JPH0512862B2 - - Google Patents
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- JPH0512862B2 JPH0512862B2 JP58192403A JP19240383A JPH0512862B2 JP H0512862 B2 JPH0512862 B2 JP H0512862B2 JP 58192403 A JP58192403 A JP 58192403A JP 19240383 A JP19240383 A JP 19240383A JP H0512862 B2 JPH0512862 B2 JP H0512862B2
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- Japan
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- resistor
- resistance value
- layer
- poly
- doped
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
- H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
- H10P34/42—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は抵抗値が制御されたPoly−Si抵抗体
を有する半導体集積回路の抵抗値調整方法に関す
る。
を有する半導体集積回路の抵抗値調整方法に関す
る。
近年、半導体集積回路は高集積化・高性能化が
進んでいる。そのため、半導体集積回路完成後に
全体の特性を測定しながら、半導体集積回路内に
形成されて抵抗体の抵抗値を調整する手法が用い
られる様になつて来た。この抵抗値の調整にはレ
ーザが用いられている。この方法は、セラミツク
基板上に形成された厚膜、あるいは薄膜の抵抗体
の調整に一般的に用いられている方法と類似であ
る。即ち、第１図に示す様にSi基板１上にSiO2
膜２等によつて絶縁されて、窒化タンタル、クロ
ムシリコン、ニクロム、ポリシリコンなどで形成
された抵抗体３に対して、レーザ光４により、抵
抗体３の一部を除去加工することによつて、例え
ば抵抗体３の両端の電極５，５′間の抵抗値を調
整している。あるいは第２図に示す様に、抵抗体
３にスポツト加工（加工跡６）を施して行く、あ
るいは第３図に示す様に、はしご段状の抵抗値７
を切断して行くことにより、電極５，５′間の抵
抗値を調整する方法が用いられていた。
進んでいる。そのため、半導体集積回路完成後に
全体の特性を測定しながら、半導体集積回路内に
形成されて抵抗体の抵抗値を調整する手法が用い
られる様になつて来た。この抵抗値の調整にはレ
ーザが用いられている。この方法は、セラミツク
基板上に形成された厚膜、あるいは薄膜の抵抗体
の調整に一般的に用いられている方法と類似であ
る。即ち、第１図に示す様にSi基板１上にSiO2
膜２等によつて絶縁されて、窒化タンタル、クロ
ムシリコン、ニクロム、ポリシリコンなどで形成
された抵抗体３に対して、レーザ光４により、抵
抗体３の一部を除去加工することによつて、例え
ば抵抗体３の両端の電極５，５′間の抵抗値を調
整している。あるいは第２図に示す様に、抵抗体
３にスポツト加工（加工跡６）を施して行く、あ
るいは第３図に示す様に、はしご段状の抵抗値７
を切断して行くことにより、電極５，５′間の抵
抗値を調整する方法が用いられていた。
しかし、これらの方法はいずれも形成された抵
抗体の一部を除去するものであり、初期の抵抗値
より増大させることにより調整を行うため、初期
の抵抗値が必要とする値より高い場合には、それ
を低く調整することが不可能であつた。また、抵
抗値の調整は半導体集積回路が完成した後で行う
ため、回路全体はパツシベーシヨン膜がコートさ
れており、抵抗体の一部を除去するとパツシベー
ヨン膜も除去されてしまい、信頼性の観点から、
再度パツシベーシヨン膜をコートする必要があつ
た。
抗体の一部を除去するものであり、初期の抵抗値
より増大させることにより調整を行うため、初期
の抵抗値が必要とする値より高い場合には、それ
を低く調整することが不可能であつた。また、抵
抗値の調整は半導体集積回路が完成した後で行う
ため、回路全体はパツシベーシヨン膜がコートさ
れており、抵抗体の一部を除去するとパツシベー
ヨン膜も除去されてしまい、信頼性の観点から、
再度パツシベーシヨン膜をコートする必要があつ
た。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなく
し、パツシベーシヨン膜に損傷を与えること無く
抵抗値を増大または低減させることが可能な、半
導体集積回路の抵抗値調整方法を提供することに
ある。
し、パツシベーシヨン膜に損傷を与えること無く
抵抗値を増大または低減させることが可能な、半
導体集積回路の抵抗値調整方法を提供することに
ある。
本発明は、不純物をドーブしたポリシリコンを
抵抗体として用い、この抵抗体と一部に電流の流
れる方向を横切るように、不純物を全くドープし
ないがまたは微量ドープした高抵抗の領域を設
け、このポリシリコン抵抗体にドーブされている
不純物と同じタイプの不純物をレーザ加熱により
高抵抗の領域内に拡散させて抵抗値を低減させ
る、あるいは、異なるタイプの不純物をポリシリ
コン抵抗体内に拡散させて抵抗値を増大させるこ
とにより、抵抗値の低減・増大をはかり、必要な
（最適な）抵抗値に調整するものである。
抵抗体として用い、この抵抗体と一部に電流の流
れる方向を横切るように、不純物を全くドープし
ないがまたは微量ドープした高抵抗の領域を設
け、このポリシリコン抵抗体にドーブされている
不純物と同じタイプの不純物をレーザ加熱により
高抵抗の領域内に拡散させて抵抗値を低減させ
る、あるいは、異なるタイプの不純物をポリシリ
コン抵抗体内に拡散させて抵抗値を増大させるこ
とにより、抵抗値の低減・増大をはかり、必要な
（最適な）抵抗値に調整するものである。
以下、図面に従つて本発明を説明する。第４図
に、本発明の原理を示す半導体集積回路に形成さ
れた抵抗体を示す。第４図ａは平面図、第４図ｂ
はその断面図であるが、Si基板１上にSiO2膜２
を介してｎタイプの不純物がドープされたPoly
−Si抵抗体１１が形成され、その両端はAl配線
１２，１２′を介して他の素子（ダイオードやト
ランジスタ等）に接続されている。Poly−Si抵
抗体１１上には、SiO2膜１３を介してｎタイプ
の不純物がドープされたPoly−Si層１４、およ
びｐタイプの不純物がドーブされたPoly−Si層
１５が島状に形成され、その上にSiO2層１６お
よび最終的なパツシベーシヨン膜１７として
SiO2層あるいはSi3N4層あるいはその両方からな
る膜が形成されている。
に、本発明の原理を示す半導体集積回路に形成さ
れた抵抗体を示す。第４図ａは平面図、第４図ｂ
はその断面図であるが、Si基板１上にSiO2膜２
を介してｎタイプの不純物がドープされたPoly
−Si抵抗体１１が形成され、その両端はAl配線
１２，１２′を介して他の素子（ダイオードやト
ランジスタ等）に接続されている。Poly−Si抵
抗体１１上には、SiO2膜１３を介してｎタイプ
の不純物がドープされたPoly−Si層１４、およ
びｐタイプの不純物がドーブされたPoly−Si層
１５が島状に形成され、その上にSiO2層１６お
よび最終的なパツシベーシヨン膜１７として
SiO2層あるいはSi3N4層あるいはその両方からな
る膜が形成されている。
一般に、Poly−Si抵抗体１１はｎタイプの不
純物としてリンがドープされた500〜5000Åの厚
さでシート抵抗値は数10Ω／□〜数100KΩ／□に
形成される。また、SiO2層１３は膜厚が500〜
3000Å、ｎタイプの不純物がドープされたPoly
−Si層１４は厚さが500〜5000ÅでPoly−Si抵抗
体より一ケタ以上高い不純物濃度を持ち、ｐタイ
プの不純物がドープされたPoly−Si層１５は厚
さが500〜5000Åで、Poly−Si抵抗体１１と同程
度の不純分濃度を持つている。また、その上に形
成されるSiO2層１６は厚さが500〜3000Å、最終
的なパツシベーシヨン膜１７は1000〜4000Åの厚
さである。
純物としてリンがドープされた500〜5000Åの厚
さでシート抵抗値は数10Ω／□〜数100KΩ／□に
形成される。また、SiO2層１３は膜厚が500〜
3000Å、ｎタイプの不純物がドープされたPoly
−Si層１４は厚さが500〜5000ÅでPoly−Si抵抗
体より一ケタ以上高い不純物濃度を持ち、ｐタイ
プの不純物がドープされたPoly−Si層１５は厚
さが500〜5000Åで、Poly−Si抵抗体１１と同程
度の不純分濃度を持つている。また、その上に形
成されるSiO2層１６は厚さが500〜3000Å、最終
的なパツシベーシヨン膜１７は1000〜4000Åの厚
さである。
ここで、試料とさてPoly−Si抵抗体１１がリ
ンドープPoly−Siで膜厚が3000Å、シート抵抗
値10KΩ／□巾5μｍ、長さ45μｍに形成されたも
のを使用した。第４図に示したPoly−Si抵抗体
に対して、第５図に示す光学系を用いてレーザを
照射する。即ち、第５図に示す光学系はレーザ発
振器（図示せず）より発振されたレーザ光２１を
任意の寸法に成形できる可変スリツト２２によ
り、抵抗体１１および、その上層部に形成された
Poly−Si層１４、または１５への照射形状に合
致した矩形に成形され、対物レンズ２３により、
可変スリツト２２の実像が結ぶ位置に置かれた抵
抗体１１およびその上層部に形成されたPoly−
Si層１４または１５に絶縁膜１６，１７を透過し
て対物レンズ２３の倍率の逆数の大きさで集光照
射される構成になつている。なお、第５図におい
て絶縁膜１６，１７等は省略して示してある。ま
た、レーザ発振器はN2レーザ励起Dyeレーザを
使用しており、レーザ光は波長60nｍ、パるス巾
は半値巾で6nsである。
ンドープPoly−Siで膜厚が3000Å、シート抵抗
値10KΩ／□巾5μｍ、長さ45μｍに形成されたも
のを使用した。第４図に示したPoly−Si抵抗体
に対して、第５図に示す光学系を用いてレーザを
照射する。即ち、第５図に示す光学系はレーザ発
振器（図示せず）より発振されたレーザ光２１を
任意の寸法に成形できる可変スリツト２２によ
り、抵抗体１１および、その上層部に形成された
Poly−Si層１４、または１５への照射形状に合
致した矩形に成形され、対物レンズ２３により、
可変スリツト２２の実像が結ぶ位置に置かれた抵
抗体１１およびその上層部に形成されたPoly−
Si層１４または１５に絶縁膜１６，１７を透過し
て対物レンズ２３の倍率の逆数の大きさで集光照
射される構成になつている。なお、第５図におい
て絶縁膜１６，１７等は省略して示してある。ま
た、レーザ発振器はN2レーザ励起Dyeレーザを
使用しており、レーザ光は波長60nｍ、パるス巾
は半値巾で6nsである。
ここで、第４図に示したPoyh−Si抵抗体に対
してその上にｎタイプ不純物がドープされた
Poly−Si層１４、およびｐタイプの不純物がド
ープされたPoly−Si層１５を介してそれぞれ別
個にPoly−Si抗体体１１に長さ15μｍの部分レー
ザを照射したした。この時のレーザ照射パルス数
と抵抗値の関係を第６に示す。レーザ照射前約
90KΩであつた抵抗値はｎ層１４に照射した場合
には○に示す様に照射パルス数とともに低下し、
50パルス程度で61KΩで一定となり、Ｐ層１５に
照射した場合は●示す様に70パレセ程度で
150KΩ一定となつた。）第６図では10パルス毎の
抵抗値をプロツトしてある。） このことから、レーザを照射する位置を選択
し、抵抗値を測定しながらレーザを照射し、所定
の抵抗値が得られた時点で照射を停止することに
より、当初90KΩであつた抵抗値を61KΩ〜
150KΩの間の任意の抵抗値に（パルス照射のた
め、連続的ではなく段階的に変化するが）調整す
ることができることになる。この時の照射レーザ
パワー密度は１〜２パルスでPoly−Si抵抗体１
１（上にPoly−Si層１４あるいは１５がない場
合）に除去加工を施すことができるパワー密度の
１／３に設定したが、100パルス照射後でも、パツシ
ベーシヨン膜１７には何らのダメージ・痕跡も見
出せなかつた。
してその上にｎタイプ不純物がドープされた
Poly−Si層１４、およびｐタイプの不純物がド
ープされたPoly−Si層１５を介してそれぞれ別
個にPoly−Si抗体体１１に長さ15μｍの部分レー
ザを照射したした。この時のレーザ照射パルス数
と抵抗値の関係を第６に示す。レーザ照射前約
90KΩであつた抵抗値はｎ層１４に照射した場合
には○に示す様に照射パルス数とともに低下し、
50パルス程度で61KΩで一定となり、Ｐ層１５に
照射した場合は●示す様に70パレセ程度で
150KΩ一定となつた。）第６図では10パルス毎の
抵抗値をプロツトしてある。） このことから、レーザを照射する位置を選択
し、抵抗値を測定しながらレーザを照射し、所定
の抵抗値が得られた時点で照射を停止することに
より、当初90KΩであつた抵抗値を61KΩ〜
150KΩの間の任意の抵抗値に（パルス照射のた
め、連続的ではなく段階的に変化するが）調整す
ることができることになる。この時の照射レーザ
パワー密度は１〜２パルスでPoly−Si抵抗体１
１（上にPoly−Si層１４あるいは１５がない場
合）に除去加工を施すことができるパワー密度の
１／３に設定したが、100パルス照射後でも、パツシ
ベーシヨン膜１７には何らのダメージ・痕跡も見
出せなかつた。
以上に述べた本発明の原理の説明においては、
抵抗値の調整範囲は初期値に対して−32％〜＋66
％の範囲であるが、この調整範囲は、Poly−Si
抵抗体１１を覆うｎタイプおよびｐタイプの不純
物がドープされたPoly−Si層１４および１５の
面積を変えることにより可変できることは明らか
である。即ち、Poly−Si抵抗体１１の上層部の
ｎタイプPoly−Si層１４の面積を大きくするこ
とにより、抵抗値低下範囲が広がり、ｐタイプ
Poly−Si層１５の面積を大きくすることにより、
抵抗値増加範囲が広がることは明らかである。
抵抗値の調整範囲は初期値に対して−32％〜＋66
％の範囲であるが、この調整範囲は、Poly−Si
抵抗体１１を覆うｎタイプおよびｐタイプの不純
物がドープされたPoly−Si層１４および１５の
面積を変えることにより可変できることは明らか
である。即ち、Poly−Si抵抗体１１の上層部の
ｎタイプPoly−Si層１４の面積を大きくするこ
とにより、抵抗値低下範囲が広がり、ｐタイプ
Poly−Si層１５の面積を大きくすることにより、
抵抗値増加範囲が広がることは明らかである。
さらに、本発明の原理の説明においては、
Poly−Si抵抗体１１として、ｎタイプの不純物
をドーブしたPoly−Siを使用したが、ｐタイプ
の不純物をドープしたPoly−Siを抵抗体として
用いることも可能である。
Poly−Si抵抗体１１として、ｎタイプの不純物
をドーブしたPoly−Siを使用したが、ｐタイプ
の不純物をドープしたPoly−Siを抵抗体として
用いることも可能である。
また、ｎタイプのPoly−Si抵抗体を用いる場
合にはその上層部のｎタイプPoly−Si層１４の
かわりにPSG（リンガラス）層を形成するか、ｐ
タイプのPoly−Si抵抗体を用いる場合にはｐタ
イプPoly−Si層１５のかわりにBSG（ボロンガラ
ス）層を形成することにより、全く同様に抵抗値
の増加、低減を任意に行うことができることは明
らかである。
合にはその上層部のｎタイプPoly−Si層１４の
かわりにPSG（リンガラス）層を形成するか、ｐ
タイプのPoly−Si抵抗体を用いる場合にはｐタ
イプPoly−Si層１５のかわりにBSG（ボロンガラ
ス）層を形成することにより、全く同様に抵抗値
の増加、低減を任意に行うことができることは明
らかである。
さらに、本発明の原理の説明においては、レー
ザ光２１として、N2レーザ励起Dyeレーザを使
用しているが、これに限定されるものではなく、
パツシベーシヨン膜１６，１７を透過する波長で
Poly−Siを加熱できるものであれば連続発振・
パルス発振にかかわらず、適用可能であることは
明らかである。
ザ光２１として、N2レーザ励起Dyeレーザを使
用しているが、これに限定されるものではなく、
パツシベーシヨン膜１６，１７を透過する波長で
Poly−Siを加熱できるものであれば連続発振・
パルス発振にかかわらず、適用可能であることは
明らかである。
次に本発明の原理を示す別のについて説明す
る。第７図に示す様に、第４図に示したPoly−
Si抵抗体１１に対して、レーザ照射領域２５の長
さを2μｍとし、前に述べたレーザ照射条件でｎ
タイプPoly−Si層１４あるいはｐタイプPoly−
Si層１５ｋを介して70パルス照射し、次に2μｍ移
動させてレーザ照射領域２５′に70パルス照射す
ることを繰返した。これにより、ｎタイプPoly
−Si層１４を介して照射した場合には、抵抗値は
段階的に低下し、ｐタイプPoly−Si層１５を介
して照射した場合には、段階的に増加した。即
ち、第８図に示す様に照射回数（レーザ照射領域
に70パルス照射することを１回として）ととも
に、初期値90KΩであつたものが、ｎタイプPoly
−Si層１４を介して照射した場合には○で示す様
に約4KΩずつ低下し、照射回数７回（照射領域
の延長さは14μｍ）で62KΩに、またｐタイプ
Poly−Si層１５を介して照射した場合には●で
示す様に約8KΩずつ増加し、照射回数７回（照
射領域の延長さは14μｍ）で146KΩに変化した。
る。第７図に示す様に、第４図に示したPoly−
Si抵抗体１１に対して、レーザ照射領域２５の長
さを2μｍとし、前に述べたレーザ照射条件でｎ
タイプPoly−Si層１４あるいはｐタイプPoly−
Si層１５ｋを介して70パルス照射し、次に2μｍ移
動させてレーザ照射領域２５′に70パルス照射す
ることを繰返した。これにより、ｎタイプPoly
−Si層１４を介して照射した場合には、抵抗値は
段階的に低下し、ｐタイプPoly−Si層１５を介
して照射した場合には、段階的に増加した。即
ち、第８図に示す様に照射回数（レーザ照射領域
に70パルス照射することを１回として）ととも
に、初期値90KΩであつたものが、ｎタイプPoly
−Si層１４を介して照射した場合には○で示す様
に約4KΩずつ低下し、照射回数７回（照射領域
の延長さは14μｍ）で62KΩに、またｐタイプ
Poly−Si層１５を介して照射した場合には●で
示す様に約8KΩずつ増加し、照射回数７回（照
射領域の延長さは14μｍ）で146KΩに変化した。
このことから、第４図に示したPoly−Si抵抗
体に対して、照射位置を選択することにより、初
期抵抗値に対して、増大・低減を任意を行うこと
ができる。
体に対して、照射位置を選択することにより、初
期抵抗値に対して、増大・低減を任意を行うこと
ができる。
次に、本発明による抵抗値を増加・低減可能な
抵抗体の第１の実施例を第９図に示す。
抵抗体の第１の実施例を第９図に示す。
Al電極１２と１２′の間にはｎタイプの不純物
がドープされたPoly−Si抵抗体２７が形成され
ている。ｎタイプPoly−Si抵抗体２７は、複数
の抵抗体が並列にならんだ、いわゆる「はしご
段」状の形状をしており、抵抗体として一番距離
の長い部分を除いて、はしご段状の抵抗体の一部
には高抵抗部３０が形成されている。この高抵抗
部３０はPoly−Si抵抗体２７より十分に大きな
抵抗値を持つPoly−Si（不純物がドーフされてい
なくてもよい）である。更に、前記高抵抗部３０
の上層部には、SiO2層（図示せず）を介して
PSG膜（図示せず）が形成されている。一方、
第９図における下半分のPoly−Si抵抗体２７′も
同様にはしご段状の形状をしており、抵抗体とし
て一番距離の長い部分を除いて、はしご段状の抵
抗体の上層部には、ｐタイプの不純物がドープさ
れたPoly−Si層３１が島状に、SiO2層（図では
省略）を介して形成されている。この抵抗体の抵
抗値は主として、高抵抗部３０を設けたはしご段
部では一番距離が長い部分、ｐタイプの不純物が
ドーブされたPoly−Si層３１を有するはしご段
部では、一番距離が短い部分のみで抵抗体を形成
していると考えることができる。（正確には、は
しご段状の低抗体が並列に接続されており、それ
ぞれの抵抗値の逆数の和の逆数として求められ
る。） ここで、まず高抵抗部３０が設けられているは
しご段部に対して、高抵抗部３０とその両端の抵
抗体２７に十分重なる様に第５図に示す光学系を
用いてレーザを照射すると、抵抗体２７，３０の
上層部に形成されているPSG膜（図示せず）よ
り、リンが高抵抗部３０に拡散し、高抵抗部３０
は十分に抵抗値が低下し、短絡状態になる。即
ち、抵抗体２７の距離が一番長い側の高抵抗部３
０から順にレーザを照射することにより、１２と
１２′の間の抵抗値は段階的に低下する。
がドープされたPoly−Si抵抗体２７が形成され
ている。ｎタイプPoly−Si抵抗体２７は、複数
の抵抗体が並列にならんだ、いわゆる「はしご
段」状の形状をしており、抵抗体として一番距離
の長い部分を除いて、はしご段状の抵抗体の一部
には高抵抗部３０が形成されている。この高抵抗
部３０はPoly−Si抵抗体２７より十分に大きな
抵抗値を持つPoly−Si（不純物がドーフされてい
なくてもよい）である。更に、前記高抵抗部３０
の上層部には、SiO2層（図示せず）を介して
PSG膜（図示せず）が形成されている。一方、
第９図における下半分のPoly−Si抵抗体２７′も
同様にはしご段状の形状をしており、抵抗体とし
て一番距離の長い部分を除いて、はしご段状の抵
抗体の上層部には、ｐタイプの不純物がドープさ
れたPoly−Si層３１が島状に、SiO2層（図では
省略）を介して形成されている。この抵抗体の抵
抗値は主として、高抵抗部３０を設けたはしご段
部では一番距離が長い部分、ｐタイプの不純物が
ドーブされたPoly−Si層３１を有するはしご段
部では、一番距離が短い部分のみで抵抗体を形成
していると考えることができる。（正確には、は
しご段状の低抗体が並列に接続されており、それ
ぞれの抵抗値の逆数の和の逆数として求められ
る。） ここで、まず高抵抗部３０が設けられているは
しご段部に対して、高抵抗部３０とその両端の抵
抗体２７に十分重なる様に第５図に示す光学系を
用いてレーザを照射すると、抵抗体２７，３０の
上層部に形成されているPSG膜（図示せず）よ
り、リンが高抵抗部３０に拡散し、高抵抗部３０
は十分に抵抗値が低下し、短絡状態になる。即
ち、抵抗体２７の距離が一番長い側の高抵抗部３
０から順にレーザを照射することにより、１２と
１２′の間の抵抗値は段階的に低下する。
また、ｐタイプの不純物がドープされたPoly
−Si層３１を有するはしご段部に対して、抵抗体
２７の巾方向に十分重なる様にレーザを照射する
と、ｐタイプの不純物が拡散し、レーザ照射部の
抵抗値が増大する。Poly−Si層３１の不純物濃
度を、レーザ照射後に抵抗体２７の不純物濃度と
つり合いがとれる程度にしておくと、レーザ照射
部は極めて高い抵抗値が得られ、レーザ照射部は
絶縁層に変化したと見なすこともできる。即ち、
抵抗体２７の距離が一番短い側から順に、ｐタイ
プの不純物がドープされたPoly−Si層とその下
