JPH04246805A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH04246805A JPH04246805A JP1205991A JP1205991A JPH04246805A JP H04246805 A JPH04246805 A JP H04246805A JP 1205991 A JP1205991 A JP 1205991A JP 1205991 A JP1205991 A JP 1205991A JP H04246805 A JPH04246805 A JP H04246805A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- film forming
- substrate
- forming substrate
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成方法に係り、特
に真空蒸着、スパッタリングおよびメッキ方法により薄
膜を形成する際に該薄膜に発生する内部応力を制御可能
とする薄膜の形成方法に関する。薄膜磁気ヘッドを形成
する際に、基板上に磁性薄膜を真空蒸着、或いはスパッ
タリングを用いて形成し、該磁性薄膜を所定のパターン
に加工している。
に真空蒸着、スパッタリングおよびメッキ方法により薄
膜を形成する際に該薄膜に発生する内部応力を制御可能
とする薄膜の形成方法に関する。薄膜磁気ヘッドを形成
する際に、基板上に磁性薄膜を真空蒸着、或いはスパッ
タリングを用いて形成し、該磁性薄膜を所定のパターン
に加工している。
【０００２】
【従来の技術】ところで、このような薄膜に於ける内部
応力が、該薄膜の磁気的特性、或いは電気的特性に影響
を及ぼすことが知られている。例えば磁性薄膜の内部応
力は磁歪現象を発生させ、この磁歪現象によって磁気異
方性を生じさせる。そのため、磁性薄膜を薄膜磁気ヘッ
ドに使用する場合は、この薄膜の内部応力が磁気異方性
に及ぼす影響を充分に考慮する必要がある。つまり、形
成される磁性薄膜の磁歪定数および内部応力を充分に小
さい値になるように制御して磁気異方性の発生を防ぐ必
要がある。
応力が、該薄膜の磁気的特性、或いは電気的特性に影響
を及ぼすことが知られている。例えば磁性薄膜の内部応
力は磁歪現象を発生させ、この磁歪現象によって磁気異
方性を生じさせる。そのため、磁性薄膜を薄膜磁気ヘッ
ドに使用する場合は、この薄膜の内部応力が磁気異方性
に及ぼす影響を充分に考慮する必要がある。つまり、形
成される磁性薄膜の磁歪定数および内部応力を充分に小
さい値になるように制御して磁気異方性の発生を防ぐ必
要がある。
【０００３】例えばスパッタ法で薄膜を形成する際には
、このような内部応力の制御は、スパッタの際の基板の
加熱温度、スパッタのガス圧力、基板の加熱から冷却に
温度を降下する際の温度勾配等の製膜条件を変えること
によって多少は制御することが可能である。然し、この
ような製膜条件を変動させると、形成された薄膜の透磁
率、保磁力等の磁気特性が変動し、薄膜磁気ヘッドの製
造に支障をきたす問題がある。このことは形成される薄
膜の内部応力を最適にするための製膜条件と、該薄膜の
磁気特性を最適にするための製膜条件とは合致しないこ
とを示している。
、このような内部応力の制御は、スパッタの際の基板の
加熱温度、スパッタのガス圧力、基板の加熱から冷却に
温度を降下する際の温度勾配等の製膜条件を変えること
によって多少は制御することが可能である。然し、この
ような製膜条件を変動させると、形成された薄膜の透磁
率、保磁力等の磁気特性が変動し、薄膜磁気ヘッドの製
造に支障をきたす問題がある。このことは形成される薄
膜の内部応力を最適にするための製膜条件と、該薄膜の
磁気特性を最適にするための製膜条件とは合致しないこ
とを示している。
【０００４】また形成される薄膜の内部応力を制御する
方法として、薄膜形成用基板の熱膨張率を変化させるこ
とで、該基板上に形成される薄膜の内部応力を制御する
方法もあるが、該基板は薄膜磁気ヘッドを作成するため
の電気的特性、或いは磁気的特性を備えている必要があ
り、これらの制約によって熱膨張率を変動させた薄膜形
成用基板を選択する場合は、その選択範囲が限定される
難点がある。
方法として、薄膜形成用基板の熱膨張率を変化させるこ
とで、該基板上に形成される薄膜の内部応力を制御する
方法もあるが、該基板は薄膜磁気ヘッドを作成するため
の電気的特性、或いは磁気的特性を備えている必要があ
り、これらの制約によって熱膨張率を変動させた薄膜形
成用基板を選択する場合は、その選択範囲が限定される
難点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した従来
技術の問題点に鑑みて成されたもので、薄膜形成用基板
のそりによって該基板上に形成される薄膜の内部応力を
制御可能とする薄膜の形成方法の提供を目的とする。
技術の問題点に鑑みて成されたもので、薄膜形成用基板
のそりによって該基板上に形成される薄膜の内部応力を
制御可能とする薄膜の形成方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜の形成方法
は、熱膨張率が互いに異なる材料より成る複数の板状部
材を積層して薄膜形成用基板を形成し、該薄膜形成用基
板の一方の面上に薄膜を形成することを特徴とする。ま
た上記薄膜が磁性薄膜であり、該磁性薄膜を薄膜磁気ヘ
ッドの磁極に用いることを特徴とするものである。
は、熱膨張率が互いに異なる材料より成る複数の板状部
材を積層して薄膜形成用基板を形成し、該薄膜形成用基
板の一方の面上に薄膜を形成することを特徴とする。ま
た上記薄膜が磁性薄膜であり、該磁性薄膜を薄膜磁気ヘ
ッドの磁極に用いることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】図１（ａ） および図１（ｂ） に示すように
本発明の方法に用いる薄膜形成用基板３は、アルミニウ
ム（Ａｌ）のような金属板１とガラス板２とを固着した
構造を有して成る。このＡｌの金属板１の熱膨張率は２
３×１０−６で、ガラス板２の熱膨張率は９ ×１０−
６である。
本発明の方法に用いる薄膜形成用基板３は、アルミニウ
ム（Ａｌ）のような金属板１とガラス板２とを固着した
構造を有して成る。このＡｌの金属板１の熱膨張率は２
３×１０−６で、ガラス板２の熱膨張率は９ ×１０−
６である。
【０００８】従って、この薄膜形成用基板３を後述する
スパッタ容器内に導入して、該基板を２００ ℃の温度
に加熱するとＡｌの金属板１の方が、ガラス板２より熱
膨張率が大であるので、図１（ａ） に示すように薄膜
形成用基板が下方に向かって凸状態に湾曲してそるよう
になる。このように下方に向かって凸状態にそっている
薄膜形成用基板３上に、図１（ｂ）に示すように薄膜４
を形成する。薄膜を形成後、この基板を２００ ℃の温
度より室温まで冷却すると、図１（ｃ）に示すように薄
膜形成用基板３は平坦になる。形成される薄膜が、例え
ば圧縮応力を有しているとすると、薄膜形成用基板３が
平坦となる際の引張応力によって、上記圧縮応力を相殺
することができる。これに反して形成される薄膜が引張
応力を有していると、金属板１とガラス板２とを互いに
交換した構造の薄膜形成用基板３を使用すると良い。
スパッタ容器内に導入して、該基板を２００ ℃の温度
に加熱するとＡｌの金属板１の方が、ガラス板２より熱
膨張率が大であるので、図１（ａ） に示すように薄膜
形成用基板が下方に向かって凸状態に湾曲してそるよう
になる。このように下方に向かって凸状態にそっている
薄膜形成用基板３上に、図１（ｂ）に示すように薄膜４
を形成する。薄膜を形成後、この基板を２００ ℃の温
度より室温まで冷却すると、図１（ｃ）に示すように薄
膜形成用基板３は平坦になる。形成される薄膜が、例え
ば圧縮応力を有しているとすると、薄膜形成用基板３が
平坦となる際の引張応力によって、上記圧縮応力を相殺
することができる。これに反して形成される薄膜が引張
応力を有していると、金属板１とガラス板２とを互いに
交換した構造の薄膜形成用基板３を使用すると良い。
【０００９】従って、この薄膜形成用基板３を構成する
金属板１とガラス板２のように熱膨張率の異なる材料を
組み合わせることで、加熱してスパッタした後、冷却し
て室温に降下する過程で、前記そりの状態が互いに相殺
されて図１（ｃ） に示すように薄膜形成用基板３が平
坦になり、この上に形成される薄膜４の内部応力を小さ
くすることが可能となる。そして薄膜形成用基板３の上
に形成される薄膜４の内部応力を、金属板１およびガラ
ス板２の材料の熱膨張率を適宜選択することによって所
定の値に制御することができる。
金属板１とガラス板２のように熱膨張率の異なる材料を
組み合わせることで、加熱してスパッタした後、冷却し
て室温に降下する過程で、前記そりの状態が互いに相殺
されて図１（ｃ） に示すように薄膜形成用基板３が平
坦になり、この上に形成される薄膜４の内部応力を小さ
くすることが可能となる。そして薄膜形成用基板３の上
に形成される薄膜４の内部応力を、金属板１およびガラ
ス板２の材料の熱膨張率を適宜選択することによって所
定の値に制御することができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図２に示すように厚さが０．２ｍｍ の
ガラス板２と、厚さが０．２ｍｍ のアルミニウム（Ａ
ｌ）より成る金属板１とを樹脂にて接着した薄膜形成用
基板３を用いる。 この薄膜形成用基板３を設置台１２に設置し、排気管１
３よりスパッタ容器１４内を排気した後、ガス導入管１
５よりＡｒガスを、該ガス圧が５ ×１０−３ｔｏｒｒ
と成るように導入する。そして薄膜形成用基板３とパー
マロイ（ＮｉＦｅ）より成るターゲット１６間に印加す
る高周波電力を６００ Ｗとし、高周波スパッタ法によ
り前記薄膜形成用基板３上に、パーマロイ（ＮｉＦｅ）
よりなる磁性膜１７を１ μｍ の厚さに形成する。
細に説明する。図２に示すように厚さが０．２ｍｍ の
ガラス板２と、厚さが０．２ｍｍ のアルミニウム（Ａ
ｌ）より成る金属板１とを樹脂にて接着した薄膜形成用
基板３を用いる。 この薄膜形成用基板３を設置台１２に設置し、排気管１
３よりスパッタ容器１４内を排気した後、ガス導入管１
５よりＡｒガスを、該ガス圧が５ ×１０−３ｔｏｒｒ
と成るように導入する。そして薄膜形成用基板３とパー
マロイ（ＮｉＦｅ）より成るターゲット１６間に印加す
る高周波電力を６００ Ｗとし、高周波スパッタ法によ
り前記薄膜形成用基板３上に、パーマロイ（ＮｉＦｅ）
よりなる磁性膜１７を１ μｍ の厚さに形成する。
【００１１】そしてこのようにして形成した磁性膜１７
の応力をＸ線法により測定した処、−１．５ ×１０９
ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。ちなみに、ガラス板のみよ
りなる薄膜形成用基板上にパーマロイ（ＮｉＦｅ）より
なる磁性膜を形成した従来の方法では、形成された磁性
膜の応力は−６ ×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２ で、形成
される磁性膜の応力が大幅に低下していることが判明し
た。
の応力をＸ線法により測定した処、−１．５ ×１０９
ｄｙｎｅ／ｃｍ２であった。ちなみに、ガラス板のみよ
りなる薄膜形成用基板上にパーマロイ（ＮｉＦｅ）より
なる磁性膜を形成した従来の方法では、形成された磁性
膜の応力は−６ ×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２ で、形成
される磁性膜の応力が大幅に低下していることが判明し
た。
【００１２】なお、このようにして形成した磁性膜を磁
気ヘッドとするには、磁気ヘッドのスライダとなる基台
、例えばアルチック基板上に前記磁性膜を形成した薄膜
形成用基板３を接着剤で接着した後、該基板並びに磁性
膜をスライダの形状に加工すると良い。以上述べたよう
に、薄膜形成用基板上に形成される薄膜の応力を打ち消
すように、熱膨張率の異なる材料を組み合わせて薄膜形
成用基板を形成することで、形成された薄膜の内部応力
が吸収されて、歪が所定の値に制御された磁性膜が形成
され、この磁性膜を用いて薄膜磁気ヘッドを形成すれば
磁気特性が所望の値に制御された高品質の薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。
気ヘッドとするには、磁気ヘッドのスライダとなる基台
、例えばアルチック基板上に前記磁性膜を形成した薄膜
形成用基板３を接着剤で接着した後、該基板並びに磁性
膜をスライダの形状に加工すると良い。以上述べたよう
に、薄膜形成用基板上に形成される薄膜の応力を打ち消
すように、熱膨張率の異なる材料を組み合わせて薄膜形
成用基板を形成することで、形成された薄膜の内部応力
が吸収されて、歪が所定の値に制御された磁性膜が形成
され、この磁性膜を用いて薄膜磁気ヘッドを形成すれば
磁気特性が所望の値に制御された高品質の薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上述べたように本発明の方法によれば
、形成される磁性薄膜の内部応力が所定の値に制御され
、該磁性薄膜を用いて薄膜磁気ヘッドを形成すれば、磁
気特性が所定の値に制御された高品質の薄膜磁気ヘッド
が得られる効果がある。
、形成される磁性薄膜の内部応力が所定の値に制御され
、該磁性薄膜を用いて薄膜磁気ヘッドを形成すれば、磁
気特性が所定の値に制御された高品質の薄膜磁気ヘッド
が得られる効果がある。
【図１】 本発明の方法を示す原理図で、（ａ） は
加熱時、（ｂ） は冷却時、（ｃ）は室温時の状態を示
す。
加熱時、（ｂ） は冷却時、（ｃ）は室温時の状態を示
す。
【図２】 本発明の方法の実施例を示す説明図である
。
。
１ 金属板
２ ガラス板
３ 薄膜形成用基板
４ 薄膜
１２ 設置台
１３ 排気管
１４ スパッタ容器
１５ ガス導入管
１６ ターゲット
１７ 磁性膜
Claims (2)
- 【請求項１】 熱膨張率が互いに異なる材料より成る
複数の板状部材（１，２） を積層して薄膜形成用基板
（３） を形成し、該薄膜形成用基板（３） の一方の
面上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法
。 - 【請求項２】 上記薄膜（４） が磁性薄膜であり、
該磁性薄膜を薄膜磁気ヘッドの磁極に用いることを特徴
とする請求項１記載の薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205991A JPH04246805A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205991A JPH04246805A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04246805A true JPH04246805A (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=11795031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1205991A Withdrawn JPH04246805A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04246805A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232273A (ja) * | 2012-04-30 | 2013-11-14 | Seagate Technology Llc | データ記憶装置 |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP1205991A patent/JPH04246805A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232273A (ja) * | 2012-04-30 | 2013-11-14 | Seagate Technology Llc | データ記憶装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |