JPH0426116A - 基板の酸化物のエッチング方法及び基板のクリーニング方法 - Google Patents
基板の酸化物のエッチング方法及び基板のクリーニング方法Info
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- JPH0426116A JPH0426116A JP13037890A JP13037890A JPH0426116A JP H0426116 A JPH0426116 A JP H0426116A JP 13037890 A JP13037890 A JP 13037890A JP 13037890 A JP13037890 A JP 13037890A JP H0426116 A JPH0426116 A JP H0426116A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、基板に形成された酸化絶縁膜にサブミクロン
以下の微細加エバターンをエツチングするのに好適な方
法及び基板をクリーニングするのに好適な方法に関する
。
以下の微細加エバターンをエツチングするのに好適な方
法及び基板をクリーニングするのに好適な方法に関する
。
［従来技術及びその問題点コ
超ＬＳＩ製造プロセスでは、５ｉｎ２やＡｔ２０、など
の絶縁膜を微細加工することにより、プロセスのスルー
ブツトを向上するようにしている。
の絶縁膜を微細加工することにより、プロセスのスルー
ブツトを向上するようにしている。
従来の加工技術では、５ｉｎ２などの酸化絶縁膜に対し
、フッ酸（ＨＦ）によるウェットエツチング、ＣＦ４＋
Ｈ２によるプラズマエツチング、ＮＦ３ガスにＦ２を混
入させてＩＦの働きでＳｉを引抜く方法、ＣＣρ２ Ｆ
２ ＣＣｆ’ ３ ＦＳＣＢｒ２ Ｆ２ 、ＣＢｒＦ
３などのフロンガスをマイクロ波又は光によって分解し
、それによって生成したＣＦ２やＣＦ３ラジカルによっ
てエツチングする方法などがある。
、フッ酸（ＨＦ）によるウェットエツチング、ＣＦ４＋
Ｈ２によるプラズマエツチング、ＮＦ３ガスにＦ２を混
入させてＩＦの働きでＳｉを引抜く方法、ＣＣρ２ Ｆ
２ ＣＣｆ’ ３ ＦＳＣＢｒ２ Ｆ２ 、ＣＢｒＦ
３などのフロンガスをマイクロ波又は光によって分解し
、それによって生成したＣＦ２やＣＦ３ラジカルによっ
てエツチングする方法などがある。
しかし、フッ酸（ＨＦ）によるウェットエツチングでは
、エツチング液の表面張力により細部まで液が浸透しに
くい。このため、この方法では、ＩＣの集積度を向上し
たサブミクロン以下の微細回路パターンをエツチングす
ることが難しい問題がある。
、エツチング液の表面張力により細部まで液が浸透しに
くい。このため、この方法では、ＩＣの集積度を向上し
たサブミクロン以下の微細回路パターンをエツチングす
ることが難しい問題がある。
また、プラズマエツチングでは、半導体基板表面を加速
電子で叩くため、基板にダメージが発生し、欠陥発生の
確率が大きくなる問題がある。
電子で叩くため、基板にダメージが発生し、欠陥発生の
確率が大きくなる問題がある。
ＣＦ２やＣＦ、ラジカルによってエツチングする方法は
、上述のように、ＣＣρ２Ｆ２ＣＣ１）＊ Ｆ、ＣＢｒ
ｚ Ｆ２、ＣＢｒＦｉなどのフロンガスを原料として使
用するため、環境破壊の問題がある。
、上述のように、ＣＣρ２Ｆ２ＣＣ１）＊ Ｆ、ＣＢｒ
ｚ Ｆ２、ＣＢｒＦｉなどのフロンガスを原料として使
用するため、環境破壊の問題がある。
ＮＦ３ガスの熱分解によるエツチングでは、ＮＦ、ガス
をＣＯ□レーザーやヒーター等で１０００℃以上に加熱
し、Ｆ２とＮ２に分解させるが、高温のため半導体基板
に悪影響を与える。
をＣＯ□レーザーやヒーター等で１０００℃以上に加熱
し、Ｆ２とＮ２に分解させるが、高温のため半導体基板
に悪影響を与える。
マイクロ波によってＮＦ３を分解して、これによりエツ
チングする方法は、マイクロ波励起によってＮＦ、をＦ
２とＮ２に分解し、また、混入させた水素により、ＨＦ
を形成させる。この方法では、微量の酸素が混入しても
、反応が進行して、中間生成物のＮＦＯから最終生成物
のＮ ０２が容品に形成されてしまう。この結果良好な
エツチングがおこないがたい。
チングする方法は、マイクロ波励起によってＮＦ、をＦ
２とＮ２に分解し、また、混入させた水素により、ＨＦ
を形成させる。この方法では、微量の酸素が混入しても
、反応が進行して、中間生成物のＮＦＯから最終生成物
のＮ ０２が容品に形成されてしまう。この結果良好な
エツチングがおこないがたい。
また、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング蒸着
、イオンビーム蒸芒などの手段により、基板に金属薄膜
や誘電体薄膜を付ける場合、基板表面に吸着している酸
素分子が問題になる。
、イオンビーム蒸芒などの手段により、基板に金属薄膜
や誘電体薄膜を付ける場合、基板表面に吸着している酸
素分子が問題になる。
［発明が解決しようとする技術的課題］本発明は上記事
情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、
水素を添加することなく高速で５ｉｎ２などの酸化絶縁
膜をエツチングし、しかも基板への悪影響のない酸化物
のエツチング方法を提供するものである。
情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、
水素を添加することなく高速で５ｉｎ２などの酸化絶縁
膜をエツチングし、しかも基板への悪影響のない酸化物
のエツチング方法を提供するものである。
また本発明は、基板表面に吸着している酸素分子を良好
に除去して、基板表面を効果的にクリーニングできる方
法を提供するものである。
に除去して、基板表面を効果的にクリーニングできる方
法を提供するものである。
［課題を解決する手段］
すなわち本発明の酸化物のエツチング方法は、微量の酸
素又は酸素化合物を混入したＮＦ、ガス雰囲気中に、酸
化絶縁膜を形成した基板を配置し、上記ガス雰囲気中に
、ＡｒＦレーザーなどの発信波長２００ｎｍ以下のレー
ザーを照射してＮＦＯを形成し、形成されたＮＦＯの酸
素引抜力を用いて基板の酸化絶縁膜を高速でエツチング
することを特徴とする。
素又は酸素化合物を混入したＮＦ、ガス雰囲気中に、酸
化絶縁膜を形成した基板を配置し、上記ガス雰囲気中に
、ＡｒＦレーザーなどの発信波長２００ｎｍ以下のレー
ザーを照射してＮＦＯを形成し、形成されたＮＦＯの酸
素引抜力を用いて基板の酸化絶縁膜を高速でエツチング
することを特徴とする。
また本発明は、ＮＦ、ガス雰囲気中に基板を配置し、Ａ
ｒＦレーザー光を照射して、基板に吸着している酸素を
脱離させて、基板をクリーニングする方法である。
ｒＦレーザー光を照射して、基板に吸着している酸素を
脱離させて、基板をクリーニングする方法である。
以下、本発明の詳細な説明する。まず表面にＳｉＯ□、
Ａｌ２Ｏ５、ＴｉＯ２などの酸化絶縁膜を形成した基板
（シリコンウニｌ〜等）を用意する。そしてこの基板を
微量の酸素（０□）又は酸素化合物を混入したＮＦ、ガ
ス雰囲気中に配置する。ガス雰囲気に混入する酸素化合
物としては、Ｎｏ、Ｎ、０１ＮＯ２が挙げられる。この
状態で、ＡｒＦエキシマレーザ−など発信波長２００ｎ
ｍ以下のレーザーを照射する。ＮＦ３ガスは、第１図の
符号ａに示すように、２００ｎｍ以下の光に吸収を呈す
る。また、Ｎｏ、Ｎ２０，０２等も、同様に、２００ｎ
ｍ以下の光を吸収して分解する。
Ａｌ２Ｏ５、ＴｉＯ２などの酸化絶縁膜を形成した基板
（シリコンウニｌ〜等）を用意する。そしてこの基板を
微量の酸素（０□）又は酸素化合物を混入したＮＦ、ガ
ス雰囲気中に配置する。ガス雰囲気に混入する酸素化合
物としては、Ｎｏ、Ｎ、０１ＮＯ２が挙げられる。この
状態で、ＡｒＦエキシマレーザ−など発信波長２００ｎ
ｍ以下のレーザーを照射する。ＮＦ３ガスは、第１図の
符号ａに示すように、２００ｎｍ以下の光に吸収を呈す
る。また、Ｎｏ、Ｎ２０，０２等も、同様に、２００ｎ
ｍ以下の光を吸収して分解する。
一般にＮ Ｆ ３は、熱、マイクロ波、又は光によって
分解し、Ｎ２とＦ２とに遊離するが、Ｎ０１Ｎ２０．Ｎ
Ｏ２，０２等の存在下で、ＡｒＦレザー光を入射すると
、第１図の符号すに示すように、反応中間体であるＮＦ
Ｏが形成される。ＡｒＦエキシマレーザ−は、光子エネ
ルギーがガス分子を構成する結合エネルギーに近く（発
信波長１９３ｎｍ）、またレーザーのパルス幅が１０ナ
ノ秒と極く短い。このため、光反応が連鎖的に起こるこ
とがなく、反応中間物（Ｎ Ｆ Ｏ）を生成されるのに
都合がよい。このＮＦＯは、酸素を引抜く力が大きく、
酸化絶縁膜上の酸素を引抜いて、高速で酸化絶縁膜をエ
ツチングする。
分解し、Ｎ２とＦ２とに遊離するが、Ｎ０１Ｎ２０．Ｎ
Ｏ２，０２等の存在下で、ＡｒＦレザー光を入射すると
、第１図の符号すに示すように、反応中間体であるＮＦ
Ｏが形成される。ＡｒＦエキシマレーザ−は、光子エネ
ルギーがガス分子を構成する結合エネルギーに近く（発
信波長１９３ｎｍ）、またレーザーのパルス幅が１０ナ
ノ秒と極く短い。このため、光反応が連鎖的に起こるこ
とがなく、反応中間物（Ｎ Ｆ Ｏ）を生成されるのに
都合がよい。このＮＦＯは、酸素を引抜く力が大きく、
酸化絶縁膜上の酸素を引抜いて、高速で酸化絶縁膜をエ
ツチングする。
酸素、酸素化合物を微量とする理由は、酸素又は酸素化
合物の量が多すぎると、形成されたＮＦＯが酸素又は酸
素化合物と結合して、ＮＯ２を形成してしまい（第１図
の符号Ｃ参照）、この結果、５ｊ０２から酸素を引抜く
ことができなくなるためである。従って、本発明の目的
を達成するために、酸素又は酸素化合物の混入量は、通
常０．１％以内が好ましく、特に０．００１〜０．０５
％程度が好適である。
合物の量が多すぎると、形成されたＮＦＯが酸素又は酸
素化合物と結合して、ＮＯ２を形成してしまい（第１図
の符号Ｃ参照）、この結果、５ｊ０２から酸素を引抜く
ことができなくなるためである。従って、本発明の目的
を達成するために、酸素又は酸素化合物の混入量は、通
常０．１％以内が好ましく、特に０．００１〜０．０５
％程度が好適である。
なお、中間生成物のＮＦＯを酸化絶縁膜にさらすと、Ｎ
Ｏ２が生成され、ＮＦＯが消滅し、ガスの色が褐色にな
っていく。しかし、再度ＡｒＦレーザー光を照射すると
、ＮＯ２が減少し、褐色も消える。そしてＮＦＯが再び
作られる。すなわち、ガス雰囲気の初期に微量な酸素、
酸素化合物と多量のＮＦ、が存在していれば、初期のレ
ーザー照射によってＮＦＯを作り、これによってＳｆＯ
。
Ｏ２が生成され、ＮＦＯが消滅し、ガスの色が褐色にな
っていく。しかし、再度ＡｒＦレーザー光を照射すると
、ＮＯ２が減少し、褐色も消える。そしてＮＦＯが再び
作られる。すなわち、ガス雰囲気の初期に微量な酸素、
酸素化合物と多量のＮＦ、が存在していれば、初期のレ
ーザー照射によってＮＦＯを作り、これによってＳｆＯ
。
をエツチングしＮＯ２が形成される。レーザー光の照射
を停止すれば、ＮＦＯの形成が止るため、存在するＮＦ
Ｏによってのみ５ｉ０２のエツチングが進み、次第にＮ
ＦＯがなくなり、Ｓ Ｉ Ｏ２のエツチングが止るが、
再度この系にＡｒＦレーザー光を照射すれば、形成され
ているＮＯ□を分解し、ＮＦ３と反応して、ＮＦＯを作
る。この結果、再び５ｉｎ２のエツチングが出来る（第
２図参照）従来ＮＦ、を使ってＳ】０２をエツチングす
るには、水素は不可欠であるといわれていたが、本発明
によれば、水素を用いないでも５ｉ０２がエツチングさ
れる。
を停止すれば、ＮＦＯの形成が止るため、存在するＮＦ
Ｏによってのみ５ｉ０２のエツチングが進み、次第にＮ
ＦＯがなくなり、Ｓ Ｉ Ｏ２のエツチングが止るが、
再度この系にＡｒＦレーザー光を照射すれば、形成され
ているＮＯ□を分解し、ＮＦ３と反応して、ＮＦＯを作
る。この結果、再び５ｉｎ２のエツチングが出来る（第
２図参照）従来ＮＦ、を使ってＳ】０２をエツチングす
るには、水素は不可欠であるといわれていたが、本発明
によれば、水素を用いないでも５ｉ０２がエツチングさ
れる。
［実施例］
以下本発明の実験例および実施例を説明する。
実験例１
（１）０２ガスを０．１容量％混入させたＮＦ３ガスを
チャンバー内に入れてＡｒＦレーザー光を入射させた場
合、（２）Ｎ２０ガスを０．１容量％混入させたＮＦ、
ガスをチャンバー内に入れてＡｒＦレーザー光を入射さ
せた場合、又は（３）Ｎｏガスを０．１容量％混入させ
たＮＦ、ガスガスをチャンバー内に入れてＡｒＦレーザ
ー光を入射させた場合について、それぞれ紫外線吸収特
性を測定した。
チャンバー内に入れてＡｒＦレーザー光を入射させた場
合、（２）Ｎ２０ガスを０．１容量％混入させたＮＦ、
ガスをチャンバー内に入れてＡｒＦレーザー光を入射さ
せた場合、又は（３）Ｎｏガスを０．１容量％混入させ
たＮＦ、ガスガスをチャンバー内に入れてＡｒＦレーザ
ー光を入射させた場合について、それぞれ紫外線吸収特
性を測定した。