層部の抵抗体２７にレーザを照射することによ
り、電極１２と１２′の間の抵抗値は、段階的に
増加する。以上のことより、レーザと照射する位
置を選択することにより、電極１２と１２′の間
の抵抗値を任意に、増加・低減させることができ
る。次に、本発明による抵抗値を増加・低減可能
な抵抗体の第２の実施例を第１０図に示す。
−Si層３１を有するはしご段部に対して、抵抗体
２７の巾方向に十分重なる様にレーザを照射する
と、ｐタイプの不純物が拡散し、レーザ照射部の
抵抗値が増大する。Poly−Si層３１の不純物濃
度を、レーザ照射後に抵抗体２７の不純物濃度と
つり合いがとれる程度にしておくと、レーザ照射
部は極めて高い抵抗値が得られ、レーザ照射部は
絶縁層に変化したと見なすこともできる。即ち、
抵抗体２７の距離が一番短い側から順に、ｐタイ
プの不純物がドープされたPoly−Si層とその下
層部の抵抗体２７にレーザを照射することによ
り、電極１２と１２′の間の抵抗値は、段階的に
増加する。以上のことより、レーザと照射する位
置を選択することにより、電極１２と１２′の間
の抵抗値を任意に、増加・低減させることができ
る。次に、本発明による抵抗値を増加・低減可能
な抵抗体の第２の実施例を第１０図に示す。
Al電極１２と１２′の間にはｎタイプの不純物
がドーブされたPoly−Si抵抗体３２が形成され
ている。ｎタイプPoly−Si抵抗体３２のうち、
抵抗値調整部は矩形であり、電流が流れる経路と
直角方向に一定巾の高抵抗部３３が一部分を除い
て形成されている。この高抵抗部３３はPoly−
Si抵抗体３２より十分大きな抵抗値を持つPoly
−Si（不純物がドーブされていなくても良い）で
ある。更に、前記高抵抗部３３の上層部には、
SiO2層（図示せず）を介してPSG膜（図示せず）
が形成されている。また、高抵抗部３３から十分
に離れた位置に、高抵抗部３３と平行に、抵抗体
３２の上層部にｐタイプの不純物がドーブされた
Poly−Si層３４が島状に、SiO2層（図では省略）
を介して一部分を除いて形成されている。この抵
抗体の抵抗値は主として、高抵抗部３３を除いた
形状で決まる。
がドーブされたPoly−Si抵抗体３２が形成され
ている。ｎタイプPoly−Si抵抗体３２のうち、
抵抗値調整部は矩形であり、電流が流れる経路と
直角方向に一定巾の高抵抗部３３が一部分を除い
て形成されている。この高抵抗部３３はPoly−
Si抵抗体３２より十分大きな抵抗値を持つPoly
−Si（不純物がドーブされていなくても良い）で
ある。更に、前記高抵抗部３３の上層部には、
SiO2層（図示せず）を介してPSG膜（図示せず）
が形成されている。また、高抵抗部３３から十分
に離れた位置に、高抵抗部３３と平行に、抵抗体
３２の上層部にｐタイプの不純物がドーブされた
Poly−Si層３４が島状に、SiO2層（図では省略）
を介して一部分を除いて形成されている。この抵
抗体の抵抗値は主として、高抵抗部３３を除いた
形状で決まる。
ここで、まず高抵抗部３３とその周囲の抵抗体
３２に十分重なる様に、抵抗体３２が残留してい
る側から、順次一定条件（例えば、抵抗体３２に
除去加工を施すことができるパワー密度の1/3の
パワー密度で100パルス）でレーザを照射しなが
ら、レーザ照射領域を増加していくことにより、
抵抗体３２の上層部にSiO2膜を介して形成され
ているPSG膜（図示せず）よりリンが高抵抗部
３３内に拡散し、高抵抗部が抵抗抗化するため、
Al電極１２と１２′の間の抵抗値は低下してい
く。
３２に十分重なる様に、抵抗体３２が残留してい
る側から、順次一定条件（例えば、抵抗体３２に
除去加工を施すことができるパワー密度の1/3の
パワー密度で100パルス）でレーザを照射しなが
ら、レーザ照射領域を増加していくことにより、
抵抗体３２の上層部にSiO2膜を介して形成され
ているPSG膜（図示せず）よりリンが高抵抗部
３３内に拡散し、高抵抗部が抵抗抗化するため、
Al電極１２と１２′の間の抵抗値は低下してい
く。
また、ｐタイプの不純物がドーブされたPoly
−Si層３４を有する部分に対して、抵抗体３２が
残留している側と反対側から、上記した条件で順
次、レーザ照射領域を増加していくことにより、
ｐタイプの不純物が抵抗体３２内に拡散し、レー
ザ照射部の抵抗値が増加するため、Al電極１２
と１２′の間の抵抗値は増大する。以上のことよ
り、レーザを照射する位置を選択することによ
り、電極１２，１２′間の抵抗値を任意に増加、
低減させることができる。しかも、第９図に示し
た抵抗体の場合には、抵抗値が段階的に変化した
が、本実施例の場合には、レーザ照射位置の移動
ピツチを十分細かくすることにより、ほぼ、連続
的に抵抗値を変化させることができる。
−Si層３４を有する部分に対して、抵抗体３２が
残留している側と反対側から、上記した条件で順
次、レーザ照射領域を増加していくことにより、
ｐタイプの不純物が抵抗体３２内に拡散し、レー
ザ照射部の抵抗値が増加するため、Al電極１２
と１２′の間の抵抗値は増大する。以上のことよ
り、レーザを照射する位置を選択することによ
り、電極１２，１２′間の抵抗値を任意に増加、
低減させることができる。しかも、第９図に示し
た抵抗体の場合には、抵抗値が段階的に変化した
が、本実施例の場合には、レーザ照射位置の移動
ピツチを十分細かくすることにより、ほぼ、連続
的に抵抗値を変化させることができる。
第９図、第１０図に示した実施例では抵抗体２
７および３２はｎタイプのPoly−Si、ｎタイプ
不純物源はPSG、Ｐタイプ不純物源はｐタイプ
の不純物をドープしたPaly−Si層を使用した場
合を示したが、本発明はこれに限定されるもので
はない。ｎタイプのPoly−Si抵抗体に対して、
ｎタイプの不純物源としてｎタイプの不純物源と
してｎタイプの不純物をドープしたSi層（Poly
−Siに限定されない）、あるいはｎタイプの不純
物となる金属膜を、またｐタイプの不純物源とし
てBSG膜、あるいはｐタイプの不純物となる金
属膜を、そして抵抗体としてｐタイプの不純物を
ドープしたPoly−Siを使用しても全く同じ効果
が得られることは明らかである。
７および３２はｎタイプのPoly−Si、ｎタイプ
不純物源はPSG、Ｐタイプ不純物源はｐタイプ
の不純物をドープしたPaly−Si層を使用した場
合を示したが、本発明はこれに限定されるもので
はない。ｎタイプのPoly−Si抵抗体に対して、
ｎタイプの不純物源としてｎタイプの不純物源と
してｎタイプの不純物をドープしたSi層（Poly
−Siに限定されない）、あるいはｎタイプの不純
物となる金属膜を、またｐタイプの不純物源とし
てBSG膜、あるいはｐタイプの不純物となる金
属膜を、そして抵抗体としてｐタイプの不純物を
ドープしたPoly−Siを使用しても全く同じ効果
が得られることは明らかである。
さらに、本実施例では不純源を抵抗体の上層部
に形成したが、これに限定されるものではなく、
例えば抵抗体の下層部に（バリアとなるSiO2膜
を介して）形成してもよく、特に金属膜を不純物
源として用いる場合には適している。
に形成したが、これに限定されるものではなく、
例えば抵抗体の下層部に（バリアとなるSiO2膜
を介して）形成してもよく、特に金属膜を不純物
源として用いる場合には適している。
また、本実施例では第５図に示した光学系を用
いてレーザを照射する場合について説明してきた
が、これに限定されるものではなく、一般にレー
ザ加工に用いられる光学系により、ガウス型の集
光スポツトを照射しても同じ効果が得られる。
いてレーザを照射する場合について説明してきた
が、これに限定されるものではなく、一般にレー
ザ加工に用いられる光学系により、ガウス型の集
光スポツトを照射しても同じ効果が得られる。
本発明によれば、抵抗体の一部に高抵抗部を設
けることにより、抵抗体の抵抗値の大幅な低減
を、容易にかつ高精度に実施できるという効果が
ある。更に、上記した様に半導体集積回路内の抵
抗体の抵抗値を、バツシベーシヨン膜にダメージ
を与えることなく任意に増大・低減することがで
きるので、高性能・高信頼性の半導体集積回路を
高歩留りに製造できる効果がある。
けることにより、抵抗体の抵抗値の大幅な低減
を、容易にかつ高精度に実施できるという効果が
ある。更に、上記した様に半導体集積回路内の抵
抗体の抵抗値を、バツシベーシヨン膜にダメージ
を与えることなく任意に増大・低減することがで
きるので、高性能・高信頼性の半導体集積回路を
高歩留りに製造できる効果がある。
第１図〜第３図は従来技術の抵抗値調整方法を
説明する図、第４図は本発明の原理を説明する抵
抗体の構造を示す図、第５図は本発明の抵抗体の
抵抗値調整に最適なレーザ光学系の説明図、第６
図は本発明の原理の説明におけるレーザ照射パル
ス数と抵抗値の変化を示す図、第７図は本発明の
原理の説明におけるレーザの照射方法を説明する
図、第８図は本発明の原理の説明におけるレーザ
照射回数と抵抗値の変化を示す図、第９図は本発
明の抵抗体の第１の実施例を示す図、第１０図は
本発明の抵抗体の第２の実施例を示す図である。 符号の説明、１……Si基板、２……SiO2膜、
３，１１，２７，３２……抵抗体、５，１２……
電極（パツド）、１３……SiO2膜、１４……ｎタ
イプ不純物がドープされたPoly−Si、１５，３
１……ｐタイプ不純物がドープされたPoly−Si、
１６，１７……絶縁膜（パツシベーシヨン膜）、
３０，３３……高抵抗部。
説明する図、第４図は本発明の原理を説明する抵
抗体の構造を示す図、第５図は本発明の抵抗体の
抵抗値調整に最適なレーザ光学系の説明図、第６
図は本発明の原理の説明におけるレーザ照射パル
ス数と抵抗値の変化を示す図、第７図は本発明の
原理の説明におけるレーザの照射方法を説明する
図、第８図は本発明の原理の説明におけるレーザ
照射回数と抵抗値の変化を示す図、第９図は本発
明の抵抗体の第１の実施例を示す図、第１０図は
本発明の抵抗体の第２の実施例を示す図である。 符号の説明、１……Si基板、２……SiO2膜、
３，１１，２７，３２……抵抗体、５，１２……
電極（パツド）、１３……SiO2膜、１４……ｎタ
イプ不純物がドープされたPoly−Si、１５，３
１……ｐタイプ不純物がドープされたPoly−Si、
１６，１７……絶縁膜（パツシベーシヨン膜）、
３０，３３……高抵抗部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性の不純物をドープした抵抗体を有する
半導体集積回路において、前記抵抗体の一部に高
低抗部を設け、前記抵抗体の他の一部に前記抵抗
体の抵抗値を調整する領域を設け、前記抵高抵抗
部の上層部に、前記抵抗体にドープした不純物と
同じ導電性の不純物を含む第１の層を設け、更
に、前記抵抗値を調整する領域の上層部に、前記
抵抗体にドープした不純物と反対の導電性の不純
物を含む第２の層を設け、前記第１の層にレーザ
光を照射し、前記第１の層の前記導電性の不純物
を前記高抵抗部に拡散させて前記抵抗部の抵抗値
を低減させることにより、または、前記第２の層
にレーザ光を照射し、前記第２の層から前記反対
の導電性の不純物を前記抵抗値を調整する領域に
拡散させて前記抵抗値を調整する領域の抵抗値を
増加させることにより、前記抵抗体の抵抗値を調
整することを特徴とする半導体集積回路の抵抗値
調製方法。 ２ 前記高抵抗部は、前記抵抗体に流れる電流の
方向に対してほぼ直角方向に細長状に設けられて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体集積回路の抵抗値調整方法。 ３ 前記第１の層に含まれる不純物の濃度と前記
第２の層に含まれる不純物の濃度は、前記抵抗体
にドープされた不純物の濃度よりも高いことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体集積
回路の抵抗値調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192403A JPS6085550A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体集積回路の抵抗値調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192403A JPS6085550A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体集積回路の抵抗値調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085550A JPS6085550A (ja) | 1985-05-15 |
| JPH0512862B2 true JPH0512862B2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16290732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58192403A Granted JPS6085550A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体集積回路の抵抗値調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085550A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609153A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路内抵抗体の抵抗値調整方法 |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58192403A patent/JPS6085550A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6085550A (ja) | 1985-05-15 |
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