JPH0425002A - Ｍｎ―Ｚｎ単結晶フェライトおよび磁気ヘッド - Google Patents
Ｍｎ―Ｚｎ単結晶フェライトおよび磁気ヘッドInfo
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- JPH0425002A JPH0425002A JP2125867A JP12586790A JPH0425002A JP H0425002 A JPH0425002 A JP H0425002A JP 2125867 A JP2125867 A JP 2125867A JP 12586790 A JP12586790 A JP 12586790A JP H0425002 A JPH0425002 A JP H0425002A
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- Japan
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- single crystal
- crystal ferrite
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- ferrite
- magnetic head
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は強磁性金属薄膜との良好な接合性を有するＭロ
ーＺ日単結晶フェライトおよびこれを応用したＶＴＲ用
ＭＩＧ （メタルインギャップ）型磁気ヘットに関す
るものである。
ーＺ日単結晶フェライトおよびこれを応用したＶＴＲ用
ＭＩＧ （メタルインギャップ）型磁気ヘットに関す
るものである。
（従来の技術）
従来、ＶＴＲ用の磁気ヘッドには、単結晶フェライトを
用いた磁気ヘッドが用いられてきた。しかし、最近媒体
であるテープの高保磁力化に伴い従来のフェライトバル
ク型磁気ヘッドでは対応できなくなり、それに代わるも
のとしてギャップ間に強磁性金属薄膜を形成したいわゆ
るＭＩＧ型磁電磁気ヘッドの複合磁気ヘッドが提案され
てきた。
用いた磁気ヘッドが用いられてきた。しかし、最近媒体
であるテープの高保磁力化に伴い従来のフェライトバル
ク型磁気ヘッドでは対応できなくなり、それに代わるも
のとしてギャップ間に強磁性金属薄膜を形成したいわゆ
るＭＩＧ型磁電磁気ヘッドの複合磁気ヘッドが提案され
てきた。
（発明が解決しようとする課題）
このＭＩＧ型磁電磁気ヘッドこれまでのフエライＩ・バ
ルク型磁気ヘットの製造工程かほとんど変更無しで使用
できるなどの利点を持つ一方、一般に磁気ヘッドに用い
られているＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトをコアとし、こ
れにセンダストなどの強磁性金属薄膜をスパッタ法など
により成膜しても両者の熱膨張率の違いにより金属薄膜
がはがれ易く、磁気ヘッド製造時の歩留まりが悪いなど
の問題点があった。
ルク型磁気ヘットの製造工程かほとんど変更無しで使用
できるなどの利点を持つ一方、一般に磁気ヘッドに用い
られているＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトをコアとし、こ
れにセンダストなどの強磁性金属薄膜をスパッタ法など
により成膜しても両者の熱膨張率の違いにより金属薄膜
がはがれ易く、磁気ヘッド製造時の歩留まりが悪いなど
の問題点があった。
本発明はこのような不利、欠点を解決した組成と物性を
持つＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトとこれに強磁性金属薄
膜を成膜した高性能ＭＩＧ型磁気ヘットを提供しようと
するものである。
持つＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトとこれに強磁性金属薄
膜を成膜した高性能ＭＩＧ型磁気ヘットを提供しようと
するものである。
（課題を解決するための手段）
本発明者等は、上記欠点に対し、強磁性金属薄膜との接
合に適した熱膨張率を持つ単結晶フェライトの組成を探
索し、磁気ヘッドの構成、特性を検問して本発明を完成
させるに至った。
合に適した熱膨張率を持つ単結晶フェライトの組成を探
索し、磁気ヘッドの構成、特性を検問して本発明を完成
させるに至った。
本発明の要旨は、
Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトの主成分であるＦｅ２Ｏ３
Ｍｎ０およびＺｎＯがそれぞれａｂおよび０モル％から
なる組成範囲が３元系状態図においてＡ（５３，０，３
５，５，１１，５）、 Ｂ （５６，０，３５，５，８
，５）、Ｃ（５７，０゜３７．０．６． Ｏ） 、 Ｄ
（５３，０，４１，０，６，０）の４点［各点（ａｂ
、ｃ）各モル％］で囲まれた範囲内にあり、かつこの組
成にＳｎＯ□を０．１〜６重量％固溶化したものであっ
て、かつ平均線熱膨張係数が１２０Ｘ １０７／℃以上
（３０〜３００℃での平均線熱膨張係数）であることを
特徴とするＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライト、およびこのＭ
ｎ−Ｚｎ単結晶フェライトと強磁性金属薄膜から構成さ
れる磁気コアを有することを特徴とする磁気ヘッドにあ
る。
Ｍｎ０およびＺｎＯがそれぞれａｂおよび０モル％から
なる組成範囲が３元系状態図においてＡ（５３，０，３
５，５，１１，５）、 Ｂ （５６，０，３５，５，８
，５）、Ｃ（５７，０゜３７．０．６． Ｏ） 、 Ｄ
（５３，０，４１，０，６，０）の４点［各点（ａｂ
、ｃ）各モル％］で囲まれた範囲内にあり、かつこの組
成にＳｎＯ□を０．１〜６重量％固溶化したものであっ
て、かつ平均線熱膨張係数が１２０Ｘ １０７／℃以上
（３０〜３００℃での平均線熱膨張係数）であることを
特徴とするＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライト、およびこのＭ
ｎ−Ｚｎ単結晶フェライトと強磁性金属薄膜から構成さ
れる磁気コアを有することを特徴とする磁気ヘッドにあ
る。
以下、本発明の詳細な説明する。
単結晶フェライトに強磁性金属薄膜を形成する際に、そ
の薄膜の接合性を左右するのは主に両者の熱膨張率の違
いによる。一般にセンダストなどの強磁性金属の平均線
熱膨張係数は、 １３０Ｘ Ｉｎ−７／℃（３０〜３０
０℃付近までの温度範囲において）以上であるが、本発
明者等の検討の結果、基板となる単結晶フェライトの平
均線熱膨張係数が１２０〜１４０ ｘｌＯ−７／℃の範
囲にあれば充分満足できる接合性を示すことが判明した
。そこでこのような熱膨張係数を示す単結晶フェライト
の組成について研究を重ねた結果、Ｆｅ２０ｓ、ＭｎＯ
，ＺｎＯからなる３元系状態図において、Ａ （５３，
０，３５，５，１１，５）、 Ｂ（５６，０，３５，５
，８，５）、Ｃ（５７，０，３７，０，６，０）、Ｄ
（５３，０，４］［］、 ６． Ｏ）の４点［各点（ａ
、ｂ、ｃ）各モル％］で囲まれた範囲内にあるＭｎ−Ｚ
ｎ単結晶フェライトが好ましい特性を示すことが判明し
た。しかしながらＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトはその高
周波（０，５ＭＨ２）透磁率にキュリー温度（１５０〜
２５０℃）付近とそれよりも低温側に極大値を持ち、実
際に使用する際は温度による透磁率の変動を少なく抑え
るようこの両極大値の間で使用するのが一般的であるが
、上記組成領域のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトは、室温
付近に高周波（０，５ＭＨ２）透磁率の極大値が存在し
、また、５ＭＨｚの透磁率も温度に対する変化が大きい
ため、実際の使用に際して温度変化に対して透磁率、ひ
いては磁気ヘッドの出力が不安定であるという問題があ
る。
の薄膜の接合性を左右するのは主に両者の熱膨張率の違
いによる。一般にセンダストなどの強磁性金属の平均線
熱膨張係数は、 １３０Ｘ Ｉｎ−７／℃（３０〜３０
０℃付近までの温度範囲において）以上であるが、本発
明者等の検討の結果、基板となる単結晶フェライトの平
均線熱膨張係数が１２０〜１４０ ｘｌＯ−７／℃の範
囲にあれば充分満足できる接合性を示すことが判明した
。そこでこのような熱膨張係数を示す単結晶フェライト
の組成について研究を重ねた結果、Ｆｅ２０ｓ、ＭｎＯ
，ＺｎＯからなる３元系状態図において、Ａ （５３，
０，３５，５，１１，５）、 Ｂ（５６，０，３５，５
，８，５）、Ｃ（５７，０，３７，０，６，０）、Ｄ
（５３，０，４］［］、 ６． Ｏ）の４点［各点（ａ
、ｂ、ｃ）各モル％］で囲まれた範囲内にあるＭｎ−Ｚ
ｎ単結晶フェライトが好ましい特性を示すことが判明し
た。しかしながらＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトはその高
周波（０，５ＭＨ２）透磁率にキュリー温度（１５０〜
２５０℃）付近とそれよりも低温側に極大値を持ち、実
際に使用する際は温度による透磁率の変動を少なく抑え
るようこの両極大値の間で使用するのが一般的であるが
、上記組成領域のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトは、室温
付近に高周波（０，５ＭＨ２）透磁率の極大値が存在し
、また、５ＭＨｚの透磁率も温度に対する変化が大きい
ため、実際の使用に際して温度変化に対して透磁率、ひ
いては磁気ヘッドの出力が不安定であるという問題があ
る。
また、本発明の組成範囲のようにＦｅ２０ａ含有量が多
い領域では、単結晶育成時に生じるＦｅ２Ｏ３の組成変
動のため単結晶の成長方向の位置によって特性がバラツ
クという問題点もあった。これらの問題点についてさら
に研究を重ねた結果、第４成分としてＳｎＯ□を微量添
加することにより Ｆｅ２Ｏｍの組成変動が緩和される
ことが判った。
い領域では、単結晶育成時に生じるＦｅ２Ｏ３の組成変
動のため単結晶の成長方向の位置によって特性がバラツ
クという問題点もあった。これらの問題点についてさら
に研究を重ねた結果、第４成分としてＳｎＯ□を微量添
加することにより Ｆｅ２Ｏｍの組成変動が緩和される
ことが判った。
さらに高周波（０，５ＭＨｚ）透磁率の低温側の極大値
がより低温側に移動し、実使用域である室温付近での温
度特性が安定化されることが判明した。このことにより
室温付近の透磁率の温度による変化は、０．５ＭＨｚ、
５ ＭＨｚさらにはｌＯＭＨｚにおいても小さくなり、
安定した磁気ヘッド出力が得られた。
がより低温側に移動し、実使用域である室温付近での温
度特性が安定化されることが判明した。このことにより
室温付近の透磁率の温度による変化は、０．５ＭＨｚ、
５ ＭＨｚさらにはｌＯＭＨｚにおいても小さくなり、
安定した磁気ヘッド出力が得られた。
このような研究結果をグラフで説明すると、第１図はこ
のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトの透磁率の温度依存性を
示したもので、実線（←： ０．５ＭＨｚ、−： ５
ＭＨｚ ）はＳｎＯ２無添加のフェライト（Ｆｅ２゜３
：ＭｎＯ：ＺｎＯ＝ ５５：３６：９モル％）、破線（
−−−・−・、＋０．５ＭＨｚ、−−−−−： ５ＭＨ
ｚ ）はコノ組成にＳｎＯ２を３重量％添加した本発明
の組成である。この図から５ｎ０２無添加のフェライト
は０℃付近に０．５ＭＨｚおよび５ ＭＨｚのピーク（
Ｙ）があり、温度変化に対して透磁率が大きく変化する
ことを示している。一方、 ５ｎ０２を添加したフェラ
イトはピークが低温側にシフト（Ｚ）し、室温付近の温
度による透磁率の変化が小さくなっていることが判かる
。第２図は、単結晶フェライトの成長方向の組成変化を
示したもので、破線（−−−−）は５ｎｏ２無添加のフ
ェライト（Ｆｅ２０ｓ：ＭｎＯ：ＺｎＯ＝ ５５：３６
：９モル％）、実線（−）はこの組成にＳｎＯ□を２重
量％添加した本発明の組成であり、ＳｎＯ□を添加した
ものは組成変動が特にＦｅにおいて抑えられていること
が判かる。
のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトの透磁率の温度依存性を
示したもので、実線（←： ０．５ＭＨｚ、−： ５
ＭＨｚ ）はＳｎＯ２無添加のフェライト（Ｆｅ２゜３
：ＭｎＯ：ＺｎＯ＝ ５５：３６：９モル％）、破線（
−−−・−・、＋０．５ＭＨｚ、−−−−−： ５ＭＨ
ｚ ）はコノ組成にＳｎＯ２を３重量％添加した本発明
の組成である。この図から５ｎ０２無添加のフェライト
は０℃付近に０．５ＭＨｚおよび５ ＭＨｚのピーク（
Ｙ）があり、温度変化に対して透磁率が大きく変化する
ことを示している。一方、 ５ｎ０２を添加したフェラ
イトはピークが低温側にシフト（Ｚ）し、室温付近の温
度による透磁率の変化が小さくなっていることが判かる
。第２図は、単結晶フェライトの成長方向の組成変化を
示したもので、破線（−−−−）は５ｎｏ２無添加のフ
ェライト（Ｆｅ２０ｓ：ＭｎＯ：ＺｎＯ＝ ５５：３６
：９モル％）、実線（−）はこの組成にＳｎＯ□を２重
量％添加した本発明の組成であり、ＳｎＯ□を添加した
ものは組成変動が特にＦｅにおいて抑えられていること
が判かる。
以上のような研究結果より、前述の組成範囲に５ｎ０２
を０．１〜６重量％添加した単結晶フェライトを用いた
ＭＩＧ型磁気ヘッドが、金属薄膜の剥離が無く、かつ室
温付近での温度特性が安定しておりまた、組成変動が抑
えられていることから磁気ヘッド間の特性のバラツキも
少ないものが製造できるようになった。ここに５ｎ０２
の添加量が０．１重量％未満では透磁率ピークの低温側
へのシフトが見られず、６重量％を越えるとＢ ＩＱ、
μ等の磁気特性が低下し実用域を脱してしまう。
を０．１〜６重量％添加した単結晶フェライトを用いた
ＭＩＧ型磁気ヘッドが、金属薄膜の剥離が無く、かつ室
温付近での温度特性が安定しておりまた、組成変動が抑
えられていることから磁気ヘッド間の特性のバラツキも
少ないものが製造できるようになった。ここに５ｎ０２
の添加量が０．１重量％未満では透磁率ピークの低温側
へのシフトが見られず、６重量％を越えるとＢ ＩＱ、
μ等の磁気特性が低下し実用域を脱してしまう。
この本発明のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトをコアとし、
センダストなどの強磁性金属薄膜をスパッタ成膜し接合
したＭＩＧ磁気ヘッドを作成するには公知の技術によれ
ば良（、メタルテープなどの高Ｈｃ磁気記録媒体にも対
応でき、高性能複合磁気ヘットの作成が可能となった。
センダストなどの強磁性金属薄膜をスパッタ成膜し接合
したＭＩＧ磁気ヘッドを作成するには公知の技術によれ
ば良（、メタルテープなどの高Ｈｃ磁気記録媒体にも対
応でき、高性能複合磁気ヘットの作成が可能となった。
以下、本発明の実施態様を実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
フェライト組成（Ｆｅ２０３．ＭｎＯ，Ｚｎ０）を（５
５，３６，９））（各モル％）となるよう秤量した原料
をボールミルで混合し、乾燥してこれを空気中１．２０
０℃で焼成し、多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトとした。こ
れを白金ルツボに入れブリッジマン法により、溶融した
後ルツボを降下させ下端より徐々に冷却し単結晶フェラ
イトとした。また、上記の三元組成と同じ組成比となる
よう配合した原料を母相としてＳｎＯ２を０．１．２．
４．６．８重量％混合したものを同様な方法で、単結晶
を作成した。これらの単結晶フェライトの磁気特性とし
て飽和磁束密度ＢＩＯ１透磁率μおよび０．５ＭＨ２に
おける透磁率の一１００°Ｃまでの温度特性の測定をお
こなった。その結果を第１表に示す。
５，３６，９））（各モル％）となるよう秤量した原料
をボールミルで混合し、乾燥してこれを空気中１．２０
０℃で焼成し、多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトとした。こ
れを白金ルツボに入れブリッジマン法により、溶融した
後ルツボを降下させ下端より徐々に冷却し単結晶フェラ
イトとした。また、上記の三元組成と同じ組成比となる
よう配合した原料を母相としてＳｎＯ２を０．１．２．
４．６．８重量％混合したものを同様な方法で、単結晶
を作成した。これらの単結晶フェライトの磁気特性とし
て飽和磁束密度ＢＩＯ１透磁率μおよび０．５ＭＨ２に
おける透磁率の一１００°Ｃまでの温度特性の測定をお
こなった。その結果を第１表に示す。
第１表より、ＳｎＯ□を０．１重量％以上混合すること
により、極大値を示す温度が低温側に移動していること
かわかる。このことから、５ｎ０２を添加することによ
り室温付近の透磁率の温度による変化が小さくなり、安
定したヘッド特性を示すことがわかる。但し、ＳｎＯ□
の添加量が増えるに従い、透磁率などのフェライト自体
の磁気特性が低くなる第１表 ０．５ ５７８０ ５４０
−１７［註］＊・マイナス温度側 ことから、実際に磁気ヘッドとして使用するためには、
ＳｎＯ□の混合量を６重量％以下にすることが望ましい
ことがわかる。
により、極大値を示す温度が低温側に移動していること
かわかる。このことから、５ｎ０２を添加することによ
り室温付近の透磁率の温度による変化が小さくなり、安
定したヘッド特性を示すことがわかる。但し、ＳｎＯ□
の添加量が増えるに従い、透磁率などのフェライト自体
の磁気特性が低くなる第１表 ０．５ ５７８０ ５４０
−１７［註］＊・マイナス温度側 ことから、実際に磁気ヘッドとして使用するためには、
ＳｎＯ□の混合量を６重量％以下にすることが望ましい
ことがわかる。
（実施例２）
フェライト組成（ｐｅ２ｏ３． ＭｎＯ，Ｚｎ０）を（
５５，３６，９） （各モル％）となるよう配合した原
料に、５ｎ０２を３重量％混合し、実施例１と同様の方
法でＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトとを作製した。次いで
磁気コアを作製し、ギャップ間に３μｍの厚さにセンダ
スト薄膜をスパッタ成膜し、ＭＩＧ型複合磁気ヘッドを
製作し、この単結晶フェライトの３０〜３００℃での平
均線熱膨張率αおよび磁気ヘッド製造過程での金属薄膜
剥離による不良品発生率を調べた。この結果を第２表に
示す。
５５，３６，９） （各モル％）となるよう配合した原
料に、５ｎ０２を３重量％混合し、実施例１と同様の方
法でＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトとを作製した。次いで
磁気コアを作製し、ギャップ間に３μｍの厚さにセンダ
スト薄膜をスパッタ成膜し、ＭＩＧ型複合磁気ヘッドを
製作し、この単結晶フェライトの３０〜３００℃での平
均線熱膨張率αおよび磁気ヘッド製造過程での金属薄膜
剥離による不良品発生率を調べた。この結果を第２表に
示す。
（比較例１）
フェライト組成（Ｆｅ２ｏ３． ＭｎＯ，Ｚｎ０）を（
５５，３０，１５）（各モル％）とし、５ｎ０２を無添
加とした以外は実施例１と同様の方法でＭｎ−Ｚｎ単結
晶フェライト、磁気コア、磁気ヘッドを作製し、実施例
２と同様に不良品発生率を調べ、その結果を第２表に併
記した。
５５，３０，１５）（各モル％）とし、５ｎ０２を無添
加とした以外は実施例１と同様の方法でＭｎ−Ｚｎ単結
晶フェライト、磁気コア、磁気ヘッドを作製し、実施例
２と同様に不良品発生率を調べ、その結果を第２表に併
記した。
第 ２ 表
第２表より、熱膨張率の高いＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライ
トを用いることにより、磁気ヘッド製造過程において金
属薄膜剥離による不良品発生率が激減できることがわか
る。
トを用いることにより、磁気ヘッド製造過程において金
属薄膜剥離による不良品発生率が激減できることがわか
る。
（発明の効果）
本発明による高熱膨張率を持ち、強磁性金属薄膜との接
合性に優れたＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトを磁気コアに
応用したＭＩＧ型磁気ヘッドは、メタルテープのような
高保磁力磁気記録媒体に対応した高性能複合磁気ヘッド
としてその利用価値は極めて高い。
合性に優れたＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトを磁気コアに
応用したＭＩＧ型磁気ヘッドは、メタルテープのような
高保磁力磁気記録媒体に対応した高性能複合磁気ヘッド
としてその利用価値は極めて高い。
第１図はＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトの透磁率の温度依
存性を示し、第２図はＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトの成
長方向の組成変化を表わしている。 手続補正書 （方式） １、事件の表示 平成 ２年特許願第１２５８６７号 ２、発明の名称 Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトおよび磁気ヘッド補正をす
る者 事件との関係 名称 （２０６）
存性を示し、第２図はＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトの成
長方向の組成変化を表わしている。 手続補正書 （方式） １、事件の表示 平成 ２年特許願第１２５８６７号 ２、発明の名称 Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトおよび磁気ヘッド補正をす
る者 事件との関係 名称 （２０６）
Claims (2)
- １．Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトの主成分であるＦｅ＿
２Ｏ＿３，ＭｎＯおよびＺｎＯがそれぞれａ，ｂおよび
ｃモル％からなる組成範囲が３元系状態図においてＡ（
５３．０，３５．５，１１．５），Ｂ（５６．０，３５
．５，８．５），Ｃ（５７．０，３７．０，６．０），
Ｄ（５３．０，４１．０，６．０）の４点［各点（ａ，
ｂ，ｃ）各モル％］で囲まれた範囲内にあり、かつこの
組成にＳｎＯ＿２を０．１〜６重量％固溶化したもので
あり、かつ平均線熱膨張係数が１２０×１０＾−＾７／
℃以上（３０〜３００℃での平均線熱膨張係数）である
ことを特徴とするＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライト。 - ２．請求項１に記載のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトと強
磁性金属薄膜から構成される磁気コアを有することを特
徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125867A JPH0425002A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Ｍｎ―Ｚｎ単結晶フェライトおよび磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125867A JPH0425002A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Ｍｎ―Ｚｎ単結晶フェライトおよび磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425002A true JPH0425002A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=14920900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2125867A Pending JPH0425002A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Ｍｎ―Ｚｎ単結晶フェライトおよび磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425002A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683008A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-07 | Hitachi Metals Ltd | Single crystal ferrite |
| JPS63168006A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | Sony Corp | マンガン亜鉛フエライト及び複合磁気ヘツド |
| JPH0244099A (ja) * | 1988-04-14 | 1990-02-14 | Hitachi Metals Ltd | 単結晶フェライト、それを用いた磁気ヘッド及び単結晶フェライトの製造方法 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP2125867A patent/JPH0425002A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683008A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-07 | Hitachi Metals Ltd | Single crystal ferrite |
| JPS63168006A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | Sony Corp | マンガン亜鉛フエライト及び複合磁気ヘツド |
| JPH0244099A (ja) * | 1988-04-14 | 1990-02-14 | Hitachi Metals Ltd | 単結晶フェライト、それを用いた磁気ヘッド及び単結晶フェライトの製造方法 |
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