JPH04257553A - ジフェニルアミン誘導体の製造方法 - Google Patents

ジフェニルアミン誘導体の製造方法

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JPH04257553A
JPH04257553A JP3016686A JP1668691A JPH04257553A JP H04257553 A JPH04257553 A JP H04257553A JP 3016686 A JP3016686 A JP 3016686A JP 1668691 A JP1668691 A JP 1668691A JP H04257553 A JPH04257553 A JP H04257553A
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JP
Japan
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group
diphenylamine derivative
copper
reaction
aromatic amine
Prior art date
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Pending
Application number
JP3016686A
Other languages
English (en)
Inventor
Naotaka Wachi
直孝 和地
Ken Iwakura
岩倉 謙
Masato Satomura
里村 正人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04257553A publication Critical patent/JPH04257553A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、記録材料用色素の原料
として有用な、p−トリフルオロメチル基を置換基とし
て有するジフェニルアミン誘導体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】銅触媒の存在下、芳香族アミンと芳香族
ハライドを高温で縮合させ、ジフェニルアミン誘導体を
合成する反応は、Ullmann 反応としてよく知ら
れている。しかし、p−トリフルオロメチル基を置換基
として有するジフェニルアミン誘導体を合成する場合、
原料となるp−トリフルオロメチルアニリンや、p−ブ
ロモベンゾトリフルオライド、p−ヨードベンゾトリフ
ルオライドが非常に高価であるという問題がある。また
、安価に入手可能なp−クロロベンゾトリフルオライド
を使用した場合、ブロモ体やヨード体に比べて反応性が
低いため、通常の反応条件では収率が低く、満足できる
ものではなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、記録
材料用色素の原料として有用な、p−トリフルオロメチ
ル基を置換基として有するジフェニルアミン誘導体の効
率的な製造方法を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題は、p−クロロ
ベンゾトリフルオライドと芳香族アミンとを、オートク
レーブ中190℃以上で銅触媒の存在下、必要により脱
酸剤を併用して反応させることを特徴とするジフェニル
アミン誘導体の製造方法を開発することによって解決さ
れた。
【0005】本発明に係わる製造方法において使用され
る芳香族アミンは、下記一般式(I)で示されるものが
好ましい。一般式(I)
【0006】
【化1】
【0007】上式中、Arは芳香環を表し、これらは一
つ以上の置換基を有していても良い。これらの置換基は
同一でも異なっていても良く、さらに置換されていても
良い。また置換基同士が連結して環を形成していても良
い。また、R1 は水素原子、アルキル基、アラルキル
基、アリール基またはアシル基を表す。
【0008】一般式(I)の化合物において、Ullm
ann 反応後のジフェニルアミン誘導体をフルオラン
化合物の原料として使用する為には、一般式(II)で
示されるものが好ましい。一般式(II)
【0009】
【化2】
【0010】上式中、R2 は水素原子、アルキル基、
アラルキル基、アリール基、アルキルスルホニル基、ア
リールスルホニル基等を表し、これらはさらに置換され
ていても良い。これらの中特には水素原子、メチル基、
エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、イソブチル基、t−ブチル基、ベンジル基等が好
ましい。またR3 、R4 は水素原子、アルキル基、
アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ジアルキ
ルアミノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、アル
キルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルス
ルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アル
キルチオ基、アリールチオ基、スルホ基、カルボキシル
基等を表し、これらは同一でも異なっていても良い。こ
れらはさらに置換されていても良い。R3 、R4 と
しては水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン
原子等が好ましく、特には水素原子、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
イソブチル基、t−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基
、n−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n−
ブトキシ基、イソブチルオキシ基、t−ブチルオキシ基
、フッ素原子、塩素原子等が好ましい。また、R1 は
水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基また
はアシル基を表し、特にはアセチル基が好ましい。
【0011】一般式(I)の化合物において、Ullm
ann 反応後のジフェニルアミン誘導体をトリフェニ
ルメタンフタリド化合物や光導電体の原料などとして使
用する為には、一般式(III)で示されるものが好ま
しい。一般式(III)
【0012】
【化3】
【0013】上式中、R5 、R6 は水素原子、アル
キル基、アラルキル基、アリール基を表し、これらは同
一でも異なっていても良く、さらに置換されていても良
い。 また、R5 、R6 が連結して環を形成していても良
い。 R5 、R6 としてはアルキル基が好ましく、特には
、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基が好ましく、これらは分岐していても
良い。またR1 、R3 、R4 は一般式(II)の
化合物と同一の置換基を表す。
【0014】一般式(I)の化合物の具体例としては、
アニリン、アセトアニリド、4−クロロアセトアニリド
、3−メチルアセトアニリド、4−ニトロアセトアニリ
ド、3−シアノアセトアニリド、2−フェニルベンゾイ
ルアニリン、p−アニシジン、4−メトキシアセトアニ
リド、p−フェネチジン、4−エトキシアセトアニリド
、4−n−プロピルオキシアセトアニリド、4−ブトキ
シベンゾイルアニリン、3−ベンジルオキシアセトアニ
リド、4−メトキシ−2−メチルアセトアニリド、4−
ヒドロキシアセトアニリド、4−エトキシ−2−クロロ
アセトアニリド、4−メトキシ−2,6−ジメチルアセ
トアニリド、4−エトキシ−2−フルオロ−6−メチル
アセトアニリド、4−ヒドロキシ−2−メトキシベンゾ
イルアニリン、2−N,N−ジメチルアミノアセトアニ
リド、3−N,N−ジエチルアミノアセトアニリド、2
−N−エチル−N−イソブチル−3−メチルアセトアニ
リド、4−メトキシジフェニルアミン、2−メチル−4
−メトキシジフェニルアミン等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。
【0015】本発明に係わる製造方法において使用され
る銅触媒は、0価の銅化合物、1価の銅化合物、2価の
銅化合物の何れを用いる事も可能である。これらの銅触
媒の具体例としては、金属銅、ブロンズ銅、塩化第一銅
、臭化第一銅、沃化第一銅、シアン化第一銅、酸化第一
銅、塩化第二銅、酢酸銅、シアン化第二銅、酸化第二銅
、チオシアン化銅等が挙げられる。また、触媒の活性を
上げるために、銅触媒に超音波処理を行ったり、調製銅
を用いてもよい。好ましくは塩化第一銅、臭化第一銅、
沃化第一銅、塩化第二銅、金属銅、ブロンズ銅等である
【0016】本発明に係わる製造方法において使用され
る脱酸剤としては、一般のUllmann 反応に用い
られるものを使用することができる。具体的には、炭酸
カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナ
トリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、水
素化ナトリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、
ピリジン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、DBN、DBU、
N,N−ジメチルアミノピリジン等が挙げられる。好ま
しくは、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる
【0017】本発明に係わる製造方法においては、通常
のUllmann 反応において反応活性を上げるため
に用いられる添加剤を併用しても良い。これらの添加剤
としては、ポリエチレングリコールやクラウンエーテル
、四級アンモニウム塩のごとき相間移動触媒や、沃化カ
リウム、沃化ナトリウム、沃素等が挙げられる。また、
ニトロベンゼンやクロロベンゼン、o−ジクロロベンゼ
ンのごとき高沸点溶媒を併用しても構わない。
【0018】本発明で用いるp−クロロベンゾトリフル
オライドは、芳香族アミン化合物の0.5〜10.0当
量使用する事が好ましく、特には1.0〜3.0当量が
好ましい。また、脱酸剤は、芳香族アミンの1.0〜5
.0当量使用する事が好ましく、特には1.2〜3.0
当量が好ましい。また、銅触媒は、芳香族アミン化合物
の0.01〜5.0当量使用する事が好ましく、特には
0.1〜0.5当量が好ましい。また、添加剤は、芳香
族アミン化合物の0.01〜5.0当量使用する事が好
ましい。反応温度は、190℃以上が好ましいが、特に
は200℃〜240℃が好ましい。また、酸素による酸
化反応を抑えるため、アルゴンや窒素のごとき不活性ガ
ス雰囲気下で反応を行う事が好ましい。
【0019】
【実施例】以下に実施例を示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。実施例において特に指定のない限
り、重量%を表す。 実施例−1 容量500mlのオートクレーブ中に、p−メトキシア
セトアニリド33.0g(0.2mol)、p−クロロ
ベンゾトリフルオライド72.0g(0.4mol)、
炭酸カリウム20.8g(0.15mol)、沃化第一
銅12.4g(0.62mol)を入れ、窒素ガスで置
換した。反応温度240℃で6時間攪拌した。攪拌速度
は500r.p.m.とした。反応容器を室温まで冷却
したのち、反応混合物をHPLCにより解析したところ
、p−メトキシアセトアニリドの、対応するジフェニル
アミン誘導体への変換率は68%であった。
【0020】実施例−2 沃化第一銅の代わりに、ブロンズ銅4.0g(0.62
mol)と、沃素4.0g(0.16mol)を用い、
240℃で16時間攪拌した他は実施例−1と同様にし
て反応を行った。反応容器を室温まで冷却したのち、反
応混合物をHPLCにより解析したところ、p−メトキ
シアセトアニリドの、対応するジフェニルアミン誘導体
への変換率は60%であった。
【0021】比較例 300mlの三口フラスコにp−メトキシアセトアニリ
ド33.0g(0.2mol)、p−クロロベンゾトリ
フルオライド72.0g(0.4mol)、炭酸カリウ
ム20.8g(0.15mol)、ブロンズ銅4.0g
(0.62mol)、沃素4.0g(0.16mol)
をいれ、外温240℃で30時間加熱攪拌した(500
r.p.m.)。反応混合物をHPLCにより解析した
ところ、p−メトキシアセトアニリドの、対応するジフ
ェニルアミン誘導体への変換率は5%であった。
【0022】
【発明の効果】実施例から明らかなように、本発明によ
り、p−クロロベンゾトリフルオライドを用いる芳香族
アミン化合物とのUllmann 反応において、特定
の条件を設定することにより、目的とするジフェニルア
ミン誘導体の収率を向上させる事が出来た。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  p−クロロベンゾトリフルオライドと
    芳香族アミンとを、オートクレーブ中190℃以上で銅
    触媒の存在下に反応させることを特徴とするジフェニル
    アミン誘導体の製造方法。
  2. 【請求項2】  芳香族アミンが、置換基を有していて
    もよいアシルアニリドであることを特徴とする請求項1
    のジフェニルアミン誘導体の製造方法。
JP3016686A 1991-02-07 1991-02-07 ジフェニルアミン誘導体の製造方法 Pending JPH04257553A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6395939B1 (en) 1997-10-06 2002-05-28 Massachusetts Institute Of Technology Diaryl ether condensation reactions

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6395939B1 (en) 1997-10-06 2002-05-28 Massachusetts Institute Of Technology Diaryl ether condensation reactions
US6762329B2 (en) 1997-10-06 2004-07-13 Massachusetts Institute Of Technology Diaryl ether condensation reactions

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