JPH04249529A - 芳香族ポリエステルカーボネートの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は芳香族ポリエステルカー
ボネートの製造方法に関するものである。更に詳しくは
芳香族オキシカルボン酸残基、芳香族ジカルボン酸残基
と芳香族ジヒドロキシ化合物残基及び炭酸残基とからな
り、溶融成形が可能で耐熱性、機械的特性、寸法安定性
、耐溶剤性に優れており、エンジニヤリングプラスチッ
クスとして有用な芳香族ポリエステルカーボネートの製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、各産業分野での技術の進歩、および
エネルギー資源の供給不安による省エネルギー指向など
のため、有機高分子材料の高性能化、軽量化が求められ
ている。さらに金属代替物として使用できる高性能材料
も要求されている。これらのプラスチックスヘの高性能
化の要求に対して、優れた機械的性質を持つポリマーと
して注目されているのは、分子鎖の平行配列を特徴とす
る光学異方性の液晶ポリマーである。この液晶性ポリマ
ーとしては、全芳香族ポリエステルが代表的である。　
例えば、ｐ‐ヒドロキシ安息香酸ホモポリマーおよび共
重合体が以前から提供され、市販されている。一方、全
芳香族ポリエステルの他にも、種々の液晶性を有するポ
リエステルカーボネートが知られている。例えば、特公
昭５９−３０７２７号公報及び特公昭５９−３０７２８
号公報には、ｐ‐ヒドロキシ安息香酸、ハイドロキノン
または４，４′‐ジヒドロキシビフェニルを主とする芳
香族ジヒドロキシ化合物、炭酸および所望により芳香族
ジカルボン酸に基づいた芳香族ポリエステルカーボネー
トが開示されている。かかる芳香族ポリエステルカーボ
ネートは通常芳香族オキシカルボン酸（Ｆ）、芳香族ジ
カルボン酸（Ｇ）、芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｃ）と
ジアリールカーボネート（Ｅ）とを反応させることによ
って得られる。この場合、Ｆ成分とＧ成分とは加熱の際
に脱炭酸等の熱分解反応を受けやすいため、Ｆ成分及び
Ｇ成分をエステル化するのに十分な量過剰にＥ成分を用
いる必要があり、工業的に実施するにはコストの点で問
題があった。また、予め合成されたＦ成分とＧ成分のア
リールエステルを使用する方法も前記の公報に開示され
ているが、現在Ｆ成分とＧ成分のアリールエステルは工
業的には生産されていないことから工業的な規模で実施
するには問題があった。

【０００３】また、特開平１−２１０４２２号公報には
芳香族オキシカルボン酸（Ｆ）と芳香族ジヒドロキシ化
合物（Ｃ）とを、エステル化触媒の存在下、反応物のカ
ルボキシル基価が１０００当量／１０６ｇ以下に達する
まで反応せしめ、次いでジアリールカーボネート（Ｅ）
を添加反応せしめることを特徴とするポリエステルカー
ボネートの製造方法が開示されている。当該公報に開示
されている実施例ではすべて大量の溶剤が使用されてお
り、かつＥ成分の添加に先立って溶剤の除去工程が必要
になるなど、この方法を工業的に実施するには問題があ
った。また、使用する溶剤をなくすと、Ｆ成分が加熱の
際に脱炭酸素の熱分解反応を受けるために、収率の低下
および組成の狂いを生じてしまう他、反応中間体に固体
の析出物を生じ、ハンドリングが困難であるという問題
が別に生ずる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記し
た従来技術の問題点を解消し、優れた性能を有するポリ
エステルカーボネートを大量の溶剤および／又はジアリ
ールカーボネートを使用することなく単純なプロセスで
かつ低コストで製造し得る、芳香族ポリエステルカーボ
ネートの製造方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、芳
香族ヒドロキシカルボン酸アルキルエステル（Ａ）、芳
香族ジカルボン酸ジアルキルエステル（Ｂ）、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物（Ｃ）とを、エステル化触媒の存在下
、反応副生物であるアルコール（Ｄ）の留出量が下記式
（１） 　　　　　　　　ｄ≧０．５＊（ａ＋２ｂ）　　　　・
・・・・・・・・・・（１）（ここで、ａ、ｂ、ｄは成
分Ａ、Ｂ、Ｄのモル数を表す。）を満足するまで反応せ
しめ、次いでジアリールカーボネート（Ｅ）を下記式（
２） 　　　　　　　　１．０＜ｅ／（ｃ‐ｂ）≦２．０　　
　　・・・・・・・　（２）（ここで、ｂ、ｃ、ｅは成
分Ｂ、Ｃ、Ｅのモル数を表す。）を満足する割合で添加
反応せしめることを特徴とする芳香族ポリエステルカー
ボネートの製造方法である。

【０００６】以下本発明について詳細に説明する。本発
明においてＡ成分として用いる芳香族ヒドロキシカルボ
ン酸アルキルエステルとしてはｐ‐ヒドロキシ安息香酸
、２‐ヒドロキシ‐６‐ナフトエ酸、４‐ヒドロキシビ
フェニル‐４′‐カルボン酸等の芳香族ヒドロキシカル
ボン酸のアルキルエステルおよびこれらの核置換芳香族
ヒドロキシカルボン酸アルキルエステルが用いられる。 Ａ成分のアルキルエステルのアルキル基としてはＣ１〜
Ｃ１２アルキルが用いられる。核置換芳香族ヒドロキシ
カルボン酸アルキルエステルの芳香族環の核置換基とし
てはＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ６
〜Ｃ１０アリール、　Ｃ６〜Ｃ１０アラルキル（例えば
、フェニル、トリルもしくはナフチル）またはハロゲン
（好ましくは塩素もしくは臭素）が挙げられる。核置換
芳香族ヒドロキシカルボン酸アルキルエステルの好適な
例を挙げると、４‐ヒドロキシ‐２‐メチル安息香酸、
２‐エチル‐４‐ヒドロキシ安息香酸、３‐エチル‐４
‐ヒドロキシ安息香酸、２‐もしくは３‐クロロ‐４‐
ヒドロキシ安息香酸、４‐ヒドロキシ‐２‐フェニル安
息香酸および４‐ヒドロキシ‐３‐フェニル安息香酸の
アルキルエステルが挙げられる。より好ましくはｐ‐ヒ
ドロキシ安息香酸メチルエステルあるいはｐ‐ヒドロキ
シ安息香酸エチルエステルである。　なお、液晶性を損
なわない範囲でε‐オキシカプロン酸のごとき脂肪族オ
キシカルボン酸のアルキルエステルやシクロヘキサンオ
キシカルボン酸のごとき脂環族オキシカルボン酸のアル
キルエステル等で置き換えてもよい。

【０００７】本発明においてＢ成分として用いる芳香族
ジカルボン酸ジアルキルエステルとしては、８〜２４個
の炭素原子を有し、芳香族環１個あたり４個までのＣ１
〜Ｃ４アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基もしくはハ
ロゲン原子によって置換されていてもよい。芳香族ジカ
ルボン酸、例えばナフタレン−１，５−ジカルボン酸、
ビフェニル−２，２′−ジカルボン酸、ビフェニル−４
，４′−ジカルボン酸、ジフェニルメタン−４，４′−
ジカルボン酸、ジフェニルエーテル−４，４′−ジカル
ボン酸、ジフェニルスルホン−４，４′−ジカルボン酸
、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレン−２，６−
ジカルボン酸及びそれらの核置換芳香族ジカルボン酸の
ジアルキルエステルが含まれる。またＢ成分の一部を液
晶性を損なわない範囲で、コハク酸、アジピン酸等の如
き脂肪族ジカルボン酸のジアルキルエステルやシクロヘ
キサンジカルボン酸の如き脂環族ジカルボン酸等のジア
ルキルエステル等で置き換えてもよい。

【０００８】本発明においてＣ成分として用いる芳香族
ジヒドロキシ化合物としてはヒドロキノン、メチルヒド
ロキノン、エチルヒドロキノン、プロピルヒドロキノン
、ブチルヒドロキノン、クロロヒドロキノン、プロモヒ
ドロキノン、フェニルヒドロキノン、レゾルシノール、
２，６‐ジヒドロキシナフタレン、１，４‐ジヒドロキ
シナフタレン、１，５‐ジヒドロキシナフタレン、１，
６‐ジヒドロキシナフタレン、２，５‐ジヒドロキシナ
フタレン、２，７‐ジヒドロキシナフタレン、ビス‐（
４‐ヒドロキシフェニル）‐メタン、１，１‐ビス‐（
４‐ヒドロキシフェニル）‐エタン、ビスフェノール‐
Ａ、１，１‐ビス‐（４‐ヒドロキシフェニル）‐シク
ロヘキサン、　ビス‐（４‐ヒドロキシフェニル）‐ス
ルホン、４，４′‐ジヒドロキシビフェニル、４，４′
‐ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４′‐ジヒド
ロキシジフェニルスルフィド、４，４′‐ジヒドロキシ
ベンゾフェノン及びこれらの核置換誘導体等が挙げられ
る。なお、液晶性を損なわない範囲で脂肪族ジオール、
例えばエチレングリコール、ネオペンチルグリコール等
や脂環族ジオール、例えばシクロヘキサンジメチロール
、シクロヘキサンジオール等の如き他種ジォールの１種
または２種以上で置き換えたものを使用することができ
る。本発明においてＥ成分として用いるジアリールカー
ボネートとしてはジフェニルカーボネート、ジトルイル
カーボネート、フェニル‐トルイルカーボネート、ジナ
フチルカーボネートなとが挙げられる。これらのうちで
特にジフェニルカーボネートが好ましく用いられる。

【０００９】本発明に於いて、まず上記Ａ成分、Ｂ成分
とＣ成分とをエステル化触媒の存在下反応させる。場合
により、Ｃ成分の一部を後でＥ成分と共にあるいは単独
で追加添加せしめることもできる。エステル化触媒とし
ては従来公知の種々の化合物が用いられる。かかる触媒
としては、　例えばナトリウム、カリウム、カルシウム
、マグネシウム、亜鉛、マンガン、コバルト、チタニウ
ム、錫、鉛、アンチモン、ゲルマニウム等の単体及びこ
れらの化合物（例えば酸化物、水素化物、水素酸化物、
ハロゲン化物、アルコラート、フェノラート、有機酸塩
、無機酸塩、錯塩等）などが挙げられる。このような触
媒の好適な例を挙げると、酢酸マグネシウム、酢酸マン
ガン、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸亜鉛、チタ
ンテトラブチラート、チタンテトラプロピラート、ナト
リウムフェノラート、ジルコニウムブチラート、チタン
テトラフェノラート、酢酸コバルト、　二酸化ゲルマニ
ウム、三酸化アンチモン、二酢酸ジブチルスズ、ジブチ
ルジメトキシスズおよびモノブチルスズオキシドがある
。触媒の量は、好ましくは用いるモノマーの全量を１０
０重量部として０．０００１〜１．０重量部、さらに好
ましくは０．０００５‐０．２重量部である。このエス
テル化反応は１００℃から３２０℃までの温度範囲、好
ましくは１２０℃から３００℃までの温度範囲、更に好
ましくは１５０℃から２８０℃までの温度範囲で、反応
の結果生成するアルコールを除去しながら実施するのが
好ましい。反応圧力は減圧から加圧と任意に行なうこと
が出来る。Ａ、Ｂ、Ｄ成分の各モル数をａ、ｂ、ｄとし
た場合、エステル化反応は下記式（１）、　　　　　　
　　　　ｄ≧０．５＊（ａ＋２ｂ）　　　　　　　　・
・・・・・・・（１）を満足することが必要である。ｄ
＜０．５＊（ａ＋２ｂ）である場合には次の重合反応が
遅くなり好ましくない。より好ましくはｄ≧０．６＊（
ａ＋２ｂ）であり、更に好ましくはｄ≧０．８＊（ａ＋
２ｂ）になるまで反応させる。

【００１０】次いで、本発明では上記によって得た反応
生成物に、上記Ｅ成分、および場合によってはＣ成分の
一部を添加し、溶融状態で重合反応を行なう。ここで、
Ｅ成分の添加割合は、Ｂ、Ｃ、Ｅ成分の各モル数をｂ、
ｃ、ｅとした場合、下記式　（２）、 　　　　　　　　　　１．０＜ｅ／（ｃ−ｂ）≦２．０
　　　　　・・・・・・・・（２）を満足することが必
要であり、好ましくは１．０２＜ｅ／（ｃ−ｂ）≦１．
５である。この場合がｅ／（ｃ−ｂ）≦１．０の場合は
、目的とする高重合度の芳香族ポリエステルカーボネー
トが得られ難く、　２．０＜ｅ／（ｃ−ｂ）の場合には
、過剰のジアリールカーボネートが無駄になってしまい
好ましくない。反応温度は一般には１６０℃以上、好ま
しくは１８０℃以上、特に好ましくは２２０℃以上４０
０℃以下である。反応圧力は任意の圧力を採用できるが
、反応が進行するに従って減圧することが好ましい。ま
た、通常、反応触媒はエステル化反応のところで添加さ
れているので、この段階では新たに触媒を加えることが
必要ないが、所望により重合触媒を添加することもでき
る。かかる重合触媒としては、例えばナトリウム、カリ
ウム、カルシウム、マグネシウム、亜鉛、マンガン、コ
バルト、チタニウム、錫、鉛、アンチモン、ゲルマニウ
ム等の単体及びこれらの化合物（例えば酸化物、水素化
物、水酸化物、ハロゲン化物、アルコラート、フェノラ
ート、有機酸塩、無機酸塩、錯塩等）などが挙げられる
。

【００１１】本発明の製造方法により得られる芳香族ポ
リエステルカーボネートのｐ‐クロルフェノールを溶媒
とする０．１ｇ／ｄｌ濃度の溶液の５０℃におけるイン
ヘレント粘度（ＩＶ）は液晶性を示せば特に限定されな
いが、ＩＶが低いものは成形品表面から脱離したり、溶
出したりする可能性があり、成形時の金型汚れを誘起す
ることはもとより、飲食物に混入する危険が生じるので
、ＩＶは０．１ｄｌ／ｇ以上、好ましくは０．５ｄｌ／
ｇ以上が必要である。また、本発明による芳香族ポリエ
ステルカーボネートが、ｐ‐クロルフェノールに部分的
に可溶あるいは不溶である場合には、前述の最小の粘度
を有していると考えてよい。また、本発明においてはガ
ラス繊維、炭素繊維、アスベストなどの強化剤、充填剤
、核剤、難燃剤、顔料、酸化防止剤、安定剤、可塑剤、
滑剤、離型剤などの添加剤や他の熱可塑性樹脂を添加し
て、芳香族ポリエステルカーボネートに所望の特性を付
与することができる。これらの配合は任意の段階で行な
うことが出来る。

【００１２】本発明の製造方法により得られたポリエス
テルカーボネートは溶融させた際に液晶状態を示す。こ
こでいう液晶状態は偏光顕微鏡を用いて観察することが
できる。すなわち、溶融状態において、９０°に交差し
た一対の偏光子を備えた光学系において、全範囲または
、その一部に光を通過させる性質を示した場合、そのポ
リエステルカーボネートをサーモトロピック液晶として
分類した。また、結晶相から液晶相への転移温度は示差
走査熱量測定（ＤＳＣ）により昇温速度１０℃／ｍｉｎ
にて、測定を行なった。このようにして本発明の製造方
法により得られた芳香族ポリエステルカーボネートは、
光学異方性で、溶融成形性がよく、かつ、一軸方向の機
械的性質がとりわけ優れており、押出成形、射出成形、
圧縮成形、ブロー成形などの通常の溶融成形に供するこ
とにより、繊維、フィルム、成形品、容器、ホースなど
に加工することができる。以下に実施例により本発明を
さらに詳しく説明する。

【００１３】

【実施例】実施例１ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル　　１２１．７２重量部
、４，４′‐ジヒドロキシビフェニル　　９９．３１重
量部、および触媒として、モノブチルすずオキシド０．
１１重量部を、撹拌機、減圧蒸留装置を取付けた重合反
応器に仕込み、圧力を６５０ｍｍＨｇに設定して、窒素
気流下２００℃に加熱した。８時間かけて反応温度を徐
々に２６０℃に上昇させ、メタノールをさらに留去した
。 そして、圧力を徐々に３５０ｍｍＨｇに減少させ、　３
時間３０分にわたって反応を行なった。メタノールの留
出は２１．８重量部であった。次に、反応器に炭酸ジフ
ェニル　　１７１．３８重量部を添加し、圧力を６５０
ｍｍＨｇに設定して、窒素気流下２２０℃に加熱した。 ２時間３０分かけて反応温度を徐々に３００℃に上昇さ
せ、フェノールを留去した。そして、圧力を徐々に５ｍ
ｍＨｇに減少させ、３時間３０分にわたって反応を行な
った。反応終了後、淡茶色のポリエステルカーボネート
が得られた。収量は２００．４重量部であり、収率は９
６％であった。　インヘレント粘度は２．１１であった
。また、ＤＳＣによる測定により、結晶相から液晶相へ
の移転温度は２６４℃であった。そして、偏光顕微鏡で
光学異方相が２６５℃以上で観察された。

【００１４】実施例２ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル　　１２１．７２重量部
、４，４′‐ジヒドロキシビフェニル　　９９．３１重
量部、及び触媒として、チタンテトラブチラート０．１
１重量部を、撹拌器、減圧蒸留装置を取付けた重合反応
器に仕込み、圧力を６５０ｍｍＨｇに設定して、窒素気
流下２００℃に加熱した。１０時間３０分かけて反応温
度を徐々に２６０℃に上昇させ、メタノールをさらに留
去した。そして、圧力を徐々に３５０ｍｍＨｇに減少さ
せ、３時間３０分にわたって反応を行なった。メタノー
ルの留出は２０．８重量部であった。次に、反応器に炭
酸ジフェニル　　１７１．３８重量部を添加し、圧力を
６５０ｍｍＨｇに設定して、窒素気流下２２０℃に加熱
した。２時間３０分かけて反応温度を徐々に３００℃に
上昇させ、フェノールを留去した。そして、圧力を徐々
に２ｍｍＨｇに減少させ、３時間３０分にわたって反応
を行なった。反応終了後、淡茶色のポリエステルカーボ
ネートが得られた。収量は２０４．６重量部であり、収
率は９８％であった。　インヘレント粘度は１．９２で
あった。また、ＤＳＣによる測定により、結晶相から液
晶相への転移温度は２６５℃であった。そして、偏光顕
微鏡で光学異方相が２６５℃以上で観察された。

【００１５】実施例３ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル　　１２１．７２重量部
、４，４′‐ジヒドロキシビフェニル　　９９．３１重
量部、および触媒として、酢酸マンガン　　０．１１重
量部を、撹拌機、減圧蒸留装置を取付けた重合反応器に
仕込み、圧力を６５０ｍｍＨｇに設定して、窒素気流下
２００℃に加熱した。１２時間３０分かけて反応温度を
徐々に２６０℃に上昇させ、メタノールをさらに留去し
た。 そして、圧力を徐々に３５０ｍｍＨｇに減少させ、　４
時間３０分にわたって反応を行なった。メタノールの留
出は２０．２重量部であった。次に、反応器に炭酸ジフ
ェニル　　１７１．３８重量部を添加し、圧力を６５０
ｍｍＨｇに設定して、窒素気流下２２０℃に加熱した。 ２時間３０分かけて反応温度を徐々に３００℃に上昇さ
せ、フェノールを留去した。そして、圧力を徐々に１．
５ｍｍＨｇに減少させ、３時間３０分にわたって反応を
行なった。反応終了後、淡茶色のポリエステルカーボネ
ートが得られた。収量は２０２．５重量部であり、収率
は９７％であった。　インヘレント粘度は１．８６であ
った。また、ＤＳＣによる測定により、結晶相から液晶
相への転移温度は２６３℃であった。そして、偏光顕微
鏡で光学異方相が２６５℃以上で観察された。