その結果を第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）にそれぞれ示
す。
す。
実験例２
ＣＩ） 〜（３）について（Ａ ｒ Ｆレーザーを１０
ＰＰＳで照射しつづけた場合）、それぞれ、５ｉ０２を
入れた時と入れない時とで、ＮＯ□発生量を比較した。
ＰＰＳで照射しつづけた場合）、それぞれ、５ｉ０２を
入れた時と入れない時とで、ＮＯ□発生量を比較した。
ＮＯ２の発生量の比較結果を第４図に、エッチレートを
第５図に示す。ここでは、効果的にＳｉＯ２をエツチン
グするために、アルゴン、ヘリウム、又は高純度のＮ２
ガスでチャン／（−内を大気圧に保ち、外部から大気中
の空気が入り込まないようにしておく。
第５図に示す。ここでは、効果的にＳｉＯ２をエツチン
グするために、アルゴン、ヘリウム、又は高純度のＮ２
ガスでチャン／（−内を大気圧に保ち、外部から大気中
の空気が入り込まないようにしておく。
実施例ｌ
５ｉ０２表面に弗素系レジストを塗布し、露光後、ウェ
ット現像し、これを（１）、 （２） 、 （３）のガ
ス雰囲気中でΔｒＦレーザー光を試料に対して水平方向
から入射し、露光された５ｉＯｚ面のみをエツチングし
た。
ット現像し、これを（１）、 （２） 、 （３）のガ
ス雰囲気中でΔｒＦレーザー光を試料に対して水平方向
から入射し、露光された５ｉＯｚ面のみをエツチングし
た。
実施例２
第６図のブロック図に示す工程に基づき、第７図の装置
を用いて、リソグラフィーのオールドライ化し、（１，
） 、 （２） 、 （３）のガス雰囲気中でＡｒＦレ
ーザー光を試料に対して水平方向から入射し、露光され
た５ｉ０２面のみをエツチングした。すなわち、熱酸化
シリコンウニ／へ−表面にＰＭＭＡレジストをスピンコ
ーティングし、これをＮＦ３ガスの満たされたセルの中
に入れ、ＡｒＦレーザーによって回路パターンを縮小投
影する。これによってレジストの露光部分のみ低分子量
化する。それと同時に、その界面近傍のＮＦ、が光分解
されドライ現象をおこなわせる。さらに、このレーザー
露光を続けるか、または水平方向からのレーザー光を入
射すると、ＮＦＯが形成され、下地の５ｉｎ２と光によ
って活性化されたＮＦＯとが反応して脱酸素反応がおき
、熱酸化５ｉｎ２のエツチングが完了する。以上のよう
に、露光工程のみでレジストの現像及び基板のエツチン
グも完了するためプロセス時間が大いに短縮される。こ
の方法でエツチングされた酸化絶縁膜のエツチング状況
を第８図の走査型顕微鏡写真に示す。
を用いて、リソグラフィーのオールドライ化し、（１，
） 、 （２） 、 （３）のガス雰囲気中でＡｒＦレ
ーザー光を試料に対して水平方向から入射し、露光され
た５ｉ０２面のみをエツチングした。すなわち、熱酸化
シリコンウニ／へ−表面にＰＭＭＡレジストをスピンコ
ーティングし、これをＮＦ３ガスの満たされたセルの中
に入れ、ＡｒＦレーザーによって回路パターンを縮小投
影する。これによってレジストの露光部分のみ低分子量
化する。それと同時に、その界面近傍のＮＦ、が光分解
されドライ現象をおこなわせる。さらに、このレーザー
露光を続けるか、または水平方向からのレーザー光を入
射すると、ＮＦＯが形成され、下地の５ｉｎ２と光によ
って活性化されたＮＦＯとが反応して脱酸素反応がおき
、熱酸化５ｉｎ２のエツチングが完了する。以上のよう
に、露光工程のみでレジストの現像及び基板のエツチン
グも完了するためプロセス時間が大いに短縮される。こ
の方法でエツチングされた酸化絶縁膜のエツチング状況
を第８図の走査型顕微鏡写真に示す。
なお、ＳｉＯ２のエツチングに関しては、ＮＦＯの形成
後、ＡｒＦレーザーの照射を止めても、ＮＦＯによるＯ
の引抜反応があるため、エツチングは進行する。
後、ＡｒＦレーザーの照射を止めても、ＮＦＯによるＯ
の引抜反応があるため、エツチングは進行する。
実施例３
上記第７図に示した装置を用いて、ＮＦ、ガス中でｓｉ
裏表面レジストレスエツチングを行ない、その後Ｓｔ裏
表面下面のＳｉＯ２面が露出すると、微量の酸素又は酸
素化合物を混入させ、ＡｒＦレーザー光を照射し、ＮＦ
Ｏを作り、これにより下面のＳｉＯ□をエツチングした
。このＳｉのみのエッチレートを第５図に示す。
裏表面レジストレスエツチングを行ない、その後Ｓｔ裏
表面下面のＳｉＯ２面が露出すると、微量の酸素又は酸
素化合物を混入させ、ＡｒＦレーザー光を照射し、ＮＦ
Ｏを作り、これにより下面のＳｉＯ□をエツチングした
。このＳｉのみのエッチレートを第５図に示す。
実施例４
Ｓｉ基板上の自然酸化絶縁膜のクリーニング：Ｓｉ基板
のＣＶＤを行なう前に、基板に対して（１）、（２）、
（３）のガス雰囲気中でＡｒＦレーザー光を照射した。
のＣＶＤを行なう前に、基板に対して（１）、（２）、
（３）のガス雰囲気中でＡｒＦレーザー光を照射した。
この結果、ＮＦＯにより基板をクリーニングがなされ、
基板上の自然酸化絶縁膜のクリニングがなされ、以下の
エツチング工程後において、得られたＳｔのパターンＣ
ＶＤのコントラストが向上した。
基板上の自然酸化絶縁膜のクリニングがなされ、以下の
エツチング工程後において、得られたＳｔのパターンＣ
ＶＤのコントラストが向上した。
実施例５
また、本発明のクリーニング方法は、蒸着される基板を
チャンバー内に配置し、このチャンバー内にＮＦ、ガス
を入れ、このガス雰囲気中で基板に直接ＡｒＦレーザー
光を照射すると、脱酸素作用が起こり、基板がクリーニ
ングされる。そしてこの処理を行った後、蒸着を行うと
、膜の付着力が強くなり、従来法では８５〜９０％内外
のＡｇ蒸着膜の反射率であったのが、この処理を施すこ
とにより９８％に向上した。
チャンバー内に配置し、このチャンバー内にＮＦ、ガス
を入れ、このガス雰囲気中で基板に直接ＡｒＦレーザー
光を照射すると、脱酸素作用が起こり、基板がクリーニ
ングされる。そしてこの処理を行った後、蒸着を行うと
、膜の付着力が強くなり、従来法では８５〜９０％内外
のＡｇ蒸着膜の反射率であったのが、この処理を施すこ
とにより９８％に向上した。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、ＮＦＯの強力な
酸素引抜力を利用することにより、基板に損傷を与える
ことなく、酸化絶縁膜にサブミクロン以下の微細加エバ
ターンを高速でエツチングするすることができる。
酸素引抜力を利用することにより、基板に損傷を与える
ことなく、酸化絶縁膜にサブミクロン以下の微細加エバ
ターンを高速でエツチングするすることができる。
第１図は、紫外線ｉ’ｊＦＪ定及び可視光線−Ｐ１定を
して、本発明のエツチングガス雰囲気中に形成された中
間生成物の分析結果を示す図である。 第２図は、紫外線ｎ１定及び可視光線測定をして、Ａｒ
Ｆレーザーの照射により、ＮＯ２が光分解され、ＮＯと
ＮＦＯが形成され、更に照射によりＮＦＯのみとなるこ
とを示す図である。 第３図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の各エツチングガスの
紫外線吸収特性を示す図である。 第４図は、ＳｉＯ２を入れた時と５ｉ０２を入れない時
とのＮＯ２発生量の比較結果を示す図である。 第５図は、Ｓｔと５ｉｎ２のエッチレートを示す図であ
る。 第６図は、本発明方法の一例（リソグラフィーのオール
ドライ化）を示すブロック図である。 第７図は、第６図の本発明方法をおこなう装置の概略説
明図である。 第８図は、本発明方法でエツチングされた絶縁酸化膜の
粒子の構造を示す走査型顕微鏡写真である。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 透通Ｔ （’／、 ） 違遇千 造、置キ （’１０ ） レーサ゛−エネル久“−音度（ｍＪ／（ｍ２）第 図 第８図 手続補正書 平成２キ゛ ６足Ａ 日
して、本発明のエツチングガス雰囲気中に形成された中
間生成物の分析結果を示す図である。 第２図は、紫外線ｎ１定及び可視光線測定をして、Ａｒ
Ｆレーザーの照射により、ＮＯ２が光分解され、ＮＯと
ＮＦＯが形成され、更に照射によりＮＦＯのみとなるこ
とを示す図である。 第３図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の各エツチングガスの
紫外線吸収特性を示す図である。 第４図は、ＳｉＯ２を入れた時と５ｉ０２を入れない時
とのＮＯ２発生量の比較結果を示す図である。 第５図は、Ｓｔと５ｉｎ２のエッチレートを示す図であ
る。 第６図は、本発明方法の一例（リソグラフィーのオール
ドライ化）を示すブロック図である。 第７図は、第６図の本発明方法をおこなう装置の概略説
明図である。 第８図は、本発明方法でエツチングされた絶縁酸化膜の
粒子の構造を示す走査型顕微鏡写真である。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 透通Ｔ （’／、 ） 違遇千 造、置キ （’１０ ） レーサ゛−エネル久“−音度（ｍＪ／（ｍ２）第 図 第８図 手続補正書 平成２キ゛ ６足Ａ 日
Claims (2)
- （１）微量の酸素又は酸素化合物を混入したＮＦ＿３ガ
ス雰囲気中に、酸化絶縁膜を形成した基板を配置する工
程と、 上記ガス雰囲気中に、発信波長２００ｎｍ以下のレーザ
ーを照射してＮＦＯを形成し、このＮＦＯにより基板の
酸化絶縁膜をエッチングする工程とを具備した基板の酸
化物のエッチング方法。 - （２）ＮＦ＿３ガス雰囲気中に基板を配置し、基板にＡ
ｒＦレーザー光を照射して、基板に吸着している酸素を
脱離させ、基板をクリーニングする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2130378A JP3053410B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 基板の酸化物のエッチング方法及び基板のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2130378A JP3053410B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 基板の酸化物のエッチング方法及び基板のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426116A true JPH0426116A (ja) | 1992-01-29 |
| JP3053410B2 JP3053410B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=15032914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2130378A Expired - Fee Related JP3053410B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 基板の酸化物のエッチング方法及び基板のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3053410B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002025713A1 (en) * | 2000-09-25 | 2002-03-28 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | Gas compositions for cleaning the interiors of reactors as well as for etching films of silicon-containing compounds |
| JP2003144905A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-20 | Central Glass Co Ltd | ガスクリーニング方法 |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP2130378A patent/JP3053410B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002025713A1 (en) * | 2000-09-25 | 2002-03-28 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | Gas compositions for cleaning the interiors of reactors as well as for etching films of silicon-containing compounds |
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