JPH04249530A - 芳香族ポリエステルカーボネート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は新規な芳香族ポリエステ
ルカーボネート、さらに詳しくいえば、溶融成形性がよ
く、かつ優れた物性を有する成形物を容易に与え得ると
共に、液晶性を有する芳香族ポリエステルカーボネート
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、各産業分野での技術の進歩、およ
びエネルギー資源の供給不安による省エネルギー指向な
どのため、有機高分子材料の高性能化、軽量化が求めら
れている。さらに金属代替物として使用できる高性能材
料も要求されている。これらのプラスチックスへの高性
能化の要求に対して、優れた機械的性質を持つポリマー
として注目されているのは、分子鎖の平行配列を特徴と
する光学異方性の液晶ポリマーである。この液晶性ポリ
マーとしては、全芳香族ポリエステルが代表的である。 　例えば、ｐ‐ヒドロキシ安息香酸ホモポリマーおよび
共重合体が以前から提供され、市販されている。しかし
、この芳香族ポリエステルは非常に高い液晶相への転移
温度を示すか、または液晶相転移温度以下の分解温度を
有することから、成形が困難である場合が多かった。 この様な材料では例えば圧縮成形のような成形方法は適
用しえるが、射出成形、溶融紡糸といった成形方法は適
用できないか、適用しても非常な困難を伴っていた。

【０００３】一方、全芳香族ポリエステルの他にも、種
々の液晶性を有するポリエステルカーボネートが知られ
ている。例えば、特公昭５９−３０７２７号公報及び特
公昭５９−３０７２８号公報には、ｐ‐ヒドロキシ安息
香酸、ハイドロキノンまたは４，４′‐ジヒドロキシビ
フェニルを主とする芳香族ジヒドロキシ化合物、炭酸お
よび所望により芳香族ジカルボン酸に基づいた芳香族ポ
リエステルカーボネートが開示されている。しかしなが
ら、これらの公報に開示されているポリエステルカーボ
ネートの成形加工温度はほとんど３１０℃〜３５０℃と
高温を必要とするにもかかわらず、熱変形温度は２００
℃以下と耐熱性と成形加工性のバランスに於て十分に満
足すべきポリエステルカーボネートが得られていなかっ
た。　また、射出温度２６０℃のポリマーについても耐
熱性の低いポリエステルカーボネートであった。また、
特開昭６０−３８４２７号公報には、ｐ‐ヒドロキシ安
息香酸、　４，４′‐ジヒドロキシビフェニルおよび芳
香族ジヒドロキシ化合物、炭酸および所望により芳香族
ジカルボン酸に基づいた芳香族ポリエステルカーボネー
トが開示されている。ここに開示されているポリエステ
ルカーボネートの成形加工温度は２６０℃〜３００℃で
あるが、そのビカット軟化温度は１５０℃以下と耐熱性
の低いポリエステルカーボネートであった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記し
た従来技術の問題点を解消し、溶融成形加工に優れ、か
つ耐熱性が高く、高強度・高弾性率が要求される分野に
使用し得る成形物を容易に与えうると共に液晶性を有す
る芳香族ポリエステルカーボネートを提供することを目
的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、（
ａ）ｐ‐ヒドロキシ安息香酸又は核置換ｐ‐ヒドロキシ
安息香酸（ｂ）ナフタレン−２，６−ジカルボン酸、（
ｃ）芳香族ジヒドロキシ化合物、（ｄ）炭酸、及び所望
ににより、（ｅ）ナフタレン−２，６−ジカルボン酸を
除く芳香族ジカルボン酸、に基ずく構造単位より構成さ
れ、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）で示
される構造単位の存在モル比をそれぞれａ、ｂ、ｃ、ｄ
及びｅとし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１とするとき、ｃ＝
ｂ＋ｄ＋ｅ ｂ／（ｂ＋ｅ）＞０．５ ｄ／（ｂ＋ｄ＋ｅ）＝０．０２〜０．５ａ＝０．０２〜
０．７ の関係を満たし、かつｐ‐クロルフェノールを溶媒とす
る０．１ｇ／ｄｌ濃度の溶液の５０℃におけるインヘレ
ント粘度（ＩＶ）が０．５ｄｌ／ｇ以上、もしくは、前
記溶媒に不溶であって、液晶性を有することを特徴とす
る芳香族ポリエステルカーボネートである。

【０００６】以下本発明について詳細に説明する。本発
明により得られる芳香族ポリエステルカーボネートを構
成する（ａ）の構造単位は、ｐ‐ヒドロキシ安息香酸、
核置換ｐ‐ヒドロキシ安息香酸またはこれらのエステル
等の誘導体から誘導される。核置換ｐ‐ヒドロキシ安息
香酸としてはＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキ
シ、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、Ｃ６〜Ｃ１０アラルキル（
例えば、フェニル、トリルもしくはナフチル）またはハ
ロゲン（好ましくは塩素もしくは臭素）によって芳香族
環が１つもしくはそれ以上置換されている核置換ｐ‐ヒ
ドロキシ安息香酸、　例えば４‐ヒドロキシ‐２‐メチ
ル安息香酸、２‐エチル‐４‐ヒドロキシ安息香酸、３
‐エチル‐４‐ヒドロキシ安息香酸、２‐もしくは３‐
クロロ‐４‐ヒドロキシ安息香酸、４‐ヒドロキシ‐２
‐フェニル安息香酸、４‐ヒドロキシ‐３‐フェニル安
息香酸等がある。　好適にはｐ‐ヒドロキシ安息香酸あ
るいはｐ‐ヒドロキシ安息香酸エステルが用いられる。 なお、液晶性を損なわない範囲でε‐オキシカプロン酸
のごとき脂肪族オキシカルボン酸やシクロヘキサンオキ
シカルボン酸のごとき脂環族オキシカルボン酸等で置き
換えてもよい。また、（ｂ）の構造単位はナフタレン‐
２，６‐ジカルボン酸またはこのエステル等誘導体から
誘導される。

【０００７】さらに、（ｃ）の構造単位は芳香族ジヒド
ロキシ化合物類より誘導される。好適に用いられるジヒ
ドロキシ化合物としてはヒドロキノン、　メチルヒドロ
キノン、エチルヒドロキノン、エチルヒドロキノン、プ
ロピルヒドロキノン、ブチルヒドロキノン、クロロヒド
ロキノン、ブロモヒドロキノン、フェニルヒドロキノン
、レゾルシノール、１，４‐ジヒドロキシナフタレン、
１，５‐ジヒドロキシナフタレン、１，６‐ジヒドロキ
シナフタレン、２，５‐ジヒドロキシナフタレン、２，
７‐ジヒドロキシナフタレン、ビス‐（４‐ヒドロキシ
フェニル）‐メタン、１，１‐ビス‐（４‐ヒドロキシ
フェニル）‐エタン、ビスフェノール‐Ａ、１，１‐ビ
ス‐（４‐ヒドロキシフェニル）‐シクロヘキサン、　
ビス‐（４‐ヒドロキシフェニル）‐スルホン、　４，
４′‐ジヒドロキシビフェニル、４，４′‐ジヒドロキ
シジフェニルエーテル、４，４′‐ジヒドロキシジフェ
ニルスルフィド、４，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノ
ン及びこれらの核置換誘導体等が挙げられる。なお、液
晶性を損なわない範囲で脂肪族ジオール、例えばエチレ
ングリコール、ネオペンチルグリコール等や脂環族ジオ
ール、例えばシクロヘキサンジメチロール、シクロヘキ
サンジオール等の如き他種ジオールの１種または２種以
上で置き換えたものを使用することができる。構造単位
（ｄ）を導入するためにはジアリールカーボネートが用
いられる。好適に用いられるジアリールカーボネートと
してはジフェニルカーボネート、ジトルイルカーボネー
ト、フェニル‐トルイルカーボネート、ジナフチルカー
ボネートなどが挙げられる。

【０００８】（ｅ）の構造単位は、ナフタレン−２，６
−ジカルボン酸を除く芳香族ジカルボン酸残基よりなる
。該芳香族ジカルボン酸残基としては、８〜２４個の炭
素原子を有し、芳香族環１個あたり４個までのＣ１〜Ｃ
４アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基もしくはハロゲ
ン原子によって置換されていてもよい芳香族ジカルボン
酸、例えばナフタレン−１，５−ジカルボン酸、ビフェ
ニル−２，２′−ジカルボン酸、ビフェニル−４，４′
−ジカルボン酸、ジフェニルメタン−４，４′−ジカル
ボン酸、ジフェニルエーテル−４，４′−ジカルボン酸
、ジフェニルスルホン−４，４′−ジカルボン酸、テレ
フタル酸、イソフタル酸、及びそれらの核置換誘導体等
が含まれる。また（ｅ）成分の一部を液晶性を損なわな
い範囲で、コハク酸、アジピン酸等の如き脂肪族ジカル
ボン酸やシクロヘキサンジカルボン酸の如き脂環族ジカ
ルボン酸等の残基で置き換えてもよい。

【０００９】本発明による上記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
、（ｄ）及び（ｅ）成分よりなる芳香族ポリエステルカ
ーボネートのそれぞれの成分の存在モル比を、　それぞ
れａ，ｂ，ｃ，ｄ，及びｅとし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝
１とするとき、 ｃ＝ｂ＋ｄ＋ｅ ｂ／（ｂ＋ｅ）＞０．５ ｄ／（ｂ＋ｄ＋ｅ）＝０．０２〜０．５ａ＝０．０２〜
０．７ の関係を満たす必要があるが、より好適には、ｂ／（ｂ
＋ｅ）＞０．６ ｄ／（ｂ＋ｄ＋ｅ）＝０．０５〜０．４ａ＝０．０５〜
０．６ であることを満足するのがよい。この範囲であれば、液
晶性を示すと共に、成形加工性、耐熱性と力学的性質に
優れたものとなる。特に、耐熱性と弾性率を向上させる
には、（ｂ）単位であるナフタレン−２，６−ジカルボ
ン酸の含量が重要であり、ｂ／（ｂ＋ｅ）＞０．６の範
囲の組成に於いて耐熱性と高弾性率が要求される分野の
成形材料として使用することができる芳香族ポリエステ
ルカーボネートが得られる。

【００１０】本発明により得られる芳香族ポリエステル
カーボネートのｐ‐クロルフェノールを溶媒とする０．
１ｇ／ｄｌ濃度の溶液の５０℃におけるインヘレント粘
度（ＩＶ）は液晶性を示せば特に限定されないが、ＩＶ
が低いものは成形品表面から脱離したり、溶出したりす
る可能性があり、成形時の金型汚れを誘起することはも
とより、飲食物に混入する危険が生じるので、ＩＶは０
．１ｄｌ／ｇ以上、好ましくは０．５ｄｌ／ｇ以上が必
要である。また、本発明による芳香族ポリエステルカー
ボネートが、ｐ‐クロルフェノールに部分的に可溶ある
いは不溶である場合には、前述の最小の粘度を有してい
ると考えてよい。また、本発明の芳香族ポリエステルカ
ーボネートは、いわゆる熱処理により固相重合を受けた
あとでは、著しく大きなインヘレント粘度になったり、
前記溶媒に溶けなくなったりすることがあるが、この様
な芳香族ポリエステルカーボネートも本発明の芳香族ポ
リエステルカーボネートの範囲に含まれるものである。 本発明による芳香族ポリエステルカーボネートは末端基
として−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＣ６Ｈ５もしくは末端停止剤
から生ずる基を含んでもよい。本発明による芳香族ポリ
エステルカーボネートは（ａ）‐（ｅ）の構造単位をラ
ンダム分布で、あるいはブロックで含んでよい。

【００１１】本発明における芳香族ポリエステルカーボ
ネート樹脂は、通常のポリエステルの重縮合法に準じて
製造でき、製法についてはとくに制限がないが好ましい
製造法を次に説明する。すなわち、圧力としては大気圧
以下の減圧下、１６０℃以上、２６０℃未満の温度、好
ましくは１８０℃以上、２６０℃未満の温度で反応させ
た後、さらに１０ｍｍＨｇ以下の圧力、２６０℃以上、
４００℃以下の温度、好ましくは２６０℃以上、３８０
℃以下の温度で反応させる。この理由として、まず始め
に、大気圧以下の減圧下、１６０℃以上、２６０℃未満
の温度で反応させるのは、最初から高温、高真空で反応
を行うと、モノマーが反応系外に留去し、収率の低下を
もたらすからであり、また、重合反応を１０ｍｍＨｇ以
下の圧力、２６０℃以上、４００℃以下の温度で重合を
完結させるのは、効率よく反応副生物を系外に留去し、
高分子量のポリエステルカーボネートを得るためである
。つまり、１０ｍｍＨｇを超える圧力、あるいは、２６
０℃未満の温度で重合を完結させると高分子量のポリマ
ーが得られないことから好ましくなく、また、４００℃
を超える温度ではポリマーの劣化が起こるので好ましく
ない。

【００１２】代表的な製造方法としては、例えば、次の
２法が挙げられる。 （１）ｐ‐ヒドロキシ安息香酸エステル、ナフタレン−
２，６−ジカルボン酸ジエステル、芳香族ジカルボン酸
ジエステル、ジアリ−ルカ−ボネート及びジヒドロキシ
化合物とから脱フェノール重縮合により製造する方法。 （２）ｐ‐ヒドロキシ安息香酸、ナフタレン−２，６−
ジカルボン酸、所望により加えられる他の芳香族ジカル
ボン酸、ジアリールカーボネート及びジヒドロキシ化合
物とから脱フェノール重縮合により製造する方法。 反応は触媒の存在下で行なうとよい。エステル化触媒と
しては従来公知の種々の化合物が用いられる。かかる触
媒としては、例えばナトリウム、カリウム、カルシウム
、マグネシウム、亜鉛、マンガン、コバルト、チタニウ
ム、錫、鉛、アンチモン、ゲルマニウム等の単体及びこ
れらの化合物（例えば酸化物、　水素化物、水酸化物、
ハロゲン化物、アルコラート、フェノラート、有機酸塩
、無機酸塩、錯塩等）などが挙げられる。このような触
媒の好適な例を挙げると、酢酸マグネシウム、酢酸マン
ガン、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸亜鉛、チタ
ンテトラブチラート、チタンテトラプロピラート、ナト
リウムフェノラート、ジルコニウムブチラート、チタン
テトラフェノラート、酢酸コバルト、二酸化ゲルマニウ
ム、三酸化アンチモン、二酢酸ジブチルスズ、ジブチル
ジメトキシスズ、および、モノブチルすずオキシドがあ
る。触媒の量は好ましくは用いるモノマーの全重量を１
００重量部として０．０００１〜１．０重量部、　さら
に好ましくは０．００１〜０．２重量部である。また、
得られた生成物を好ましくは減圧下にて、１８０〜３０
０℃の温度でさらに固相重合を行なうことができる。２
〜４８時間後、分子量は増大し、生じる芳香族ポリエス
テルカーボネートの特性は更に向上する。本発明のポリ
エステルカーボネートは溶融させた際に液晶状態を示す
。ここでいう液晶状態は偏光顕微鏡を用いて観察するこ
とができる。すなわち、溶融状態において９０°に交差
した一対の偏光子を備えた光学系において、全範囲また
はその一部に光を通過させる性質を示した場合、そのポ
リエステルカーボネートをサーモトロピック液晶として
分類した。また、結晶相から液晶相への転移温度は示差
走査熱量測定（ＤＳＣ）により昇温速度１０℃／ｍｉｎ
にて、測定を行なった。このようにして得られた本発明
の芳香族ポリエステルカーボネートは、結晶相から液晶
相への転移温度４００℃以下と低く、かつ、高い耐熱性
を有している。また、光学異方性で一軸方向の機械的性
質がとりわけ優れており、押出成形、射出成形、圧縮成
形、ブロー成形などの通常の溶融成形に供することによ
り、　繊維、フィルム、成形品、容器、ホースなどに加
工することができる。また、本発明の芳香族ポリエステ
ルカーボネートに対し、ガラス繊維、炭素繊維、アスベ
ストなどの強化剤、充填剤、核剤、難燃剤、顔料、酸化
防止剤、安定剤、可塑剤、滑剤、離型剤などの添加剤や
他の熱可塑性樹脂を添加して、成形品に所望の特性を付
与することができる。これらの配合は重合からコンパウ
ンドまでの任意の段階で行なうことが出来る。 本発明の芳香族ポリエステルカーボネートは、溶融成形
性がよく、かつ、高い耐熱性を有している。また、その
液晶性に起因する平行な分子配列により、機械的性質が
極めて優れている。以下に実施例により本発明をさらに
詳しく説明する。

【００１３】

【実施例】実施例１ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル４５．６５重量部、ナフ
タレン−２，６−ジカルボン酸ジエステル７３．２６重
量部、ハイドロキノン６６．０７重量部、炭酸ジフェニ
ル３８５．６重量部、および触媒として、モノブチルす
ずオキシド０．０６重量部を、撹拌機、減圧蒸留装置を
取付けた重合反応器に仕込み、圧力を６５０ｍｍＨｇに
設定して、窒素気流下２００℃に加熱した。２時間３０
分かけて反応温度を徐々に３００℃に上昇させ、フェノ
ールをさらに留去した。そして、反応温度を徐々に３５
０℃に上昇させながら、圧力を徐々に０．５ｍｍＨｇに
減少させ、３０分にわたって反応を行なった。反応終了
後、淡茶色のポリエステルカーボネートが得られた。収
量は１６０．１重量部であり、収率は９８％であった。 ｐ‐クロルフェノールには不溶であった。また、ＤＳＣ
による測定により、結晶相から液晶相への転移温度は３
４５℃であった。そして、偏光顕微鏡で光学異方相が３
４５℃以上で観察された。得られたポリエステルカーボ
ネートを１２０℃で８時間減圧乾燥した後、直径１．０
ｍｍの紡糸孔を備えた溶融紡糸装置を用いて、紡糸温度
３５０℃で紡糸を行なった。得られたポリエステルカー
ボネート繊維は、引張強度４５．９ｋｇ／ｍｍ２、引張
弾性率５６３０Ｋｇ／ｍｍ２、伸度２．３％と極めて高
強度高弾性率のものであった。また、このポリマーをシ
リンダー温度３５０℃、金型温度８０℃で射出成形して
得た成形品のビカット軟化温度は２３５℃であった。

【００１４】実施例２ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル４５．６５重量部、ナフ
タレン−２，６−ジカルボン酸ジメチルエステル１０９
．８９重量部、ハイドロキノン６６．０７重量部、炭酸
ジフェニル３４７．１重量部、および触媒として、モノ
ブチルすずオキシド０．０６重量部を、撹拌機、減圧蒸
留装置を取付けた重合反応器に仕込み、圧力を６５０ｍ
ｍＨｇに設定して、窒素気流下２００℃に加熱した。 ２時間３０分かけて反応温度を徐々に３００℃に上昇さ
せ、フェノールをさらに留去した。そして、反応温度を
徐々に３８０℃に上昇させながら、圧力を徐々に０．５
ｍｍＨｇに減少させ、３０分にわたって反応を行なった
。反応終了後、淡茶色のポリエステルカーボネートが得
られた。収量は１８１．５重量部であり、収率は９７％
であった。ｐ‐クロルエステルフェノールには不溶であ
った。また、ＤＳＣによる測定により、結晶相から液晶
相への転移温度は３８３℃であった。そして、偏光顕微
鏡で光学異方相が３８５℃以上で観察された。得られた
ポリエステルカーボネートを１２０℃で８時間減圧乾燥
した後、直径１．０ｍｍの紡糸孔を備えた溶融紡糸装置
を用いて、紡糸温度３８５℃で紡糸を行なった。得られ
たポリエステルカーボネート繊維は、引張強度４２．１
Ｋｇ／ｍｍ２、引張弾性率５２２０Ｋｇ／ｍｍ２、伸度
２．２％と極めて高強度高弾性率のものであった。また
、このポリマーをシリンダー温度３８０℃、金型温度８
０℃で射出成形して得た成形品のビカット軟化温度は３
００℃以上であった。

【００１５】実施例３ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル、４５．６５重量部、ナ
フタレン−２，６−ジカルボン酸ジメチルエステル１０
９．８９重量部、４，４′‐ジヒドロキシビフェニル２
７．９３重量部、ハイドロキノン４９．５５重量部、炭
酸ジフェニル３４７．０重量部、および触媒として、　
モノブチルすずオキシド０．０７重量部を、撹拌機、減
圧蒸留装置を取付けた重合反応器に仕込み、圧力を６５
０ｍｍＨｇに設定して、窒素気流下２００℃に加熱した
。２時間３０分かけて反応温度を徐々に３００℃に上昇
させ、フェノールをさらに留去した。そして、反応温度
を徐々に３５０℃に上昇させながら、圧力を徐々に０．
５ｍｍＨｇに減少させ、３０分にわたって反応を行なっ
た。反応終了後、淡茶色のポリエステルカーボネートが
得られた。収量は１９６．７重量部であり、収率は９９
％であった。ｐ‐クロルフェノールには不溶であった。 また、ＤＳＣによる測定により、結晶相から液晶相への
転移温度は３４７℃であった。そして、偏光顕微鏡で光
学異方相が３５０℃以上で観察された。得られたポリエ
ステルカーボネートを１２０℃で８時間減圧乾燥した後
、直径１．０ｍｍの紡糸孔を備えた溶融紡糸装置を用い
て、紡糸温度３５０℃で紡糸を行なった。得られたポリ
エステルカーボネート繊維は、引張強度４０．７Ｋｇ／
ｍｍ２、引張弾性率５０７０Ｋｇ／ｍｍ２、伸度２．１
％と極めて高強度高弾性率のものであった。また、この
ポリマーをシリンダー温度３５０℃、金型温度８０℃で
射出成形して得た成形品のビカット軟化温度は２３０℃
であった。

【００１６】実施例４ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル５３．２５重量部、ナフ
タレン−２，６−ジカルボン酸ジメチルエステル１０６
．８４重量部、４，４′‐ジヒドロキシビフェニル３２
．５９重量部、ハイドロキノン５７．８１重量部、炭酸
ジフェニル３８２．４重量部、および触媒として、モノ
ブチルすずオキシド０．０９重量部を、撹拌機、減圧蒸
留装置を取付けた重合反応器に仕込み、圧力を６５０ｍ
ｍＨｇに設定して、窒素気流下２００℃に加熱した。 ２時間３０分かけて反応温度を徐々に３００℃に上昇さ
せ、フェノールをさらに留去した。そして、反応温度を
徐々に３６０℃に上昇させながら、圧力を徐々に０．５
ｍｍＨｇに減少させ、３０分にわたって反応を行なった
。反応終了後、淡茶色のポリエステルカーボネートが得
られた。収量は２１４．２重量部であり、収率は９８％
であった。ｐ‐クロルフェノールには不溶であった。 また、ＤＳＣによる測定により、結晶相から液晶相への
転移温度は３５４℃であった。そして、偏光顕微鏡で光
学異方相が３５５℃以上で観察された。得られたポリエ
ステルカーボネートを１２０℃で８時間減圧乾燥した後
、直径１．０ｍｍの紡糸孔を備えた溶融紡糸装置を用い
て、紡糸温度３６０℃で紡糸を行なった。得られたポリ
エステルカーボネート繊維は、引張強度３６．５Ｋｇ／
ｍｍ２、引張弾性率４２１０Ｋｇ／ｍｍ２、伸度２．２
％と極めて高強度高弾性率のものであった。また、この
ポリマーをシリンダー温度３５０℃、金型温度８０℃で
射出成形して得た成形品のビカット軟化温度は２２０℃
であった。

【００１７】実施例５ ｐ‐ヒドロキシ安息香酸メチル５４．７７重量部、ナフ
タレン‐２，６‐ジカルボン酸ジメチルエステル１６１
．１７重量部、テレフタル酸ジメチルエステル５８．２
６重量部、ハイドロキノン１４５．３５重量部、　炭酸
ジフェニル６７８．７重量部、および触媒として、モノ
ブチルすずオキシド０．１１重量部を、撹拌機、減圧蒸
留装置を取付けた重合反応器に仕込み、圧力を６５０ｍ
ｍＨｇに設定して、窒素気流下２００℃に加熱した。 ２時間３０分かけて反応温度を徐々に３００℃に上昇さ
せ、フェノールをさらに留去した。そして、反応温度を
徐々に３６０℃に上昇させながら、圧力を徐々に０．５
ｍｍＨｇに減少させ、３０分にわたって反応を行なった
。反応終了後、淡茶色のポリエステルカーボネートが得
られた。収量は３４５．２重量部であり、収率は９７％
であった。ｐ‐クロルフェノールには不溶であった。 また、ＤＳＣによる測定により、結晶相から液晶相への
転移温度は３５３℃であった。そして、偏光顕微鏡で光
学異方相が３５５℃以上で観察された。得られたポリエ
ステルカーボネートを１２０℃で８時間減圧乾燥した後
、直径１．０ｍｍの紡糸孔を備えた溶融紡糸装置を用い
て、紡糸温度３６０℃で行なった。得られたポリエステ
ルカーボネート繊維は、引張強度４３．５Ｋｇ／ｍｍ２
、引張弾性率５１３０Ｋｇ／ｍｍ２、伸度２．２％と極
めて高強度高弾性率のものであった。また、このポリマ
ーをシリンダー温度３６０℃、金型温度８０℃で射出成
形して得た成形品のビカット軟化温度は２４５℃であっ
た。

【００１８】

【発明の効果】本発明により得られる芳香族ポリエステ
ルカーボネートは、結晶相から液晶相への転移温度が４
００℃以下と低く、成形加工性に優れている。しかも、
ビカツト軟化温度が２００℃以上と高い耐熱性を有し、
また、その液晶性に起因する平行な分子配列により、高
強度、高弾性率という優れた機械的性質を備えている。 従って、本発明により得られる芳香族ポリエステルカー
ボネートを押出成形、射出成形、ブロー成形などの通常
の溶融成形を行なうことで、高性能な繊維、フィルム、
成形品、容器、ホース等の有用な成形体を得ることがで
きる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）ｐ‐ヒドロキシ安息香酸又は核置換
   ｐ‐ヒドロキシ安息香酸 （ｂ）ナフタレン−２，６−ジカルボン酸、（ｃ）芳香
   族ジヒドロキシ化合物、 （ｄ）炭酸、及び所望により、 （ｅ）ナフタレン−２，６−ジカルボン酸を除く芳香族
   ジカルボン酸、に基ずく構造単位より構成され、（ａ）
   、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）で示される構造単
   位の存在モル比をそれぞれａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅとし、
   ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１とするとき、 ｃ＝ｂ＋ｄ＋ｅ ｂ／（ｂ＋ｅ）＞０．５ ｄ／（ｂ＋ｄ＋ｅ）＝０．０２〜０．５ａ＝０．０２〜
   ０．７ の関係を満たし、かつｐ‐クロルフェノールを溶媒とす
   る０．１ｇ／ｄｌ濃度の溶液の５０℃におけるインヘレ
   ント粘度（ＩＶ）が０．５ｄｌ／ｇ以上、もしくは、前
   記溶媒に不溶であって、液晶性を有することを特徴とす
   る芳香族ポリエステルカーボネート。