JPH0426219B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0426219B2 JPH0426219B2 JP58116160A JP11616083A JPH0426219B2 JP H0426219 B2 JPH0426219 B2 JP H0426219B2 JP 58116160 A JP58116160 A JP 58116160A JP 11616083 A JP11616083 A JP 11616083A JP H0426219 B2 JPH0426219 B2 JP H0426219B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- resistance value
- impurity
- film
- polycrystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/40—Resistors
- H10D1/47—Resistors having no potential barriers
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、レーザを使用する、半導体集積回路
内に形成された抵抗体の抵抗値調整方法に関す
る。
内に形成された抵抗体の抵抗値調整方法に関す
る。
近年、半導体集積回路は高集積化・高性能化が
要求されて来ている。そのため、半導体集積回路
内に形成されている抵抗体の抵抗値を、半導体集
積回路完成後に、全体の特性を測定しながら調整
する手法が行なわれるようになつた。この抵抗値
の調整にはレーザが用いられている。この方法
は、セラミツク基板上に形成された厚膜あるいは
薄膜抵抗体の調整に一般的に用いられている方法
に類似している。すなわち、第１図に示すよう
に、Si基板１上にSiO2膜２等によつて絶縁され
て窒化タンタル、クロムシリコン、多結晶シリコ
ン等で形成された抵抗体３の一部をレーザ・ビー
ム４を用いて除去し、電極５Ａと５Ｂの間の抵抗
値を調整するか、第２図に示すように抵抗体３に
スポツト加工（加工跡６）を施し、抵抗値を調整
するか、または第３図に示すように梯子段状の抵
抗体７を切断することにより、電極５Ａと５Ｂの
間の抵抗値を調整する方法が用いられていた。
要求されて来ている。そのため、半導体集積回路
内に形成されている抵抗体の抵抗値を、半導体集
積回路完成後に、全体の特性を測定しながら調整
する手法が行なわれるようになつた。この抵抗値
の調整にはレーザが用いられている。この方法
は、セラミツク基板上に形成された厚膜あるいは
薄膜抵抗体の調整に一般的に用いられている方法
に類似している。すなわち、第１図に示すよう
に、Si基板１上にSiO2膜２等によつて絶縁され
て窒化タンタル、クロムシリコン、多結晶シリコ
ン等で形成された抵抗体３の一部をレーザ・ビー
ム４を用いて除去し、電極５Ａと５Ｂの間の抵抗
値を調整するか、第２図に示すように抵抗体３に
スポツト加工（加工跡６）を施し、抵抗値を調整
するか、または第３図に示すように梯子段状の抵
抗体７を切断することにより、電極５Ａと５Ｂの
間の抵抗値を調整する方法が用いられていた。
しかし、これらの方法は、いずれも形成された
抵抗体の一部を除去するものであり、本来の抵抗
値より増大させることにより調整を行なうため、
抵抗値が必要とする値より高い場合には、調整不
可能であつた。また、抵抗値の調整は半導体集積
回路完成後に行なうために、回路全体がパツシベ
ーシヨン膜でコートされており、レーザ除去部で
はパツシベーシヨン膜も除去されてしまい、信頼
性の観点から、その部分を再度パツシベーシヨン
膜でコートする必要があつた。
抵抗体の一部を除去するものであり、本来の抵抗
値より増大させることにより調整を行なうため、
抵抗値が必要とする値より高い場合には、調整不
可能であつた。また、抵抗値の調整は半導体集積
回路完成後に行なうために、回路全体がパツシベ
ーシヨン膜でコートされており、レーザ除去部で
はパツシベーシヨン膜も除去されてしまい、信頼
性の観点から、その部分を再度パツシベーシヨン
膜でコートする必要があつた。
本発明の目的は、以上述べた従来技術の欠点を
除去し、予め作成された抵抗値を増大させるだけ
ではなく、低下させることも可能で、かつパツシ
ベーシヨン膜に損傷を与えない半導体集積回路内
抵抗体の抵抗値調整方法を提供することである。
除去し、予め作成された抵抗値を増大させるだけ
ではなく、低下させることも可能で、かつパツシ
ベーシヨン膜に損傷を与えない半導体集積回路内
抵抗体の抵抗値調整方法を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明による半導
体集積回路内抵抗体の抵抗値調整方法は、半導体
集積回路内に形成され、第１導電型の不純物が所
定の価に近い濃度にドープされ、パツシベーシヨ
ン膜で被覆されている多結晶シリコン抵抗体の近
傍に第１導電型の不純物を含む膜および上記第１
導電型とは反対の第２導電型の不純物を含む膜を
設けておき、上記パツシベーシヨン膜を通して、
上記抵抗体の抵抗値を低下させたいときは上記第
１導電型の不純物を含む膜の所定の領域を、上記
抵抗値を増大させたいときは上記第２導電型の不
純物を含む膜の所定の領域をレーザ・ビームで照
射し、加熱することによつて上記不純物を含む膜
から上記抵抗体に向つて上記不純物を拡散させ、
上記抵抗値を低下または増大させることを要旨と
する。すなわち、本発明は、不純物をドープした
多結晶シリコンを抵抗体として用い、この多結晶
シリコン抵抗体にドープされている不純物と同じ
導電型の不純物をさらにレーザ加熱により拡散さ
せて抵抗値を低減させるか、または反対導電型の
不純物を拡散させて抵抗値を増加させることによ
り、抵抗値の低減または増大を図り、必要な抵抗
値に調整するものである。
体集積回路内抵抗体の抵抗値調整方法は、半導体
集積回路内に形成され、第１導電型の不純物が所
定の価に近い濃度にドープされ、パツシベーシヨ
ン膜で被覆されている多結晶シリコン抵抗体の近
傍に第１導電型の不純物を含む膜および上記第１
導電型とは反対の第２導電型の不純物を含む膜を
設けておき、上記パツシベーシヨン膜を通して、
上記抵抗体の抵抗値を低下させたいときは上記第
１導電型の不純物を含む膜の所定の領域を、上記
抵抗値を増大させたいときは上記第２導電型の不
純物を含む膜の所定の領域をレーザ・ビームで照
射し、加熱することによつて上記不純物を含む膜
から上記抵抗体に向つて上記不純物を拡散させ、
上記抵抗値を低下または増大させることを要旨と
する。すなわち、本発明は、不純物をドープした
多結晶シリコンを抵抗体として用い、この多結晶
シリコン抵抗体にドープされている不純物と同じ
導電型の不純物をさらにレーザ加熱により拡散さ
せて抵抗値を低減させるか、または反対導電型の
不純物を拡散させて抵抗値を増加させることによ
り、抵抗値の低減または増大を図り、必要な抵抗
値に調整するものである。
上記抵抗体の抵抗値は、照射を抵抗体上の一定
面積で行ない、照射量を変えることによつても、
単合面積当りの照射量を一定に保ち、照射面積を
変えることによつても行なうことができる。照射
量を変えるには、照射時間またはパルス数を変え
るのが便利である。
面積で行ない、照射量を変えることによつても、
単合面積当りの照射量を一定に保ち、照射面積を
変えることによつても行なうことができる。照射
量を変えるには、照射時間またはパルス数を変え
るのが便利である。
以下に、図面を参照しながら、実施例を用いて
本発明を一層詳細に説明するが、それらは例示に
過ぎず、本発明の枠を越えることなしにいろいろ
な変形や改良があり得ることは勿論である。
本発明を一層詳細に説明するが、それらは例示に
過ぎず、本発明の枠を越えることなしにいろいろ
な変形や改良があり得ることは勿論である。
第４図は、本発明の抵抗値調整方法を適用する
ための、半導体集積回路上に形成された抵抗体を
示す。第４図ａは平面図、第４図ｂはその断面図
である。Si基板１上に、SiO2膜２を介してｎ導
電型の不純物がドープされた多結晶シリコーン抵
抗体１１が形成され、その両端はAl配線１２Ａ
および１２Ｂを介して他の素子（例えばダイオー
ドやトランジスタ）に接続されている。多結晶シ
リコン抵抗体１１上にはSiO2膜１３を介してｐ
導電型の不純物が高濃度にドープされた多結晶シ
リコン層１４が島状に形成され、その上にSiO2
層１５、燐ガラス層１６、SiO2層あるいはSi3N4
層、あるいはその両方からなる最終パツシベーシ
ヨン膜１７が形成されている。
ための、半導体集積回路上に形成された抵抗体を
示す。第４図ａは平面図、第４図ｂはその断面図
である。Si基板１上に、SiO2膜２を介してｎ導
電型の不純物がドープされた多結晶シリコーン抵
抗体１１が形成され、その両端はAl配線１２Ａ
および１２Ｂを介して他の素子（例えばダイオー
ドやトランジスタ）に接続されている。多結晶シ
リコン抵抗体１１上にはSiO2膜１３を介してｐ
導電型の不純物が高濃度にドープされた多結晶シ
リコン層１４が島状に形成され、その上にSiO2
層１５、燐ガラス層１６、SiO2層あるいはSi3N4
層、あるいはその両方からなる最終パツシベーシ
ヨン膜１７が形成されている。
一般に、多結晶シリコン抵抗体１１はｎ導電型
の不純物として燐がドープされた50〜500nｍの
厚さで、シート抵抗値は数10Ω／□〜椎100k
Ω／□に形成される。また、SiO2層１３および
１５はそれぞれ膜厚が50〜300nｍ、ｐ導電型不
純物がドープされた多結晶シリコン層１４は厚さ
50〜500nｍで抵抗体１１と同程度の不純物濃度
を持つており、燐ガラス膜１６は燐濃度が１〜10
モル％で厚さが100〜1000nｍ、最終パツシベー
シヨン膜１７は100〜4000nｍの厚さである。
の不純物として燐がドープされた50〜500nｍの
厚さで、シート抵抗値は数10Ω／□〜椎100k
Ω／□に形成される。また、SiO2層１３および
１５はそれぞれ膜厚が50〜300nｍ、ｐ導電型不
純物がドープされた多結晶シリコン層１４は厚さ
50〜500nｍで抵抗体１１と同程度の不純物濃度
を持つており、燐ガラス膜１６は燐濃度が１〜10
モル％で厚さが100〜1000nｍ、最終パツシベー
シヨン膜１７は100〜4000nｍの厚さである。
ここで、試料として、多結晶シリコン抵抗体１
１は燐がドープされた多結晶シリコンで、膜厚
300nｍ、シート抵抗値10kΩ／□、幅5μｍ、長さ
30μｍに形成され、SiO2膜１３，１５にはそれぞ
れ膜厚70nｍのもの、燐ガラス膜１６には４モル
％、膜厚400nｍのもの、パツシベーシヨン膜１
７にはSi3N4の単層膜で膜厚1000nｍのものが使
用された。
１は燐がドープされた多結晶シリコンで、膜厚
300nｍ、シート抵抗値10kΩ／□、幅5μｍ、長さ
30μｍに形成され、SiO2膜１３，１５にはそれぞ
れ膜厚70nｍのもの、燐ガラス膜１６には４モル
％、膜厚400nｍのもの、パツシベーシヨン膜１
７にはSi3N4の単層膜で膜厚1000nｍのものが使
用された。
第４図に示す多結晶シリコン抵抗体の所定の領
域を第５図に示す光学系を用いてレーザ・ビーム
で照射する。すなわち、第５図に示す光学系は、
レーザ発振器（図示せず）より発振されたレーザ
光２１を任意の寸法に成形できる可変スリツト２
２により、抵抗体１１への照射形状に合致した矩
形に成形し、対物レンズ２３が可変スリツト２２
の実像を結ぶ位置に置かれた抵抗体１１に、絶縁
膜１７，１６，１５，１３を透過して、対物レン
ズ２３の倍率の逆数の大きさで集光し、投射する
構成になつている。なお、第５図において、抵抗
体１１の上に形成されている層は省略して示して
ある。またレーザ発振器はN2レーザ励起ダイ・
レーザで、レーザ光の波長は510nｍ、パルス幅
は半値幅で6nsである。
域を第５図に示す光学系を用いてレーザ・ビーム
で照射する。すなわち、第５図に示す光学系は、
レーザ発振器（図示せず）より発振されたレーザ
光２１を任意の寸法に成形できる可変スリツト２
２により、抵抗体１１への照射形状に合致した矩
形に成形し、対物レンズ２３が可変スリツト２２
の実像を結ぶ位置に置かれた抵抗体１１に、絶縁
膜１７，１６，１５，１３を透過して、対物レン
ズ２３の倍率の逆数の大きさで集光し、投射する
構成になつている。なお、第５図において、抵抗
体１１の上に形成されている層は省略して示して
ある。またレーザ発振器はN2レーザ励起ダイ・
レーザで、レーザ光の波長は510nｍ、パルス幅
は半値幅で6nsである。
ここで、第４図に示した多結晶シリコン抵抗体
１１に対して、その上にｐ導電型不純物がドープ
された島状の多結晶シリコン層１４のない部分、
すなわちSiO2膜１３，１５を介して燐ガラス膜
１６が存在する部分の長さ10μｍにレーザを投射
した。この時の照射レーザ・パルス数と抵抗値の
関係を第６図に示す。レーザ照射前に約60kΩで
あつた抵抗値が照射パルス数とともに低下し、10
〜30パルスで比較的急激な変化を示し、50パルス
以後は41kΩの一定の値を有し、殆んど変化しな
かつた。このことから、抵抗値を測定しながらレ
ーザ・ビームで照射し、所定の抵抗値が得られた
時点で照射を停止することにより、60kΩと41k
Ωの間の任意の抵抗値に（パルス照射によるた
め、連続的ではなく段階的に変化するが）調整す
ることができる。
１１に対して、その上にｐ導電型不純物がドープ
された島状の多結晶シリコン層１４のない部分、
すなわちSiO2膜１３，１５を介して燐ガラス膜
１６が存在する部分の長さ10μｍにレーザを投射
した。この時の照射レーザ・パルス数と抵抗値の
関係を第６図に示す。レーザ照射前に約60kΩで
あつた抵抗値が照射パルス数とともに低下し、10
〜30パルスで比較的急激な変化を示し、50パルス
以後は41kΩの一定の値を有し、殆んど変化しな
かつた。このことから、抵抗値を測定しながらレ
ーザ・ビームで照射し、所定の抵抗値が得られた
時点で照射を停止することにより、60kΩと41k
Ωの間の任意の抵抗値に（パルス照射によるた
め、連続的ではなく段階的に変化するが）調整す
ることができる。
つぎに、第４図に示した多結晶シリコン抵抗体
１１をその上に形成されているｐ導電型不純物が
ドープされた島状の多結晶シリコン層１４上の
SiO2膜１５、燐ガラス膜１６、パツシベーシヨ
ン膜１７を通して長さ5μｍの領域内でレーザ・
ビームで照射した。この時の照射レーザ・パルス
数と抵抗値の関係を第７図に示す。レーザ照射前
に約60kΩであつた抵抗値が30〜60パルスで比較
的急激な変化を示し、70パルス以後は84kΩの一
定の値を持ち、殆んど変化しなかつた。このこと
から、所定の抵抗値が得られた時点でレーザ照射
を停止することにより60kΩと84kΩの間の任意
の抵抗値に（パルス照射のため、連続的ではなく
段階的に変化するが）調整することができる。す
なわち、第４図に示す多結晶シリコン抵抗体に対
してレーザ照射位置を選ぶことにより、初期値
60kΩから出発して41〜84kΩの間の任意の抵抗
値に調整できることになる。この時の照射レー
ザ・パワー密度を１〜２パルスで多結晶シリコン
抵抗体１１に除去加工を施すことができるパワー
密度の1/3に設定したが、100パルス照射後でも、
パツシベーシヨン膜１７に何らの損傷または痕跡
も見い出せなかつた。
１１をその上に形成されているｐ導電型不純物が
ドープされた島状の多結晶シリコン層１４上の
SiO2膜１５、燐ガラス膜１６、パツシベーシヨ
ン膜１７を通して長さ5μｍの領域内でレーザ・
ビームで照射した。この時の照射レーザ・パルス
数と抵抗値の関係を第７図に示す。レーザ照射前
に約60kΩであつた抵抗値が30〜60パルスで比較
的急激な変化を示し、70パルス以後は84kΩの一
定の値を持ち、殆んど変化しなかつた。このこと
から、所定の抵抗値が得られた時点でレーザ照射
を停止することにより60kΩと84kΩの間の任意
の抵抗値に（パルス照射のため、連続的ではなく
段階的に変化するが）調整することができる。す
なわち、第４図に示す多結晶シリコン抵抗体に対
してレーザ照射位置を選ぶことにより、初期値
60kΩから出発して41〜84kΩの間の任意の抵抗
値に調整できることになる。この時の照射レー
ザ・パワー密度を１〜２パルスで多結晶シリコン
抵抗体１１に除去加工を施すことができるパワー
密度の1/3に設定したが、100パルス照射後でも、
パツシベーシヨン膜１７に何らの損傷または痕跡
も見い出せなかつた。
以上に述べた実施例では、抵抗値の調整範囲は
初期値に対して、±30％程度であるが、この調整
範囲は、多結晶シリコン抵抗体１１とその周辺の
構成により可変であることは明らかである。すな
わち、多結晶シリコン抵抗体１１の上に形成され
るｐ導電型不純物がドープされた島状の多結晶シ
リコン層１４の、多結晶シリコン抵抗体１１を覆
う長さ（電極5Aと5Bを結ぶ方向）を大きくし、
かつレーザ照射する長さを大きくするか、あるい
は、ｐ導電型不純物がドープされた島状の多結晶
シリコン層１４の不純物濃度を上げることによ
り、抵抗値はより高くまで調整可能となり、ま
た、ｐ導電型の不純物がドープされた島状の多結
晶シリコン層１４に覆われない部分（長さ）を大
きくとり、かつレーザを投射する長さを大きくす
ることにより、抵抗値はより低くまで調整可能と
なる。
初期値に対して、±30％程度であるが、この調整
範囲は、多結晶シリコン抵抗体１１とその周辺の
構成により可変であることは明らかである。すな
わち、多結晶シリコン抵抗体１１の上に形成され
るｐ導電型不純物がドープされた島状の多結晶シ
リコン層１４の、多結晶シリコン抵抗体１１を覆
う長さ（電極5Aと5Bを結ぶ方向）を大きくし、
かつレーザ照射する長さを大きくするか、あるい
は、ｐ導電型不純物がドープされた島状の多結晶
シリコン層１４の不純物濃度を上げることによ
り、抵抗値はより高くまで調整可能となり、ま
た、ｐ導電型の不純物がドープされた島状の多結
晶シリコン層１４に覆われない部分（長さ）を大
きくとり、かつレーザを投射する長さを大きくす
ることにより、抵抗値はより低くまで調整可能と
なる。
さらに、本実施例では、多結晶シリコン抵抗体
１１としてｎ導電型不純物がドープされた多結晶
シリコンを使用したが、ｐ導電型の不純物がドー
プされた多結晶シリコンを抵抗体として用い、そ
の上に形成される島状の多結晶シリコン層として
ｎ導電型の不純物でドープされたものを用い、か
つ燐ガラスの代りにボロンガラスを形成すること
により、全く同様に抵抗値の増大または低減を任
意に行なうことができることは明らかである。
１１としてｎ導電型不純物がドープされた多結晶
シリコンを使用したが、ｐ導電型の不純物がドー
プされた多結晶シリコンを抵抗体として用い、そ
の上に形成される島状の多結晶シリコン層として
ｎ導電型の不純物でドープされたものを用い、か
つ燐ガラスの代りにボロンガラスを形成すること
により、全く同様に抵抗値の増大または低減を任
意に行なうことができることは明らかである。
以上の実施例においては、多結晶シリコン抵抗
体１４と同一導電型の不純物を含む膜（第４図ｂ
では燐ガラス層１６）も反対導電型の不純物を含
む膜（第４図ｂでは多結晶シリコン膜１４）も多
結晶シリコン抵抗体１４の上に設けられている
が、それらの膜は必ずしも抵抗体１４の上にある
必要はなく、レーザ・ビームで加熱されたとき、
そこに含まれている不純物が抵抗体１４を囲んで
いる絶縁膜（第４図ｂにおいては、SiO2膜１３、
またはSiO2膜１３と１５を通して多結晶シリコ
ン抵抗体まで拡散できるような近傍であれば、横
にあつても下にあつてもよいことは勿論である。
体１４と同一導電型の不純物を含む膜（第４図ｂ
では燐ガラス層１６）も反対導電型の不純物を含
む膜（第４図ｂでは多結晶シリコン膜１４）も多
結晶シリコン抵抗体１４の上に設けられている
が、それらの膜は必ずしも抵抗体１４の上にある
必要はなく、レーザ・ビームで加熱されたとき、
そこに含まれている不純物が抵抗体１４を囲んで
いる絶縁膜（第４図ｂにおいては、SiO2膜１３、
またはSiO2膜１３と１５を通して多結晶シリコ
ン抵抗体まで拡散できるような近傍であれば、横
にあつても下にあつてもよいことは勿論である。
また、本実施例ではレーザ光２１として、N2
レーザ励起ダイ・レーザを使用しているが、これ
に限定されるものでななく、パツシベーシヨン膜
１７、燐ガラス膜１６、SiO2膜１５，１３を透
過する波長で、多結晶シリコンを加熱できるもの
であれば、連続発振、パルス発振にかかわらず、
適用可能であることは明らかである。パツシベー
シヨン膜１７がSiO2のとき、膜１５，１６，１
７はすべてSiO2であり、300nｍ〜2μｍの波長に
対して透明である。パツシベーシヨン膜１７が
Si3N4のときは、膜１５，１６，１７は400nｍ〜
2μｍの波長に対して透明である。レーザ光が膜
１５，１６，１７に対して透明でなければ、レー
ザ光はそれらの膜によつて吸収されるから、それ
らの膜の温度が上昇し、損傷が発生するだけでは
なく、多結晶シリコン層に加熱に必要なエネルギ
を供給できないことになる。波長が1.1μｍ以上に
なると、レーザ光はSiを透過し、多結晶シリコン
層を加熱しないから、使用されるレーザ光の波長
は400nｍと1.1μｍの間になければならない。
レーザ励起ダイ・レーザを使用しているが、これ
に限定されるものでななく、パツシベーシヨン膜
１７、燐ガラス膜１６、SiO2膜１５，１３を透
過する波長で、多結晶シリコンを加熱できるもの
であれば、連続発振、パルス発振にかかわらず、
適用可能であることは明らかである。パツシベー
シヨン膜１７がSiO2のとき、膜１５，１６，１
７はすべてSiO2であり、300nｍ〜2μｍの波長に
対して透明である。パツシベーシヨン膜１７が
Si3N4のときは、膜１５，１６，１７は400nｍ〜
2μｍの波長に対して透明である。レーザ光が膜
１５，１６，１７に対して透明でなければ、レー
ザ光はそれらの膜によつて吸収されるから、それ
らの膜の温度が上昇し、損傷が発生するだけでは
なく、多結晶シリコン層に加熱に必要なエネルギ
を供給できないことになる。波長が1.1μｍ以上に
なると、レーザ光はSiを透過し、多結晶シリコン
層を加熱しないから、使用されるレーザ光の波長
は400nｍと1.1μｍの間になければならない。
中間透過層であるSiO2膜１３および１５はフ
オスフオシリケート化またはボロシリケート化し
たり、それらの膜にピンオールが生じたりする
が、最終パツシベーシヨン膜１７にピンホールが
生じたり、それが除去されたりすることがない限
り集積回路全体としては問題にならない。
オスフオシリケート化またはボロシリケート化し
たり、それらの膜にピンオールが生じたりする
が、最終パツシベーシヨン膜１７にピンホールが
生じたり、それが除去されたりすることがない限
り集積回路全体としては問題にならない。
第８図は本発明の第２の実施の態様による半導
体集積回路内抵抗の抵抗値調整方法を説明するた
めの平面図である。第８図に示すように、第４図
に示した多結晶シリコン抵抗体１１上のレーザ照
射領域２４Ａの長さを2μｍとし、前に述べたレ
ーザ照射条件で50パルス照射し、つぎにレーザ照
射領域を2μｍ移動させて、レーザ照射領域２４
Ｂに50パルス照射する。これを順次繰返すことに
より、抵抗値は段階的に低下した。すなわち、第
９図に示すように、照射回数（各レーザ照射領域
で50パルス照射することを１回として）ととも
に、初期値約60kΩであつたものが約3.8kΩずつ
低下し、照射回数７回で33kΩまで低下した。こ
の時の照射領域の延長さは14μｍである。
体集積回路内抵抗の抵抗値調整方法を説明するた
めの平面図である。第８図に示すように、第４図
に示した多結晶シリコン抵抗体１１上のレーザ照
射領域２４Ａの長さを2μｍとし、前に述べたレ
ーザ照射条件で50パルス照射し、つぎにレーザ照
射領域を2μｍ移動させて、レーザ照射領域２４
Ｂに50パルス照射する。これを順次繰返すことに
より、抵抗値は段階的に低下した。すなわち、第
９図に示すように、照射回数（各レーザ照射領域
で50パルス照射することを１回として）ととも
に、初期値約60kΩであつたものが約3.8kΩずつ
低下し、照射回数７回で33kΩまで低下した。こ
の時の照射領域の延長さは14μｍである。
また、多結晶シリコン抵抗体１１上に設けられ
た、その多結晶シリコン抵抗体にドープされた不
純物とは異なる不純物がドープされた島状の多結
晶シリコン層１４上で、第８図で説明した手順で
各レーザ照射領域を70パルスずつ照射することに
より、抵抗値は段階的に増大した。すなわち第４
図（あるいは第８図）に示した多結晶シリコン抵
抗体に対して照射位置を選択することにより、初
期抵抗値を増大させることも低減させることを任
意に行なうことができる。
た、その多結晶シリコン抵抗体にドープされた不
純物とは異なる不純物がドープされた島状の多結
晶シリコン層１４上で、第８図で説明した手順で
各レーザ照射領域を70パルスずつ照射することに
より、抵抗値は段階的に増大した。すなわち第４
図（あるいは第８図）に示した多結晶シリコン抵
抗体に対して照射位置を選択することにより、初
期抵抗値を増大させることも低減させることを任
意に行なうことができる。
さらに、本実施例では、第５図に示した光学系
によりレーザ照射する場合について説明して来た
が、通常のレーザ加工と同様に円形スポツトに集
光して、同一箇所に50パルス、あるいは70パルス
照射した後、照射位置を移動させ、さらにレーザ
照射する手順を繰り返えすことにより、全く同じ
効果が得られることは明らかである。
によりレーザ照射する場合について説明して来た
が、通常のレーザ加工と同様に円形スポツトに集
光して、同一箇所に50パルス、あるいは70パルス
照射した後、照射位置を移動させ、さらにレーザ
照射する手順を繰り返えすことにより、全く同じ
効果が得られることは明らかである。
以上説明した通り、本発明によれば、半導体集
積回路内の抵抗体の抵抗値をパツシベーシヨン膜
に損傷を与えることなしに任意に増大あるいは低
下させることができ、高性能、高信頼性の半導体
集積回路を高歩留りに製造できるという効果が得
られる。
積回路内の抵抗体の抵抗値をパツシベーシヨン膜
に損傷を与えることなしに任意に増大あるいは低
下させることができ、高性能、高信頼性の半導体
集積回路を高歩留りに製造できるという効果が得
られる。
第１図から第３図までは従来の三つの異つた半
導体集積回路内抵抗体の抵抗値調整方法を説明す
るための斜視図、第４図ａおよびｂは本発明の抵
抗値調整方法を適用するための、半導体集積回路
上に形成された抵抗体のそれぞれ平面図および断
面図、第５図は本発明による抵抗値調整方法を実
施するためのレーザ光学系の斜視図、第６図およ
び第７図はそれぞれ抵抗体とは反対導電型の領域
および同一導電型の領域をレーザ・ビームで照射
したときの照射パルス数と抵抗体の抵抗値の関係
を示すダイヤグラム、第８図は本発明の他の一つ
の実施の態様による抵抗値調整方法を説明するた
めの平面図、第９図は第８図に示す実施の態様に
おける照射回数と抵抗体の抵抗値の関係を示すダ
イヤグラムである。 １……Si基板、２……SiO2膜、１１……ｎ型
多結晶シリコン抵抗体、１２Ａ，１２Ｂ……電
極、１３，１５……SiO2膜、１４……ｐ型多結
晶シリコン層、１６……燐ガラス膜、１７……最
終パツシベーシヨン膜、２１……レーザ光、２２
……可変スリツト、２３……対物レンズ、２４
Ａ，２４Ｂ……レーザ照射領域。
導体集積回路内抵抗体の抵抗値調整方法を説明す
るための斜視図、第４図ａおよびｂは本発明の抵
抗値調整方法を適用するための、半導体集積回路
上に形成された抵抗体のそれぞれ平面図および断
面図、第５図は本発明による抵抗値調整方法を実
施するためのレーザ光学系の斜視図、第６図およ
び第７図はそれぞれ抵抗体とは反対導電型の領域
および同一導電型の領域をレーザ・ビームで照射
したときの照射パルス数と抵抗体の抵抗値の関係
を示すダイヤグラム、第８図は本発明の他の一つ
の実施の態様による抵抗値調整方法を説明するた
めの平面図、第９図は第８図に示す実施の態様に
おける照射回数と抵抗体の抵抗値の関係を示すダ
イヤグラムである。 １……Si基板、２……SiO2膜、１１……ｎ型
多結晶シリコン抵抗体、１２Ａ，１２Ｂ……電
極、１３，１５……SiO2膜、１４……ｐ型多結
晶シリコン層、１６……燐ガラス膜、１７……最
終パツシベーシヨン膜、２１……レーザ光、２２
……可変スリツト、２３……対物レンズ、２４
Ａ，２４Ｂ……レーザ照射領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体集積回路内に形成され、第１導電型の
不純物が所定の価に近い濃度にドープされ、パツ
シベーシヨン膜で被覆されている多結晶シリコン
抵抗体の近傍に第１導電型の不純物を含む膜およ
び上記第１導電型とは反対の第２導電型の不純物
を含む膜を設けておき、上記パツシベーシヨン膜
を通して、上記抵抗体の抵抗値を低下させたいと
きは上記第１導電型の不純物を含む膜の所定の領
域を、上記抵抗値を増大させたいときは上記第２
導電型の不純物を含む膜の所定の領域をレーザ・
ビームで照射し、加熱することによつて上記不純
物を含む膜から上記抵抗体に向つて上記不純物を
拡散させ、上記抵抗値を低下または増大させるこ
とを特徴とする半導体集積回路内抵抗体の抵抗値
調整方法。 ２ 上記照射が上記抵抗体の一定面積で行なわ
れ、上記抵抗体の抵抗値の制御が上記拡散の程度
を制御することによつて行なわれることを特徴と
する、特許請求の範囲第１項記載の半導体集積回
路内抵抗の抵抗値調整方法。 ３ 上記不純物の拡散の程度の制御が上記レーザ
の照射時間またはパルス数を制御することによつ
て行なわれることを特徴とする、特許請求の範囲
第２項記載の半導体集積回路内抵抗の抵抗値調整
方法。 ４ 上記抵抗体の抵抗値の制御がレーザ・ビーム
で照射する面積を制御することによつて行なわれ
ることを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載
の半導体集積回路内抵抗の抵抗値調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116160A JPS609153A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体集積回路内抵抗体の抵抗値調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116160A JPS609153A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体集積回路内抵抗体の抵抗値調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609153A JPS609153A (ja) | 1985-01-18 |
| JPH0426219B2 true JPH0426219B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=14680258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116160A Granted JPS609153A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体集積回路内抵抗体の抵抗値調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609153A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085550A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路の抵抗値調整方法 |
