JPH0425203B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0425203B2 JPH0425203B2 JP60219131A JP21913185A JPH0425203B2 JP H0425203 B2 JPH0425203 B2 JP H0425203B2 JP 60219131 A JP60219131 A JP 60219131A JP 21913185 A JP21913185 A JP 21913185A JP H0425203 B2 JPH0425203 B2 JP H0425203B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- gas
- synthesis
- silicon nitride
- pressure chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、窒化ケイ素粉末を合成するための
窒化ケイ素粉末の製造装置に関する。
窒化ケイ素粉末の製造装置に関する。
従来の技術
従来提案されている炉構造には、合成室を構成
する炉壁と炉外壁(缶体鉄皮)とを有する二重構
造のものがある。合成室炉壁と缶体鉄皮との間の
窒素ガス圧力は、合成室内圧力より高くなつてお
り、その圧力を維持するためにガスシールやベロ
ーズを介して缶体鉄皮からのガスリーク及び合成
室炉壁を通してのガスリークがない状態にしなけ
ればならない。
する炉壁と炉外壁(缶体鉄皮)とを有する二重構
造のものがある。合成室炉壁と缶体鉄皮との間の
窒素ガス圧力は、合成室内圧力より高くなつてお
り、その圧力を維持するためにガスシールやベロ
ーズを介して缶体鉄皮からのガスリーク及び合成
室炉壁を通してのガスリークがない状態にしなけ
ればならない。
とりわけ、合成室炉壁はカーボンで構成されて
いるが、目地部からのガスリークが起りやすくガ
ス圧が不足になるので、目地を極力少なくするた
めに合成室をカーボンの一体物で作成するか、あ
るいは大型ブロツクから切り出したリング状のカ
ーボン材を積み重ねるかしなければならない。
いるが、目地部からのガスリークが起りやすくガ
ス圧が不足になるので、目地を極力少なくするた
めに合成室をカーボンの一体物で作成するか、あ
るいは大型ブロツクから切り出したリング状のカ
ーボン材を積み重ねるかしなければならない。
発明が解決しようとする課題
ところが、一体物のカーボンブロツクの製造で
きる大きさには限界があるため、従来の炉構造で
は合成室の大きさに限界があつた。その大きさは
合成室炉壁外径で約1mである。また大型ブロツ
クから切り出した部材を用いることは非常に高価
である。
きる大きさには限界があるため、従来の炉構造で
は合成室の大きさに限界があつた。その大きさは
合成室炉壁外径で約1mである。また大型ブロツ
クから切り出した部材を用いることは非常に高価
である。
したがつて、流動層方式の合成室をより大型化
するためには、炉壁と缶体鉄皮の二重構造ではな
く、圧力室を別個に設け圧力室を構成する部材は
密着してガスリークのない構造にする必要があ
る。
するためには、炉壁と缶体鉄皮の二重構造ではな
く、圧力室を別個に設け圧力室を構成する部材は
密着してガスリークのない構造にする必要があ
る。
この発明は、安価に合成室の大型化が図れ、ガ
スシールやベローズなどの複雑な構造が不要であ
る窒化ケイ素粉末の製造装置を提供することを目
的とする。
スシールやベローズなどの複雑な構造が不要であ
る窒化ケイ素粉末の製造装置を提供することを目
的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、この発明はガス分
散板を有する流動層合成式のシリカ還元法窒化ケ
イ素粉末の製造装置において、窒化ケイ素粉末を
合成する合成室に対してガス分散板を介してこの
合成室にガスを吹き込む圧力室が別に設けてあ
り、吹込みガス加熱用及び合成室加熱用の熱源を
有し、かつ前記圧力室は、複数の分割側壁を互い
に密接して形成し、それらの密接部を押さえ部材
で外方より支持することを特徴とする窒化ケイ素
粉末の製造装置を要旨としている。
散板を有する流動層合成式のシリカ還元法窒化ケ
イ素粉末の製造装置において、窒化ケイ素粉末を
合成する合成室に対してガス分散板を介してこの
合成室にガスを吹き込む圧力室が別に設けてあ
り、吹込みガス加熱用及び合成室加熱用の熱源を
有し、かつ前記圧力室は、複数の分割側壁を互い
に密接して形成し、それらの密接部を押さえ部材
で外方より支持することを特徴とする窒化ケイ素
粉末の製造装置を要旨としている。
実施例
第1図と第2図は、この発明の第1実施例を示
している。
している。
第1〜2図において、窒化ケイ素粉末の製造装
置の合成室1は、カーボン製の大型のライニング
2により囲まれている。このライニング2は円筒
状で小ブロツクを積み重ねた構造である。この中
には、合成室加熱用ヒータ5が吊り下げてあり、
ヒータ5は図示しない電源につながつている。
置の合成室1は、カーボン製の大型のライニング
2により囲まれている。このライニング2は円筒
状で小ブロツクを積み重ねた構造である。この中
には、合成室加熱用ヒータ5が吊り下げてあり、
ヒータ5は図示しない電源につながつている。
合成室1の下部にはガス分散板3が設けてあ
り、さらにこのガス分散板3を介して圧力室4が
合成室1とは別に設けてある。ガス分散板3は多
数の貫通状の穴を有している。
り、さらにこのガス分散板3を介して圧力室4が
合成室1とは別に設けてある。ガス分散板3は多
数の貫通状の穴を有している。
圧力室4は逆円すい形の圧力部7により形成さ
れている。この圧力部7は第1図と第2図に示す
ように分割側壁8で構成する。この分割側壁8は
緻密質セラミツクス、すなわちカーボン、SiC、
Si3N4、サイアロンなどでできている。
れている。この圧力部7は第1図と第2図に示す
ように分割側壁8で構成する。この分割側壁8は
緻密質セラミツクス、すなわちカーボン、SiC、
Si3N4、サイアロンなどでできている。
第1実施例では、圧力部7はたとえば4分割さ
れた分割側壁8で構成され、一部を代表して示し
た第2図のように、これらは互いに密接部9で密
接している。隣接する密接部9の接触端面は精緻
仕上げられ、その外側は凸部10となつている。
れた分割側壁8で構成され、一部を代表して示し
た第2図のように、これらは互いに密接部9で密
接している。隣接する密接部9の接触端面は精緻
仕上げられ、その外側は凸部10となつている。
この2つの密接した凸部10と、製造装置の外
側の円筒形の缶体鉄皮11の内面との間には、押
え部材12が設けてある。
側の円筒形の缶体鉄皮11の内面との間には、押
え部材12が設けてある。
押え部材12は、軸部12aの両端にバネ部1
2bと凹型押え12cを設けた構造である。この
凹型押え12cは耐熱セラミツクスでできてい
て、外側から押し付けて分割側壁8間の目地が開
くのを防止している。密接部9の接触端面には必
要に応じてガスシール用のペーストを塗布する。
2bと凹型押え12cを設けた構造である。この
凹型押え12cは耐熱セラミツクスでできてい
て、外側から押し付けて分割側壁8間の目地が開
くのを防止している。密接部9の接触端面には必
要に応じてガスシール用のペーストを塗布する。
なお、圧力部7の各分割側壁8は、その上端部
がガス分散板3にすり合わせあるいはかみこみな
どで密接固定してある。また、各分割側壁8は、
その下端部がすり合わせあるいはかみこみなどで
圧力部7の底部材14に固定してある。それぞれ
の密接部には必要に応じてガラスシール用のペー
ストを塗布する。
がガス分散板3にすり合わせあるいはかみこみな
どで密接固定してある。また、各分割側壁8は、
その下端部がすり合わせあるいはかみこみなどで
圧力部7の底部材14に固定してある。それぞれ
の密接部には必要に応じてガラスシール用のペー
ストを塗布する。
圧力室4内には、圧力室4内のガスを加熱する
ためのヒータ13が設けてある。このヒータ13
は、表面積を大きくしてガスを加熱しやすくする
ためにフイン15を有している。ヒータ13の下
端は接続部材16を介して缶体鉄皮11の外に導
出しており、電源17につながれている。
ためのヒータ13が設けてある。このヒータ13
は、表面積を大きくしてガスを加熱しやすくする
ためにフイン15を有している。ヒータ13の下
端は接続部材16を介して缶体鉄皮11の外に導
出しており、電源17につながれている。
なお、ヒータ13の形式としては、カーボン抵
抗加熱、クリプトル抵抗加熱のほかに、圧力室4
の外部に設置したコイルに高周波電流を通して、
圧力室4の内部のカーボン材を誘導加熱する、い
わゆる高周波誘導加熱方式のものでもよい。
抗加熱、クリプトル抵抗加熱のほかに、圧力室4
の外部に設置したコイルに高周波電流を通して、
圧力室4の内部のカーボン材を誘導加熱する、い
わゆる高周波誘導加熱方式のものでもよい。
また、缶体鉄皮11と、ライニング2および圧
力部7との間には断熱材20が充填されている。
力部7との間には断熱材20が充填されている。
また、接続部材16と底部材14aを介して
N2ガスを合成室4内に吹込めるようになつてい
る。
N2ガスを合成室4内に吹込めるようになつてい
る。
使用に際しては、ヒータ5により合成室1内の
原料の粉末6をたとえば1450℃に加熱する。原料
の粉末6としてはシリカ・カーボン・窒化ケイ素
の造粒体が採用できる。
原料の粉末6をたとえば1450℃に加熱する。原料
の粉末6としてはシリカ・カーボン・窒化ケイ素
の造粒体が採用できる。
一方、ヒータ13により圧力室4内をたとえば
1450℃に加熱する。
1450℃に加熱する。
このようにすることで、高温高圧のN2ガスを
ガス分散板3を通して合成室1内に吹込める。し
たがつて、合成室1内の原料の粉末6を循環流動
させながら熱効率よく窒化反応させて窒化ケイ素
を製造できる。
ガス分散板3を通して合成室1内に吹込める。し
たがつて、合成室1内の原料の粉末6を循環流動
させながら熱効率よく窒化反応させて窒化ケイ素
を製造できる。
次に、第3図を参照して、第2実施例を説明す
る。
る。
この第2実施例では、合成室101側のヒータ
105は合成室101の天井150から吊下げて
あり、保護管160により保護されている。この
ヒータ105は電源170につながれている。ヒ
ータ105は板状あるいは丸棒状のものを複数本
吊下げてもよい。
105は合成室101の天井150から吊下げて
あり、保護管160により保護されている。この
ヒータ105は電源170につながれている。ヒ
ータ105は板状あるいは丸棒状のものを複数本
吊下げてもよい。
ヒータ105を合成室101の内部に設置する
ことで、第1実施例と同様に合成室外にヒータを
設置するより熱効率が高くなる。ヒータ105を
合成室101の天井から吊り下げることで、ヒー
タ熱膨張を逃がす。ヒータ105を粉体中に埋没
させる場合にはヒータ105の下端を粉体106
の中に埋没させることで、粉体106への熱伝達
が速かになり反応が促進される。
ことで、第1実施例と同様に合成室外にヒータを
設置するより熱効率が高くなる。ヒータ105を
合成室101の天井から吊り下げることで、ヒー
タ熱膨張を逃がす。ヒータ105を粉体中に埋没
させる場合にはヒータ105の下端を粉体106
の中に埋没させることで、粉体106への熱伝達
が速かになり反応が促進される。
また、流動層底面積が大きくなるほど流動状態
が不均一になりやすいが、粉体中に仕切り板や棒
状突起物があるとより均一な流動状態が得られ
る。
が不均一になりやすいが、粉体中に仕切り板や棒
状突起物があるとより均一な流動状態が得られ
る。
合成室101を形成する容器180は、排気口
181を有している。
181を有している。
合成室101の下部にはガス分散板103を介
して別に圧力室104があり、この中にはヒータ
113がある。
して別に圧力室104があり、この中にはヒータ
113がある。
次に、第4図を参照して、第3実施例を説明す
る。
る。
この第3実施例では、合成室201内に2本の
ヒータ205a,205bが設けてあり、それら
の下端は粉体206内にある。
ヒータ205a,205bが設けてあり、それら
の下端は粉体206内にある。
一方、ロート状の圧力室204は、ガス分散板
203を介して合成室201の下部に複数分割し
て設けられている。それぞれの圧力室204には
ヒータ213がある。
203を介して合成室201の下部に複数分割し
て設けられている。それぞれの圧力室204には
ヒータ213がある。
次に、第5図を参照して、第4実施例を説明す
る。
る。
この第4実施例では、電源305aに接続され
たヒータ305の周囲に小分割した合成室301
を複数設けてある。各合成室301の下部には、
ガス分散板303を介して圧力室304が設けて
ある。各圧力室304内にもヒータ313が設け
てある。
たヒータ305の周囲に小分割した合成室301
を複数設けてある。各合成室301の下部には、
ガス分散板303を介して圧力室304が設けて
ある。各圧力室304内にもヒータ313が設け
てある。
ところで、この発明は、上述した各実施例に限
定されるものではない。
定されるものではない。
発明の効果
圧力室を合成室とは別に設けるので、十分な圧
力ガスを合成室に吹き込める。高圧のガスを二重
構造体で保持する必要がないので、合成室を大型
化でき、しかも合成室をカーボンの小ブロツクを
積み重ねるだけの構造にできるので安価である。
また、缶体鉄皮でのガスシールの必要がなく、ベ
ローズなどの複雑な構造も必要でない。しかも合
成室と圧力室にそれぞれヒータを設ければ合成時
に熱効率よく粉体を反応させることができる。
力ガスを合成室に吹き込める。高圧のガスを二重
構造体で保持する必要がないので、合成室を大型
化でき、しかも合成室をカーボンの小ブロツクを
積み重ねるだけの構造にできるので安価である。
また、缶体鉄皮でのガスシールの必要がなく、ベ
ローズなどの複雑な構造も必要でない。しかも合
成室と圧力室にそれぞれヒータを設ければ合成時
に熱効率よく粉体を反応させることができる。
また、圧力室は複数の分割側壁で構成し、それ
らを互いに密接して形成し、さらに押さえ部材で
支持するので、大型化しても、ガスリークのない
構造としやすく、かつ分割側壁間の目地が開くこ
とが防止される。
らを互いに密接して形成し、さらに押さえ部材で
支持するので、大型化しても、ガスリークのない
構造としやすく、かつ分割側壁間の目地が開くこ
とが防止される。
第1図は、本発明の第1実施例を示す断面図、
第2図は第1実施例の圧力室とその周辺構造の一
部を示す第1図の−線における断面図、第3
図〜第5図は本発明の第2〜第4実施例を示す断
面図である。 1……合成室、3……ガス分散室、4……圧力
室、5,13……ヒータ、6……粉体、8……分
割側壁、12……押さえ部材。
第2図は第1実施例の圧力室とその周辺構造の一
部を示す第1図の−線における断面図、第3
図〜第5図は本発明の第2〜第4実施例を示す断
面図である。 1……合成室、3……ガス分散室、4……圧力
室、5,13……ヒータ、6……粉体、8……分
割側壁、12……押さえ部材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ガス分散板を有する流動層合成式のシリカ還
元法窒化ケイ素粉末の製造装置において、窒化ケ
イ素粉末を合成する合成室に対してガス分散板を
介してこの合成室にガスを吹き込む圧力室が別に
設けてあり、吹込みガス加熱用及び合成室加熱用
の熱源を有し、かつ前記圧力室は、複数の分割側
壁を互いに密接して形成し、それらの密接部を押
さえ部材で外方より支持したことを特徴とする窒
化ケイ素粉末の製造装置。 2 前記吹込みガス加熱用熱源は圧力室内に設置
され、合成室加熱用熱源は合成室内にあり、この
下端は粉体中に埋没させてもよいし、させなくて
もよい特許請求の範囲第1項記載の窒化ケイ素粉
末の製造装置。 3 前記圧力室の側壁の上下端は、ガス分散板と
圧力室の底部材に密接されている特許請求の範囲
範囲第1項記載の窒化ケイ素粉末の製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21913185A JPS6283307A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 窒化ケイ素粉末の製造装置 |
| US06/838,566 US4640023A (en) | 1985-07-05 | 1986-03-11 | Apparatus for manufacturing powdered silicon nitride |
| DE19863608972 DE3608972A1 (de) | 1985-07-05 | 1986-03-18 | Vorrichtung zur herstellung pulverisierten siliciumnitrids |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21913185A JPS6283307A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 窒化ケイ素粉末の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283307A JPS6283307A (ja) | 1987-04-16 |
| JPH0425203B2 true JPH0425203B2 (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=16730722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21913185A Granted JPS6283307A (ja) | 1985-07-05 | 1985-10-03 | 窒化ケイ素粉末の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283307A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0638911B2 (ja) * | 1986-03-08 | 1994-05-25 | 日本セメント株式会社 | 非酸化物粉末の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5731051Y2 (ja) * | 1978-07-04 | 1982-07-08 | ||
| JPS5891012A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 窒化珪素粉末の製造方法及びその製造装置 |
| JPS58151302A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-08 | Nippon Mining Co Ltd | 流動塩化装置 |
| JPS5945912A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-15 | Kawasaki Steel Corp | サイアロン系物質の連続製造法 |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP21913185A patent/JPS6283307A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6283307A (ja) | 1987-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |