にボンディング面となる上面を長くした分だけ
ボンディングスペースが拡大するため、ワイヤーボンデ
ィングを良好な位置に容易に行える。
【０００５】しかしながら、このリードフレーム１１は
、アウターリード１３の上面と下面との幅寸法が異なる
ため、アウターリード１３のリードカットと曲げを行う
工程において異方向にストレスがかかり、図１０に示す
ようにアウターリード１３の位置ずれｘを生じたり、図
１１に示すようにアウターリード１３下端の平坦度が悪
くなったりするという別途問題が生じていた。
、アウターリード１３の上面と下面との幅寸法が異なる
ため、アウターリード１３のリードカットと曲げを行う
工程において異方向にストレスがかかり、図１０に示す
ようにアウターリード１３の位置ずれｘを生じたり、図
１１に示すようにアウターリード１３下端の平坦度が悪
くなったりするという別途問題が生じていた。
【０００６】本発明は上記問題を解決するもので、ワイ
ヤーボンディングを良好な位置に容易に行えながら、ア
ウターリードの位置ずれを生じたり、アウターリード下
端の平坦度が悪くなったりすることのないリードフレー
ムおよびその製造方法を提供することを目的とするもの
である。
ヤーボンディングを良好な位置に容易に行えながら、ア
ウターリードの位置ずれを生じたり、アウターリード下
端の平坦度が悪くなったりすることのないリードフレー
ムおよびその製造方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明のリードフレームは、ワイヤーボンディング面
の幅がこのワイヤーボンディング面に対向する面の幅よ
りも広いインナーリードと、上面と下面とが同じ幅のア
ウターリードとを備えたものである。
に本発明のリードフレームは、ワイヤーボンディング面
の幅がこのワイヤーボンディング面に対向する面の幅よ
りも広いインナーリードと、上面と下面とが同じ幅のア
ウターリードとを備えたものである。
【０００８】また、本発明のリードフレームの製造方法
は、アウターリードの部分はマスキング寸法を上面と下
面とを同一として同一速度でエッチングを行い、インナ
ーリードの部分は、マスキング寸法をワイヤーボンディ
ング面側をワイヤーボンディング面に対向する面の幅よ
りも広くするとともに、ワイヤーボンディング面のエッ
チング速度は、アウターリードやインナーリード以外の
部分より遅らせ、ワイヤーボンディング面に対向する面
のエッチング速度は、アウターリードやインナーリード
以外の部分より早めるものである。
は、アウターリードの部分はマスキング寸法を上面と下
面とを同一として同一速度でエッチングを行い、インナ
ーリードの部分は、マスキング寸法をワイヤーボンディ
ング面側をワイヤーボンディング面に対向する面の幅よ
りも広くするとともに、ワイヤーボンディング面のエッ
チング速度は、アウターリードやインナーリード以外の
部分より遅らせ、ワイヤーボンディング面に対向する面
のエッチング速度は、アウターリードやインナーリード
以外の部分より早めるものである。
【０００９】
【作用】上記構成のリードフレームにより、インナーリ
ードはそのワイヤーボンディング面の幅が広いため、ワ
イヤーボンディングを良好な位置に容易に行え、アウタ
ーリードは上面と下面とが同じ幅であるため、異方向に
ストレスがかからず、アウターリードの位置ずれを生じ
たり、リード平坦度が悪くなったりすることはない。
ードはそのワイヤーボンディング面の幅が広いため、ワ
イヤーボンディングを良好な位置に容易に行え、アウタ
ーリードは上面と下面とが同じ幅であるため、異方向に
ストレスがかからず、アウターリードの位置ずれを生じ
たり、リード平坦度が悪くなったりすることはない。
【００１０】また、上記構成のリードフレームの製造方
法により、アウターリードの上面と下面とが同じ幅で、
インナーリードのワイヤーボンディング面の幅がこのワ
イヤーボンディング面に対向する面の幅よりも広いリー
ドフレームを製造することができる。
法により、アウターリードの上面と下面とが同じ幅で、
インナーリードのワイヤーボンディング面の幅がこのワ
イヤーボンディング面に対向する面の幅よりも広いリー
ドフレームを製造することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明
する。図１における点線部および図２の（ａ），（ｂ）
で示すように、リードフレーム２０におけるインナーリ
ード２１（図３におけるＡ部分）は、ワイヤーボンディ
ング面となる上面２１ａがワイヤーボンディング面に対
向する下面２１ｂよりも広幅の逆台形の断面形状とされ
、また、アウターリード２２（図３におけるＢ部分）は
上面２２ａと下面２２ｂとが同じ幅の正方形または長方
形の断面形状とされている。なお、図１および図３にお
いて、２３はタイバー部、２４は半導体ペレットが載設
されるアイランド部、２５はインナーリード２１のメッ
キ部である。
する。図１における点線部および図２の（ａ），（ｂ）
で示すように、リードフレーム２０におけるインナーリ
ード２１（図３におけるＡ部分）は、ワイヤーボンディ
ング面となる上面２１ａがワイヤーボンディング面に対
向する下面２１ｂよりも広幅の逆台形の断面形状とされ
、また、アウターリード２２（図３におけるＢ部分）は
上面２２ａと下面２２ｂとが同じ幅の正方形または長方
形の断面形状とされている。なお、図１および図３にお
いて、２３はタイバー部、２４は半導体ペレットが載設
されるアイランド部、２５はインナーリード２１のメッ
キ部である。
【００１２】ところで、一般的に狭ピッチパッケージで
は、インナーリード２１の幅を細くすることが必然的に
