JPH0426528B2 - - Google Patents
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- JPH0426528B2 JPH0426528B2 JP60105613A JP10561385A JPH0426528B2 JP H0426528 B2 JPH0426528 B2 JP H0426528B2 JP 60105613 A JP60105613 A JP 60105613A JP 10561385 A JP10561385 A JP 10561385A JP H0426528 B2 JPH0426528 B2 JP H0426528B2
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- JP
- Japan
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- power supply
- control transistor
- duty control
- transistor
- electromagnetic solenoid
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、各種電磁ソレノイドの制御装置に関
し、殊に給電制御機能と早切制御機能とを単一電
源でできるようにした制御装置に関するものであ
る。
し、殊に給電制御機能と早切制御機能とを単一電
源でできるようにした制御装置に関するものであ
る。
従来より、この種の電磁ソレノイドの制御装置
として、第５図に示す様なものがある。同図にお
いて、１は電磁ソレノイド、２は給電制御用トラ
ンジスタ、３はこの給電制御用トランジスタ２を
駆動する信号交換用トランジスタである。この信
号交換用トランジスタ３のベースには、第６図ａ
に示す様な給電制御信号SVが入力されるように
なつており、この給電制御信号SVによる信号変
換用トランジスタ３の動作により給電制御用トラ
ンジスタ２が駆動され、電磁ソレノイド１に供給
される励磁電流の制御が行なわれるようになつて
いる。４は、そのベースに第６図ｂに示す様なデ
ユーテイ制御信号SDが入力され、電磁ソレノイド
１のオン・オフ制御を行なうデユーテイ制御用ト
ランジスタ、５は給電制御用トランジスタ２がオ
ンの時に、逆電圧が印加され逆流阻止を行なうと
共に、給電制御用トランジスタ２がオフでかつデ
ユーテイ制御用トランジスタ４がオンの時に、電
磁ソレノイド１の電流を還流させるダイオード、
６は給電制御用トランジスタ２のベース抵抗、７
はデユーテイ制御用トランジスタ４のベース抵
抗、８はデユーテイ制御用トランジスタ４がオフ
になつた瞬時のサージ電圧を吸収する定電圧ダイ
オードで、この電圧値によつて電磁ソレノイオ１
の励磁電流の減少率が決定される。しかし、この
定電圧ダイオード８は必ずしも必要ではなく、デ
ユーテイ制御用トランジスタ４の安全動作域の範
囲なら必要である。
として、第５図に示す様なものがある。同図にお
いて、１は電磁ソレノイド、２は給電制御用トラ
ンジスタ、３はこの給電制御用トランジスタ２を
駆動する信号交換用トランジスタである。この信
号交換用トランジスタ３のベースには、第６図ａ
に示す様な給電制御信号SVが入力されるように
なつており、この給電制御信号SVによる信号変
換用トランジスタ３の動作により給電制御用トラ
ンジスタ２が駆動され、電磁ソレノイド１に供給
される励磁電流の制御が行なわれるようになつて
いる。４は、そのベースに第６図ｂに示す様なデ
ユーテイ制御信号SDが入力され、電磁ソレノイド
１のオン・オフ制御を行なうデユーテイ制御用ト
ランジスタ、５は給電制御用トランジスタ２がオ
ンの時に、逆電圧が印加され逆流阻止を行なうと
共に、給電制御用トランジスタ２がオフでかつデ
ユーテイ制御用トランジスタ４がオンの時に、電
磁ソレノイド１の電流を還流させるダイオード、
６は給電制御用トランジスタ２のベース抵抗、７
はデユーテイ制御用トランジスタ４のベース抵
抗、８はデユーテイ制御用トランジスタ４がオフ
になつた瞬時のサージ電圧を吸収する定電圧ダイ
オードで、この電圧値によつて電磁ソレノイオ１
の励磁電流の減少率が決定される。しかし、この
定電圧ダイオード８は必ずしも必要ではなく、デ
ユーテイ制御用トランジスタ４の安全動作域の範
囲なら必要である。
ところで、電磁ソレノイド１の給電電圧VSOL
は、初期の過励磁電流給電中は動作保証をするた
めに給電電圧を大きくし、保持電流給電中は給電
電圧を小さくしている。また、この給電電圧は少
なくとも電磁ソレノイド１の電気回路時定数及び
機械時定数よりも短い周期とし、波高値を電源電
圧値とするパルス幅変調された給電波形で平均電
圧制御されている。
は、初期の過励磁電流給電中は動作保証をするた
めに給電電圧を大きくし、保持電流給電中は給電
電圧を小さくしている。また、この給電電圧は少
なくとも電磁ソレノイド１の電気回路時定数及び
機械時定数よりも短い周期とし、波高値を電源電
圧値とするパルス幅変調された給電波形で平均電
圧制御されている。
一方、デユーテイ制御用トランジスタ４は電磁
ソレノイド１が励磁中はオンであり電磁ソレノイ
ド１を非励磁及び早切にする場合はオフとする。
第６図ｃおよびｄは、電磁ソレノイド１の給電電
圧VSOLおよび給電電流ISOLである。
ソレノイド１が励磁中はオンであり電磁ソレノイ
ド１を非励磁及び早切にする場合はオフとする。
第６図ｃおよびｄは、電磁ソレノイド１の給電電
圧VSOLおよび給電電流ISOLである。
尚、第５図においては、給電制御用トランジス
タ２としてPNP形トランジスタを、デユーテイ
制御用トランジスタ４としてNPN形トランジス
タを用いた回路例を示したが、第７図に示す如
く、給電制御用トランジスタとしてNPN形トラ
ンジスタ２ａを、デユーテイ制御用トランジスタ
としてPNP形トランジスタ４ａを用いた回路例
もある。すなわち、第７図において、３ａはデユ
ーテイ制御用のトランジスタ４ａを駆動する信号
変換用トランジスタ、５ａは給電制御用のトラン
ジスタ２ａがオンの時、逆電圧が印加され逆流阻
止を行なうと共に、給電制御用のトランジスタ２
ａがオフでかつデユーテイ制御用のトランジスタ
４ａがオンの時に、電磁ソレノイド１の電流を還
流させるダイオード、６ａはトランジスタ２ａの
ベース抵抗、７ａはトランジスタ４ａのベース抵
抗、８ａはデユーテイ制御用のトラジスタ４ａが
オフになつた瞬時のサージ電圧を吸収する定電圧
ダイオードである。
タ２としてPNP形トランジスタを、デユーテイ
制御用トランジスタ４としてNPN形トランジス
タを用いた回路例を示したが、第７図に示す如
く、給電制御用トランジスタとしてNPN形トラ
ンジスタ２ａを、デユーテイ制御用トランジスタ
としてPNP形トランジスタ４ａを用いた回路例
もある。すなわち、第７図において、３ａはデユ
ーテイ制御用のトランジスタ４ａを駆動する信号
変換用トランジスタ、５ａは給電制御用のトラン
ジスタ２ａがオンの時、逆電圧が印加され逆流阻
止を行なうと共に、給電制御用のトランジスタ２
ａがオフでかつデユーテイ制御用のトランジスタ
４ａがオンの時に、電磁ソレノイド１の電流を還
流させるダイオード、６ａはトランジスタ２ａの
ベース抵抗、７ａはトランジスタ４ａのベース抵
抗、８ａはデユーテイ制御用のトラジスタ４ａが
オフになつた瞬時のサージ電圧を吸収する定電圧
ダイオードである。
しかしながら、従来のこのような電磁ソレノイ
ドの制御装置によると、電磁ソレノイド１への電
源からの給電中には、第５図および第７図の回路
共、給電制御用のトランジスタとデユーテイ制御
用のトランジスタとが同時にオンなので、回路内
部での電圧降下が大きくなつてしまうという問題
があつた。このため、電磁ソレノイド１の電圧変
動に対する余裕を十分加味しなければならなかつ
た。また、デユーテイ制御用のトランジスタ４お
よび４ａには、ソレノイド電流と同じ電流が流れ
るので電力損失による発熱が大きかつた。さら
に、単一電源にて、電磁ソレノイド１のいずれか
一方の端子を直接正極性電源端子あるいは負極性
電源端子に接続した状態で、このソレノイドの給
電制御およびデユーテイ制御を行なうようにする
ことのできる制御装置はなかつた。
ドの制御装置によると、電磁ソレノイド１への電
源からの給電中には、第５図および第７図の回路
共、給電制御用のトランジスタとデユーテイ制御
用のトランジスタとが同時にオンなので、回路内
部での電圧降下が大きくなつてしまうという問題
があつた。このため、電磁ソレノイド１の電圧変
動に対する余裕を十分加味しなければならなかつ
た。また、デユーテイ制御用のトランジスタ４お
よび４ａには、ソレノイド電流と同じ電流が流れ
るので電力損失による発熱が大きかつた。さら
に、単一電源にて、電磁ソレノイド１のいずれか
一方の端子を直接正極性電源端子あるいは負極性
電源端子に接続した状態で、このソレノイドの給
電制御およびデユーテイ制御を行なうようにする
ことのできる制御装置はなかつた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、回路内部での電圧
降下を軽減し、デユーテイ制御用トランジスタの
発熱を抑制すると共に、単一電源にて、電磁ソレ
ノイドのいずれか一方の端子を直接電源端子に接
続した状態で、給電制御およびテユーテイ制御を
可能とする電磁ソレノイド制御装置を提供するこ
とにある。
で、その目的とするところは、回路内部での電圧
降下を軽減し、デユーテイ制御用トランジスタの
発熱を抑制すると共に、単一電源にて、電磁ソレ
ノイドのいずれか一方の端子を直接電源端子に接
続した状態で、給電制御およびテユーテイ制御を
可能とする電磁ソレノイド制御装置を提供するこ
とにある。
このような目的を達成するために、本願の第１
発明（特許請求の範囲第１項記載の発明）は、電
磁ソレノイドの一端を直接電源の負極性電源端子
に接続し、この電磁ソレノイドの他端と電源の正
極性電源端子との間に、そのベースに入力される
給電制御信号によりオン・オフ制御される給電制
御用トランジスタを接続すると共に、そのエミツ
タを電磁ソレノイドの他端側とし、そのコレクタ
を負極性電源端子側として、電磁ソレノイドの他
端と負極性電源端子との間にNPN形のデユーテ
イ制御用トランジスタを接続し、そのコレクタを
デユーテイ制御用トランジスタのベース側とし、
そのエミツタを正極性電源端子側として、デユー
テイ制御用トランジスタのベースと正極性電源端
子との間にPNP形の信号変換用トランジスタを
接続し、この信号変換用トランジスタのベースに
デユーテイ制御信号を与えるようにしたものであ
る。
発明（特許請求の範囲第１項記載の発明）は、電
磁ソレノイドの一端を直接電源の負極性電源端子
に接続し、この電磁ソレノイドの他端と電源の正
極性電源端子との間に、そのベースに入力される
給電制御信号によりオン・オフ制御される給電制
御用トランジスタを接続すると共に、そのエミツ
タを電磁ソレノイドの他端側とし、そのコレクタ
を負極性電源端子側として、電磁ソレノイドの他
端と負極性電源端子との間にNPN形のデユーテ
イ制御用トランジスタを接続し、そのコレクタを
デユーテイ制御用トランジスタのベース側とし、
そのエミツタを正極性電源端子側として、デユー
テイ制御用トランジスタのベースと正極性電源端
子との間にPNP形の信号変換用トランジスタを
接続し、この信号変換用トランジスタのベースに
デユーテイ制御信号を与えるようにしたものであ
る。
また、本願の第２発明（特許請求の範囲第２項
記載の発生）は、第１発明において、そのアノー
ドをデユーテイ制御用トランジスタのベース側と
し、そのカソードをデユーテイ制御用トランジス
タのコレクタ側として、デユーテイ制御用トラン
ジスタのベースとコレクタとの間に定電圧ダイオ
ードを接続し、そのアノードを負極性電源端子側
とし、そのカソードを定電圧ダイオードのカソー
ド側として、負極性電源端子とデユーテイ制御用
トランジスタのコレクタとの間に逆流阻止用ダイ
オードを接続したものである。
記載の発生）は、第１発明において、そのアノー
ドをデユーテイ制御用トランジスタのベース側と
し、そのカソードをデユーテイ制御用トランジス
タのコレクタ側として、デユーテイ制御用トラン
ジスタのベースとコレクタとの間に定電圧ダイオ
ードを接続し、そのアノードを負極性電源端子側
とし、そのカソードを定電圧ダイオードのカソー
ド側として、負極性電源端子とデユーテイ制御用
トランジスタのコレクタとの間に逆流阻止用ダイ
オードを接続したものである。
また、本願の第３発明（特許請求の範囲第３項
記載の発明）は、電磁ソレノイドの一端を直接電
源の正極性電源端子に接続し、この電磁ソレノイ
ドの他端と電源の負極性電源端子との間に、その
ベースに入力される給電制御信号によりオン・オ
フ制御される給電制御用トランジスタを接続する
と共に、そのエミツタを電磁ソレノイドの他端側
とし、そのコレクタを正極性電源端子側として、
電磁ソレノイドの他端と正極性電源端子との間に
PNP形のデユーテイ制御用トランジスタを接続
し、そのコレクタをデユーテイ制御用トランジス
タのベース側とし、そのエミツタを負極性電源端
子側として、デユーテイ制御用トランジスタのベ
ースと負極性電源端子との間にNPN形の信号変
換用トランジスタを接続し、この信号変換用トラ
ンジスタのベースにデユーテイ制御信号を与える
ようにしたものである。
記載の発明）は、電磁ソレノイドの一端を直接電
源の正極性電源端子に接続し、この電磁ソレノイ
ドの他端と電源の負極性電源端子との間に、その
ベースに入力される給電制御信号によりオン・オ
フ制御される給電制御用トランジスタを接続する
と共に、そのエミツタを電磁ソレノイドの他端側
とし、そのコレクタを正極性電源端子側として、
電磁ソレノイドの他端と正極性電源端子との間に
PNP形のデユーテイ制御用トランジスタを接続
し、そのコレクタをデユーテイ制御用トランジス
タのベース側とし、そのエミツタを負極性電源端
子側として、デユーテイ制御用トランジスタのベ
ースと負極性電源端子との間にNPN形の信号変
換用トランジスタを接続し、この信号変換用トラ
ンジスタのベースにデユーテイ制御信号を与える
ようにしたものである。
また、本願の第４発明（特許請求の範囲第４項
記載の発明）は、第３発明において、そのカソー
ドをデユーテイ制御用トランジスタのベース側と
し、そのアノードを定電圧ダイオードのアノード
側として、デユーテイ制御用トランジスタのベー
スとコレクタとの間に定電圧ダイオードを接続
し、そのカソードを正極性電源端子とし、そのア
ノードをデユーテイ制御用トランジスタのコレク
タ側として、正極性電源端子とデユーテイ制御用
トランジスタのコレクタとの間に逆流阻止用ダイ
オードを接続したものである。
記載の発明）は、第３発明において、そのカソー
ドをデユーテイ制御用トランジスタのベース側と
し、そのアノードを定電圧ダイオードのアノード
側として、デユーテイ制御用トランジスタのベー
スとコレクタとの間に定電圧ダイオードを接続
し、そのカソードを正極性電源端子とし、そのア
ノードをデユーテイ制御用トランジスタのコレク
タ側として、正極性電源端子とデユーテイ制御用
トランジスタのコレクタとの間に逆流阻止用ダイ
オードを接続したものである。
したがつて、本願の第１および第３発明によれ
ば、電磁ソレノイドの還流モードにおいてのみ、
デユーテイ制御用トランジスタがオンとなり、還
流電流が流れる。
ば、電磁ソレノイドの還流モードにおいてのみ、
デユーテイ制御用トランジスタがオンとなり、還
流電流が流れる。
本願の第２および第４発明によれば、上記第１
および第３発明の作用に加えて、給電制御用トラ
ンジスタがオフでデユーテイ制御用トランジスタ
がオフとなつた瞬時には、定電圧ダイオードの電
圧により決定される電流の減少率にて早切が行わ
れる。また、逆流阻止用ダイオードにより、デユ
ーテイ制御用トランジスタへの逆電圧阻止され
る。
および第３発明の作用に加えて、給電制御用トラ
ンジスタがオフでデユーテイ制御用トランジスタ
がオフとなつた瞬時には、定電圧ダイオードの電
圧により決定される電流の減少率にて早切が行わ
れる。また、逆流阻止用ダイオードにより、デユ
ーテイ制御用トランジスタへの逆電圧阻止され
る。
以下、本発明に係る電磁ソレノイド制御装置を
詳細に説明する。第１図はこの制御装置の一実施
例を示す回路図である。同図において、第５図と
同一符号は同一要素を示しその説明は省略する。
詳細に説明する。第１図はこの制御装置の一実施
例を示す回路図である。同図において、第５図と
同一符号は同一要素を示しその説明は省略する。
この回路において、電磁ソレノイド１の一方の
入力端子１ａは直接接地されており、他方の入力
端子１ｂは給電制御用トランジスタ２のコレクタ
に接続されている。また、電磁ソレノイド１の入
力端子１ｂには、逆流阻止用ダイオード９を介し
てデユーテイ制御用トランジスタ４のエミツタも
接続されており、このデユーテイ制御用トランジ
スタ４のコレクタは接地されている。すなわち、
逆流阻止用ダイオード９はそのアノードがデユー
テイ制御用トランジスタ４のエミツタに、そのカ
ソードが電磁ソレノイド１の入力端子１ｂに接続
されており、デユーテイ制御用トランジスタ４の
逆電圧阻止のために接続されている。したがつ
て、デユーテイ制御用トランジスタ４の耐圧が持
てばこの逆流阻止用ダイオード９は省略してもよ
い。
入力端子１ａは直接接地されており、他方の入力
端子１ｂは給電制御用トランジスタ２のコレクタ
に接続されている。また、電磁ソレノイド１の入
力端子１ｂには、逆流阻止用ダイオード９を介し
てデユーテイ制御用トランジスタ４のエミツタも
接続されており、このデユーテイ制御用トランジ
スタ４のコレクタは接地されている。すなわち、
逆流阻止用ダイオード９はそのアノードがデユー
テイ制御用トランジスタ４のエミツタに、そのカ
ソードが電磁ソレノイド１の入力端子１ｂに接続
されており、デユーテイ制御用トランジスタ４の
逆電圧阻止のために接続されている。したがつ
て、デユーテイ制御用トランジスタ４の耐圧が持
てばこの逆流阻止用ダイオード９は省略してもよ
い。
一方、デユーテイ制御用トランジスタ４のベー
スは、ベース抵抗７を介して信号変換用トランジ
スタ１０のコレクタに接続されており、信号変換
用トランジスタ１０のベースはベース抵抗１１を
介して信号変換用トランジスタ１２のコレクタに
接続されている。そして、信号変換用トランジス
タ１２のエミツタが接地され、この信号変換用ト
ランジスタ１２のベースに前述したデユーテイ制
御信号SDが入力されるようになつている。すなわ
ち、信号変換用トランジスタ１２を介して信号変
換用トランジスタ１０のベースに、デユーテイ制
御信号SDが反転した形で与えられるものとされて
いる。尚、信号変換用トランジスタ１０のエミツ
タおよび給電制御用トランジスタ２のエミツタは
高電位電源に接続されている。
スは、ベース抵抗７を介して信号変換用トランジ
スタ１０のコレクタに接続されており、信号変換
用トランジスタ１０のベースはベース抵抗１１を
介して信号変換用トランジスタ１２のコレクタに
接続されている。そして、信号変換用トランジス
タ１２のエミツタが接地され、この信号変換用ト
ランジスタ１２のベースに前述したデユーテイ制
御信号SDが入力されるようになつている。すなわ
ち、信号変換用トランジスタ１２を介して信号変
換用トランジスタ１０のベースに、デユーテイ制
御信号SDが反転した形で与えられるものとされて
いる。尚、信号変換用トランジスタ１０のエミツ
タおよび給電制御用トランジスタ２のエミツタは
高電位電源に接続されている。
従来例の構成のものと特に異なる点は、給電制
御用トランジシスタ２がオンの時の電源給電モー
ド時には、該トランジスタ２を介してのみ電磁ソ
レノイド１への給電が行なわれる点である。すな
わち、電磁ソレノイド１の給電モードは、非給電
モードと、電源から給電される電源給電モード
と、ソレノイドのインダクタンス分による還流モ
ードとに分けられる。デユーテイ制御用トランジ
スタ４は、給電制御用トランジスタ２のオン時に
電圧逆バイアスされ電流は流れない。したがつ
て、電源給電モード時にはデユーテイ制御用トラ
ンジスタ４には、ソレノイド電流が流れず、デユ
ーテイ制御用トランジスタ４による電圧降下は生
じない。
御用トランジシスタ２がオンの時の電源給電モー
ド時には、該トランジスタ２を介してのみ電磁ソ
レノイド１への給電が行なわれる点である。すな
わち、電磁ソレノイド１の給電モードは、非給電
モードと、電源から給電される電源給電モード
と、ソレノイドのインダクタンス分による還流モ
ードとに分けられる。デユーテイ制御用トランジ
スタ４は、給電制御用トランジスタ２のオン時に
電圧逆バイアスされ電流は流れない。したがつ
て、電源給電モード時にはデユーテイ制御用トラ
ンジスタ４には、ソレノイド電流が流れず、デユ
ーテイ制御用トランジスタ４による電圧降下は生
じない。
他方、給電制御用トランジスタ２がオフで、デ
ユーテイ制御用トランジスタ４がオンと時には、
還流モードとなり、ソレノイドのインダクタンス
の作用でソレノイド１の電流がデユーテイ制御用
トランジスタ４を通り流れる。また、給電制御用
トランジスタ２がオフで、デユーテイ制御用トラ
ンジスタ４がオフになつた瞬時には、定電圧ダイ
オード８の電圧により決定される電流の減少率に
て早切ができる。即ち、従来の早切機能と同じで
ある。
ユーテイ制御用トランジスタ４がオンと時には、
還流モードとなり、ソレノイドのインダクタンス
の作用でソレノイド１の電流がデユーテイ制御用
トランジスタ４を通り流れる。また、給電制御用
トランジスタ２がオフで、デユーテイ制御用トラ
ンジスタ４がオフになつた瞬時には、定電圧ダイ
オード８の電圧により決定される電流の減少率に
て早切ができる。即ち、従来の早切機能と同じで
ある。
次に、この種の回路において従来不可能とされ
ていたデユーテイ制御用トランジスタ４のベース
駆動方法について説明する。すなわち、給電制御
用トランジスタ２としてPNP形トランジスタを
用い、デユーテイ制御用トランジスタ４として
NPN形トランジスタを用いることにより、還流
モードにおけるベース電流をPNP形信号変換用
トランジスタ１０により供給可能となつている。
すなわち、還流モードにおいて、デユーテイ制御
用トランジスタ４のエミツタ電圧が低下すること
により、正極性電源端子−信号変換用トランジス
タ１０−抵抗７の経路でデユーテイ制御用トラン
ジスタ４へのベース電流が流れ、電磁ソレノイド
１への供給電流と同一電源（単一電源）にて、即
ち別電源を設けることなく、デユーテイ制御用ト
ランジスタ４のオンが確保され、還流電流が流れ
る。
ていたデユーテイ制御用トランジスタ４のベース
駆動方法について説明する。すなわち、給電制御
用トランジスタ２としてPNP形トランジスタを
用い、デユーテイ制御用トランジスタ４として
NPN形トランジスタを用いることにより、還流
モードにおけるベース電流をPNP形信号変換用
トランジスタ１０により供給可能となつている。
すなわち、還流モードにおいて、デユーテイ制御
用トランジスタ４のエミツタ電圧が低下すること
により、正極性電源端子−信号変換用トランジス
タ１０−抵抗７の経路でデユーテイ制御用トラン
ジスタ４へのベース電流が流れ、電磁ソレノイド
１への供給電流と同一電源（単一電源）にて、即
ち別電源を設けることなく、デユーテイ制御用ト
ランジスタ４のオンが確保され、還流電流が流れ
る。
第２図は、第１図における逆流阻止用ダイオー
ド９をデユーテイ制御用トランジスタ４のコレク
タと接地間に接続した他の実施例を示す回路図で
ある。このように、逆流阻止用ダイオード９を接
続してもよいことは言うまでもない。このような
位置に逆流阻止用ダイオード９を接続することに
より、正極性電源端子−信号変換用トランジスタ
１０−抵抗７−定電圧ダイドード８−逆流阻止用
ダイオード９−負極性電源端子の経路で電流が流
れることがなく、抵抗７での損失が減少する。
ド９をデユーテイ制御用トランジスタ４のコレク
タと接地間に接続した他の実施例を示す回路図で
ある。このように、逆流阻止用ダイオード９を接
続してもよいことは言うまでもない。このような
位置に逆流阻止用ダイオード９を接続することに
より、正極性電源端子−信号変換用トランジスタ
１０−抵抗７−定電圧ダイドード８−逆流阻止用
ダイオード９−負極性電源端子の経路で電流が流
れることがなく、抵抗７での損失が減少する。
また、第１図の実施例においては、給電制御用
トランジスタ２としてPNP形トランジスタを、
デユーテイ制御用トランジスタとしてNPN形ト
ランジスタを用いた回路例を示したが、第３図に
示す如く、給電制御用トランジスタとしてNPN
形トランジスタ２ａを、デユーテイ制御用トラン
ジスタとしてPNP形トランジスタ４ａを用いて
もよい。この場合、電磁ソレノイド１の入力端子
１ａを高電位電源に直接接続し、入力端子１ｂを
給電制御用のトランジスタ２ａのコレクタに接続
する。そして、このトランジスタ２ａのコレクタ
を逆流阻止用ダイオード９ａを介してデユーテイ
制御用のトランジスタ４ａのエミツタに接続し、
このトランジスタ４ａのコレクタを高電位電源に
接続する。このようにすることによつて、給電制
御用のトランジスタ２ａがオンの時の給電モード
時には、該トランジスタ２ａを介してのみ電磁ソ
レノイド１への給電が行なわれ、給電制御用のト
ランジスタ２ａがオフで、デユーテイ制御用のト
ランジスタ４ａがオンの時の還流モード時には、
ソレノイド１の電流がトランジスタ４ａを通つて
流れる。また、給電制御用のトランジスタ２ａが
オフで、デユーテイ制御用のトランジスタ４ａが
オフになつた瞬時には定電圧ダイオード８ａの電
圧により決定される電流の減少率にへ早切ができ
る。そして、給電制御用のトランジスタ２ａとし
てNPN形を用い、デユーテイ制御用のトランジ
スタ４ａとしてPNP形を用いることにより、還
流モードにおけるベース電流をNPN形信号変換
用トランジスタ３ａを用い供給可能となつてい
る。すなわち、還流モードにおいて、デユーテイ
制御用トランジスタ４ａのエミツタ電圧が上昇す
ることにより、デユーテイ制御用トランジスタ４
ａ−抵抗７ａ−信号変換用トランジスタ３ａ−負
極性電源端子の経路でデユーテイ制御用トランジ
スタ４ａへのベース電流が流れ、電磁ソレノイド
１への供給電源と同一電源（単一電源）にて、即
ち別電源を設けることなく、デユーテイ制御用ト
ランシズタ４ａのオンが確保され、還流電流が流
れる。
トランジスタ２としてPNP形トランジスタを、
デユーテイ制御用トランジスタとしてNPN形ト
ランジスタを用いた回路例を示したが、第３図に
示す如く、給電制御用トランジスタとしてNPN
形トランジスタ２ａを、デユーテイ制御用トラン
ジスタとしてPNP形トランジスタ４ａを用いて
もよい。この場合、電磁ソレノイド１の入力端子
１ａを高電位電源に直接接続し、入力端子１ｂを
給電制御用のトランジスタ２ａのコレクタに接続
する。そして、このトランジスタ２ａのコレクタ
を逆流阻止用ダイオード９ａを介してデユーテイ
制御用のトランジスタ４ａのエミツタに接続し、
このトランジスタ４ａのコレクタを高電位電源に
接続する。このようにすることによつて、給電制
御用のトランジスタ２ａがオンの時の給電モード
時には、該トランジスタ２ａを介してのみ電磁ソ
レノイド１への給電が行なわれ、給電制御用のト
ランジスタ２ａがオフで、デユーテイ制御用のト
ランジスタ４ａがオンの時の還流モード時には、
ソレノイド１の電流がトランジスタ４ａを通つて
流れる。また、給電制御用のトランジスタ２ａが
オフで、デユーテイ制御用のトランジスタ４ａが
オフになつた瞬時には定電圧ダイオード８ａの電
圧により決定される電流の減少率にへ早切ができ
る。そして、給電制御用のトランジスタ２ａとし
てNPN形を用い、デユーテイ制御用のトランジ
スタ４ａとしてPNP形を用いることにより、還
流モードにおけるベース電流をNPN形信号変換
用トランジスタ３ａを用い供給可能となつてい
る。すなわち、還流モードにおいて、デユーテイ
制御用トランジスタ４ａのエミツタ電圧が上昇す
ることにより、デユーテイ制御用トランジスタ４
ａ−抵抗７ａ−信号変換用トランジスタ３ａ−負
極性電源端子の経路でデユーテイ制御用トランジ
スタ４ａへのベース電流が流れ、電磁ソレノイド
１への供給電源と同一電源（単一電源）にて、即
ち別電源を設けることなく、デユーテイ制御用ト
ランシズタ４ａのオンが確保され、還流電流が流
れる。
第４図は、第３図における逆流阻止用ダイオー
ド９ａをデユーテイ制御用のトランジスタ４ａの
コレクタと高電位電源との間に接続した他の実施
例を示す回路図である。このように、逆流阻止用
ダイオード９ａを接続してもよいことは言うまで
もない。
ド９ａをデユーテイ制御用のトランジスタ４ａの
コレクタと高電位電源との間に接続した他の実施
例を示す回路図である。このように、逆流阻止用
ダイオード９ａを接続してもよいことは言うまで
もない。
このような位置に逆流阻止用ダイオード９ａを
接続することにより、逆流阻止用ダイオード９ａ
−定電圧ダイオード８ａ−抵抗７ａ−信号変換用
トランジスタ３ａの経路で電流が流れることがな
く、抵抗７ａでの損失が減少する。
接続することにより、逆流阻止用ダイオード９ａ
−定電圧ダイオード８ａ−抵抗７ａ−信号変換用
トランジスタ３ａの経路で電流が流れることがな
く、抵抗７ａでの損失が減少する。
尚、この装置はクラツチ、ブレーキ、各種電磁
アクチユエータに用いることができることも言う
までもない。
アクチユエータに用いることができることも言う
までもない。
以上説明したように本発明による電磁ソレノイ
ド制御装置によると、電磁ソレノイドの還流モー
ドにおいてのみ、デユーテイ制御用トランジスタ
に還流電流が流れるものとなり、制御回路内部で
の電圧降下を軽減し、デユーテイ制御用トランジ
スタの発熱を抑制することが可能となる。また、
単一電源にて、ソレノイドの一端を直接電源端子
に接続した状態で、給電制御機能および早切制御
機能を得ることができるようになる。
ド制御装置によると、電磁ソレノイドの還流モー
ドにおいてのみ、デユーテイ制御用トランジスタ
に還流電流が流れるものとなり、制御回路内部で
の電圧降下を軽減し、デユーテイ制御用トランジ
スタの発熱を抑制することが可能となる。また、
単一電源にて、ソレノイドの一端を直接電源端子
に接続した状態で、給電制御機能および早切制御
機能を得ることができるようになる。
第１図は本発明に係る電磁ソレノイド制御装置
の一実施例を示す回路図、第２図〜第４図はこの
制御装置の他の実施例を示す回路図、第５図およ
び第７図は従来の電磁ソレノイド制御装置を示す
回路図、第６図はこの制御装置の回路の動作を説
明する波形図である。 １……電磁ソレノイド、１ａ，１ｂ……入力端
子、２……給電制御用トランジスタ、４……デユ
ーテイ制御用トランジスタ、９……逆流阻止用ダ
イオード。
の一実施例を示す回路図、第２図〜第４図はこの
制御装置の他の実施例を示す回路図、第５図およ
び第７図は従来の電磁ソレノイド制御装置を示す
回路図、第６図はこの制御装置の回路の動作を説
明する波形図である。 １……電磁ソレノイド、１ａ，１ｂ……入力端
子、２……給電制御用トランジスタ、４……デユ
ーテイ制御用トランジスタ、９……逆流阻止用ダ
イオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一端が直接電源の負極性電源端子に接続され
た電磁ソレノイドと、 この電磁ソレノイドの他端と前記電源の正極性
電源端子との間に接続され、そのベースに入力さ
れる給電制御信号によりオン・オフ制御される給
電制御用トランジスタと、 そのエミツタを前記電磁ソレノイドの他端側と
し、そのコレクタを前記負極性電源端子側とし
て、前記電磁ソレノイドの他端と前記負極性電源
端子との間に接続されたNPN形のデユーテイ制
御用トランジスタと、 そのコレクタを前記デユーテイ制御用トランジ
スタのベース側とし、そのエミツタを前記正極性
電源端子側として、前記デユーテイ制御用トラン
ジスタのベースと前記正極性電源端子との間に接
続され、そのベースにデユーテイ制御信号が与え
られるPNP形の信号変換用トランジスタと、 を備えた事を特徴とする電磁ソレノイド制御装
置。 ２ 一端が直接電源の負極性電源端子に接続され
た電磁ソレノイドと、 この電磁ソレノイドの他端と前記電源の正極性
電源端子との間に接続され、そのベースに入力さ
れる給電制御信号によりオン・オフ制御される給
電制御用トランジスタと、 そのエミツタを前記電磁ソレノイドの他端側と
し、そのコレクタを前記負極性電源端子側とし
て、前記電磁ソレノイドの他端と前記負極性電源
端子との間に接続されたNPN形のデユーテイ制
御用トランジスタと、 そのコレクタを前記デユーテイ制御用トランジ
スタのベース側とし、そのエミツタを前記正極性
電源端子側として、前記デユーテイ制御用トラン
ジスタのベースと前記正極性電源端子との間に接
続され、そのベースにデユーテイ制御信号が与え
られるPNP形の信号変換用トランジスタと、 そのアノードを前記デユーテイ制御用トランジ
スタのベース側とし、そのカソードを前記デユー
テイ制御用トランジスタのコレクタ側として、前
記デユーテイ制御用トランジスタのベースとコレ
クタとの間に接続された定電圧ダイオードと、 そのアノードを前記負極性電源端子側とし、そ
のカソードを前記定電圧ダイオードのカソード側
として、前記負極性電源端子と前記デユーテイ制
御用トランジスタのコレクタとの間に接続された
逆流阻止用ダイオードと を備えた事を特徴とする電磁ソレノイド制御装
置。 ３ 一端が直接電源の正極性電源端子に接続され
た電磁ソレノイドと、 この電磁ソレノイドの他端と前記電源の負極性
電源端子との間に接続され、そのベースに入力さ
れる給電制御信号によりオン・オフ制御される給
電制御用トランジスタと、 そのエミツタを前記電磁ソレノイドの他端側と
し、そのコレクタを前記正極性電源端子側とし
て、前記電磁ソレノイドの他端と前記正極性電源
端子との間に接続されたPNP形のデユーテイ制
御用トランジスタと、 そのコレクタを前記デユーテイ制御用トランジ
スタのベース側とし、そのエミツタを前記負極性
電源端子側として、前記デユーテイ制御用トラン
ジスタのベースと前記負極性電源端子との間に接
続され、そのベースにデユーテイ制御信号が与え
られるNPN形の信号変換用トランジスタと、 を備えた事を特徴とする電磁ソレノイド制御装
置。 ４ 一端が直接電源の正極性電源端子に接続され
た電磁ソレノイドと、 この電磁ソレノイドの他端と前記電源の負極性
電源端子との間に接続され、そのベースに入力さ
れる給電制御信号によりオン・オフ制御される給
電制御用トランジスタと、 そのエミツタを前記電磁ソレノイドの他端側と
し、そのコレクタを前記正極性電源端子側とし
て、前記電磁ソレノイドの他端と前記正極性電源
端子との間に接続されたPNP形のデユーテイ制
御用トランジスタと、 そのコレクタを前記デユーテイ制御用トランジ
スタのベース側とし、そのエミツタを前記負極性
電源端子側として、前記デユーテイ制御用トラン
ジスタのベースと前記負極性電源端子との間に接
続され、そのベースにデユーテイ制御信号が与え
られるNPN形の信号変換用トランジスタと、 そのカソードを前記デユーテイ制御用トランジ
スタのベース側とし、そのアソードを前記デユー
テイ制御用トランジスタのコレクタ側として、前
記デユーテイ制御用トランジスタのベースとコレ
クタとの間に接続された定電圧ダイオードと、 そのカソードを前記負極性電源端子側とし、そ
のアノードを前記定電圧ダイオードのアノード側
として、前記負極性電源端子と前記デユーテイ制
御用トランジスタのコレクタとの間に接続された
逆流阻止用ダイオードと を備えた事を特徴とする電磁ソレノイド制御装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10561385A JPS61263103A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 電磁ソレノイド制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10561385A JPS61263103A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 電磁ソレノイド制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263103A JPS61263103A (ja) | 1986-11-21 |
| JPH0426528B2 true JPH0426528B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=14412347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10561385A Granted JPS61263103A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 電磁ソレノイド制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263103A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465923A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | Driving circuit for switching element |
| JPH02150836U (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-27 | ||
| JP4182561B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2008-11-19 | 株式会社デンソー | 電磁ソレノイド制御装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59184504A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | Nissan Motor Co Ltd | ソレノイド駆動プランジヤの駆動制御装置 |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP10561385A patent/JPS61263103A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61263103A (ja) | 1986-11-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |