JPS6083210A - センダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成法 - Google Patents
センダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成法Info
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- JPS6083210A JPS6083210A JP58190102A JP19010283A JPS6083210A JP S6083210 A JPS6083210 A JP S6083210A JP 58190102 A JP58190102 A JP 58190102A JP 19010283 A JP19010283 A JP 19010283A JP S6083210 A JPS6083210 A JP S6083210A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/235—Selection of material for gap filler
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセンダスト磁気記録ヘノドのギャノプの形成方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、゛磁気記録は高密度化の方向へ進みつつある。こ
の高密度記録化には、磁気テープや磁気ディスク等のメ
ディアに用いる材料の開発２発展に負うところが太きい
が、こｎらのメディアの特性を十分に生かしきるには磁
気へノドの高性能化への発展の追随が必要であシ、高性
能な磁気ヘッドの出現が望捷れている。そして、現在、
このような高性能ヘッドとして、コア材としてセンダス
トを用いた高精度な磁気的なギャップを有する磁気ヘッ
ドが、最も適したものの１つとされており、その出現が
磁気記録の分野で切望されている。
の高密度記録化には、磁気テープや磁気ディスク等のメ
ディアに用いる材料の開発２発展に負うところが太きい
が、こｎらのメディアの特性を十分に生かしきるには磁
気へノドの高性能化への発展の追随が必要であシ、高性
能な磁気ヘッドの出現が望捷れている。そして、現在、
このような高性能ヘッドとして、コア材としてセンダス
トを用いた高精度な磁気的なギャップを有する磁気ヘッ
ドが、最も適したものの１つとされており、その出現が
磁気記録の分野で切望されている。
しかしながら、コア材として用いるセンダストの性質上
、センダスト磁気ヘッドにおいて高精度な磁気的なギャ
ップを形成することが極めて困難であり、これが上述の
磁気ヘッドの出現を阻んでいた。例えば、従来のセンダ
スト磁気ヘッドのギャップ形成法の一例を示すと、第１
図のように片方のセンダストチップ１のギャップ形成面
に硬質石英膜３を特殊蒸着法で強固に形成し、次に低融
点の特殊金属千を用いてもう一方のセンダストチップ２
とは９合わせるという方法で形成さｎていた。しかし、
上述の方法ではセンダストと特殊金属の熱収縮率の相違
のために、硬質石英膜３が形成さｎているフロントギャ
ップ部分は、エアーギャップになっているためそのギャ
ップ１１］が、磁気テープ等の磁気記録媒体の走行時の
接触面側と特殊金属での溶着部分に向いた側で異なって
し捷い易く、ギヤツブ巾の制御や平行性−ｔｈａること
が困難であるという高精度な磁気的なキャップを作製し
難い欠点があった。
、センダスト磁気ヘッドにおいて高精度な磁気的なギャ
ップを形成することが極めて困難であり、これが上述の
磁気ヘッドの出現を阻んでいた。例えば、従来のセンダ
スト磁気ヘッドのギャップ形成法の一例を示すと、第１
図のように片方のセンダストチップ１のギャップ形成面
に硬質石英膜３を特殊蒸着法で強固に形成し、次に低融
点の特殊金属千を用いてもう一方のセンダストチップ２
とは９合わせるという方法で形成さｎていた。しかし、
上述の方法ではセンダストと特殊金属の熱収縮率の相違
のために、硬質石英膜３が形成さｎているフロントギャ
ップ部分は、エアーギャップになっているためそのギャ
ップ１１］が、磁気テープ等の磁気記録媒体の走行時の
接触面側と特殊金属での溶着部分に向いた側で異なって
し捷い易く、ギヤツブ巾の制御や平行性−ｔｈａること
が困難であるという高精度な磁気的なキャップを作製し
難い欠点があった。
発明の目的
本発明の目的は、磁気的なギャップを高精度で形成し、
かつ形成さｆｌ−たギャップが高い機械的強度を持つこ
とを可能とするセンダスト磁気ヘットのギャップ形成法
を提供するものである。
かつ形成さｆｌ−たギャップが高い機械的強度を持つこ
とを可能とするセンダスト磁気ヘットのギャップ形成法
を提供するものである。
発明の構成
本発明のセンダスト磁気ヘッドのギャップ形成法は、合
わせルば磁気ヘッドの形状となる一対のセンダスト磁気
ヘットのギャップ形成法は、合わせｒしは磁気ヘッドの
形状となる一対のセンダストテップのそれぞｎのギャッ
プ形成面に高精度の厚みで非強磁性セラミック薄膜を形
成し、さらにその上に均一な厚さでガラス薄膜を形成し
た後、これらのガラス薄膜面同志を合わせた状態で、一
対ノセンダストチップを保持したまま、用いたガラスの
軟化点以上の温度条件で熱間静水圧プレス（ＨＩ’Ｐ）
処理して、上記の合わせた薄膜同志を拡散接合すること
によって磁気的なギャップを形成するものである。ここ
で、ＨＩＰ処理を行なうことによって、非強磁性セラミ
ック薄膜の極く表面とガラス薄膜の極く表面は化学反応
して別種の組成の化合物となるが、この化学反応に寄与
しなかった大部分のガラス薄膜部分−：センダストチッ
プの接合面から外部へ押し出されてし甘う。すなわち、
ギャップの部分は非強磁性セラミック膜層部分と新たに
化学反応によって生成したセラミックスとガラスの両組
成からなる、極く薄い化会物層力）らｈｈ ギ１．フ゛
由ｌ汁 セソＡ゛フにキ、７１のゼャソプ面に形成され
た非強磁性セラミック膜の厚さで規定できることになる
。こ７しにより、高密度磁気記録用ヘッドとして要望さ
ｆＬでいるセンダスト磁気ヘッドに、高精度に非常に狭
いギツプ部分の形成が容易となり、かつ形成されたギヤ
ノブ部分が高い機械的強度を持つことが可能となった。
わせルば磁気ヘッドの形状となる一対のセンダスト磁気
ヘットのギャップ形成法は、合わせｒしは磁気ヘッドの
形状となる一対のセンダストテップのそれぞｎのギャッ
プ形成面に高精度の厚みで非強磁性セラミック薄膜を形
成し、さらにその上に均一な厚さでガラス薄膜を形成し
た後、これらのガラス薄膜面同志を合わせた状態で、一
対ノセンダストチップを保持したまま、用いたガラスの
軟化点以上の温度条件で熱間静水圧プレス（ＨＩ’Ｐ）
処理して、上記の合わせた薄膜同志を拡散接合すること
によって磁気的なギャップを形成するものである。ここ
で、ＨＩＰ処理を行なうことによって、非強磁性セラミ
ック薄膜の極く表面とガラス薄膜の極く表面は化学反応
して別種の組成の化合物となるが、この化学反応に寄与
しなかった大部分のガラス薄膜部分−：センダストチッ
プの接合面から外部へ押し出されてし甘う。すなわち、
ギャップの部分は非強磁性セラミック膜層部分と新たに
化学反応によって生成したセラミックスとガラスの両組
成からなる、極く薄い化会物層力）らｈｈ ギ１．フ゛
由ｌ汁 セソＡ゛フにキ、７１のゼャソプ面に形成され
た非強磁性セラミック膜の厚さで規定できることになる
。こ７しにより、高密度磁気記録用ヘッドとして要望さ
ｆＬでいるセンダスト磁気ヘッドに、高精度に非常に狭
いギツプ部分の形成が容易となり、かつ形成されたギヤ
ノブ部分が高い機械的強度を持つことが可能となった。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
以下に示す方法で、第１図と類似の形状のセンダストへ
ノドピースを作製し、検泪した。
ノドピースを作製し、検泪した。
まず、第２図のような巾７賜、高さ３ｍみ、長さ２０〃
Ｌのレール状の一対の船型のへットピースのチップをセ
ンダスト会合インゴットから加工して作製した。こ几ら
の一対のセノダストヘッドのチップの鏡面研磨加工を行
なったフロントギツプ部及びバックギャップ部のｆｄり
合わせ部分の両方に・イオンビームスバッタ装置ｔｋ用
いて、非強磁性セラミック薄膜を形成し、さらにその上
にガラス薄膜を形成した。ここで−上述の北強磁イ／Ｉ
：セラミ。
Ｌのレール状の一対の船型のへットピースのチップをセ
ンダスト会合インゴットから加工して作製した。こ几ら
の一対のセノダストヘッドのチップの鏡面研磨加工を行
なったフロントギツプ部及びバックギャップ部のｆｄり
合わせ部分の両方に・イオンビームスバッタ装置ｔｋ用
いて、非強磁性セラミック薄膜を形成し、さらにその上
にガラス薄膜を形成した。ここで−上述の北強磁イ／Ｉ
：セラミ。
り薄膜は、厚さが均一に０．１５μｍ であるイツトリ
ア（Ｙ２Ｏ２）が５モル％固溶したジルコニア（Ｚ ｒ
ｏ２）薄膜である。一方、上述のガラス薄膜は、厚さが
均一に０．０５μｍ で、その組成が主成分としてＳ
ｉ ０２が２５％、ｐｂｏが６０％、その他がＮａ２Ｏ
，に２０からなる鉛ガラス薄膜でその軟化点がｓｓｏ’
ｃであるものである。
ア（Ｙ２Ｏ２）が５モル％固溶したジルコニア（Ｚ ｒ
ｏ２）薄膜である。一方、上述のガラス薄膜は、厚さが
均一に０．０５μｍ で、その組成が主成分としてＳ
ｉ ０２が２５％、ｐｂｏが６０％、その他がＮａ２Ｏ
，に２０からなる鉛ガラス薄膜でその軟化点がｓｓｏ’
ｃであるものである。
これらの二層の薄膜をギャップ部のはり合わせ部分に積
層で形成したセンダストチップの一対をは９合わせ部分
が互いに接触するように配置した’ｌニーｉで熱間静水
圧プレス処理（’ Ｉ（Ｉ Ｐ処理）を９ｏＯ°Ｃカッ
１５００１（？−ｔｙｎ で１時間行なって、一対のセ
ンダストヘッドチップのギャップ部のはり合わせ部分の
薄膜同志を拡散接合処理した。
層で形成したセンダストチップの一対をは９合わせ部分
が互いに接触するように配置した’ｌニーｉで熱間静水
圧プレス処理（’ Ｉ（Ｉ Ｐ処理）を９ｏＯ°Ｃカッ
１５００１（？−ｔｙｎ で１時間行なって、一対のセ
ンダストヘッドチップのギャップ部のはり合わせ部分の
薄膜同志を拡散接合処理した。
このようにして得られた第３図に示すヘッドピースの断
面をもつ棒状のロンドを厚さＳＯＯμｍの薄い片状に切
断して薄板センダストヘッドピースを得た。
面をもつ棒状のロンドを厚さＳＯＯμｍの薄い片状に切
断して薄板センダストヘッドピースを得た。
得られた薄板センダストヘッドピースのギヤノブの巾を
光学顕微鏡を用いて測定した。磁気テープ等の磁気記録
媒体の走行時の接触面側であるフロントギャップの巾も
そ扛と反対側の溶着側のバックギャップの１］も共に正
確に０．３１７１ｍ でありギャップ面が平行であるこ
とが観測された。さしに、形成されたギャップ部の機械
的強度を倹削ｒるために、ギャップ面の両側のセンダス
トＵ”４１０Ｋｙ −ｔｔｔｙｔｂ の応力で引張り試
験したが、ギャップ接合面ではがれず、機械的強度にも
すぐ几でいることがわかった。
光学顕微鏡を用いて測定した。磁気テープ等の磁気記録
媒体の走行時の接触面側であるフロントギャップの巾も
そ扛と反対側の溶着側のバックギャップの１］も共に正
確に０．３１７１ｍ でありギャップ面が平行であるこ
とが観測された。さしに、形成されたギャップ部の機械
的強度を倹削ｒるために、ギャップ面の両側のセンダス
トＵ”４１０Ｋｙ −ｔｔｔｙｔｂ の応力で引張り試
験したが、ギャップ接合面ではがれず、機械的強度にも
すぐ几でいることがわかった。
比較のために、従来の形成法によるギャップをもつヘッ
ドピースを作製した。すなわちフロントギャップ部に硬
質石英膜を形成し、バックギヤ。
ドピースを作製した。すなわちフロントギャップ部に硬
質石英膜を形成し、バックギヤ。
プ部に銀ろう系特殊金属を用いて溶着して、第１図に示
すものと同じセンダストヘッドピースを作製した。この
ヘッドピースギャップ部分についても上記と同様の検査
を行なった。その結果、１０曝り１２の応力での引張り
試験でもはがｆＬなかったが、ギャップ面の平行性は著
しく劣っていた。
すものと同じセンダストヘッドピースを作製した。この
ヘッドピースギャップ部分についても上記と同様の検査
を行なった。その結果、１０曝り１２の応力での引張り
試験でもはがｆＬなかったが、ギャップ面の平行性は著
しく劣っていた。
フロントギャップの巾ｉｄ０．５３μｍであり、バック
ギヤツブの巾は０．２４μｍであった。
ギヤツブの巾は０．２４μｍであった。
なお、本実施例に、おいて、磁気特性に影響を及ぼすセ
ンダストチップの組成において、ＨＩＰ処理の前後で何
ら変化していないことが、Ｘ線マイクロアナライザを用
いた分析によって確認できた。
ンダストチップの組成において、ＨＩＰ処理の前後で何
ら変化していないことが、Ｘ線マイクロアナライザを用
いた分析によって確認できた。
また、非強磁性セラミック膜の組成であるＺｒイオン、
及びＹイオンは０．０１μｍ以上深くセンダスト内部に
拡散していないことも確認できた。
及びＹイオンは０．０１μｍ以上深くセンダスト内部に
拡散していないことも確認できた。
実施例２
実施例１に用いたものと同様の形状で第２図に示す一対
のセンダストチップの鏡面加工処理したフロントギャッ
プ部及びバックギャップ部のはり合わせ部分の両方に、
イオンビームスパック装置を用いて、厚さ０．２５μｍ
のアルミナ（Ｍ２Ｏ３）の薄膜を形成し、さらにその上
に、主成分としてＳ ｉ０２が６７％、Ｂ２Ｏ３が１０
％、Ｎａ２Ｏが１０％、ＡＥ２０３ｏ、１％等含むガラ
ス薄膜を厚み０．１μｍ形成した。なお、このガラスの
軟化点は了２０°Ｃである。
のセンダストチップの鏡面加工処理したフロントギャッ
プ部及びバックギャップ部のはり合わせ部分の両方に、
イオンビームスパック装置を用いて、厚さ０．２５μｍ
のアルミナ（Ｍ２Ｏ３）の薄膜を形成し、さらにその上
に、主成分としてＳ ｉ０２が６７％、Ｂ２Ｏ３が１０
％、Ｎａ２Ｏが１０％、ＡＥ２０３ｏ、１％等含むガラ
ス薄膜を厚み０．１μｍ形成した。なお、このガラスの
軟化点は了２０°Ｃである。
こ扛らのエバ゛くの薄膜をもつギヤノブ部のはり合わせ
部分が互いに接触するように配置したままでＨＩＰ処理
１９５０’ｃかつ１００ｏ Ｋ、 ＩＩ ｃ７ｎ で２
０分間行なって、一対のセンダストヘッドチップのギャ
ップ部のはり合わせ部分の薄膜同志を拡散接合処理した
。
部分が互いに接触するように配置したままでＨＩＰ処理
１９５０’ｃかつ１００ｏ Ｋ、 ＩＩ ｃ７ｎ で２
０分間行なって、一対のセンダストヘッドチップのギャ
ップ部のはり合わせ部分の薄膜同志を拡散接合処理した
。
このようにして得ら汎た第３図と同形状のヘッドピース
の断面をもつ棒状のロンドを、厚さ５００μｍの薄い片
状に切断して薄板センダストヘッドピースを得た。
の断面をもつ棒状のロンドを、厚さ５００μｍの薄い片
状に切断して薄板センダストヘッドピースを得た。
得られたセンダストヘッドピースのギヤノブについて、
実施例１と同様の検査を行なった。その結果、フロント
ギャップの巾も、バックギャップの１〕も正確に０．６
１μｍであり、ギヤツブ部文の平行性を確認できた。ま
た、ギャップ部分は１０９・ｙｖｒｂ−２の応力での引
張り試験にも酬え、機械的強度にもすぐれていることも
確認できた。
実施例１と同様の検査を行なった。その結果、フロント
ギャップの巾も、バックギャップの１〕も正確に０．６
１μｍであり、ギヤツブ部文の平行性を確認できた。ま
た、ギャップ部分は１０９・ｙｖｒｂ−２の応力での引
張り試験にも酬え、機械的強度にもすぐれていることも
確認できた。
なお、本実施例においても、実施例１と同様にＨＩＰ処
理前後で、センダストチップの組成の変化がないこと、
及び、非強磁性セラミック膜の組成のＡｆｉイオンが、
０．０１７ｔｍ以上深くセンダスト内部に拡散していな
いことも確認できた〇実施例３ 実施例２と同様のセンダストチップを用い、同様の方法
で、はり合わせ部分に厚さ０．２０μｍのマダイ・シア
（ＭＣＩ○）の薄膜を形成し、さらにその上に、主成分
としてＳ ｚ Ｏ２が３０％、Ｂ２Ｏ３が１５％、Ａｌ
１２０３が１％、ＢａＯが５０％、その他微量成分を含
むガラス薄膜を厚みＱ、０５μｍ形成した０このガラス
の軟化点は７４０°Ｃ″′Ｃある。
理前後で、センダストチップの組成の変化がないこと、
及び、非強磁性セラミック膜の組成のＡｆｉイオンが、
０．０１７ｔｍ以上深くセンダスト内部に拡散していな
いことも確認できた〇実施例３ 実施例２と同様のセンダストチップを用い、同様の方法
で、はり合わせ部分に厚さ０．２０μｍのマダイ・シア
（ＭＣＩ○）の薄膜を形成し、さらにその上に、主成分
としてＳ ｚ Ｏ２が３０％、Ｂ２Ｏ３が１５％、Ａｌ
１２０３が１％、ＢａＯが５０％、その他微量成分を含
むガラス薄膜を厚みＱ、０５μｍ形成した０このガラス
の軟化点は７４０°Ｃ″′Ｃある。
これらの二層の薄膜をもつセンダストチップを実施例２
と同様に互いに合わせてＨＩＰ処理した。
と同様に互いに合わせてＨＩＰ処理した。
このときの処理条件として、９０ｏ′Ｃかつ１０００に
！・ｍ で３０分間処理を選んだ。
！・ｍ で３０分間処理を選んだ。
このようにして得られた第３図と同様の棒状のロッドを
、厚さ５００ ／Ｊ ｍの薄片にスライスし、得られた
薄板センダストへソドビースのギャップについて、実施
例１と同じ検査を行なった。その結果、フロントギャッ
プの巾も、バムクギャップの１〕も正確にＱ、４１７１
ｍであり、ギャップ部分の平行性も確認できた０また、
ギャップ部分は１０にノ・皿−２の応力での引張り試験
にも耐え、機械的強度にもすぐｎでいることも確認でき
た。
、厚さ５００ ／Ｊ ｍの薄片にスライスし、得られた
薄板センダストへソドビースのギャップについて、実施
例１と同じ検査を行なった。その結果、フロントギャッ
プの巾も、バムクギャップの１〕も正確にＱ、４１７１
ｍであり、ギャップ部分の平行性も確認できた０また、
ギャップ部分は１０にノ・皿−２の応力での引張り試験
にも耐え、機械的強度にもすぐｎでいることも確認でき
た。
なお、本実施例においても、実施例１と同様にＨＩＰ処
理前後で、センダストチップの組成の変化がないこと、
及び、非強磁性セラミック膜の組成のＭｑイオンが、０
，０１７１ｍ以上深くセンダスト内部に拡散していない
ことも確認できた。
理前後で、センダストチップの組成の変化がないこと、
及び、非強磁性セラミック膜の組成のＭｑイオンが、０
，０１７１ｍ以上深くセンダスト内部に拡散していない
ことも確認できた。
実施例４
実施例２と同様のセンタストチップを用い、同様の方法
で、はり合わせ部分に厚さ０．２５μｍのスピネル（Ｍ
ｑ○・八２２０３）の薄膜を形成し、さらにその上に、
主成分として５１０２が１１％、Ｂ２Ｏ３が３１％、Ｂ
ａＯが２５％、Ｌａ２Ｏ３が２０％その他微石成分を含
むガラス７豹’、 １１すｙｆ厚み０ 、１０７１ｍ
形成した。このガラスの軟化点は７１０’Ｃである。
で、はり合わせ部分に厚さ０．２５μｍのスピネル（Ｍ
ｑ○・八２２０３）の薄膜を形成し、さらにその上に、
主成分として５１０２が１１％、Ｂ２Ｏ３が３１％、Ｂ
ａＯが２５％、Ｌａ２Ｏ３が２０％その他微石成分を含
むガラス７豹’、 １１すｙｆ厚み０ 、１０７１ｍ
形成した。このガラスの軟化点は７１０’Ｃである。
これらの二層の薄膜をもつセンタストチップを実施例２
と同様に互いに＠わせ−（ｆ（ＩＰ処理した。
と同様に互いに＠わせ−（ｆ（ＩＰ処理した。
このときの処理条件として、ｓｓｏ”Ｃかつ１２００曝
・口 で３０分間処理を選んだ。
・口 で３０分間処理を選んだ。
このようにして得らｎた第３図と同様の（本状のロッド
を、厚さ５００μｍの薄片にスライスし、Ｋ４”Ｔられ
た薄板センダストへッドビースのギャップについて、実
施例１と同じ検査を行なった０その結果、フロントギャ
ップの巾、バックギャップの「ＩＪ共に正確に０．５１
μｍであり、ギャップ部分の平行性も確認できた。甘だ
、ギャップ部分は１０１し・Ｍｎ−２の引張り試験にも
制えることも確認した０なお、本実施例においても、実
施例１と同様にＨＩＰ処理前後で、センタストチップの
組成の変化がないこと、及び、非強磁性セラミック膜の
組成のＭｑイオン、Ａμイオンが０．０１ μｍ以上深
くセンダスト内部に拡散していないことも確認できた。
を、厚さ５００μｍの薄片にスライスし、Ｋ４”Ｔられ
た薄板センダストへッドビースのギャップについて、実
施例１と同じ検査を行なった０その結果、フロントギャ
ップの巾、バックギャップの「ＩＪ共に正確に０．５１
μｍであり、ギャップ部分の平行性も確認できた。甘だ
、ギャップ部分は１０１し・Ｍｎ−２の引張り試験にも
制えることも確認した０なお、本実施例においても、実
施例１と同様にＨＩＰ処理前後で、センタストチップの
組成の変化がないこと、及び、非強磁性セラミック膜の
組成のＭｑイオン、Ａμイオンが０．０１ μｍ以上深
くセンダスト内部に拡散していないことも確認できた。
実施例５
実施例２と同様のセンタストチップを用い、同様の方法
で、はり合わせ部分に厚さ０．２５μｍの二酸化ケイ素
（Ｓ １０２ ）の薄膜を形成し、さらにその上ニ、主
成分トシテ５１ｏ２カ２Ｑ％、ＰｂＯカ６８％、その他
の微量成分を含むガラス薄膜を厚み０．０５ ｌｔ ｍ
形成した。このガラスの軟化点は５４０°Ｃである。
で、はり合わせ部分に厚さ０．２５μｍの二酸化ケイ素
（Ｓ １０２ ）の薄膜を形成し、さらにその上ニ、主
成分トシテ５１ｏ２カ２Ｑ％、ＰｂＯカ６８％、その他
の微量成分を含むガラス薄膜を厚み０．０５ ｌｔ ｍ
形成した。このガラスの軟化点は５４０°Ｃである。
これらのセンダストチップを実施例２と同様に互いに合
わせて、７５０ ’に、１５００１＜７．、で１時間、
ＨＩＰ処理した。
わせて、７５０ ’に、１５００１＜７．、で１時間、
ＨＩＰ処理した。
このようにして得らｔ′ｌ−た棒状のロノトヲ、スライ
スして実施例１と同様の薄板センダストヘッドピースを
作製し、そのギャップについて同様の検査を行なった。
スして実施例１と同様の薄板センダストヘッドピースを
作製し、そのギャップについて同様の検査を行なった。
その結果、フロントギャップ及びバンクギャップの雨中
とも正確に０．５２μｍであり、また、ギャップ部分は
１０ Ｋｙ−７ＩＢ−２の引張り試験にも耐えることも
確認（７た。すなわち、ギヤツブ巾の平行性及び機械的
強ａ＋ｔＣ優れたギャップか形成されていることがわか
った。
とも正確に０．５２μｍであり、また、ギャップ部分は
１０ Ｋｙ−７ＩＢ−２の引張り試験にも耐えることも
確認（７た。すなわち、ギヤツブ巾の平行性及び機械的
強ａ＋ｔＣ優れたギャップか形成されていることがわか
った。
なお、本実施例においても、実施例１と同様にＨＩＰ処
理前後で、磁気動性に大きく影響するセンダストチップ
の組成の変化のないことも確認できた。
理前後で、磁気動性に大きく影響するセンダストチップ
の組成の変化のないことも確認できた。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明はセンダスト磁
気記録ヘッドにおいて、合わすれば磁気ヘッドの形状と
なる一対のセンダストチップのそれぞ汎のギャップ形成
面に高精度の厚みで非磁性セラミック薄膜を形成し、さ
らにその上に均一な厚さでガラス薄膜を形成した後、こ
れらのガラス薄膜面同志を合わせた状態で、一対のセン
ダストチップを保持したｉｔ、用いたガラスの軟化魚身
」二の温度条件でＨＩＰ処理して、上記の合わせた薄膜
同志を拡散接合することによって磁気的なギャップを形
成するものであり、ＨＩＰ処理によってガラス膜のうち
接合に寄与しないほとんどのガラスは、ギャップ外へ押
し出さ汎るので、非強磁性セラミック薄膜の厚さによっ
てギヤツブ巾が規定さ牝ることになる。したがって、こ
の薄膜の形成時の膜厚をコントロールすることによって
、ギヤツブ巾の制御が容易になり、かつ、ＨＩＰ処理に
よる拡散接合でギヤツブ部分全強固に接合するために、
従来、困難とされていたセンダスト磁気ヘットのギャッ
プとして機械的強度が高くかつ高精度な磁気的なギャッ
プの形成が容易に行なえるようになっブ乙。こｆｌ、に
よって、高密度磁気記録ヘットニ適したギャップをもつ
センダスト磁気ヘッドの製造が容易になった。
気記録ヘッドにおいて、合わすれば磁気ヘッドの形状と
なる一対のセンダストチップのそれぞ汎のギャップ形成
面に高精度の厚みで非磁性セラミック薄膜を形成し、さ
らにその上に均一な厚さでガラス薄膜を形成した後、こ
れらのガラス薄膜面同志を合わせた状態で、一対のセン
ダストチップを保持したｉｔ、用いたガラスの軟化魚身
」二の温度条件でＨＩＰ処理して、上記の合わせた薄膜
同志を拡散接合することによって磁気的なギャップを形
成するものであり、ＨＩＰ処理によってガラス膜のうち
接合に寄与しないほとんどのガラスは、ギャップ外へ押
し出さ汎るので、非強磁性セラミック薄膜の厚さによっ
てギヤツブ巾が規定さ牝ることになる。したがって、こ
の薄膜の形成時の膜厚をコントロールすることによって
、ギヤツブ巾の制御が容易になり、かつ、ＨＩＰ処理に
よる拡散接合でギヤツブ部分全強固に接合するために、
従来、困難とされていたセンダスト磁気ヘットのギャッ
プとして機械的強度が高くかつ高精度な磁気的なギャッ
プの形成が容易に行なえるようになっブ乙。こｆｌ、に
よって、高密度磁気記録ヘットニ適したギャップをもつ
センダスト磁気ヘッドの製造が容易になった。
第１図は従来のセンダスト磁気ヘットの磁心の斜視−隻
、第２図は本発明の一実施例におけるセンダスト磁気ヘ
ットのギツプ形成に用いた一対のセンダストチップの斜
視図、第３図ばこ汎しのセンダストチップを用いて作製
したヘノ−・に°−スの斜視図である。 １．２ ・・・センダストチップ、３ ギャップ部に形
成された硬質石英膜、４ 特殊金属な二相いた溶着部分
、５−・フロントギへ・ノブ部、６ 。 ・・バックギヤノブ部。
、第２図は本発明の一実施例におけるセンダスト磁気ヘ
ットのギツプ形成に用いた一対のセンダストチップの斜
視図、第３図ばこ汎しのセンダストチップを用いて作製
したヘノ−・に°−スの斜視図である。 １．２ ・・・センダストチップ、３ ギャップ部に形
成された硬質石英膜、４ 特殊金属な二相いた溶着部分
、５−・フロントギへ・ノブ部、６ 。 ・・バックギヤノブ部。
Claims (7)
- （１） 一対のセンダストチップのそれぞｔのギャソこ
れらのガラス薄膜面同志を合わせた状態で前記一対のセ
ンダストチップを、用いたガラスの軟化点以上の温度条
件で熱間静水圧プレス処理して、上記の合わせた薄膜同
志全拡散接合することによって磁気的なギャップを形成
することを特徴とするセンダスト磁気ヘットのギャップ
形成法。 - （２）非強磁性セラミック薄膜として用いるセラミック
スがジルコニアであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のセンダスト磁気ヘッドのギャップ形成法。 - （３） 非強磁性セラミック薄膜として用いるセラミッ
クスがアルミナであることを特徴とする特許請求の１Ｉ
Ｉｉ５囲筐１頂１Ｐｔｌｉｌｔのセンダスト事例へ、ド
のギャップ形成法。 - （４）非強磁性セラミック薄膜として用いるセラミック
スがマグネシアであることを特徴とする一％ｎ請求の範
囲第１項記載のセンダスト磁気ヘットのギャップ形成法
。 - （５）非強磁性セラミック薄膜として用いるセラミック
スがスピネルであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のセンダスト磁気ヘッドのギャップ形成法。 - （６）非強磁性セラミック薄膜として用いるセラミック
スが二酸化ケイ素であることを特徴とする特許許請求の
範囲第１項記載のセンダスト磁気ヘットのギャップ形成
法。 - （７） ガラス薄線として用いるガラスがＳｉ○２ヲ１
０％以上含むガラスであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のセンダスト磁気ヘットのギャップ形成
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190102A JPS6083210A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | センダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成法 |
| EP84306941A EP0138580B1 (en) | 1983-10-12 | 1984-10-11 | Alloy magnetic recording head |
| DE8484306941T DE3482070D1 (de) | 1983-10-12 | 1984-10-11 | Aufnahmemagnetkopf aus legierung. |
| KR1019840006310A KR890005214B1 (ko) | 1983-10-12 | 1984-10-12 | 합금자기헤드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190102A JPS6083210A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | センダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083210A true JPS6083210A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16252406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58190102A Pending JPS6083210A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | センダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083210A (ja) |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP58190102A patent/JPS6083210A/ja active Pending
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