JPH04260376A - 埋込型ツェナーダイオード - Google Patents
埋込型ツェナーダイオードInfo
- Publication number
- JPH04260376A JPH04260376A JP3040764A JP4076491A JPH04260376A JP H04260376 A JPH04260376 A JP H04260376A JP 3040764 A JP3040764 A JP 3040764A JP 4076491 A JP4076491 A JP 4076491A JP H04260376 A JPH04260376 A JP H04260376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- layer
- diode
- well
- zener diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路内の埋込型ツ
ェナーダイオードに関する。
ェナーダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のこの種の埋込型ツェナーダ
イオードの一例の構造を示し、１はＰ基板、２はＮ＋＋
拡散層、３はＮエピタキシャル層、４はＰ分離層、５は
Ｐ＋ 拡散層、６はＰ拡散層、７はＮ＋ 拡散層、８は
酸化膜、９はポリシリコンである。
イオードの一例の構造を示し、１はＰ基板、２はＮ＋＋
拡散層、３はＮエピタキシャル層、４はＰ分離層、５は
Ｐ＋ 拡散層、６はＰ拡散層、７はＮ＋ 拡散層、８は
酸化膜、９はポリシリコンである。
【０００３】基板内部でのＮ＋ 拡散層７とＰ＋ 拡散
層５の接合のブレークダウンによりツェナー電圧が決ま
り、ドリフトのないツェナー電圧が得られる。したがっ
て、Ｎ＋ 拡散層７とＰ拡散層６の表面ブレークダウン
電圧が、Ｎ＋ 拡散層７とＰ＋ 拡散層５のブレークダ
ウン電圧より高くなることが必要であり、Ｐ拡散層６の
濃度はＰ＋ 拡散層５の濃度より低く設定される。
層５の接合のブレークダウンによりツェナー電圧が決ま
り、ドリフトのないツェナー電圧が得られる。したがっ
て、Ｎ＋ 拡散層７とＰ拡散層６の表面ブレークダウン
電圧が、Ｎ＋ 拡散層７とＰ＋ 拡散層５のブレークダ
ウン電圧より高くなることが必要であり、Ｐ拡散層６の
濃度はＰ＋ 拡散層５の濃度より低く設定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の埋込型ツェナー
ダイオードでは、ダイオード電流はＮ＋ 拡散層７とＰ
＋ 拡散層５の接合部からＰ拡散層６を通ってＰ拡散層
６のコンタクトへ流れるが、電流の通路のＰ拡散層６は
断面が狭いうえにＮ＋ 拡散層７とＮエピタキシャル層
３によりピンチ部分が形成され、更に濃度が低く設定さ
れているため、抵抗値が高くなり、使用するダイオード
電流によってツェナー電圧の変化が大きくなるという問
題があった。本発明は上記の問題を解消するためになさ
れたもので、ダイオード電流の通路の抵抗が低い埋込型
ツェナーダイオードを提供することを目的とする。
ダイオードでは、ダイオード電流はＮ＋ 拡散層７とＰ
＋ 拡散層５の接合部からＰ拡散層６を通ってＰ拡散層
６のコンタクトへ流れるが、電流の通路のＰ拡散層６は
断面が狭いうえにＮ＋ 拡散層７とＮエピタキシャル層
３によりピンチ部分が形成され、更に濃度が低く設定さ
れているため、抵抗値が高くなり、使用するダイオード
電流によってツェナー電圧の変化が大きくなるという問
題があった。本発明は上記の問題を解消するためになさ
れたもので、ダイオード電流の通路の抵抗が低い埋込型
ツェナーダイオードを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の埋込型ツェナー
ダイオードは、Ｐ基板にＮ＋＋拡散層を形成して成長さ
せたＮ＋＋拡散層上のＮエピタキシャル層領域にＰウエ
ル層を形成し、該Ｐウエル層の内部にＮ＋ 拡散層とＰ
＋ 拡散層の接合部を形成し、電流が上記Ｎ＋拡散層と
Ｐ＋ 拡散層の接合部からＰウエル層を通ってＰ拡散層
のコンタクトへ流れる構造としたものである。
ダイオードは、Ｐ基板にＮ＋＋拡散層を形成して成長さ
せたＮ＋＋拡散層上のＮエピタキシャル層領域にＰウエ
ル層を形成し、該Ｐウエル層の内部にＮ＋ 拡散層とＰ
＋ 拡散層の接合部を形成し、電流が上記Ｎ＋拡散層と
Ｐ＋ 拡散層の接合部からＰウエル層を通ってＰ拡散層
のコンタクトへ流れる構造としたものである。
【０００６】
【作用】上記のような構造にすると、電流パスが拡大さ
れて、ダイオード電流が流れ易くなり、また、従来の技
術におけるＮ＋ 拡散層７とエピタキシャル層３により
Ｐ拡散層６に形成されるピンチ部のピンチ抵抗の影響も
なくなり、ダイオードの電流の通路におけるシリーズ抵
抗が低くなる。
れて、ダイオード電流が流れ易くなり、また、従来の技
術におけるＮ＋ 拡散層７とエピタキシャル層３により