【００１６】実施例４ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル　　１２１．７２重量部
、４，４′‐ジヒドロキシビフェニル　　９９．３１重
量部、および触媒として、酢酸ナトリウム０．１１重量
部を、撹拌機、減圧蒸留装置を取付けた重合反応器に仕
込み、圧力を６５０ｍｍＨｇに設定して、窒素気流下２
００℃に加熱した。１２時間３０分かけて反応温度を徐
々に２６０℃に上昇させ、メタノールをさらに留去した
。 そして、圧力を徐々に３５０ｍｍＨｇに減少させ、　４
時間３０分にわたって反応を行なった。メタノールの留
出は１９．６重量部であった。次に、反応器に炭酸ジフ
ェニル　　１７１．３８重量部を添加し、圧力を６５０
ｍｍＨｇに設定して、窒素気流下２２０℃に加熱した。 ２時間３０分かけて反応温度を徐々に３００℃に上昇さ
せ、フェノールを留去した。そして、圧力を徐々に１．
８ｍｍＨｇに減少させ、３時間３０分にわたって反応を
行なった。反応終了後、淡茶色のポリエステルカーボネ
ートが得られた。収量は２０３．４重量部であり、収率
は９７％であった。　インヘレント粘度は１．９５であ
った。また、ＤＳＣによる測定により、結晶相から液晶
相への転移温度は２６４℃であった。そして、偏光顕微
鏡で光学異方相が２６５℃以上で観察された。

【００１７】実施例５ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル　　１３６．９４重量部
、２，６‐ジヒドロキシナフタレン　　９６．４０重量
部、および触媒として、　モノブチルすずオキシド０．
０６重量部を、撹拌機、減圧蒸留装置を取付けた重合反
応器に仕込み、圧力を６５０ｍｍＨｇに設定して、窒素
気流下２００℃に加熱した。１２時間３０分かけて反応
温度を徐々に２６０℃に上昇させ、メタノールをさらに
留去した。そして、圧力を徐々に３５０ｍｍＨｇに減少
させ、４時間３０分にわたって反応を行なった。メタノ
ールの留出は２２．４９重量部であった。次に、反応器
に炭酸ジフェニル９６．４０重量部を添加し、圧力を６
５０ｍｍＨｇに設定して、窒素気流下２２０℃に加熱し
た。２時間３０分かけて反応温度を徐々に３００℃に上
昇させ、フェノールを留去した。そして、　圧力を徐々
に１．２ｍｍＨｇに減少させ、３時間３０分にわたって
反応を行なった。反応終了後、淡茶色のポリエステルカ
ーボネートが得られた。収量は１５９．０重量部であり
、収率は９７％であった。　インヘレント粒度は２．４
７であった。また、ＤＳＣによる測定により、結晶相か
ら液晶相への転移温度は２６９℃であった。そして、偏
光顕微鏡で光学異方相が２７０℃以上で観察された。 得られたポリエステルカーボネートを１２０℃で８時間
減圧乾燥した後、直径１．０ｍｍの紡糸孔を備えた溶融
紡糸装置を用いて、紡糸温度２８０℃で紡糸を行なった
。得られたポリエステルカーボネート繊維は、引張強度
５６．４ｋｇ／ｍｍ２、引張弾性率５８４０ｋｇ／ｍｍ
２、伸度２．２％と極めて高強度高弾性率のものであっ
た。

【００１８】実施例６ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル１０６．５０重量部、２
，６‐ジヒドロキシナフタレン４８．０５重量部、テレ
フタル酸ジメチル２９．１３重量部、および触媒として
、モノブチルすずオキシド０．０５重量部を、撹拌機、
減圧蒸留装置を取付けた重合反応器に仕込み、圧力を６
５０ｍｍＨｇに設定して、　窒素気流下２００℃に加熱
した。１２時間３０分かけて反応温度を徐々に２６０℃
に上昇させ、メタノールをさらに留去した。そして、圧
力を徐々に３５０ｍｍＨｇに減少させ、４時間３０分に
わたって反応を行なった。メタノールの留出は２６．２
７重量部であった。次に、反応器に炭酸ジフェニル４８
．２０重量部を添加し、圧力を６５０ｍｍＨｇに設定し
て、窒素気流下２２０℃に加熱した。２時間３０分かけ
て反応温度を徐々に３００℃に上昇させ、フェノールを
留去した。そして、　圧力を徐々に１．２ｍｍＨｇに減
少させ、３時間３０分にわたって反応を行なった。反応
終了後、淡茶色のポリエステルカーボネートが得られた
。収量は１５２．４重量部であり、収率は９８％であっ
た。　インヘレント粘度は２．７３であつた。 また、ＤＳＣによる測定により、結晶相から液晶相への
転移温度は２３９℃であった。そして、偏光顕微鏡で光
学異方相が２４０℃以上で観察された。得られたポリエ
ステルカーボネートを１２０℃で８時間減圧乾燥した後
、直径１．０ｍｍの紡糸孔を備えた溶融紡糸装置を用い
て、紡糸温度２８０℃で紡糸を行なった。得られたポリ
エステルカーボネート繊維は、引張強度４９．５ｋｇ／
ｍｍ２、引張弾性率５３８０ｋｇ／ｍｍ２、伸度２．２
％と極めて高強度高弾性率のものであった。

【００１９】

【発明の効果】本発明は芳香族ヒドロキシカルボン酸ア
ルキルエステル、芳香族ジカルボン酸ジアルキルエステ
ル、芳香族ジヒドロキシ化合物とを、　エステル化触媒
の存在下、反応せしめ、次いでジアリールカーボネート
を添加反応せしめることを特徴とする芳香族ポリエステ
ルカーボネートの製造方法であることから、大量の溶剤
および／又はジアリールカーボネートを使用せず、単純
なプロセスでかつ低コストで芳香族ポリエステルカーボ
ネートを製造することができる。本発明の製造方法によ
り得られる芳香族ポリエステルカーボネートは、結晶相
から液晶相への転移温度が４００℃以下と低く、成形加
工性に優れている。しかも、その液晶性に起因する平行
な分子配列により、高強度、高弾性率という優れた機械
的性質を備えている。従って、本発明により、得られる
芳香族ポリエステルカーボネートを押出成形、射出成形
、ブロー成形などの通常の溶融成形を行なうことで、高
性能な繊維、フィルム、成形品、容器、ホース等の有用
な成形体を得ることができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　芳香族ヒドロキシカルボン酸アルキル
   エステル（Ａ）、芳香族ジカルボン酸ジアルキルエステ
   ル（Ｂ）、芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｃ）とを、エス
   テル化触媒の存在下、反応副生物であるアルコール（Ｄ
   ）の留出量が下記式（１） ｄ≧０．５＊（ａ＋２ｂ）　　　　　・・・・・・・（
   １）（ここで、ａ、ｂ、ｄは成分Ａ、Ｂ、Ｄのモル数を
   表す。）を満足するまで反応せしめ、次いでジアリ−ル
   カーボネート（Ｅ）を下記式（２） １．０＜ｅ／（ｃ‐ｂ）≦２．０　・・・・・・（２）
   （ここで、ｂ、ｃ、ｅは成分Ｂ、Ｃ、Ｅのモル数を表す
   。）を満足する割合で添加反応せしめることを特徴とす
   る芳香族ポリエステルカーボネートの製造方法。