要求される。しかし、図４に示すように、インナーリー
ド２１のスリット幅Ｗはリードフレーム２０金属板の素
材厚みＴにより機械的に決定してしまい、インナーリー
ド２１のピッチＰを狭くするには、どうしてもインナー
リード幅Ｌそのものを細くせざるを得ない。また、多ピ
ンパッケージの場合でも、インナーリード２１をアイラ
ンド部２４に近づけることが必要となり、狭ピッチパッ
ケージの場合と同様にインナーリード幅Ｌを細くせざる
を得ない。
は、インナーリード２１の幅を細くすることが必然的に
要求される。しかし、図４に示すように、インナーリー
ド２１のスリット幅Ｗはリードフレーム２０金属板の素
材厚みＴにより機械的に決定してしまい、インナーリー
ド２１のピッチＰを狭くするには、どうしてもインナー
リード幅Ｌそのものを細くせざるを得ない。また、多ピ
ンパッケージの場合でも、インナーリード２１をアイラ
ンド部２４に近づけることが必要となり、狭ピッチパッ
ケージの場合と同様にインナーリード幅Ｌを細くせざる
を得ない。
【００１３】しかしながら、上記構成により、インナー
リード２１はワイヤーボンディング面となる上面２１ａ
の幅が広いため、ワイヤーボンディングを良好な位置に
容易に行え、また、アウターリード２２は上面２２ａと
下面２２ｂとが同じ幅であるため、アウターリード２２
のリードカットと曲げを行う工程においても、異方向へ
のストレスがかかり難くなり、アウターリード２２の位
置ずれを生じたり、リード平坦度が悪くなったりするこ
とはない。
リード２１はワイヤーボンディング面となる上面２１ａ
の幅が広いため、ワイヤーボンディングを良好な位置に
容易に行え、また、アウターリード２２は上面２２ａと
下面２２ｂとが同じ幅であるため、アウターリード２２
のリードカットと曲げを行う工程においても、異方向へ
のストレスがかかり難くなり、アウターリード２２の位
置ずれを生じたり、リード平坦度が悪くなったりするこ
とはない。
【００１４】次に、上記リードフレーム２０の製造方法
について説明する。半導体装置用リードフレーム２０は
、リードフレーム２０におけるインナーリード２１、ア
ウターリード２２、アイランド部２４をそれぞれ含むリ
ードフレーム骨格部分などの残留すべき部分をレジスト
層３０でマスキングした後、エッチング処理することに
より得られる。
について説明する。半導体装置用リードフレーム２０は
、リードフレーム２０におけるインナーリード２１、ア
ウターリード２２、アイランド部２４をそれぞれ含むリ
ードフレーム骨格部分などの残留すべき部分をレジスト
層３０でマスキングした後、エッチング処理することに
より得られる。
【００１５】すなわち、アウターリード２２となる部分
には、図４に示すように、レジスト層３０の幅Ｌを上下
面同一にし、エッチング加工も上下同一速度で行って上
面２２ａと下面２２ｂとが同じ幅になるようにする。一
方、インナーリード２１となる部分には、、図５に示す
ように、レジスト層３０の幅Ｌを、上面側を広く、下面
側を狭くマスキングし、さらに上下のエッチング液量の
コントロールを行い、上面側のエッチングを抑制し、下
面側のエッチングスピードを加速させることにより、ピ
ッチＰを狭くしながら上面２１ａの広いインナーリード
２１を製造する。このようにして各箇所により断面の異
なるリードフレーム２０を適切に製造することができる
。
には、図４に示すように、レジスト層３０の幅Ｌを上下
面同一にし、エッチング加工も上下同一速度で行って上
面２２ａと下面２２ｂとが同じ幅になるようにする。一
方、インナーリード２１となる部分には、、図５に示す
ように、レジスト層３０の幅Ｌを、上面側を広く、下面
側を狭くマスキングし、さらに上下のエッチング液量の
コントロールを行い、上面側のエッチングを抑制し、下
面側のエッチングスピードを加速させることにより、ピ
ッチＰを狭くしながら上面２１ａの広いインナーリード
２１を製造する。このようにして各箇所により断面の異
なるリードフレーム２０を適切に製造することができる
。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように本発明のリードフレー
ムによれば、インナーリードのワイヤーボンディング面
の幅を広くし、アウターリードは上面と下面とを同じ幅
としたため、ワイヤーボンディングを良好な位置に容易
に行えながら、アウターリードの位置ずれを生じたり、
リード平坦度が悪くなったりすることはなく、多ピンパ
ッケージや狭ピッチパッケージに適したリードフレーム
を得ることができる。
ムによれば、インナーリードのワイヤーボンディング面
の幅を広くし、アウターリードは上面と下面とを同じ幅
としたため、ワイヤーボンディングを良好な位置に容易
に行えながら、アウターリードの位置ずれを生じたり、
リード平坦度が悪くなったりすることはなく、多ピンパ
ッケージや狭ピッチパッケージに適したリードフレーム
を得ることができる。
【００１７】また、本発明のリードフレームの製造方法
によれば、アウターリードの上面と下面とが同じ幅で、
インナーリードのワイヤーボンディング面の幅がこのワ
イヤーボンディング面に対向する面の幅よりも広い、す
なわち各部分で断面形状の異なるリードフレームを、正
確に所定領域をコントロールしながら容易に製造でき、
しかも従来のエッチング装置に改良を加えるだけの同様
な製造設備を利用できるため、コストアップは最小限で
済む。
によれば、アウターリードの上面と下面とが同じ幅で、
インナーリードのワイヤーボンディング面の幅がこのワ
イヤーボンディング面に対向する面の幅よりも広い、す
なわち各部分で断面形状の異なるリードフレームを、正
確に所定領域をコントロールしながら容易に製造でき、
しかも従来のエッチング装置に改良を加えるだけの同様
な製造設備を利用できるため、コストアップは最小限で
済む。
【図１】本発明の一実施例に係るリードフレームの要部
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１のａ−ａおよびｂ−ｂ位置の断面図である
。
。
【図３】本発明の一実施例に係るリードフレームの部分
切欠平面図である。
切欠平面図である。
【図４】本発明の一実施例に係るリードフレームの製造
方法を説明するためのアウターリードの断面図である。
方法を説明するためのアウターリードの断面図である。
【図５】本発明の一実施例に係るリードフレームの製造
方法を説明するためのインナーリードの断面図である。
方法を説明するためのインナーリードの断面図である。
【図６】従来のリードフレームの平面図である。
【図７】従来のリードフレームの要部斜視図である。
【図８】従来のリードフレームの要部斜視図である。
【図９】従来の樹脂封止型半導体装置の部分切欠斜視図
である。
である。
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置の部分切欠側面
図である。
図である。
【図１１】従来の樹脂封止型半導体装置の部分切欠側面
図である。
図である。
２０ リードフレーム
２１ インナーリード
２１ａ インナーリードの上面（ワイヤーボンディン
グ面） ２１ｂ インナーリードの下面（ワイヤーボンディン
グ対向面） ２２ アウターリード ２２ａ アウターリードの上面 ２２ｂ アウターリードの下面 ３０ レジスト層
グ面） ２１ｂ インナーリードの下面（ワイヤーボンディン
グ対向面） ２２ アウターリード ２２ａ アウターリードの上面 ２２ｂ アウターリードの下面 ３０ レジスト層
Claims (2)
- 【請求項１】 ワイヤーボンディング面の幅がこのワ
イヤーボンディング面に対向する面の幅よりも広いイン
ナーリードと、上面と下面とが同じ幅のアウターリード
とを備えたリードフレーム。 - 【請求項２】 リードフレームの残留すべき部分をレ
ジスト層でマスキングした後、エッチング処理してなる
リードフレームの製造方法であって、アウターリードの
部分はマスキング寸法を上面と下面とを同一として同一
速度でエッチングを行い、インナーリードの部分は、マ
スキング寸法をワイヤーボンディング面側をワイヤーボ
ンディング面に対向する面の幅よりも広くするとともに
、ワイヤーボンディング面のエッチング速度は、アウタ
ーリードやインナーリード以外の部分より遅らせ、ワイ
ヤーボンディング面に対向する面のエッチング速度は、
アウターリードやインナーリード以外の部分より早める
ことにより、アウターリードの上面と下面とが同じ幅で
、インナーリードのワイヤーボンディング面の幅がこの
ワイヤーボンディング面に対向する面の幅よりも広いリ
ードフレームを製造するリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3000281A JP2781070B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3000281A JP2781070B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242964A true JPH04242964A (ja) | 1992-08-31 |
| JP2781070B2 JP2781070B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=11469524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3000281A Expired - Fee Related JP2781070B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781070B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016001763A (ja) * | 1999-06-30 | 2016-01-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228052A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
-
1991
- 1991-01-08 JP JP3000281A patent/JP2781070B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228052A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016001763A (ja) * | 1999-06-30 | 2016-01-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9484288B2 (en) | 1999-06-30 | 2016-11-01 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2781070B2 (ja) | 1998-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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