Ｐ拡散層６に形成されるピンチ部のピンチ抵抗の影響も
なくなり、ダイオードの電流の通路におけるシリーズ抵
抗が低くなる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の一実施例の構造を示す。図２
と同一の符号は同一または相当する部分を示し、１０は
Ｐウエル層である。Ｐ基板１にＮ＋＋拡散層２を形成し
てＮエピタキシャル層３を成長させ、該Ｎエピタキシャ
ル層３のＮ＋＋拡散層２上の領域にＰウエル層１０（濃
度１×１０１６ｃｍ−３）を形成し、該Ｐウエル層１０
の内部にＰ＋ 拡散層５（濃度１×１０２０ｃｍ−３）
とＮ＋ 拡散層７（濃度１×１０２０ｃｍ−３）により
接合部を形成し、該Ｐウエル層１０の領域内にコンタク
トをとるＰ拡散層６（濃度１×１０１８ｃｍ−３）を形
成したものである。
と同一の符号は同一または相当する部分を示し、１０は
Ｐウエル層である。Ｐ基板１にＮ＋＋拡散層２を形成し
てＮエピタキシャル層３を成長させ、該Ｎエピタキシャ
ル層３のＮ＋＋拡散層２上の領域にＰウエル層１０（濃
度１×１０１６ｃｍ−３）を形成し、該Ｐウエル層１０
の内部にＰ＋ 拡散層５（濃度１×１０２０ｃｍ−３）
とＮ＋ 拡散層７（濃度１×１０２０ｃｍ−３）により
接合部を形成し、該Ｐウエル層１０の領域内にコンタク
トをとるＰ拡散層６（濃度１×１０１８ｃｍ−３）を形
成したものである。
【０００８】ダイオード電流は、Ｎ＋ 拡散層７とＰ＋
拡散層５の接合部からＰウエル層１０を通ってＰ拡散
層６のコンタクトへ流れるようになり、電流のパスが広
くなり、ダイオードのシリーズ抵抗が低くなる。
拡散層５の接合部からＰウエル層１０を通ってＰ拡散
層６のコンタクトへ流れるようになり、電流のパスが広
くなり、ダイオードのシリーズ抵抗が低くなる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイオードのシリーズ抵抗が低くなり、電流変動による
電圧変化が小さくなるという効果がある。
ダイオードのシリーズ抵抗が低くなり、電流変動による
電圧変化が小さくなるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の構造を示す断面図である。
【図２】従来のこの種の埋込型ツェナーダイオードの構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
１ Ｐ基板
２ Ｎ＋＋拡散層
３ Ｎエピタキシャル層
４ Ｐ分離層
５ Ｐ＋ 拡散層
６ Ｐ拡散層
７ Ｎ＋ 拡散層
８ 酸化膜
９ ポリシリコン
１０ Ｐウエル層
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板内部でのＮ＋ 拡散層と
Ｐ＋ 拡散層の接合のブレークダウンによりツェナー電
圧が決まる構造の集積回路内の埋込型ツェナーダイオー
ドにおいて、Ｐ基板にＮ＋＋拡散層を形成して成長させ
たＮ＋＋拡散層上のＮエピタキシャル層領域にＰウエル
層を形成し、該Ｐウエル層の内部にＮ＋ 拡散層とＰ＋
拡散層の接合部を形成し、ダイオード電流が上記Ｎ＋
拡散層とＰ＋ 拡散層の接合部からＰウエル層を通っ
てＰ拡散層のコンタクトへ流れる構造としたことを特徴
とする埋込型ツェナーダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040764A JPH04260376A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 埋込型ツェナーダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040764A JPH04260376A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 埋込型ツェナーダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04260376A true JPH04260376A (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=12589693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3040764A Pending JPH04260376A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 埋込型ツェナーダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04260376A (ja) |
-
1991
- 1991-02-14 JP JP3040764A patent/JPH04260376A/ja active Pending
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