JPH04251968A - 電子装置 - Google Patents
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- JPH04251968A JPH04251968A JP3073635A JP7363591A JPH04251968A JP H04251968 A JPH04251968 A JP H04251968A JP 3073635 A JP3073635 A JP 3073635A JP 7363591 A JP7363591 A JP 7363591A JP H04251968 A JPH04251968 A JP H04251968A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【関連出願との関係】この出願は、発明者Ｗ．Ｐ．コル
ンルンプ他の発明の名称「高密度相互接続マイクロ波回
路集成体」と云う係属中の米国特許出願通し番号（出願
人控え番号ＲＤ−１９，８８０）、同じ発明者の発明の
名称「マイクロ波部品試験方法及び装置」と云う同第
（出願人控え番号ＲＤ−１９，９０７）、発明者
Ｗ．Ｐ．コルンルンプの発明の名称「コンパクトな高密
度相互接続マイクロ波装置」と云う同第 （出願
人控え番号ＲＤ−２０１１１）、発明者Ｌ．Ｓ．スミス
他の発明の名称「高密度の電気接続部を持つ超音波配列
」と云う同第（出願人控え番号ＲＤ−１９，８８３）、
発明者Ｗ．Ｐ．コルンルンプ他の発明の名称「コンパク
な熱効率のよい焦点平面配列及びその試験及び修理」と
云う同第 （出願人控え番号ＲＤ−２０１９５）
と関連を有し、これらの出願は全てこの出願と同日に出
願されたものである。
ンルンプ他の発明の名称「高密度相互接続マイクロ波回
路集成体」と云う係属中の米国特許出願通し番号（出願
人控え番号ＲＤ−１９，８８０）、同じ発明者の発明の
名称「マイクロ波部品試験方法及び装置」と云う同第
（出願人控え番号ＲＤ−１９，９０７）、発明者
Ｗ．Ｐ．コルンルンプの発明の名称「コンパクトな高密
度相互接続マイクロ波装置」と云う同第 （出願
人控え番号ＲＤ−２０１１１）、発明者Ｌ．Ｓ．スミス
他の発明の名称「高密度の電気接続部を持つ超音波配列
」と云う同第（出願人控え番号ＲＤ−１９，８８３）、
発明者Ｗ．Ｐ．コルンルンプ他の発明の名称「コンパク
な熱効率のよい焦点平面配列及びその試験及び修理」と
云う同第 （出願人控え番号ＲＤ−２０１９５）
と関連を有し、これらの出願は全てこの出願と同日に出
願されたものである。
【０００２】
【発明の分野】この発明は多重部品又は多重チップ回路
の分野、更に具体的に云えば、多数の部品又はチップの
高密度の相互接続に関する。
の分野、更に具体的に云えば、多数の部品又はチップの
高密度の相互接続に関する。
【０００３】
【発明の背景】ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
によって開発された高密度相互接続（ＨＤＩ）構造又は
装置は、ディジタル及びその他の電子装置をコンパクト
に組立てるのに多くの利点を提供している。例えば、３
０個乃至５０個のチップを用いたマイクロコンピュ―タ
の様な電子装置は、長さ２吋、幅２吋、厚さ０．０５０
吋の１個の基板の上に完全に組立てゝ相互接続すること
が出来る。現在では、この装置の最高動作周波数は約５
０ＭＨｚ 未満であるのが普通である。この高密度相互
接続構造がコンパクトであることよりも更に重要なのは
、故障した部品の修理又は交換の為にそれを分解し、そ
の後再び組立てゝも、装置内に用いられたよい部品に目
立った危険が及ばないことである。この様な再加工又は
修理が出来ることは、損傷を受けた部品を取替える為に
装置を加工し直すことが不可能であるか、或いはよい部
品にかなりの危険が及ぶ様な従来の接続方式に対する実
質的な利点である。
によって開発された高密度相互接続（ＨＤＩ）構造又は
装置は、ディジタル及びその他の電子装置をコンパクト
に組立てるのに多くの利点を提供している。例えば、３
０個乃至５０個のチップを用いたマイクロコンピュ―タ
の様な電子装置は、長さ２吋、幅２吋、厚さ０．０５０
吋の１個の基板の上に完全に組立てゝ相互接続すること
が出来る。現在では、この装置の最高動作周波数は約５
０ＭＨｚ 未満であるのが普通である。この高密度相互
接続構造がコンパクトであることよりも更に重要なのは
、故障した部品の修理又は交換の為にそれを分解し、そ
の後再び組立てゝも、装置内に用いられたよい部品に目
立った危険が及ばないことである。この様な再加工又は
修理が出来ることは、損傷を受けた部品を取替える為に
装置を加工し直すことが不可能であるか、或いはよい部
品にかなりの危険が及ぶ様な従来の接続方式に対する実
質的な利点である。
【０００４】簡単に云うと、この高密度相互接続構造で
は、厚さが１００ミルであって、装置全体にとって適当
な寸法及び強度を持つアルミナの様なセラミック基板を
用意する。寸法は２吋平方未満であるのが典型的である
。一旦、種々のチップの位置が決ったら、個々の空所、
又は種々のチップの所期の位置に適当な深さを持つ１つ
の大きな空所を作る。この為には、一様な厚さ及び所望
の寸法を持つ裸の基板から出発する。レ―ザによるフラ
イス加工を使って、種々のチップ又は他の部品を配置す
る空所を形成する。チップの縁を突合わせて配置するの
が望ましい。多くの装置では、１個の大きな空所にする
のが満足し得るものである。この大きな空所は、半導体
チップが略一様な厚さを持つ場合、一様な深さを持つの
が典型的である。特に厚手又は特に薄手の部品を配置す
る場所では、空所の底を夫々一層深くするか或いは一層
浅くして、その部品の上面を他の部品の上面並びに、こ
の空所を取囲む、基板の部分の表面と略同じ平面にする
。その後、空所の底に熱可塑性接着剤層を設ける。これ
は、ゼネラル・エレクトリック・カンパニイからＵＬＴ
ＥＭ（登録商標）の商品名で入手し得るポリエ―テルイ
ミド樹脂であることが好ましい。次に、種々の部品を空
所内の所望の場所に配置し、構造全体をＵＬＴＥＭポリ
エ―テルイミドの軟化点（使う組成物に応じて２１７℃
乃至２３５℃の近辺）に加熱し、その後冷却して個々の
部品を空所に熱可塑的に結合する。この段階で、全ての
部品及び基板の上面が略共通の平面内にある。その後、
Ｅ．Ｉ．デュ・ポン・ドゥ・ネムア―ス・カンパニイか
ら入手し得るカプトン（登録商標）ポリイミドであって
よいが、厚さ約０．０００５乃至０．００３吋（１２．
５乃至７５ミクロン）のポリイミド被膜を予備処理して
接着力をよくし、片側をＵＬＴＥＭポリエ―テルイミド
樹脂又は別の熱可塑性物質で被覆し、チップ、他の部品
及び基板の頂部に積層する。ＵＬＴＥＭ樹脂がカプトン
を所定位置に保持する熱可塑性接着剤として作用する。 その後、接点をつけようとする電子部品の接点パッドと
整合して、カプトン及びＵＬＴＥＭ層にバイア孔をレ―
ザでドリル加工する。カプトン層の上に沈積されるメタ
ライズ層がバイア孔に入込み、その下に配置された接点
パッドと電気的に接触する。このメタライズ層は、それ
を沈積する過程の間に個々の導体を形成する様にパタ―
ンぎめしてもよいし、或いは連続的な層として沈積し、
その後フォトレジスト及びエッチングを用いてパタ―ン
ぎめしてもよい。フォトレジストはレ―ザを用いて露出
を行ない、この過程の終りに正確に整合した導体パタ―
ンを作ることが好ましい。
は、厚さが１００ミルであって、装置全体にとって適当
な寸法及び強度を持つアルミナの様なセラミック基板を
用意する。寸法は２吋平方未満であるのが典型的である
。一旦、種々のチップの位置が決ったら、個々の空所、
又は種々のチップの所期の位置に適当な深さを持つ１つ
の大きな空所を作る。この為には、一様な厚さ及び所望
の寸法を持つ裸の基板から出発する。レ―ザによるフラ
イス加工を使って、種々のチップ又は他の部品を配置す
る空所を形成する。チップの縁を突合わせて配置するの
が望ましい。多くの装置では、１個の大きな空所にする
のが満足し得るものである。この大きな空所は、半導体
チップが略一様な厚さを持つ場合、一様な深さを持つの
が典型的である。特に厚手又は特に薄手の部品を配置す
る場所では、空所の底を夫々一層深くするか或いは一層
浅くして、その部品の上面を他の部品の上面並びに、こ
の空所を取囲む、基板の部分の表面と略同じ平面にする
。その後、空所の底に熱可塑性接着剤層を設ける。これ
は、ゼネラル・エレクトリック・カンパニイからＵＬＴ
ＥＭ（登録商標）の商品名で入手し得るポリエ―テルイ
ミド樹脂であることが好ましい。次に、種々の部品を空
所内の所望の場所に配置し、構造全体をＵＬＴＥＭポリ
エ―テルイミドの軟化点（使う組成物に応じて２１７℃
乃至２３５℃の近辺）に加熱し、その後冷却して個々の
部品を空所に熱可塑的に結合する。この段階で、全ての
部品及び基板の上面が略共通の平面内にある。その後、
Ｅ．Ｉ．デュ・ポン・ドゥ・ネムア―ス・カンパニイか
ら入手し得るカプトン（登録商標）ポリイミドであって
よいが、厚さ約０．０００５乃至０．００３吋（１２．
５乃至７５ミクロン）のポリイミド被膜を予備処理して
接着力をよくし、片側をＵＬＴＥＭポリエ―テルイミド
樹脂又は別の熱可塑性物質で被覆し、チップ、他の部品
及び基板の頂部に積層する。ＵＬＴＥＭ樹脂がカプトン
を所定位置に保持する熱可塑性接着剤として作用する。 その後、接点をつけようとする電子部品の接点パッドと
整合して、カプトン及びＵＬＴＥＭ層にバイア孔をレ―
ザでドリル加工する。カプトン層の上に沈積されるメタ
ライズ層がバイア孔に入込み、その下に配置された接点
パッドと電気的に接触する。このメタライズ層は、それ
を沈積する過程の間に個々の導体を形成する様にパタ―
ンぎめしてもよいし、或いは連続的な層として沈積し、
その後フォトレジスト及びエッチングを用いてパタ―ン
ぎめしてもよい。フォトレジストはレ―ザを用いて露出
を行ない、この過程の終りに正確に整合した導体パタ―
ンを作ることが好ましい。
【０００５】チップの間の全ての所望の電気接続を施す
為に、必要に応じて別の誘電体及びメタライズ層を設け
る。個々の電子部品及びその接点パッドの位置外れがあ
れば、それは、適応形レ―ザ製版装置によって補償する
。これは、以下述べる若干の米国特許及び特許出願の対
象とするものである。
為に、必要に応じて別の誘電体及びメタライズ層を設け
る。個々の電子部品及びその接点パッドの位置外れがあ
れば、それは、適応形レ―ザ製版装置によって補償する
。これは、以下述べる若干の米国特許及び特許出願の対
象とするものである。
【０００６】この高密度相互接続構造、その製法、及び
それを製造する為の工具が、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ
―ナ他の発明の名称「多重チップ集積回路パッケ―ジ形
式及び方法」と云う米国特許第４，７８３，６９５号、
発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他の発明の名称「高密度
相互接続を施す為の適応形製版装置」と云う同第４，８
３５，７０４号、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他の発
明の名称「多重電子回路チップ・ハッケ―ジの為に重合
体誘電体にバイア孔を作る方法」と云う同第４，７１４
，５１６号、Ｒ．Ｊ．ウォジナロ―スキ―他の発明の名
称「新規なレジストのエキシマ・レ―ザによるパタ―ン
ぎめ」と云う同第４，７８０，１７７号、発明者Ｒ．Ｊ
．ウォジナロ―スキ―他によって１９８９年９月２７日
に出願された発明の名称「基板に結合された部品を除去
する方法と装置」と云う係属中の米国特許出願通し番号
第２４９，９２７号、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他
によって１９８９年２月１４日に出願された発明の名称
「重合体材料にバイア孔を形成する為のレ―ザ・ビ―ム
走査方法」と云う同第３１０，１４９号、発明者Ｒ．Ｊ
．ウォジナロ―スキ―他によって１９８９年２月２１日
に出願された発明の名称「高密度相互接続熱可塑性ダイ
ス取付け材料及び溶媒ダイス取付け処理」と云う同第３
１２，７９８号、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他によ
って１９８８年１２月１２日に出願された発明の名称「
高密度相互接続回路を修理する為の簡単な方法」と云う
同第２８３，０９５号、発明者Ｈ．Ｓ．コ―ル他によっ
て１９８９年２月３日に出願された発明の名称「製造方
法及び集積回路試験構造」と云う同第３０５，３１４号
、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他によって１９８８年
９月２７日に出願された発明の名称「容積効率の高い高
密度相互接続部」と云う同第２５０，０１０号、発明者
Ｒ．Ｊ．ウォジナロ―スキ―他によって１９８９年３月
２８日に出願された発明の名称「高密度相互接続集成体
に使うダイス取付け方法」と云う同第３２９，４７８号
、発明者Ｈ．Ｓ．コ―ル他によって１９８８年１０月４
日に出願された発明の名称「レ―ザによる相互製造方法
」と云う同第２５３，０２０号、発明者Ｃ．Ｗ．アイケ
ルバ―ナ他によって１９８８年８月５日に出願された発
明の名称「電子回路及び集積回路チップを、着脱自在の
オ―バ―レ―層を用いて試験する方法と形式」と云う同
第２３０，６５４号、発明者Ｙ．Ｓ．リュ他によって１
９８８年８月２０日に出願された発明の名称「集積回路
装置に使う金属パタ―ンの直接的な沈積」と云う同第２
３３，９６５号、発明者Ｙ．Ｓ．リュ他によって１９８
８年８月２３日に出願された発明の名称「活性剤のＵＶ
レ―ザによる摩削によるメタライズ部の光パタ―ンぎめ
方法」と云う同第２３７，６３８号、発明者Ｙ．Ｓ．リ
ュ他によって１９８８年８月２５日に出願された発明の
名称「集積回路装置に使う耐高温金属線の直接的な書込
み」と云う同第２３７，６８５号、発明者Ｃ．Ｗ．アイ
ケルバ―ナ他によって１９８８年８月３０日に出願され
た発明の名称「重合体被膜オ―バ―レ―層を用いて集積
回路チップをパッケ―ジする方法と装置」と云う同第２
４０，３６７号、発明者Ｈ．Ｓ．コ―ル他によって１９
８９年４月２４日に出願された発明の名称「電子パッケ
―ジ用のシロキサン−ポリイミドの処理方法」と云う同
第３４２，１５３号、発明者Ｙ．Ｓ．リュ他によって１
９８８年１２月２７日に出願された発明の名称「導電及
び非導電性基板上に於ける選択的な電解沈積」と云う同
第２８９，９４４号、発明者Ｒ．Ｊ．ウォジナロ―スキ
―他によって１９８９年２月１７日に出願された発明の
名称「結合可能な積層体を形成する為に熱可塑性材料に
熱効果被膜を結合する方法」と云う同第３１２，５３６
号、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他によって１９８９
年６月８日に出願された発明の名称「敏速な注文設計の
為の集積回路パッケ―ジ形式と独特の試験能力」と云う
同第３６３，６４６号、発明者Ｈ．Ｓ．コ―ル他によっ
て１９９０年１月２日に出願された発明の名称「区域選
択性メタライズ方法」と云う同第０７／４５９，８４４
号、発明者Ｔ．Ｒ．ハラ―他によって１９８９年１２月
２６日に出願された発明の名称「局部的に向きを特定し
た配送方式」と云う同第０７／４５７，０２３号、発明
者Ｈ．Ｓ．コ―ル他によって１９８９年１２月２６日に
出願された発明の名称「レ―ザによって摩削可能な重合
体誘電体及び方法」と云う同第４５６，４２１号、発明
者Ｗ．Ｐ．コルンルンプ他によって１９８９年１２月２
１日に出願された発明の名称「気密高密度相互接続電子
装置」と云う同第４５４，５４６号、発明者Ｈ．Ｓ．コ
―ル他によって１９８９年１２月２６日に出願された発
明の名称「強化蛍光重合体及びそれを用いた相互接続構
造」と云う同第０７／４５７，１２７号、発明者Ｃ．Ｗ
．アイケルバ―ナ他によって１９８９年１２月２１日に
出願された発明の名称「エポキシ／ポリイミド共重合体
混合誘電体及びそれを用いた層状回路」と云う同第４５
４，５４５号に記載されている。これらの特許及び特許
出願をこゝで引用することにする。
それを製造する為の工具が、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ
―ナ他の発明の名称「多重チップ集積回路パッケ―ジ形
式及び方法」と云う米国特許第４，７８３，６９５号、
発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他の発明の名称「高密度
相互接続を施す為の適応形製版装置」と云う同第４，８
３５，７０４号、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他の発
明の名称「多重電子回路チップ・ハッケ―ジの為に重合
体誘電体にバイア孔を作る方法」と云う同第４，７１４
，５１６号、Ｒ．Ｊ．ウォジナロ―スキ―他の発明の名
称「新規なレジストのエキシマ・レ―ザによるパタ―ン
ぎめ」と云う同第４，７８０，１７７号、発明者Ｒ．Ｊ
．ウォジナロ―スキ―他によって１９８９年９月２７日
に出願された発明の名称「基板に結合された部品を除去
する方法と装置」と云う係属中の米国特許出願通し番号
第２４９，９２７号、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他
によって１９８９年２月１４日に出願された発明の名称
「重合体材料にバイア孔を形成する為のレ―ザ・ビ―ム
走査方法」と云う同第３１０，１４９号、発明者Ｒ．Ｊ
．ウォジナロ―スキ―他によって１９８９年２月２１日
に出願された発明の名称「高密度相互接続熱可塑性ダイ
ス取付け材料及び溶媒ダイス取付け処理」と云う同第３
１２，７９８号、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他によ
って１９８８年１２月１２日に出願された発明の名称「
高密度相互接続回路を修理する為の簡単な方法」と云う
同第２８３，０９５号、発明者Ｈ．Ｓ．コ―ル他によっ
て１９８９年２月３日に出願された発明の名称「製造方
法及び集積回路試験構造」と云う同第３０５，３１４号
、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他によって１９８８年
９月２７日に出願された発明の名称「容積効率の高い高
密度相互接続部」と云う同第２５０，０１０号、発明者
Ｒ．Ｊ．ウォジナロ―スキ―他によって１９８９年３月
２８日に出願された発明の名称「高密度相互接続集成体
に使うダイス取付け方法」と云う同第３２９，４７８号
、発明者Ｈ．Ｓ．コ―ル他によって１９８８年１０月４
日に出願された発明の名称「レ―ザによる相互製造方法
」と云う同第２５３，０２０号、発明者Ｃ．Ｗ．アイケ
ルバ―ナ他によって１９８８年８月５日に出願された発
明の名称「電子回路及び集積回路チップを、着脱自在の
オ―バ―レ―層を用いて試験する方法と形式」と云う同
第２３０，６５４号、発明者Ｙ．Ｓ．リュ他によって１
９８８年８月２０日に出願された発明の名称「集積回路
装置に使う金属パタ―ンの直接的な沈積」と云う同第２
３３，９６５号、発明者Ｙ．Ｓ．リュ他によって１９８
８年８月２３日に出願された発明の名称「活性剤のＵＶ
レ―ザによる摩削によるメタライズ部の光パタ―ンぎめ
方法」と云う同第２３７，６３８号、発明者Ｙ．Ｓ．リ
ュ他によって１９８８年８月２５日に出願された発明の
名称「集積回路装置に使う耐高温金属線の直接的な書込
み」と云う同第２３７，６８５号、発明者Ｃ．Ｗ．アイ
ケルバ―ナ他によって１９８８年８月３０日に出願され
た発明の名称「重合体被膜オ―バ―レ―層を用いて集積
回路チップをパッケ―ジする方法と装置」と云う同第２
４０，３６７号、発明者Ｈ．Ｓ．コ―ル他によって１９
８９年４月２４日に出願された発明の名称「電子パッケ
―ジ用のシロキサン−ポリイミドの処理方法」と云う同
第３４２，１５３号、発明者Ｙ．Ｓ．リュ他によって１
９８８年１２月２７日に出願された発明の名称「導電及
び非導電性基板上に於ける選択的な電解沈積」と云う同
第２８９，９４４号、発明者Ｒ．Ｊ．ウォジナロ―スキ
―他によって１９８９年２月１７日に出願された発明の
名称「結合可能な積層体を形成する為に熱可塑性材料に
熱効果被膜を結合する方法」と云う同第３１２，５３６
号、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ―ナ他によって１９８９
年６月８日に出願された発明の名称「敏速な注文設計の
為の集積回路パッケ―ジ形式と独特の試験能力」と云う
同第３６３，６４６号、発明者Ｈ．Ｓ．コ―ル他によっ
て１９９０年１月２日に出願された発明の名称「区域選
択性メタライズ方法」と云う同第０７／４５９，８４４
号、発明者Ｔ．Ｒ．ハラ―他によって１９８９年１２月
２６日に出願された発明の名称「局部的に向きを特定し
た配送方式」と云う同第０７／４５７，０２３号、発明
者Ｈ．Ｓ．コ―ル他によって１９８９年１２月２６日に
出願された発明の名称「レ―ザによって摩削可能な重合
体誘電体及び方法」と云う同第４５６，４２１号、発明
者Ｗ．Ｐ．コルンルンプ他によって１９８９年１２月２
１日に出願された発明の名称「気密高密度相互接続電子
装置」と云う同第４５４，５４６号、発明者Ｈ．Ｓ．コ
―ル他によって１９８９年１２月２６日に出願された発
明の名称「強化蛍光重合体及びそれを用いた相互接続構
造」と云う同第０７／４５７，１２７号、発明者Ｃ．Ｗ
．アイケルバ―ナ他によって１９８９年１２月２１日に
出願された発明の名称「エポキシ／ポリイミド共重合体
混合誘電体及びそれを用いた層状回路」と云う同第４５
４，５４５号に記載されている。これらの特許及び特許
出願をこゝで引用することにする。
【０００７】この高密度相互接続構造は従来の相互接続
装置に較べていろいろな利点がある。特に、多重チップ
又は多重部品電子装置を非常にコンパクトに組立てるこ
とが出来る。この様なコンパクトな組立てにより、相異
なるチップを相互接続する導体が伸びる長さが最小限に
抑えられ、この為、チップの間の通過時間による遅延が
最小限になるが、これは高速装置では重要なことである
。更に、従来の多くの装置と異なり、この相互接続装置
は、よいチップを損傷せずに、高密度相互接続構造を多
機能を持つ装置から取外すことが出来るので、多重チッ
プ回路を高い歩留りで組立てることが容易になる。高密
度相互接続構造を取外した後、不良又は限界的なチップ
を基板から取除き、他のチップに交換することが出来る
。不良のチップがあれば、それを交換した後、チップ及
び基板の上に新しい高密度相互接続構造が形成される。 この代りに、誤動作の原因が高密度相互接続構造自体の
中にある場合、是正した相互接続構造を作る前に、チッ
プの取外し及び交換を行なう必要がない。この様な再加
工が出来る結果として、誤動作をする装置を修理するこ
とにより、略１００％の生産歩留りが達成される。
装置に較べていろいろな利点がある。特に、多重チップ
又は多重部品電子装置を非常にコンパクトに組立てるこ
とが出来る。この様なコンパクトな組立てにより、相異
なるチップを相互接続する導体が伸びる長さが最小限に
抑えられ、この為、チップの間の通過時間による遅延が
最小限になるが、これは高速装置では重要なことである
。更に、従来の多くの装置と異なり、この相互接続装置
は、よいチップを損傷せずに、高密度相互接続構造を多
機能を持つ装置から取外すことが出来るので、多重チッ
プ回路を高い歩留りで組立てることが容易になる。高密
度相互接続構造を取外した後、不良又は限界的なチップ
を基板から取除き、他のチップに交換することが出来る
。不良のチップがあれば、それを交換した後、チップ及
び基板の上に新しい高密度相互接続構造が形成される。 この代りに、誤動作の原因が高密度相互接続構造自体の
中にある場合、是正した相互接続構造を作る前に、チッ
プの取外し及び交換を行なう必要がない。この様な再加
工が出来る結果として、誤動作をする装置を修理するこ
とにより、略１００％の生産歩留りが達成される。
【０００８】上に引用した背景としての高密度相互接続
構造に関する特許及び特許出願は、その実施例で、密度
を最大にする為に、縁を突合せて配置されたチップを相
互接続し、その後ディジタル・コンピュ―タ及びその他
の装置に相互接続することに焦点が向けられている。こ
れらの米国特許及び特許出願では直接的に取上げられて
いないが、そこに示された実施例では、装置のパッケ―
ジ又は外被全体は、高密度相互接続構造を包み込む位に
大きいと仮定している。この仮定は、ディジタル・コン
ピュ―タとか、ハウジング全体を高密度相互接続構造の
形に合せることが出来る様なその他の電子装置では、勿
論適切である。然し、高密度相互接続構造を用いて相互
接続することを希望する部品が、ハウジングの内、電子
部品の直接的な高密度相互接続に合わない予定の形を持
っていなければならない部分にある装置の他の部分に直
ぐ隣接して配置しなければならない様な装置がある。或
いは、装置の他の部分と接続する為の外部接点パッドが
、高密度相互接続構造のセラミック基板の上面に設けら
れている簡単な矩形の高密度相互接続集成体で達成し得
るよりも、高密度相互接続構造を更に小さくすることが
望ましい様な妥協を計らなければならない装置にこう云
う部品を配置しなければならないこともある。その為、
パッケ―ジ全体の制約に合せて調節する融通性が一層大
きい、修正された高密度相互接続構造が望ましい。
構造に関する特許及び特許出願は、その実施例で、密度
を最大にする為に、縁を突合せて配置されたチップを相
互接続し、その後ディジタル・コンピュ―タ及びその他
の装置に相互接続することに焦点が向けられている。こ
れらの米国特許及び特許出願では直接的に取上げられて
いないが、そこに示された実施例では、装置のパッケ―
ジ又は外被全体は、高密度相互接続構造を包み込む位に
大きいと仮定している。この仮定は、ディジタル・コン
ピュ―タとか、ハウジング全体を高密度相互接続構造の
形に合せることが出来る様なその他の電子装置では、勿
論適切である。然し、高密度相互接続構造を用いて相互
接続することを希望する部品が、ハウジングの内、電子
部品の直接的な高密度相互接続に合わない予定の形を持
っていなければならない部分にある装置の他の部分に直
ぐ隣接して配置しなければならない様な装置がある。或
いは、装置の他の部分と接続する為の外部接点パッドが
、高密度相互接続構造のセラミック基板の上面に設けら
れている簡単な矩形の高密度相互接続集成体で達成し得
るよりも、高密度相互接続構造を更に小さくすることが
望ましい様な妥協を計らなければならない装置にこう云
う部品を配置しなければならないこともある。その為、
パッケ―ジ全体の制約に合せて調節する融通性が一層大
きい、修正された高密度相互接続構造が望ましい。
【０００９】
【発明の目的】従って、この発明の主な目的は、相互接
続機能に悪影響を与えずに、高密度相互接続構造が要求
する横方向の面積を縮小することが出来る様な高密度相
互接続構造を提供することである。
続機能に悪影響を与えずに、高密度相互接続構造が要求
する横方向の面積を縮小することが出来る様な高密度相
互接続構造を提供することである。
【００１０】この発明の別の目的は、その構造によって
相互接続される電子装置の相異なる部分の間で相対的な
移動が出来る様にするのに適した可撓性の部分を持つ高
密度相互接続構造を提供することである。
相互接続される電子装置の相異なる部分の間で相対的な
移動が出来る様にするのに適した可撓性の部分を持つ高
密度相互接続構造を提供することである。
【００１１】この発明の別の目的は、装置の相異なる部
品を平行でない異なる平面内に配置することが出来る様
な高密度相互接続構造を提供することである。
品を平行でない異なる平面内に配置することが出来る様
な高密度相互接続構造を提供することである。
【００１２】この発明の別の目的は、頑丈で可撓性の高
密度相互接続構造を提供することである。
密度相互接続構造を提供することである。
【００１３】この発明の別の目的は、この様な可撓性の
高密度相互接続構造を高い歩留りで確実に組立てる手段
を提供することである。
高密度相互接続構造を高い歩留りで確実に組立てる手段
を提供することである。
【００１４】
【発明の要約】上記並びに図面を含めて明細書全体から
明らかになるその他の目的が、この発明では、高密度相
互接続構造を提供することによって達成される。完成さ
れた誘電体／導体オ―バ―レ―構造は、頑丈な基板又は
支持体に結合されない可撓性の部分を含んでいる。頑丈
性を高める為、高密度相互接続構造のこの可撓性の部分
は、支持部材を含んでいてよく、高密度相互接続構造の
可撓性部分を装置の一部分の平面の外へ曲げる過程で、
高密度相互接続構造の導体が圧縮状態に保たれ（即ち、
曲げられる支持部材の凹側に配置され）、こうして高密
度相互接続構造の可撓性の部分を曲げる結果として、導
体構造に応力によって誘起された悪影響又は変化が入込
まない様な形で曲げられる。
明らかになるその他の目的が、この発明では、高密度相
互接続構造を提供することによって達成される。完成さ
れた誘電体／導体オ―バ―レ―構造は、頑丈な基板又は
支持体に結合されない可撓性の部分を含んでいる。頑丈
性を高める為、高密度相互接続構造のこの可撓性の部分
は、支持部材を含んでいてよく、高密度相互接続構造の
可撓性部分を装置の一部分の平面の外へ曲げる過程で、
高密度相互接続構造の導体が圧縮状態に保たれ（即ち、
曲げられる支持部材の凹側に配置され）、こうして高密
度相互接続構造の可撓性の部分を曲げる結果として、導
体構造に応力によって誘起された悪影響又は変化が入込
まない様な形で曲げられる。
【００１５】この様な可撓性の高密度相互接続構造を作
るには幾つかの異なる方法を使うことが出来る。１つの
方法は、相互接続すべきチップ又はその他の部品を収容
した基板を、最終的な相互接続構造が持つよりも大きな
面積を持ち、且つ高密度相互接続構造の製造過程が完了
した後に、高密度相互接続構造から選択的に取外すこと
の出来る相互接続支持層をも持つ仮支持体又は治具に配
置することである。その後、高密度相互接続構造の誘電
体／導体オ―バ―レ―を、支持体、支持部材、基板及び
チップの上に作る。この高密度相互接続構造の製造が完
了した後、チップ、基板、支持部材及び高密度相互接続
構造の重なる部分は、所望の相互接続構造の縁に沿って
高密度相互接続構造の誘電体層を切断して完成された所
望の構造を支持体から取外すことが出来る様にする（相
互接続構造は、品質管理の点で、製造の間、支持体に結
合しておくことが好ましい）様な適当な手段により、一
体として支持体から取外すことが出来る。この代りに、
支持体は、溶媒に溶解するか、エッチャント又はその他
の手段により、取除くことが出来る。
るには幾つかの異なる方法を使うことが出来る。１つの
方法は、相互接続すべきチップ又はその他の部品を収容
した基板を、最終的な相互接続構造が持つよりも大きな
面積を持ち、且つ高密度相互接続構造の製造過程が完了
した後に、高密度相互接続構造から選択的に取外すこと
の出来る相互接続支持層をも持つ仮支持体又は治具に配
置することである。その後、高密度相互接続構造の誘電
体／導体オ―バ―レ―を、支持体、支持部材、基板及び
チップの上に作る。この高密度相互接続構造の製造が完
了した後、チップ、基板、支持部材及び高密度相互接続
構造の重なる部分は、所望の相互接続構造の縁に沿って
高密度相互接続構造の誘電体層を切断して完成された所
望の構造を支持体から取外すことが出来る様にする（相
互接続構造は、品質管理の点で、製造の間、支持体に結
合しておくことが好ましい）様な適当な手段により、一
体として支持体から取外すことが出来る。この代りに、
支持体は、溶媒に溶解するか、エッチャント又はその他
の手段により、取除くことが出来る。
【００１６】その後、高密度相互接続構造の支持されて
いない可撓性の部分を希望する場合、支持部材をその領
域から選択的に除去して、その区域が支持されていない
誘電体／導体オ―バ―レ―構造を残す。この代りに、高
密度相互接続構造を支持体の前の場所から上側へ離れる
向きに曲げる場合、支持部材は比較的薄手にしてその場
所に残し、高密度相互接続構造を所望の位置に保持する
様に曲げることが出来る。この時高密度相互接続導体は
圧縮状態にある。これは、それが、支持部材を曲げるこ
とよって得られた曲線の内側に配置されるからである。
いない可撓性の部分を希望する場合、支持部材をその領
域から選択的に除去して、その区域が支持されていない
誘電体／導体オ―バ―レ―構造を残す。この代りに、高
密度相互接続構造を支持体の前の場所から上側へ離れる
向きに曲げる場合、支持部材は比較的薄手にしてその場
所に残し、高密度相互接続構造を所望の位置に保持する
様に曲げることが出来る。この時高密度相互接続導体は
圧縮状態にある。これは、それが、支持部材を曲げるこ
とよって得られた曲線の内側に配置されるからである。
【００１７】希望によっては、高密度相互接続構造の誘
電体層（１つ又は複数）を除去して、高密度パッケ―ジ
装置を外部装置又は部品に接続する為に、高密度相互接
続導体の耳片形の導電性延長部を残すことが出来る。
電体層（１つ又は複数）を除去して、高密度パッケ―ジ
装置を外部装置又は部品に接続する為に、高密度相互接
続導体の耳片形の導電性延長部を残すことが出来る。
【００１８】この導電性耳片を更に頑丈にしたい場合、
こう云う耳片は最初は、高密度相互接続構造の誘電体を
結合するリ―ド・フレ―ムの一部分にしておき、高密度
相互接続製造過程の間、高密度相互接続構造の適当な導
体を接続する。ＨＤＩ製造過程が完了した後、リ―ド・
フレ―ムの接続部分を切断することにより、個々の耳片
を互いに分離することが出来る。こう云う場合、高密度
相互接続構造の誘電体層は、各々の導電性耳片の一部分
に結合したまゝに残しておいて、耳片の支持作用を強め
ることが好ましい。縁コネクタ・カ―ドを用いてもよい
。
こう云う耳片は最初は、高密度相互接続構造の誘電体を
結合するリ―ド・フレ―ムの一部分にしておき、高密度
相互接続製造過程の間、高密度相互接続構造の適当な導
体を接続する。ＨＤＩ製造過程が完了した後、リ―ド・
フレ―ムの接続部分を切断することにより、個々の耳片
を互いに分離することが出来る。こう云う場合、高密度
相互接続構造の誘電体層は、各々の導電性耳片の一部分
に結合したまゝに残しておいて、耳片の支持作用を強め
ることが好ましい。縁コネクタ・カ―ドを用いてもよい
。
【００１９】高密度相互接続構造の内、製造過程の終り
に可撓性にすべき部分を支持する為に別個の支持層を使
う代りに、高密度相互接続構造の初期誘電体層をチップ
及び基板に積層する時、スパッタリングの様な高エネル
ギ方法による金属沈積の間、誘電体のその部分からの熱
を奪う適当なメカニズムがあれば、支持体の適当な部分
又は他の支持装置は高密度相互接続用接着剤のない状態
に残すことが出来る。高密度相互接続用接着剤に対して
差別的に溶解可能なにかわ及び接着剤、真空押え付け等
を用いて、この熱の除去を行なうのに十分な誘電体／基
板の熱接触を行なわせることが出来る。こうすると、最
終的な高密度相互接続構造は支持体のこう云う部分又は
治具から容易に分離し得る。更に、製造過程で、適当な
場所に離型層を用いて、この後で高密度相互接続構造を
支持体、基板又はその他の支持構造の内、希望するもの
から分離することが出来る。
に可撓性にすべき部分を支持する為に別個の支持層を使
う代りに、高密度相互接続構造の初期誘電体層をチップ
及び基板に積層する時、スパッタリングの様な高エネル
ギ方法による金属沈積の間、誘電体のその部分からの熱
を奪う適当なメカニズムがあれば、支持体の適当な部分
又は他の支持装置は高密度相互接続用接着剤のない状態
に残すことが出来る。高密度相互接続用接着剤に対して
差別的に溶解可能なにかわ及び接着剤、真空押え付け等
を用いて、この熱の除去を行なうのに十分な誘電体／基
板の熱接触を行なわせることが出来る。こうすると、最
終的な高密度相互接続構造は支持体のこう云う部分又は
治具から容易に分離し得る。更に、製造過程で、適当な
場所に離型層を用いて、この後で高密度相互接続構造を
支持体、基板又はその他の支持構造の内、希望するもの
から分離することが出来る。
【００２０】製造及び試験が完了した後、全ての支持構
造を取外して、高密度相互接続構造に結合された電子部
品だけを残し、この構造が「巻上げられる」様にして、
冷却剤の流れの中に配置される様にすることにより、最
終的な装置の効率のよい冷却を行なうことが出来る。冷
却剤は、ガス膨張形冷却装置のフレオンであってもよい
し、或いはその状態にとゞまる液体又はガスであってよ
い。
造を取外して、高密度相互接続構造に結合された電子部
品だけを残し、この構造が「巻上げられる」様にして、
冷却剤の流れの中に配置される様にすることにより、最
終的な装置の効率のよい冷却を行なうことが出来る。冷
却剤は、ガス膨張形冷却装置のフレオンであってもよい
し、或いはその状態にとゞまる液体又はガスであってよ
い。
【００２１】支持部材の「映像フレ―ム」部分を高密度
相互接続誘電体上に残しておいて、はんだ付け、レ―ザ
による溶接等により、別個の構造に結合する為に、高密
度構造内の接点パッドを整合状態に保つ為、映像フレ―
ム内の誘電体区域の寸法安定性を保つことが出来る。
相互接続誘電体上に残しておいて、はんだ付け、レ―ザ
による溶接等により、別個の構造に結合する為に、高密
度構造内の接点パッドを整合状態に保つ為、映像フレ―
ム内の誘電体区域の寸法安定性を保つことが出来る。
【００２２】この発明の要旨は、特許請求の範囲に具体
的に且つ明確に記載してあるが、この発明の構成、作用
及びその他の目的並びに利点は、以下図面について説明
する所から最もよく理解されよう。
的に且つ明確に記載してあるが、この発明の構成、作用
及びその他の目的並びに利点は、以下図面について説明
する所から最もよく理解されよう。
【００２３】
【詳しい記載】図１は装置１０の３次元の図であり、こ
の装置の基板１４の空所（１つ又は複数個）には複数個
のチップ２０が取付けられており、この発明の高密度相
互接続構造３０がチップ及び基板の上面に結合されて、
チップの間並びに外部との電気的な相互接続を行なう。 基板１４は、アルミナであるか、又はその熱膨張係数が
チップ２０のそれとよく合う別の電気絶縁熱伝導材料で
あることが好ましい。高密度相互接続構造３０が誘電体
層３２を持ち、これはポリイミドの熱硬化層で構成する
ことが好ましいが、このポリイミドはＥ．Ｉ．デュポン
・ドゥ・ネムア―スから入手し得るカプトン（登録商標
）ポリイミドであることが好ましい。これが熱可塑性接
着剤により、チップ、基板及び支持部材１６の上面に接
着によって結合される。熱可塑性接着剤は、ゼネラル・
エレクトリック・カンパニイからＵＬＴＥＭ（登録商標
）の商品名で入手し得るポリエ―テルイミド樹脂である
ことが好ましい。
の装置の基板１４の空所（１つ又は複数個）には複数個
のチップ２０が取付けられており、この発明の高密度相
互接続構造３０がチップ及び基板の上面に結合されて、
チップの間並びに外部との電気的な相互接続を行なう。 基板１４は、アルミナであるか、又はその熱膨張係数が
チップ２０のそれとよく合う別の電気絶縁熱伝導材料で
あることが好ましい。高密度相互接続構造３０が誘電体
層３２を持ち、これはポリイミドの熱硬化層で構成する
ことが好ましいが、このポリイミドはＥ．Ｉ．デュポン
・ドゥ・ネムア―スから入手し得るカプトン（登録商標
）ポリイミドであることが好ましい。これが熱可塑性接
着剤により、チップ、基板及び支持部材１６の上面に接
着によって結合される。熱可塑性接着剤は、ゼネラル・
エレクトリック・カンパニイからＵＬＴＥＭ（登録商標
）の商品名で入手し得るポリエ―テルイミド樹脂である
ことが好ましい。
【００２４】支持部材１６はコバ―ル（登録商標）又は
その熱膨張係数がアルミナ基板１４とよく合う、膨張係
数の小さい別の金属であることが好ましい。これは、熱
膨張係数の違いがこの構造を正しく製造する妨げとなら
ない様に保証することによって、この相互接続構造の製
造を容易にする為である。更に、コバ―ルを除去する為
のエッチャントとして塩化第二鉄を使うことは、高密度
相互接続構造の他の材料及び処理工程との両立性がある
。コバ―ルは、この用途に必要であるよりも一層厚手の
１０乃至２０ミルの厚さで入手するのが容易であり、十
分硬いので、コバ―ルの一層薄手のシ―ト又は箔が曲げ
の為に望ましい。
その熱膨張係数がアルミナ基板１４とよく合う、膨張係
数の小さい別の金属であることが好ましい。これは、熱
膨張係数の違いがこの構造を正しく製造する妨げとなら
ない様に保証することによって、この相互接続構造の製
造を容易にする為である。更に、コバ―ルを除去する為
のエッチャントとして塩化第二鉄を使うことは、高密度
相互接続構造の他の材料及び処理工程との両立性がある
。コバ―ルは、この用途に必要であるよりも一層厚手の
１０乃至２０ミルの厚さで入手するのが容易であり、十
分硬いので、コバ―ルの一層薄手のシ―ト又は箔が曲げ
の為に望ましい。
【００２５】金属導体３４のパタ―ンが誘電体層３２の
上面の上に配置され、誘電体層３０にあるバイア孔（１
つだけ示す）を介してチップ２０の種々の接点パッド（
１つだけ示す）と接触する。この相互接続構造は、最初
にその下にある構造の上に誘電体層を形成し、その後、
上からの「ドリル加工」によって誘電体層にバイア孔を
形成し、次に導体３４の金属を沈積することによって作
る時、独自の特徴を持つことに注意されたい。特に、バ
イア孔の中にある金属の外形はバイア孔の形をとり、バ
イア孔にある金属を最初に形成し、その周りを誘電体で
埋めた場合の様に、その逆になるのではない。典型的に
は、この結果、レ―ザによるドリル加工の性質の為、バ
イア孔は頂部の方が底部より幅が広くなる。これは、導
体の他の部分と、バイア孔の中に配置されたその部分と
の間の金属の連続性を改善する。これは、バイア孔の中
にある金属をその上に沈積するバイア孔の面は、上向き
及び外向きに勾配を持つ形であるが、これは半導体の分
野で、垂直壁よりも、段のカバ―が一層よい沈積メタラ
イズ層を作ることが判っているからである。更に、背景
に引用した米国特許及び特許出願に記載されている好ま
しい態様で作った時、金属導体の上面には、金属が特定
の平面までゝはなく、略一様な厚さに沈積される為に、
バイア孔の上でその中に凹みがある。図面を見易くする
為に、基板１４の上の導体３４は（１つを除いて）破断
して省略してあるが、これは、チップ及び基板に対する
高密度相互接続導体の接続は、前に引用した米国特許及
び特許出願の対象とする所であって、得られる構造並び
にそれを作る方法がこれらの特許並びに特許出願に十分
に記載されているからである。第２の誘電体層３６が導
体３４及び誘電体層３２の上に配置される。こう云う構
造は、特に米国特許第４，７８３，６９５号及びその他
によく説明され、図示されている。相互接続構造の内、
基板１４及びチップ２０の上に配置される部分３８は頑
丈な構造であって、これは基板及びチップにしっかりと
接着される。図１の基板１４の左及び右側では、相互接
続構造の部分３９は可撓性を持つ。この図の右側に示す
様に、支持部材１６及び相互接続構造の関連する部分は
、基板の平面に対して上向きに滑かな曲線を描いて曲げ
られており、導電線３４を基板１４の上面の平面に対し
て垂直にしている。この図のこの曲げられた構造の上端
では、誘電体構造内の導体３４と連続している導電性耳
片３５が、誘電体構造を越えて突出している。耳片３５
は、導体３４と同じ導体材料で同じ断面形に構成するこ
とが出来る。その場合、露出した耳片は、最初は導電性
部分３４の一部分として形成され、耳片に隣接した相互
接続構造の誘電体を選択的に除去することによって、突
出した形にする。この除去は、レ―ザによる摩削、相互
接続構造のその部分を誘電体材料に対する溶媒に浸漬す
ることにより（そう云う溶媒がある場合）、又は構造を
製造するのに使われた特定の材料に適切なその他の手段
によって行なうことが出来る。同様な導電性耳片３５が
、図の左側の端でも誘電体を越えて伸びている。
上面の上に配置され、誘電体層３０にあるバイア孔（１
つだけ示す）を介してチップ２０の種々の接点パッド（
１つだけ示す）と接触する。この相互接続構造は、最初
にその下にある構造の上に誘電体層を形成し、その後、
上からの「ドリル加工」によって誘電体層にバイア孔を
形成し、次に導体３４の金属を沈積することによって作
る時、独自の特徴を持つことに注意されたい。特に、バ
イア孔の中にある金属の外形はバイア孔の形をとり、バ
イア孔にある金属を最初に形成し、その周りを誘電体で
埋めた場合の様に、その逆になるのではない。典型的に
は、この結果、レ―ザによるドリル加工の性質の為、バ
イア孔は頂部の方が底部より幅が広くなる。これは、導
体の他の部分と、バイア孔の中に配置されたその部分と
の間の金属の連続性を改善する。これは、バイア孔の中
にある金属をその上に沈積するバイア孔の面は、上向き
及び外向きに勾配を持つ形であるが、これは半導体の分
野で、垂直壁よりも、段のカバ―が一層よい沈積メタラ
イズ層を作ることが判っているからである。更に、背景
に引用した米国特許及び特許出願に記載されている好ま
しい態様で作った時、金属導体の上面には、金属が特定
の平面までゝはなく、略一様な厚さに沈積される為に、
バイア孔の上でその中に凹みがある。図面を見易くする
為に、基板１４の上の導体３４は（１つを除いて）破断
して省略してあるが、これは、チップ及び基板に対する
高密度相互接続導体の接続は、前に引用した米国特許及
び特許出願の対象とする所であって、得られる構造並び
にそれを作る方法がこれらの特許並びに特許出願に十分
に記載されているからである。第２の誘電体層３６が導
体３４及び誘電体層３２の上に配置される。こう云う構
造は、特に米国特許第４，７８３，６９５号及びその他
によく説明され、図示されている。相互接続構造の内、
基板１４及びチップ２０の上に配置される部分３８は頑
丈な構造であって、これは基板及びチップにしっかりと
接着される。図１の基板１４の左及び右側では、相互接
続構造の部分３９は可撓性を持つ。この図の右側に示す
様に、支持部材１６及び相互接続構造の関連する部分は
、基板の平面に対して上向きに滑かな曲線を描いて曲げ
られており、導電線３４を基板１４の上面の平面に対し
て垂直にしている。この図のこの曲げられた構造の上端
では、誘電体構造内の導体３４と連続している導電性耳
片３５が、誘電体構造を越えて突出している。耳片３５
は、導体３４と同じ導体材料で同じ断面形に構成するこ
とが出来る。その場合、露出した耳片は、最初は導電性
部分３４の一部分として形成され、耳片に隣接した相互
接続構造の誘電体を選択的に除去することによって、突
出した形にする。この除去は、レ―ザによる摩削、相互
接続構造のその部分を誘電体材料に対する溶媒に浸漬す
ることにより（そう云う溶媒がある場合）、又は構造を
製造するのに使われた特定の材料に適切なその他の手段
によって行なうことが出来る。同様な導電性耳片３５が
、図の左側の端でも誘電体を越えて伸びている。
【００２６】支持部材１６を平面状の形から図１に示す
形に曲げる時、相互接続構造が支持部材１６の凹側にあ
る為（これを内側の曲げと呼ぶ）、並びに相互接続構造
（誘電体及び導体）が支持部材よりも弾力性がある為、
相互接続構造の導電線３４は圧縮状態になる。これは、
線３４が応力によって破砕しないことを保証する点で望
ましいことである。この様な可撓性の相互接続構造の典
型的な用途では、図の左側にある耳片３５は通常は基板
の平面内にあるか、或いは構造の内、基板の右側にある
部分と同じ方向に曲げられるが、この構造は基板に対し
て下向きに曲げてもよい。相互接続構造のこの曲げでは
支持部材１６を省くべきである。そうしないと、相互接
続導体３４が支持部材の凸側に来て（これを外側の曲げ
と呼ぶ）、相互接続構造（誘電体及び導体）が支持部材
よりも弾力性がある為に、張力状態になる。この形は、
それが延性の大きい銅で好ましく作られていても、比較
的薄手の導体３４に応力によって破損が誘起される惧れ
がある為に、望ましくないと考えられる。支持層は、支
持部材を一様に薄くすることにより、最初は（好ましく
は約３乃至５ミルの厚さの）非常に薄い支持部材を使う
ことにより、又は支持部材を選択的に除去して、導体の
ない構造の縁に沿って、そして曲げの両端の間に支持部
材の厚手の「映像フレ―ム」を残して、フレ―ムの両側
を所定位置に保持することによって、この危険を伴わず
に、又は危険を少なくして、外側の曲げの状態に保つこ
とが出来る。希望によっては、導体の第２の層を誘電体
層３６の上に配置することが出来、希望によっては、こ
れらの導体の上に第３の誘電体層を配置してもよい。
形に曲げる時、相互接続構造が支持部材１６の凹側にあ
る為（これを内側の曲げと呼ぶ）、並びに相互接続構造
（誘電体及び導体）が支持部材よりも弾力性がある為、
相互接続構造の導電線３４は圧縮状態になる。これは、
線３４が応力によって破砕しないことを保証する点で望
ましいことである。この様な可撓性の相互接続構造の典
型的な用途では、図の左側にある耳片３５は通常は基板
の平面内にあるか、或いは構造の内、基板の右側にある
部分と同じ方向に曲げられるが、この構造は基板に対し
て下向きに曲げてもよい。相互接続構造のこの曲げでは
支持部材１６を省くべきである。そうしないと、相互接
続導体３４が支持部材の凸側に来て（これを外側の曲げ
と呼ぶ）、相互接続構造（誘電体及び導体）が支持部材
よりも弾力性がある為に、張力状態になる。この形は、
それが延性の大きい銅で好ましく作られていても、比較
的薄手の導体３４に応力によって破損が誘起される惧れ
がある為に、望ましくないと考えられる。支持層は、支
持部材を一様に薄くすることにより、最初は（好ましく
は約３乃至５ミルの厚さの）非常に薄い支持部材を使う
ことにより、又は支持部材を選択的に除去して、導体の
ない構造の縁に沿って、そして曲げの両端の間に支持部
材の厚手の「映像フレ―ム」を残して、フレ―ムの両側
を所定位置に保持することによって、この危険を伴わず
に、又は危険を少なくして、外側の曲げの状態に保つこ
とが出来る。希望によっては、導体の第２の層を誘電体
層３６の上に配置することが出来、希望によっては、こ
れらの導体の上に第３の誘電体層を配置してもよい。
【００２７】この発明の別の実施例１０′が図２に３次
元図で示されている。この構造は、相互接続構造の可撓
性部分３９を曲げて、２つの基板１４を垂直な平面内に
配置することによって隔てられた２つの別々の基板１４
又はモジュ―ルを装置が使っていることを別とすると、
図１の構造１５と同様である。この明細書では、同様な
作用をする同様な素子を表わすのに、違った図面で同じ
参照数字を用いている。これらの素子はそれが最初に出
て来た図面についてのみ説明する。ダッシュ（′）、二
重のダッシュ（″）又は＊印を付した参照数字は、もと
の参照数字で表わされる素子と同様な作用をする変形の
素子を表わす。
元図で示されている。この構造は、相互接続構造の可撓
性部分３９を曲げて、２つの基板１４を垂直な平面内に
配置することによって隔てられた２つの別々の基板１４
又はモジュ―ルを装置が使っていることを別とすると、
図１の構造１５と同様である。この明細書では、同様な
作用をする同様な素子を表わすのに、違った図面で同じ
参照数字を用いている。これらの素子はそれが最初に出
て来た図面についてのみ説明する。ダッシュ（′）、二
重のダッシュ（″）又は＊印を付した参照数字は、もと
の参照数字で表わされる素子と同様な作用をする変形の
素子を表わす。
【００２８】図１及び２に示す様に、相互接続構造は２
つの誘電体層及び１つの金属相互接続層で構成される。 この代りに、１つの誘電体層（３２）を使ってもよいし
、又は２つの導電層を２つ又は３つの誘電体層及び２つ
の導電層と組合せて使ってもよい。
つの誘電体層及び１つの金属相互接続層で構成される。 この代りに、１つの誘電体層（３２）を使ってもよいし
、又は２つの導電層を２つ又は３つの誘電体層及び２つ
の導電層と組合せて使ってもよい。
【００２９】可撓性のＨＤＩ相互接続構造を使うと、全
体的な高密度相互接続装置が、厳密に堅固な形で作られ
た場合よりも物理的には一層大きくなると云う欠点を伴
うことがある。その為、相互接続用の導体の長さが長く
なったことによって、伝搬遅延が増加する。然し、高密
度相互接続装置の外部導線に於ける伝搬遅延が、高密度
相互接続構造によって基板１４上で接続される種々の部
品の間の電気遅延程、装置全体の動作にとって重大では
ない様な装置が多数ある。その為、多くの装置では、可
撓性の高密度相互接続構造は、装置としての目立った弊
害を伴わずに、実質的なパッケ―ジ並びに／又は装置と
しての利点をもたらす。
体的な高密度相互接続装置が、厳密に堅固な形で作られ
た場合よりも物理的には一層大きくなると云う欠点を伴
うことがある。その為、相互接続用の導体の長さが長く
なったことによって、伝搬遅延が増加する。然し、高密
度相互接続装置の外部導線に於ける伝搬遅延が、高密度
相互接続構造によって基板１４上で接続される種々の部
品の間の電気遅延程、装置全体の動作にとって重大では
ない様な装置が多数ある。その為、多くの装置では、可
撓性の高密度相互接続構造は、装置としての目立った弊
害を伴わずに、実質的なパッケ―ジ並びに／又は装置と
しての利点をもたらす。
【００３０】次に高密度相互接続構造を製造する方法に
ついて説明する。図３には、高密度相互接続構造を製造
する用意が出来た装置１０の部品が示されている。特に
、基板１４及び支持部材１６が支持体１２の凹み又は空
所内に配置されており、この空所の深さは、支持部材１
６の上面を、支持体１２の上面の隣接部分並びに基板１
４の上面と同じ平面内に置く様に選ばれている。基板１
４内では、チップ２０が適当な空所１５内に配置されて
おり、この空所はチップの上面をこれと同じ共通平面内
におく。構造の種々の部分の上面がこの様に同一平面に
整合すると、前に引用した米国特許及び特許出願に説明
されている様に、高密度相互接続構造の製造が容易にな
る。
ついて説明する。図３には、高密度相互接続構造を製造
する用意が出来た装置１０の部品が示されている。特に
、基板１４及び支持部材１６が支持体１２の凹み又は空
所内に配置されており、この空所の深さは、支持部材１
６の上面を、支持体１２の上面の隣接部分並びに基板１
４の上面と同じ平面内に置く様に選ばれている。基板１
４内では、チップ２０が適当な空所１５内に配置されて
おり、この空所はチップの上面をこれと同じ共通平面内
におく。構造の種々の部分の上面がこの様に同一平面に
整合すると、前に引用した米国特許及び特許出願に説明
されている様に、高密度相互接続構造の製造が容易にな
る。
【００３１】図４には、支持体１２、基板１４、支持部
材１６及びチップ２０に重なる完成された高密度相互接
続オ―バ―レ―構造３０が示されている。装置並びに特
定の用途の複雑さに応じて、前に引用した米国特許に記
載される様にして、追加の誘電体層及び相互接続導体層
を設けることが出来る。この構造を製造する詳しい方法
は、明細書の冒頭の部分に簡単に説明されており、前に
引用した高密度の相互接続に関する背景の米国特許及び
米国特許出願に更に詳しく記載されている。
材１６及びチップ２０に重なる完成された高密度相互接
続オ―バ―レ―構造３０が示されている。装置並びに特
定の用途の複雑さに応じて、前に引用した米国特許に記
載される様にして、追加の誘電体層及び相互接続導体層
を設けることが出来る。この構造を製造する詳しい方法
は、明細書の冒頭の部分に簡単に説明されており、前に
引用した高密度の相互接続に関する背景の米国特許及び
米国特許出願に更に詳しく記載されている。
【００３２】図４に示す段階で、前に引用した米国特許
及び米国特許出願に記載されている高密度相互接続構造
３０を製造する方法は、全ての相互接続部及び誘電体層
が存在していると云う意味で完成している。方法のこの
段階では、相互接続構造は支持体１２から取外せる状態
にある。これは、支持体１２の上面と支持部材１６及び
基板１４の間の境界に沿って高密度相互接続構造を切断
することによって行なうことが出来る。この切断は、ナ
イフ又はその他の鋭い物体を用いて、又はレ―ザによる
切削によって行なうことが出来る。この切削過程の間、
導体の損傷が起こらない様に保証する為、全ての相互接
続導体３４がこの切断線から隔たっていることが好まし
い。この切断線と交差する導体３４があれば、それが何
等かの形で切断されるから、普通はこう云う導体がこう
云う切断線と交差する必要は全くない。構造３０を切断
し、装置を支持体１２から取外した後、高密度相互接続
構造は図５に示す様になる。
及び米国特許出願に記載されている高密度相互接続構造
３０を製造する方法は、全ての相互接続部及び誘電体層
が存在していると云う意味で完成している。方法のこの
段階では、相互接続構造は支持体１２から取外せる状態
にある。これは、支持体１２の上面と支持部材１６及び
基板１４の間の境界に沿って高密度相互接続構造を切断
することによって行なうことが出来る。この切断は、ナ
イフ又はその他の鋭い物体を用いて、又はレ―ザによる
切削によって行なうことが出来る。この切削過程の間、
導体の損傷が起こらない様に保証する為、全ての相互接
続導体３４がこの切断線から隔たっていることが好まし
い。この切断線と交差する導体３４があれば、それが何
等かの形で切断されるから、普通はこう云う導体がこう
云う切断線と交差する必要は全くない。構造３０を切断
し、装置を支持体１２から取外した後、高密度相互接続
構造は図５に示す様になる。
【００３３】希望によっては、導体３４が切断線と交差
して、「最終的な」構造を仮試験構造及び接点パッドと
接続し、相互接続構造を切断線の所で切断する前に、完
成された相互接続の済んだ装置の試験を容易にする為に
、試験装置と接続することが出来る。この様な試験構造
を使えば、種々の部品は、この方法のこの段階で未だ支
持体に取付けられているから、装置の再加工が必要にな
った場合、装置の修理を最も簡単にすることが出来る。
して、「最終的な」構造を仮試験構造及び接点パッドと
接続し、相互接続構造を切断線の所で切断する前に、完
成された相互接続の済んだ装置の試験を容易にする為に
、試験装置と接続することが出来る。この様な試験構造
を使えば、種々の部品は、この方法のこの段階で未だ支
持体に取付けられているから、装置の再加工が必要にな
った場合、装置の修理を最も簡単にすることが出来る。
【００３４】この段階では、基板１４より先にある高密
度相互接続構造の左側及び右側の翼又は延長部（支持部
材１６に結合されている）は、支持部材１６が適当に薄
ければ、構造に損傷を与えずに、この図で見て上向きに
曲げることが出来ると云う意味で可撓性である。可撓性
を一層大きくしたい場合、或いは導体に危険を与えずに
、相互接続構造を反対向きに曲げることが出来る様にし
たい場合、支持部材１６の適当な部分を一様に又はある
パタ―ンで選択的に薄くしてもよいし、或いは特定の用
途で好ましい場合には、完全に除去してもよい。この様
に除去したり薄くすることは、支持部材がコバ―ルであ
る場合、塩化第二鉄の吹付けエッチングによって行なう
ことが好ましい。図６に示す構造では、その構造の左側
及び右側の端の両方から、支持部材１６が選択的に除去
されている。この代りに、支持部材１６は完全に除去し
てもよいし、或いは全く除去しなくてもよいことが理解
されよう。
度相互接続構造の左側及び右側の翼又は延長部（支持部
材１６に結合されている）は、支持部材１６が適当に薄
ければ、構造に損傷を与えずに、この図で見て上向きに
曲げることが出来ると云う意味で可撓性である。可撓性
を一層大きくしたい場合、或いは導体に危険を与えずに
、相互接続構造を反対向きに曲げることが出来る様にし
たい場合、支持部材１６の適当な部分を一様に又はある
パタ―ンで選択的に薄くしてもよいし、或いは特定の用
途で好ましい場合には、完全に除去してもよい。この様
に除去したり薄くすることは、支持部材がコバ―ルであ
る場合、塩化第二鉄の吹付けエッチングによって行なう
ことが好ましい。図６に示す構造では、その構造の左側
及び右側の端の両方から、支持部材１６が選択的に除去
されている。この代りに、支持部材１６は完全に除去し
てもよいし、或いは全く除去しなくてもよいことが理解
されよう。
【００３５】相互接続構造を一層大形の装置に結合する
為の耳片を設ける為、図７に示す様に、構造の端に露出
した導電耳片３５を設けるのが望ましいと考えられるこ
とがある。それが望ましいと見なされる場合、相互接続
構造の誘電体層は、レ―ザによる摩削により、（使う誘
電体でそう云う手段をとることが許されゝば）溶媒に溶
解することにより、又は、装置を製造する特定の材料に
とって適切と思われるその他の手段によって除去するこ
とが出来る。誘電体層が熱効果性ポリイミド材料を含む
場合、誘電体の溶媒による溶解は一般的に実施すること
が出来ず、その結果、レ―ザによる摩削又はその他の適
当な方法を使うべきである。耳片３５は、高密度相互接
続金属の内、単に誘電体を越えて伸びる部分に過ぎない
から、こう云う導体が２乃至２０ミルの幅で厚さが２乃
至１０ミクロンであると云う典型的な寸法の為、極めて
脆い。その為、こう云う耳片の形成、取扱い及び結合に
は、適当な注意を払わなければならない。耳片３５が高
密度相互接続構造の端に設けられた場合を示してあるが
、希望によっては、高密度相互接続構造の端の代り、又
はそれに付加えて、中間の場所に導体３４が露出してい
てもよいことを承知されたい。
為の耳片を設ける為、図７に示す様に、構造の端に露出
した導電耳片３５を設けるのが望ましいと考えられるこ
とがある。それが望ましいと見なされる場合、相互接続
構造の誘電体層は、レ―ザによる摩削により、（使う誘
電体でそう云う手段をとることが許されゝば）溶媒に溶
解することにより、又は、装置を製造する特定の材料に
とって適切と思われるその他の手段によって除去するこ
とが出来る。誘電体層が熱効果性ポリイミド材料を含む
場合、誘電体の溶媒による溶解は一般的に実施すること
が出来ず、その結果、レ―ザによる摩削又はその他の適
当な方法を使うべきである。耳片３５は、高密度相互接
続金属の内、単に誘電体を越えて伸びる部分に過ぎない
から、こう云う導体が２乃至２０ミルの幅で厚さが２乃
至１０ミクロンであると云う典型的な寸法の為、極めて
脆い。その為、こう云う耳片の形成、取扱い及び結合に
は、適当な注意を払わなければならない。耳片３５が高
密度相互接続構造の端に設けられた場合を示してあるが
、希望によっては、高密度相互接続構造の端の代り、又
はそれに付加えて、中間の場所に導体３４が露出してい
てもよいことを承知されたい。
【００３６】図８乃至１０は、高密度相互接続構造の可
撓性にしようとする部分を支持体から取外しが出来る様
にする、図３乃至７に示した手段の代りとなる手段を示
す。特に図８では、基板１４と空所の縁の間、及び隣合
った基板の間で、支持体１２′の空所にモザイク形ブロ
ック又は支持部材１６′が設けられている。この支持体
及び基板に最初の誘電体層３２を積層する時、モザイク
形ブロック１６′から高密度相互接続用の接着剤を省略
して、この積層過程が誘電体を構造のそう云う部分に結
合しない様にする。支持体から完成された構造をこの後
で取外し易くする為に、構造のこう云う部分は完全に結
合しないまゝにしておくことが望ましいが、方法と材料
の制約から、普通はこう云うことが出来ない。現在好ま
しいと考えられる製造方法では、最初の金属接着促進層
がスパッタリングによってカプトン（登録商標）ポリイ
ミド層に適用される。これは高エネルギ過程であって、
平方吋当たり１０ワット程度のエネルギをカプトンに伝
える。これは被膜を加熱する傾向を持ち、脱ガス、寸法
の歪み並びに接着に対する妨害作用を招くが、これが良
好な金属の接着を防ぐ。他の所はどこも被膜が結合され
た時、基板、チップ、支持部材及び支持体は、目立って
有害な影響を伴わずに、この熱を運び去るのに十分有効
なヒ―トシンクになる。これはカプトンの内の４０乃至
５０ミル幅が支持されない又は結合されないまゝに残さ
れた場合でも云えることである。然し、結合しない幅が
１００ミルになると、その特性は限界的になり、それ以
上長い幅は使えない。これには幾つかの影響がある。第
１に、適切なヒ―トシンク作用をしないと、加えられた
エネルギがカプトン被膜を加熱し、それが皺寄り、反り
等の形で被膜の熱による歪みを招く。更に、この熱によ
る歪みは、金属の接着を妨げ、その結果、金属がその場
所にとゞまっていなくなる。限界的な状況では、皺寄り
及び反りが目に見えるものでなくても、金属の接着が不
良になることがある。この理由で、カプトン被膜上に最
初の金属層を沈積する為にだけでも、スパッタリング又
はこの他の高エネルギ方法を使う場合、金属沈積過程の
間、被膜は何等かのヒ―トシンクに接着しておかなけれ
ばならない。使うことが出来る方法としては、異なるに
かわ又は接着剤をモザイク形ブロック１６′上に使って
、ヒ―ト・シンク作用にとっては十分に被膜を接着しな
がら、高密度相互接続構造の所望の部分に対して不活性
な溶媒に溶解することによって、それを除去し得る様に
することが挙げられる。この別の接着剤をこの後で溶解
することは、支持体１２を多孔質にするか、又はアクセ
ス孔をそれに設けて、それを介して接着剤に対する溶媒
を高密度相互接続構造と支持体との分離過程の間に接着
剤に直接的に供給することが出来る様にすることによっ
て、容易にすることが出来る。スパッタリング過程が行
なわれる真空の環境でも、十分な熱的な接触が達成でき
れば、真空による押え付けを利用してもよい。この代り
に、カプトンの熱エネルギに望ましくない程の増加を招
くことのない一層低エネルギの方法によって金属が沈積
される場合、これらの領域は結合しないまゝに残してお
くことが出来る。こう云う別の方法としては、一層薄手
の層又は一層遅い速度でのスパッタリングがある。この
為、接着促進の為に薄いチタン層が直接的にカプトンの
上に沈積され、その上に銅層が沈積される場合、（その
部分がスパッタリング室から取出された時に、酸化チタ
ンが形成されない様にする為に）チタンを完全に覆うこ
とが保証される位にだけ銅層を厚くした時、加熱作用は
一層少なくなり、カプトンの結合されていないセグメン
トは約２００乃至２５０ミルと云う長さにすることが出
来る。この他の別の方法は金属の無電気沈積であるが、
金属沈積方法として無電気沈積を選ぶと、使うことが出
来る金属が制限されて望ましくないことがある。
撓性にしようとする部分を支持体から取外しが出来る様
にする、図３乃至７に示した手段の代りとなる手段を示
す。特に図８では、基板１４と空所の縁の間、及び隣合
った基板の間で、支持体１２′の空所にモザイク形ブロ
ック又は支持部材１６′が設けられている。この支持体
及び基板に最初の誘電体層３２を積層する時、モザイク
形ブロック１６′から高密度相互接続用の接着剤を省略
して、この積層過程が誘電体を構造のそう云う部分に結
合しない様にする。支持体から完成された構造をこの後
で取外し易くする為に、構造のこう云う部分は完全に結
合しないまゝにしておくことが望ましいが、方法と材料
の制約から、普通はこう云うことが出来ない。現在好ま
しいと考えられる製造方法では、最初の金属接着促進層
がスパッタリングによってカプトン（登録商標）ポリイ
ミド層に適用される。これは高エネルギ過程であって、
平方吋当たり１０ワット程度のエネルギをカプトンに伝
える。これは被膜を加熱する傾向を持ち、脱ガス、寸法
の歪み並びに接着に対する妨害作用を招くが、これが良
好な金属の接着を防ぐ。他の所はどこも被膜が結合され
た時、基板、チップ、支持部材及び支持体は、目立って
有害な影響を伴わずに、この熱を運び去るのに十分有効
なヒ―トシンクになる。これはカプトンの内の４０乃至
５０ミル幅が支持されない又は結合されないまゝに残さ
れた場合でも云えることである。然し、結合しない幅が
１００ミルになると、その特性は限界的になり、それ以
上長い幅は使えない。これには幾つかの影響がある。第
１に、適切なヒ―トシンク作用をしないと、加えられた
エネルギがカプトン被膜を加熱し、それが皺寄り、反り
等の形で被膜の熱による歪みを招く。更に、この熱によ
る歪みは、金属の接着を妨げ、その結果、金属がその場
所にとゞまっていなくなる。限界的な状況では、皺寄り
及び反りが目に見えるものでなくても、金属の接着が不
良になることがある。この理由で、カプトン被膜上に最
初の金属層を沈積する為にだけでも、スパッタリング又
はこの他の高エネルギ方法を使う場合、金属沈積過程の
間、被膜は何等かのヒ―トシンクに接着しておかなけれ
ばならない。使うことが出来る方法としては、異なるに
かわ又は接着剤をモザイク形ブロック１６′上に使って
、ヒ―ト・シンク作用にとっては十分に被膜を接着しな
がら、高密度相互接続構造の所望の部分に対して不活性
な溶媒に溶解することによって、それを除去し得る様に
することが挙げられる。この別の接着剤をこの後で溶解
することは、支持体１２を多孔質にするか、又はアクセ
ス孔をそれに設けて、それを介して接着剤に対する溶媒
を高密度相互接続構造と支持体との分離過程の間に接着
剤に直接的に供給することが出来る様にすることによっ
て、容易にすることが出来る。スパッタリング過程が行
なわれる真空の環境でも、十分な熱的な接触が達成でき
れば、真空による押え付けを利用してもよい。この代り
に、カプトンの熱エネルギに望ましくない程の増加を招
くことのない一層低エネルギの方法によって金属が沈積
される場合、これらの領域は結合しないまゝに残してお
くことが出来る。こう云う別の方法としては、一層薄手
の層又は一層遅い速度でのスパッタリングがある。この
為、接着促進の為に薄いチタン層が直接的にカプトンの
上に沈積され、その上に銅層が沈積される場合、（その
部分がスパッタリング室から取出された時に、酸化チタ
ンが形成されない様にする為に）チタンを完全に覆うこ
とが保証される位にだけ銅層を厚くした時、加熱作用は
一層少なくなり、カプトンの結合されていないセグメン
トは約２００乃至２５０ミルと云う長さにすることが出
来る。この他の別の方法は金属の無電気沈積であるが、
金属沈積方法として無電気沈積を選ぶと、使うことが出
来る金属が制限されて望ましくないことがある。
【００３７】高密度相互接続構造の製造が完了した後、
基板及びチップを含む相互接続構造を、モザイク形ブロ
ック１６′と支持体の桟部の間のすき間の所で支持体の
左側の端の近くで、並びにブロック１６′と支持体の桟
部又は舌片の間の支持体の右側の端の近くで、支持体１
２′から切断することが出来る。その後、高密度相互接
続構造を取外した時、ブロック１６′は後に残り、高密
度相互接続構造はこう云う場所では完全に可撓性な部分
が残る。
基板及びチップを含む相互接続構造を、モザイク形ブロ
ック１６′と支持体の桟部の間のすき間の所で支持体の
左側の端の近くで、並びにブロック１６′と支持体の桟
部又は舌片の間の支持体の右側の端の近くで、支持体１
２′から切断することが出来る。その後、高密度相互接
続構造を取外した時、ブロック１６′は後に残り、高密
度相互接続構造はこう云う場所では完全に可撓性な部分
が残る。
【００３８】この代りに、図９に示す様に、支持ブロッ
ク１６′を省略し、それを支持体１２″の部分に置換え
ることが出来る。こう云う部分は接着剤のない状態にし
ておくか或いは上に述べた様に結合の仕方を変える。こ
の場合、切断は、支持体の両端に一番近い高密度相互接
続構造の接着剤で結合された部分の縁の所で行なわれる
。こう云う接着剤のない部分は、接着剤を沈積する際、
マスクを使うことによって得られる。
ク１６′を省略し、それを支持体１２″の部分に置換え
ることが出来る。こう云う部分は接着剤のない状態にし
ておくか或いは上に述べた様に結合の仕方を変える。こ
の場合、切断は、支持体の両端に一番近い高密度相互接
続構造の接着剤で結合された部分の縁の所で行なわれる
。こう云う接着剤のない部分は、接着剤を沈積する際、
マスクを使うことによって得られる。
【００３９】図１０に示す様に、構造全体に接着剤を適
用し、接着剤と結合しない離型層又は接着剤に結合しな
い一対の重畳した離型層１７を、可撓性の相互接続構造
を希望する場所に設けることが出来る。図示の断面図で
は、離型シ―トが横方向に隔たる３枚であるが、実際に
は、高密度相互接続構造の接着を希望する場所に孔を設
けた連続的なステンシル又はテンプレ―トであることが
好ましいことが理解されよう。即ち、この実施例の離型
層は、構造が図の平面に対して垂直な方向に幅の広い１
枚の基板だけである（又は希望によってはその方向の幅
が広い２つ或いは更に多くの基板であってもよい）と仮
定すれば、矩形の８の字形である。この様な離型層に適
当な材料はデュポン社のＰＦＡテフロンであるが、この
他のいろいろな誘電体又は導電材料を使うことが出来る
。その後、それに重なる誘電体層３２をこの構造に積層
し、高密度相互接続構造の製造が前に述べた様に進めら
れる。
用し、接着剤と結合しない離型層又は接着剤に結合しな
い一対の重畳した離型層１７を、可撓性の相互接続構造
を希望する場所に設けることが出来る。図示の断面図で
は、離型シ―トが横方向に隔たる３枚であるが、実際に
は、高密度相互接続構造の接着を希望する場所に孔を設
けた連続的なステンシル又はテンプレ―トであることが
好ましいことが理解されよう。即ち、この実施例の離型
層は、構造が図の平面に対して垂直な方向に幅の広い１
枚の基板だけである（又は希望によってはその方向の幅
が広い２つ或いは更に多くの基板であってもよい）と仮
定すれば、矩形の８の字形である。この様な離型層に適
当な材料はデュポン社のＰＦＡテフロンであるが、この
他のいろいろな誘電体又は導電材料を使うことが出来る
。その後、それに重なる誘電体層３２をこの構造に積層
し、高密度相互接続構造の製造が前に述べた様に進めら
れる。
【００４０】上に述べた接続耳片３５の１つの問題は、
相互接続構造の積重ねによる導体の一部分としてそれが
製造されると云うやり方の為、極めて脆いことである。 こう云う導体は、この様な露出した使い方で耐久力が大
きくなる程厚手に作られていないのが普通である。この
様な延長部を外部接続耳片として使う代りに、図１１に
示す様にリ―ド・フレ―ム耳片３５′を構造に含めるこ
とが出来る。図１１では、高密度相互接続構造から伸び
る接続耳片３５′は、高密度相互接続構造内を伸びる導
体部分よりも実質的に厚手であり、高密度相互接続構造
内にある導体に対して、他の接続部と同様に（中間の誘
電体材料のバイア孔を介して）接続される。
相互接続構造の積重ねによる導体の一部分としてそれが
製造されると云うやり方の為、極めて脆いことである。 こう云う導体は、この様な露出した使い方で耐久力が大
きくなる程厚手に作られていないのが普通である。この
様な延長部を外部接続耳片として使う代りに、図１１に
示す様にリ―ド・フレ―ム耳片３５′を構造に含めるこ
とが出来る。図１１では、高密度相互接続構造から伸び
る接続耳片３５′は、高密度相互接続構造内を伸びる導
体部分よりも実質的に厚手であり、高密度相互接続構造
内にある導体に対して、他の接続部と同様に（中間の誘
電体材料のバイア孔を介して）接続される。
【００４１】図１３では、くし形リ―ド・フレ―ム３１
がくし形支持部材１６と噛合せになって、略平面状の面
を作り、これに対して誘電体層３２が結合される。リ―
ド・フレ―ム３１が複数個の接続耳片３５′と、接続耳
片を製造過程の間一定の相対位置に保持する接続部材３
１Ｃとを有する。リ―ド・フレ―ム３１は支持部材１６
と支持体の同じ空所内に配置される。この代りに、支持
部材１６がリ―ド・フレ―ムの一部分であっても（そし
て個々の耳片３５′は、接続部分３１Ｃに接続される以
外は、支持部材の他の部分から分離されている）或いは
製造過程が完了した後、支持部材を選択的に除去するこ
とによって耳片が孤立していてもよい。
がくし形支持部材１６と噛合せになって、略平面状の面
を作り、これに対して誘電体層３２が結合される。リ―
ド・フレ―ム３１が複数個の接続耳片３５′と、接続耳
片を製造過程の間一定の相対位置に保持する接続部材３
１Ｃとを有する。リ―ド・フレ―ム３１は支持部材１６
と支持体の同じ空所内に配置される。この代りに、支持
部材１６がリ―ド・フレ―ムの一部分であっても（そし
て個々の耳片３５′は、接続部分３１Ｃに接続される以
外は、支持部材の他の部分から分離されている）或いは
製造過程が完了した後、支持部材を選択的に除去するこ
とによって耳片が孤立していてもよい。
【００４２】その後誘電体層３２を構造に結合する。そ
の後、誘電体層３２内にバイア孔が形成され、この誘電
体層の上に金属の接続部分が形成されてバイア孔の中に
入込む。
の後、誘電体層３２内にバイア孔が形成され、この誘電
体層の上に金属の接続部分が形成されてバイア孔の中に
入込む。
【００４３】これによって製造過程が終る時、相互接続
の誘電体の下側に耳片３５′が露出する。
の誘電体の下側に耳片３５′が露出する。
【００４４】製造過程の間、高密度相互接続構造の適当
な相互接続導体が、適当な耳片リ―ド線３５′とオ―ミ
ック接触をする様に形成される。この様に完成された高
密度の相互接続構造を支持体１２から切離した後、リ―
ド・フレ―ムの接続部分３１Ｃを高密度相互接続構造か
ら切断して、物理的に別々の導電耳片３５′を残す。そ
の後、耳片３５′の露出させようとする部分を覆ってい
る誘電体を選択的に除去して、耳片のこう云う部分を露
出する。
な相互接続導体が、適当な耳片リ―ド線３５′とオ―ミ
ック接触をする様に形成される。この様に完成された高
密度の相互接続構造を支持体１２から切離した後、リ―
ド・フレ―ムの接続部分３１Ｃを高密度相互接続構造か
ら切断して、物理的に別々の導電耳片３５′を残す。そ
の後、耳片３５′の露出させようとする部分を覆ってい
る誘電体を選択的に除去して、耳片のこう云う部分を露
出する。
【００４５】接続耳片を作る更に別の方法として、縁の
コネクタ・「カ―ド」又は別の予め形成されたコネクタ
・モジュ―ルをＨＤＩ相互接続構造に可撓性をもって又
は堅固に接続することが出来るが、これは装置のパッケ
―ジ全体にとって適切である方を選ぶ。図１４では、変
形支持体１２＊ の一部分が示されているが、基板１４
が支持部材１６及び縁のコネクタ・カ―ド１８と一緒に
配置されており、これらはその上に高密度相互接続構造
を作ることが出来る状態にある。この構造が、基板１４
のチップ２０及び縁のコネクタ・カ―ド１８の縁のコネ
クタ接点１９を相互接続する。図示の様に、縁のコネク
タ・カ―ド１８の両側には電気的に別々の接点が配置さ
れているが、それらは互いに整合している。図で見てカ
―ドの下側にある電気的に別々の接点が、めっきをする
か或いは孔を埋めた鳩目、リベット１９Ａ等を介して、
上面に持ってこられる。高密度相互接続構造を製造した
後、基板１４及び縁のコネクタ・カ―ド１８を含む装置
全体が、前に説明した実施例をその支持体から取外した
のと同様に、一体として支持体から取外されることが理
解されよう。高密度相互接続構造の製造を完了した後、
高密度相互接続誘電体は、レ―ザによる摩削によるか、
或いは今の場合は製造過程の一部分として接点の端の上
に離型層を設けること等により、誘電体を接続耳片３５
から取外したのと同様に、縁のコネクタ接点１９から取
外すことが出来る。少なくとも製造中は、支持部材１６
の上に配置されていた高密度相互接続構造の可撓性の部
分は、縁のコネクタ・カ―ドを高密度相互接続構造の基
板１４と可撓性を持って接続するに役立ち、その結果、
縁のコネクタ・カ―ドは基板１４に対する種々の所望の
向きで位置ぎめすることが出来る。両側を持つ縁のコネ
クタ・カ―ドの代りに、片側だけの縁のコネクタ・カ―
ドを用いてもよい。その場合、カ―ドは、その接点側を
図面で見て上側にして、下側にある接点を高密度相互接
続構造の導体と接続する為に上面まで持ってくる必要が
ない様に配置することが好ましいと考えられる。この代
りに、縁のコネクタ・カ―ドが、縁のコネクタの他に別
の部品を含む印刷配線板であってもよい。更に、縁のコ
ネクタ接点は高密度相互接続構造の製造過程の一部分と
して形成してもよい。
コネクタ・「カ―ド」又は別の予め形成されたコネクタ
・モジュ―ルをＨＤＩ相互接続構造に可撓性をもって又
は堅固に接続することが出来るが、これは装置のパッケ
―ジ全体にとって適切である方を選ぶ。図１４では、変
形支持体１２＊ の一部分が示されているが、基板１４
が支持部材１６及び縁のコネクタ・カ―ド１８と一緒に
配置されており、これらはその上に高密度相互接続構造
を作ることが出来る状態にある。この構造が、基板１４
のチップ２０及び縁のコネクタ・カ―ド１８の縁のコネ
クタ接点１９を相互接続する。図示の様に、縁のコネク
タ・カ―ド１８の両側には電気的に別々の接点が配置さ
れているが、それらは互いに整合している。図で見てカ
―ドの下側にある電気的に別々の接点が、めっきをする
か或いは孔を埋めた鳩目、リベット１９Ａ等を介して、
上面に持ってこられる。高密度相互接続構造を製造した
後、基板１４及び縁のコネクタ・カ―ド１８を含む装置
全体が、前に説明した実施例をその支持体から取外した
のと同様に、一体として支持体から取外されることが理
解されよう。高密度相互接続構造の製造を完了した後、
高密度相互接続誘電体は、レ―ザによる摩削によるか、
或いは今の場合は製造過程の一部分として接点の端の上
に離型層を設けること等により、誘電体を接続耳片３５
から取外したのと同様に、縁のコネクタ接点１９から取
外すことが出来る。少なくとも製造中は、支持部材１６
の上に配置されていた高密度相互接続構造の可撓性の部
分は、縁のコネクタ・カ―ドを高密度相互接続構造の基
板１４と可撓性を持って接続するに役立ち、その結果、
縁のコネクタ・カ―ドは基板１４に対する種々の所望の
向きで位置ぎめすることが出来る。両側を持つ縁のコネ
クタ・カ―ドの代りに、片側だけの縁のコネクタ・カ―
ドを用いてもよい。その場合、カ―ドは、その接点側を
図面で見て上側にして、下側にある接点を高密度相互接
続構造の導体と接続する為に上面まで持ってくる必要が
ない様に配置することが好ましいと考えられる。この代
りに、縁のコネクタ・カ―ドが、縁のコネクタの他に別
の部品を含む印刷配線板であってもよい。更に、縁のコ
ネクタ接点は高密度相互接続構造の製造過程の一部分と
して形成してもよい。
【００４６】図１５及び１６には、可撓性の高密度相互
接続構造を装置の外部部分に接続する別の形が示されて
いる。可撓性の高密度相互接続構造の図示の部分が、高
密度相互接続構造３０の誘電体に結合された映像又は支
持フレ―ム６２を含んでいる。フレ―ム６２は支持部材
１６の内側部分を選択的に除去した後に残る部分である
。即ち、図１５に示す構造は、構造の支持部材側が図面
で上向きなっている点で、他の図とは逆さになっている
。図１６に更に明瞭に示す様に、接点パッド３７が相互
接続構造３０の下面に露出していて、可撓性の高密度相
互接続構造を接続しようとする装置の外部部分７０にあ
る接点パッド７７と直接的に整合する様な形及び位置に
なっている。映像フレ―ム６２を残す為に支持部材の中
心部分を除去することにより、高密度相互接続構造の接
点パッド３７が、装置の外部部分７０の接点パッド７７
と可視的に整合し得る。映像フレ―ム６２自体を残すの
は、パッド３７を対応するパッド７７と整合させ且つ結
合する過程の間、寸法安定性が保たれる様に、高密度相
互接続構造３０に正しく張力がかけられた状態に保つ為
である。パッド３７をパッド７７に結合する為に、広い
範囲に及ぶ種々の結合方法のどれを用いてもよい。その
中には、はんだ盛上げ結合、パッド３７とパッド７７の
間の結合部を作る為の熱によるリフロ―を使うこと、導
電性接着剤を使うこと、及びレ―ザによる溶接を使うこ
とが含まれている。接点パッド３７に接続される導体３
４が、図面を見易くする為に単独の線として示されてお
り、パッド７７の間の間隔及び寸法に応じて、パッド３
７は導体線３４より実質的に幅が広くてもよい。
接続構造を装置の外部部分に接続する別の形が示されて
いる。可撓性の高密度相互接続構造の図示の部分が、高
密度相互接続構造３０の誘電体に結合された映像又は支
持フレ―ム６２を含んでいる。フレ―ム６２は支持部材
１６の内側部分を選択的に除去した後に残る部分である
。即ち、図１５に示す構造は、構造の支持部材側が図面
で上向きなっている点で、他の図とは逆さになっている
。図１６に更に明瞭に示す様に、接点パッド３７が相互
接続構造３０の下面に露出していて、可撓性の高密度相
互接続構造を接続しようとする装置の外部部分７０にあ
る接点パッド７７と直接的に整合する様な形及び位置に
なっている。映像フレ―ム６２を残す為に支持部材の中
心部分を除去することにより、高密度相互接続構造の接
点パッド３７が、装置の外部部分７０の接点パッド７７
と可視的に整合し得る。映像フレ―ム６２自体を残すの
は、パッド３７を対応するパッド７７と整合させ且つ結
合する過程の間、寸法安定性が保たれる様に、高密度相
互接続構造３０に正しく張力がかけられた状態に保つ為
である。パッド３７をパッド７７に結合する為に、広い
範囲に及ぶ種々の結合方法のどれを用いてもよい。その
中には、はんだ盛上げ結合、パッド３７とパッド７７の
間の結合部を作る為の熱によるリフロ―を使うこと、導
電性接着剤を使うこと、及びレ―ザによる溶接を使うこ
とが含まれている。接点パッド３７に接続される導体３
４が、図面を見易くする為に単独の線として示されてお
り、パッド７７の間の間隔及び寸法に応じて、パッド３
７は導体線３４より実質的に幅が広くてもよい。
【００４７】多数の小さな接点パッド３７を密な間隔で
必要とする場合、所要数の導体３４を接点パッド３７の
列の間に利用し得る空間内に収める為に、導体３４は高
密度相互接続構造内の種々の層に分けて配置することが
出来る。
必要とする場合、所要数の導体３４を接点パッド３７の
列の間に利用し得る空間内に収める為に、導体３４は高
密度相互接続構造内の種々の層に分けて配置することが
出来る。
【００４８】パッド３７をパッド７７に結合した後、支
持部材の映像フレ―ム部分６２はその場所に残しておい
てもよいし、或いは特定の装置にとって望ましいと考え
られる場合、コバ―ルの時には塩化第二鉄によるエッチ
ングで除くことが出来る。
持部材の映像フレ―ム部分６２はその場所に残しておい
てもよいし、或いは特定の装置にとって望ましいと考え
られる場合、コバ―ルの時には塩化第二鉄によるエッチ
ングで除くことが出来る。
【００４９】フレ―ム６２を装置の永久的な一部分とし
て残したいが、その場所に導電材料が存在するのが望ま
しくない場合、フレ―ムは誘電体材料で予め作っておい
て、製造過程の間、その開口内に支持部材１６を設けて
もよい。高密度相互接続構造の製造過程が完了した後、
この支持部材を除去する。こう云う場合、フレ―ムはセ
ラミック又はその他の任意の適当な誘電体材料であって
よい。選択的に除去することが出来る誘電体を使ってフ
レ―ムを形成する時、フレ―ムを予め作成することは不
要である。
て残したいが、その場所に導電材料が存在するのが望ま
しくない場合、フレ―ムは誘電体材料で予め作っておい
て、製造過程の間、その開口内に支持部材１６を設けて
もよい。高密度相互接続構造の製造過程が完了した後、
この支持部材を除去する。こう云う場合、フレ―ムはセ
ラミック又はその他の任意の適当な誘電体材料であって
よい。選択的に除去することが出来る誘電体を使ってフ
レ―ムを形成する時、フレ―ムを予め作成することは不
要である。
【００５０】図１７には、支持部材１６を選択的に除去
する方法が示されている。図１７で、基板１４、支持部
材１６及び相互接続構造自体を含む相互接続装置が接着
剤５２により、相互接続構造の上面の所でブロック５０
に結合されている。これによって相互接続構造は取扱い
易い、種々のよい形で固定される。その後、支持部材１
６を所望のパタ―ンでマスクし（支持部材の選択的な除
去を希望する場合）、支持部材の露出部分を吹付けエッ
チングによって除去することが出来る。支持部材がコバ
―ルである場合、塩化第二鉄が好ましい吹付けエッチャ
ントである。この高密度相互接続構造は希望によっては
、ブロック５０上に取付けたまゝにしておいてもよいし
、或いは相互接続構造をブロックに結合する接着剤５２
を適当な溶媒で溶解することにより、ブロック自体を溶
解することにより、或いは相互接続構造をブロック５０
の横方向に滑らせて容易に取外すことが出来る程、接着
剤５２が流動性になる様な温度まで、構造を加熱するこ
とよって、ブロックからこの後分離することが出来る。
する方法が示されている。図１７で、基板１４、支持部
材１６及び相互接続構造自体を含む相互接続装置が接着
剤５２により、相互接続構造の上面の所でブロック５０
に結合されている。これによって相互接続構造は取扱い
易い、種々のよい形で固定される。その後、支持部材１
６を所望のパタ―ンでマスクし（支持部材の選択的な除
去を希望する場合）、支持部材の露出部分を吹付けエッ
チングによって除去することが出来る。支持部材がコバ
―ルである場合、塩化第二鉄が好ましい吹付けエッチャ
ントである。この高密度相互接続構造は希望によっては
、ブロック５０上に取付けたまゝにしておいてもよいし
、或いは相互接続構造をブロックに結合する接着剤５２
を適当な溶媒で溶解することにより、ブロック自体を溶
解することにより、或いは相互接続構造をブロック５０
の横方向に滑らせて容易に取外すことが出来る程、接着
剤５２が流動性になる様な温度まで、構造を加熱するこ
とよって、ブロックからこの後分離することが出来る。
【００５１】図１８は高密度相互接続構造３０によって
相互接続された電子部品又はチップ２０の配列を示す。 この相互接続構造は、支持体と支持部材を除去するだけ
でなく、基板１４も除去して、高密度相互接続構造８０
によって接続された電子部品だけを残すことによって、
可撓性にしてある。即ち、電子部品には外部の基板がな
い。この構造は、場所の条件が特に厳しく、その結果基
板の厚ささえ問題になる場合、並びに可撓性の相互接続
構造が、基板があれば達せられない様な厳密に限定され
た形にはまらなければならない場合、有利に使うことが
出来る。図１８に２次元のチップの配列が示されている
が、これが線形配列にも当てはまることは云うまでもな
い。
相互接続された電子部品又はチップ２０の配列を示す。 この相互接続構造は、支持体と支持部材を除去するだけ
でなく、基板１４も除去して、高密度相互接続構造８０
によって接続された電子部品だけを残すことによって、
可撓性にしてある。即ち、電子部品には外部の基板がな
い。この構造は、場所の条件が特に厳しく、その結果基
板の厚ささえ問題になる場合、並びに可撓性の相互接続
構造が、基板があれば達せられない様な厳密に限定され
た形にはまらなければならない場合、有利に使うことが
出来る。図１８に２次元のチップの配列が示されている
が、これが線形配列にも当てはまることは云うまでもな
い。
【００５２】基板を除去する別の理由は、図１９に示す
様な構造で熱の伝達を最大にする為であることもあり得
る。図１９では、装置８０は比較的コンパクトな小さい
螺旋又は円筒を形成する様に「巻上げ」てあり、管状ハ
ウジング８４の中に取付けられていて、相互接続構造の
端が密封溝孔８５を通抜けている。導管８４内にある構
造８０の部分及びチップ２０は密封された冷却剤導管の
中に配置されており、その中を矢印８６で示す冷却剤が
圧送され、個々のチップを最大限に冷却する。冷却剤８
６は水の様な液体又は窒素の様なガス又は冷却の為に液
体からガスへの膨張に頼る圧縮機で駆動される冷却装置
で使われる様な種類の冷却剤（例えばフレオン）であっ
てよい。冷却剤８６がこの様な冷却剤である場合、導管
８４に入って、装置８０の中を通過し始める時には、ガ
ス状態又は液体状態の何れであってもよい。冷却剤の流
量と、装置の消費電力及び寸法に応じて、冷却剤は装置
８０から液体状態のまゝ、又はガス状態で又はその混合
物として出て来てもよい。この形の装置は、チップ２０
を直接的に冷却剤に露出し、その間に熱の界面を使わな
い点で、冷却作用が極端によい。
様な構造で熱の伝達を最大にする為であることもあり得
る。図１９では、装置８０は比較的コンパクトな小さい
螺旋又は円筒を形成する様に「巻上げ」てあり、管状ハ
ウジング８４の中に取付けられていて、相互接続構造の
端が密封溝孔８５を通抜けている。導管８４内にある構
造８０の部分及びチップ２０は密封された冷却剤導管の
中に配置されており、その中を矢印８６で示す冷却剤が
圧送され、個々のチップを最大限に冷却する。冷却剤８
６は水の様な液体又は窒素の様なガス又は冷却の為に液
体からガスへの膨張に頼る圧縮機で駆動される冷却装置
で使われる様な種類の冷却剤（例えばフレオン）であっ
てよい。冷却剤８６がこの様な冷却剤である場合、導管
８４に入って、装置８０の中を通過し始める時には、ガ
ス状態又は液体状態の何れであってもよい。冷却剤の流
量と、装置の消費電力及び寸法に応じて、冷却剤は装置
８０から液体状態のまゝ、又はガス状態で又はその混合
物として出て来てもよい。この形の装置は、チップ２０
を直接的に冷却剤に露出し、その間に熱の界面を使わな
い点で、冷却作用が極端によい。
【００５３】図１９に示してないが、巻上げ装置８０の
種々のタ―ンを互いに固定した状態に保持する為に、あ
る構造を設けることが好ましい。この目的の為の適当な
構造は、円筒形−缶形フィルム現像装置で現像する為に
、フィルムの個々のロ―ルを保持するのに使われる種類
の変形の写真フィルム現像用のフィルム・ホルダである
。即ち、フィルムの縁は２つの円形キャップに設けた螺
旋形トラックに保持されていて、このキャップの大部分
は、フィルム現像薬品が流れ易くする為に大部分が開放
空間になっているものである。冷却の場合、勿論、この
変形ラックの開口は、フィルム現像薬品ではなく、冷却
剤を流す為のものである。この他の多くの支持方法も用
いることも出来る。
種々のタ―ンを互いに固定した状態に保持する為に、あ
る構造を設けることが好ましい。この目的の為の適当な
構造は、円筒形−缶形フィルム現像装置で現像する為に
、フィルムの個々のロ―ルを保持するのに使われる種類
の変形の写真フィルム現像用のフィルム・ホルダである
。即ち、フィルムの縁は２つの円形キャップに設けた螺
旋形トラックに保持されていて、このキャップの大部分
は、フィルム現像薬品が流れ易くする為に大部分が開放
空間になっているものである。冷却の場合、勿論、この
変形ラックの開口は、フィルム現像薬品ではなく、冷却
剤を流す為のものである。この他の多くの支持方法も用
いることも出来る。
【００５４】図１９では、装置８０を巻上げ、チップ２
０はそのロ―ルの外側に配置されているが、装置を反対
に巻上げて、チップが、巻上げた時の装置の誘電体層の
内側に来る様にしてもよい。この代りに、装置８０は、
適当な冷却室に装入する前に、平坦なまゝ、折曲げた形
又はその他の形で操作してもよく、或いは希望によって
は封入しないまゝであってもよい。
０はそのロ―ルの外側に配置されているが、装置を反対
に巻上げて、チップが、巻上げた時の装置の誘電体層の
内側に来る様にしてもよい。この代りに、装置８０は、
適当な冷却室に装入する前に、平坦なまゝ、折曲げた形
又はその他の形で操作してもよく、或いは希望によって
は封入しないまゝであってもよい。
【００５５】何れの実施例でも、相互接続構造の可撓性
の部分が、完成された装置内でチップを持つ基板の両端
だけから伸びる様な線形の配置の装置を示した。然し、
この様な可撓性の部分が、互いに直交する方向又はその
他の任意の方向に、作る特定の装置に適切な様に、任意
の所望の方向に伸びていてよい。
の部分が、完成された装置内でチップを持つ基板の両端
だけから伸びる様な線形の配置の装置を示した。然し、
この様な可撓性の部分が、互いに直交する方向又はその
他の任意の方向に、作る特定の装置に適切な様に、任意
の所望の方向に伸びていてよい。
【００５６】何れの実施例でも、高密度相互接続構造の
可撓性の部分は、チップが設けられている基板の上では
なく、最初に支持体の上に形成されているが、相互接続
構造に可撓性の端を設けるのが望ましいと思われるが、
基板の長さは過度に制限する必要がない場合、高密度相
互接続構造の可撓性にしようする部分は、直接的に基板
自身に作ってもよい。その場合、高密度相互接続構造を
結合した支持部材を使うよりも、離型層を使う方が好ま
しいことがある。この発明の好ましい実施例を詳しく説
明したが、当業者であれば、種々の変更が考えられよう
。従って、特許請求の範囲は、この発明の範囲内に含ま
れるこの様な全ての変更を包括するものであることを承
知されたい。
可撓性の部分は、チップが設けられている基板の上では
なく、最初に支持体の上に形成されているが、相互接続
構造に可撓性の端を設けるのが望ましいと思われるが、
基板の長さは過度に制限する必要がない場合、高密度相
互接続構造の可撓性にしようする部分は、直接的に基板
自身に作ってもよい。その場合、高密度相互接続構造を
結合した支持部材を使うよりも、離型層を使う方が好ま
しいことがある。この発明の好ましい実施例を詳しく説
明したが、当業者であれば、種々の変更が考えられよう
。従って、特許請求の範囲は、この発明の範囲内に含ま
れるこの様な全ての変更を包括するものであることを承
知されたい。
【図１】相互接続構造のＩ／Ｏ線を基板の平面の外へ曲
げることが出来る様にする可撓性の部分を含む高密度相
互接続装置の図。
げることが出来る様にする可撓性の部分を含む高密度相
互接続装置の図。
【図２】２つの基板又はモジュ―ルを含む高密度相互接
続装置の図で、最終的な形では、これらの基板又はモジ
ュ―ルは平行でない平面内に配置されて高密度相互接続
構造の曲げた可撓性の部分によって相互接続される。
続装置の図で、最終的な形では、これらの基板又はモジ
ュ―ルは平行でない平面内に配置されて高密度相互接続
構造の曲げた可撓性の部分によって相互接続される。
【図３】可撓性の部分を含む高密度相互接続構造を製造
する方法の相次ぐ工程を示す図。
する方法の相次ぐ工程を示す図。
【図４】可撓性の部分を含む高密度相互接続構造を製造
する方法の相次ぐ工程を示す図。
する方法の相次ぐ工程を示す図。
【図５】可撓性の部分を含む高密度相互接続構造を製造
する方法の相次ぐ工程を示す図。
する方法の相次ぐ工程を示す図。
【図６】可撓性の部分を含む高密度相互接続構造を製造
する方法の相次ぐ工程を示す図。
する方法の相次ぐ工程を示す図。
【図７】可撓性の部分を含む高密度相互接続構造を製造
する方法の相次ぐ工程を示す図。
する方法の相次ぐ工程を示す図。
【図８】可撓性の高密度相互接続構造を作り易くする為
に、製造過程の間、基板及び高密度相互接続構造を支持
する幾つかの方法を示す図。
に、製造過程の間、基板及び高密度相互接続構造を支持
する幾つかの方法を示す図。
【図９】可撓性の高密度相互接続構造を作り易くする為
に、製造過程の間、基板及び高密度相互接続構造を支持
する幾つかの方法を示す図。
に、製造過程の間、基板及び高密度相互接続構造を支持
する幾つかの方法を示す図。
【図１０】可撓性の高密度相互接続構造を作り易くする
為に、製造過程の間、基板及び高密度相互接続構造を支
持する幾つかの方法を示す図。
為に、製造過程の間、基板及び高密度相互接続構造を支
持する幾つかの方法を示す図。
【図１１】方法の終りに、可撓性の高密度相互接続構造
から伸びる金属箔、シ―ト又はその他の頑丈な接続耳片
を含む実施例の図。
から伸びる金属箔、シ―ト又はその他の頑丈な接続耳片
を含む実施例の図。
【図１２】図１１の構造を作る変形の製造方法の２つの
段階を示す図。
段階を示す図。
【図１３】図１１の構造を作る変形の製造方法の２つの
段階を示す図。
段階を示す図。
【図１４】相互接続が出来る状態になった基板及び縁の
コネクタ・カ―ドの図。
コネクタ・カ―ドの図。
【図１５】完成された可撓性の高密度相互接続構造を装
置の外部部分に接続する配列接点パッド装置の図。
置の外部部分に接続する配列接点パッド装置の図。
【図１６】図１５の構造の側面図で、２つの部分の接点
パッドが整合していることを示す図。
パッドが整合していることを示す図。
【図１７】支持部材をその構造から選択的又は非選択的
に除去する際、高密度相互接続構造を支持するトランス
ファ形方法の図。
に除去する際、高密度相互接続構造を支持するトランス
ファ形方法の図。
【図１８】チップ及びその他の部品が直接的に結合され
ていて、基板のない可撓性の高密度相互接続構造の図。
ていて、基板のない可撓性の高密度相互接続構造の図。
【図１９】図１８の構造を「巻上げて」、冷却剤流路の
中に挿入した状態を示す図。
中に挿入した状態を示す図。
１６ 支持部材
２０ 半導体チップ
３２ 誘電体層
３４ 導体
Claims (62)
- 【請求項１】 可撓性の誘電体材料の層、並びに該誘
電体層に支持された複数個の可撓性導体で構成された可
撓性相互接続部と、接点パッドをその上に配置した主面
を持ち、該主面を前記可撓性相互接続構造の誘電体に結
合すると共に、選ばれた接点パッドを選ばれた可撓性導
体に接続した電子部品とを有する電子装置。 - 【請求項２】 前記接点パッドが前記誘電体材料中の
バイア孔に配置された導電材料によって前記可撓性導体
に接続される請求項１記載の電子装置。 - 【請求項３】 少なくとも若干の可撓性導体が前記誘
電体の中に埋設されている請求項１記載の電子装置。 - 【請求項４】 前記相互接続構造の可撓性部分が該構
造の誘電体に結合された支持部材を含む請求項１記載の
電子装置。 - 【請求項５】 前記支持部材が前記誘電体層の方に向
って弯曲していて、前記可撓性相互接続構造が弯曲して
いる場所では、前記可撓性導体を圧縮状態に保つ請求項
４記載の電子装置。 - 【請求項６】 前記可撓性相互接続構造の反対側に結
合された第２の支持部材を有する請求項５記載の電子装
置。 - 【請求項７】 前記第２の支持部材が前記誘電体層の
方に向って弯曲していて、前記可撓性相互接続構造が弯
曲している場所では前記可撓性導体を圧縮状態に保つ請
求項６記載の電子装置。 - 【請求項８】 基板を有し、前記電子部品が該基板に
結合されており、前記誘電体が前記基板に結合されてい
る請求項１記載の電子装置。 - 【請求項９】 前記可撓性導体が複数個あって、前記
誘電体材料のない部分を含んでいる請求項１記載の電子
装置。 - 【請求項１０】 前記誘電体のない部分が前記可撓性
相互接続構造の１端に配置されていて、外部回路に接続
する為の接続耳片となっている請求項９記載の電子装置
。 - 【請求項１１】 前記可撓性相互接続構造がその端か
ら伸びる導電性接続耳片を含む請求項１記載の電子装置
。 - 【請求項１２】 前記導電性接続耳片が、前記誘電体
材料中のバイア孔の中に配置された導電材料を介して前
記可撓性導体に接続される請求項１１記載の電子装置。 - 【請求項１３】 前記導電性接続耳片が前記可撓性導
体と一体である請求項１１記載の電子装置。 - 【請求項１４】 装置が前記可撓性相互接続構造によ
って電子部品に接続された縁のコネクタを含む請求項１
記載の電子装置。 - 【請求項１５】 誘電体材料の層、及び該誘電体材料
の層の上に配置された複数個の導体で構成される可撓性
相互接続構造と、該可撓性相互接続構造の面上に配置さ
れた接点パッドの配列と、前記可撓性相互接続構造に結
合されていて、前記接点パッドの配列の少なくとも一部
分を囲む開口を有するフレ―ムとを有する高密度相互接
続構造。 - 【請求項１６】 前記フレ―ムが金属で構成される請
求項１５記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項１７】 前記フレ―ムが金属である請求項１
５記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項１８】 前記フレ―ムが誘電体材料で構成さ
れる請求項１５記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項１９】 前記フレ―ムがセラミックで構成さ
れる請求項１８記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項２０】 前記フレ―ム及び前記接点パッドの
配列が前記可撓性相互接続構造の反対側に配置されてい
る請求項１５記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項２１】 前記配列の少なくとも若干の接点パ
ッドが、前記高密度相互接続構造の外部にある構造上の
接点パッドと整合していて、それに結合されている請求
項１５記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項２２】 前記配列の接点パッドが、はんだに
より、前記外部の構造の接点パッドに結合されている請
求項２１記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項２３】 前記配列の接点パッドが、溶着部に
よって前記外部の構造の接点パッドに結合されている請
求項２１記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項２４】 前記フレ―ム及び前記接点パッドの
配列が前記可撓性相互接続構造の反対側に配置されてい
る請求項２１記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項２５】 複数個の電子部品と、少なくとも１
つの誘電体層、及び少なくとも１つのパタ―ンぎめ導体
層で構成されていて、前記電子部品を相互接続する可撓
性相互接続構造とを有し、少なくとも若干の電子部品に
は外部の基板がない高密度相互接続構造。 - 【請求項２６】 前記可撓性相互接続構造の少なくと
も一部分が渦巻き形に配置されており、この為電子部品
が異なる平面内に配置されている請求項２５記載の高密
度相互接続構造。 - 【請求項２７】 前記渦巻きが外部ハウジング内に配
置されている請求項２６記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項２８】 前記外部ハウジングが冷却導管を有
する請求項２７記載の高密度相互接続構造。 - 【請求項２９】 前記電子部品が冷却剤を収容したハ
ウジング内に配置されている請求項２５記載の高密度相
互接続構造。 - 【請求項３０】 高密度相互接続構造が、接点パッド
を持つ電子部品をその上に配置した基板を含む形式であ
って、該高密度相互接続構造は、前記部品の上に配置さ
れていて開口を有する１つ又は更に多くの重合体誘電体
層を持つと共に、選ばれた誘電体層に重なっていて、選
ばれた開口の中を通って選ばれた接点パッド又は他の導
電層とオ―ミック接触する１つ又は更に多くのパタ―ン
ぎめ導電層を持つ時、電子部品を基板の上に取付け、誘
電体層及び導体層をそれに適用することによって高密度
相互接続構造を製造する方法に於て、前記高密度相互接
続構造の一部分を、前記基板から分離することによって
可撓性にする工程を含む方法。 - 【請求項３１】 可撓性にする工程が、前記基板の一
部分として、製造方法の間、前記高密度相互接続構造の
前記一部分を支持する仮の支持部材を設け、その後該仮
の支持部材を基板の残りの部分から分離して、前記高密
度相互接続構造の前記一部分を可撓性にする工程を含む
請求項３０記載の方法。 - 【請求項３２】 前記仮の支持部材を前記高密度相互
接続構造から選択的に取除く工程を含む請求項３１記載
の方法。 - 【請求項３３】 前記仮の支持部材を前記高密度相互
接続構造から取除く工程を含む請求項３１記載の方法。 - 【請求項３４】 第１の高密度相互接続用接着剤を用
いて、１番目の誘電体層を前記基板及び前記部品に接着
結合する工程を含み、更に、前記基板の一部分を前記第
１の接着剤がない状態に残すことにより、その上に配置
される前記相互接続構造の一部分が前記第１の接着剤に
よって前記基板に結合されない様にし、可撓性にする工
程が、前記相互接続構造の製造が完了した後、前記相互
接続構造を、前記基板の内、前記第１の接着剤のない一
部分から分離して、前記相互接続構造の該一部分を可撓
性にする工程を含む請求項３０記載の方法。 - 【請求項３５】 前記基板の内、前記第１の接着剤が
なく、且つ前記高密度相互接続構造の前記一部分がその
上に配置される一部分に、第２の接着剤を設ける工程を
含む請求項３４記載の方法。 - 【請求項３６】 １番目の誘電体層を前記基板及び前
記部品に接着結合する工程を含んでいて、更に、完成さ
れた相互接続構造の可撓性にしようとする一部分を前記
基板から取外し易くする為に、前記相互接続構造に離型
層を設けて、前記相互接続構造の該部分を可撓性にする
工程を含む請求項３０記載の方法。 - 【請求項３７】 １番目の誘電体層を基板及び部品に
接着結合する工程を含んでいて、更に、前記基板を越え
て伸びていて、その上に前記一部分が配置される様な仮
の支持部材を設け、可撓性にすることが、この後、仮の
支持部材を前記基板から分離して、前記相互接続構造の
前記一部分を可撓性にする工程を含む請求項３０記載の
方法。 - 【請求項３８】 前記高密度相互接続構造の誘電体材
料を、前記高密度相互接続構造の可撓性部分内にある導
体の一部分の全側面から取除く工程を含む請求項３０記
載の方法。 - 【請求項３９】 前記高密度相互接続構造の誘電体材
料を、該高密度相互接続構造の前記可撓性部分にある複
数個の導体の各々の一部分の全側面から取除く工程を含
む請求項３０記載の方法。 - 【請求項４０】 前記相互接続構造の端から伸びる接
続耳片を設ける工程を含む請求項３０記載の方法。 - 【請求項４１】 接続耳片を設ける工程が、前記相互
接続構造の導体の一部分から前記相互接続構造の誘電体
材料を取除く工程を含む請求項４０記載の方法。 - 【請求項４２】 前記接続耳片を設ける工程が、複数
個の接続耳片を設ける工程を含み、更に、製造過程の間
、前記相互接続構造に予め成形したリ―ド・フレ―ムを
設け、該リ―ド・フレ―ムの接続部分を切断して別々の
接続耳片を設ける工程を含む請求項４０記載の方法。 - 【請求項４３】 相互接続構造の誘電体材料を１番目
の接続耳片の一部分から除去する工程を含む請求項４２
記載の方法。 - 【請求項４４】 接続耳片を設ける工程が、複数個の
接続耳片を設けることを含み、更に、適当な接続耳片を
縁のコネクタに結合することによって、前記高密度相互
接続構造に縁のコネクタを設けることを含む請求項４０
記載の方法。 - 【請求項４５】 前記相互接続構造の端に縁のコネク
タを設ける工程を含む請求項３０記載の方法。 - 【請求項４６】 前記基板の一部分として、接続耳片
並びに該接続耳片を接続する接続部分を含む導電性リ―
ド・フレ―ムを用い、前記接続耳片は互いに一定の関係
に保持し、前記接続過程の間、誘電体／導体オ―バ―レ
イ相互接続構造を前記リ―ド・フレ―ムに結合し、前記
相互接続構造の選ばれた導体を前記リ―ド・フレ―ムの
選ばれた部分に接続し、相互接続構造の製造が完了した
後、前記リ―ド・フレ―ムの接続部分を切断して、前記
相互接続構造に電気的に別々の接続耳片を設ける工程を
含む請求項４０記載の方法。 - 【請求項４７】 相互接続構造の選ばれた導体が、誘
電体／導体オ―バ―レイ相互接続構造の誘電体中のバイ
ア孔を介して前記耳片に接続される請求項４６記載の方
法。 - 【請求項４８】 相互接続構造の端に縁のコネクタを
設ける工程を含む請求項３０記載の方法。 - 【請求項４９】 縁の工程を設ける工程が、製造過程
の間、前記集成体に予め成形した縁のコネクタを含める
ことを含む請求項４８記載の方法。 - 【請求項５０】 縁のコネクタを設ける工程が、製造
過程の一部分として縁のコネクタを製造することを含む
請求項４８記載の方法。 - 【請求項５１】 縁のコネクタを設ける工程が、高密
度相互接続構造を製造する過程が完了した後、予め成形
した縁のコネクタを相互接続構造に結合することを含む
請求項４８記載の方法。 - 【請求項５２】 前記支持部材の内部部分を選択的に
除去して、前記高密度相互接続構造の一部分を取囲む画
像フレ―ムを残す工程を含む請求項３２記載の方法。 - 【請求項５３】 接点パッドが前記画像フレ―ムの開
口と整合する様に配置される請求項５２記載の方法。 - 【請求項５４】 接点パッドを外部構造の接点パッド
と整合させ、該接点パッドを互いに結合する工程を含む
請求項５３記載の方法。 - 【請求項５５】 前記結合の後、余分の支持部材の材
料を除去する工程を含む請求項５４記載の方法。 - 【請求項５６】 前記相互接続構造及びチップを基板
から取外す工程を含む請求項３０記載の方法。 - 【請求項５７】 前記高密度相互接続構造を巻上げる
工程を含む請求項５６記載の方法。 - 【請求項５８】 巻上げられた高密度相互接続構造を
ハウジング内に挿入する工程を含む請求項５７記載の方
法。 - 【請求項５９】 前記ハウジングを冷却剤の源に接続
する工程を含む請求項５８記載の方法。 - 【請求項６０】 可撓性高密度相互接続構造によって
相互接続された複数個の電子部品を有する形式の電子装
置を作動する方法に於て、前記部品及び該部品が接続さ
れている可撓性高密度相互接続構造の少なくとも一部分
をハウジングに挿入し、装置が動作している間、該ハウ
ジングに流体を流す工程を含む方法。 - 【請求項６１】 流す工程が、ハウジングに冷却剤を
流して、装置の動作中に、部品によって発生される熱を
運び去る工程を含む請求項６０記載の方法。 - 【請求項６２】 挿入する工程を実施する前に、可撓
性高密度相互接続構造を操作して、前記電子部品を、前
記ハウジングにはまる様な形のまとまりのよい容積にす
る工程を含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US50476990A | 1990-04-05 | 1990-04-05 | |
| US504,769 | 1990-04-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04251968A true JPH04251968A (ja) | 1992-09-08 |
| JP3280394B2 JP3280394B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=24007661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07363591A Expired - Lifetime JP3280394B2 (ja) | 1990-04-05 | 1991-03-14 | 電子装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5452182A (ja) |
| EP (1) | EP0450950B1 (ja) |
| JP (1) | JP3280394B2 (ja) |
| DE (1) | DE69132819T2 (ja) |
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