| JP2685498B2 (ja) * | 1988-05-25 | 1997-12-03 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP2008159608A (ja) | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の設計装置 |
| JP7244180B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-03-22 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 電圧クランプ回路及び集積回路。 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58116160A patent/JPS609153A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS609153A (ja) | 1985-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900000561B1 (ko) | 반도체 집적회로의 제법 및 그를 이용하여 제조된 장치 | |
| JP2973492B2 (ja) | 半導体薄膜の結晶化方法 | |
| US4381201A (en) | Method for production of semiconductor devices | |
| US4309224A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
| US4399345A (en) | Laser trimming of circuit elements on semiconductive substrates | |
| JPS6281709A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7145104B2 (en) | Silicon layer for uniformizing temperature during photo-annealing | |
| US4351674A (en) | Method of producing a semiconductor device | |
| JPH0426219B2 (ja) | ||
| JPS5891621A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4719183A (en) | Forming single crystal silicon on insulator by irradiating a laser beam having dual peak energy distribution onto polysilicon on a dielectric substrate having steps | |
| US3427516A (en) | Light emitting junction device using silicon as a dopant | |
| JP2870933B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2524049B2 (ja) | 半導体集積回路およびその製造方法 | |
| US9958709B2 (en) | Dynamic optical valve for mitigating non-uniform heating in laser processing | |
| JP7025817B2 (ja) | バイポーラトランジスタの製造方法 | |
| JPH0512862B2 (ja) | ||
| JPS5833822A (ja) | 半導体基体の製作方法 | |
| JPS5928328A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0318335B2 (ja) | ||
| JP2631121B2 (ja) | 半導体薄膜のレーザー溶融再結晶化方法 | |
| JPS61226916A (ja) | 多結晶またはアモルファスの半導体材料を単結晶半導体材料に転化する方法 | |
| JPH03166757A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0851211A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS6119102B2 (ja) |