JPH0426544B2 - - Google Patents
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- JPH0426544B2 JPH0426544B2 JP59248484A JP24848484A JPH0426544B2 JP H0426544 B2 JPH0426544 B2 JP H0426544B2 JP 59248484 A JP59248484 A JP 59248484A JP 24848484 A JP24848484 A JP 24848484A JP H0426544 B2 JPH0426544 B2 JP H0426544B2
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W72/90—Bond pads, in general
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- H10W72/944—Dispositions of multiple bond pads
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は半導体装置特に基板上にダイボンデ
イングされた半導体素子とポストとをワイヤボン
デイングして構成される半導体装置に関する。
イングされた半導体素子とポストとをワイヤボン
デイングして構成される半導体装置に関する。
(従来の技術)
半導体チツプ、集積回路等の半導体素子からな
る半導体装置では、基板上に前記半導体素子をダ
イボンデイングするとともに、基板上のポストと
前記半導体素子のボンデイングパツトとを金線の
ようなワイヤでワイヤボンデイングによつて互い
に接続するようにしたものはよく知られている。
る半導体装置では、基板上に前記半導体素子をダ
イボンデイングするとともに、基板上のポストと
前記半導体素子のボンデイングパツトとを金線の
ようなワイヤでワイヤボンデイングによつて互い
に接続するようにしたものはよく知られている。
一方この種半導体装置ではその半導体素子の高
密度化のためにボンデイングパツトのピツチを小
さく、場合によつては千鳥状に並べるとともに、
基板上のポストを千鳥状に並べることが行われて
いる(実開昭58−107844号公報参照)。しかしこ
のようにポストを千鳥状に配列した場合は、半導
体素子のダイボンデイングの際に位置ずれを起し
たとき、ワイヤとリードとが接触し合う恐れがあ
る。
密度化のためにボンデイングパツトのピツチを小
さく、場合によつては千鳥状に並べるとともに、
基板上のポストを千鳥状に並べることが行われて
いる(実開昭58−107844号公報参照)。しかしこ
のようにポストを千鳥状に配列した場合は、半導
体素子のダイボンデイングの際に位置ずれを起し
たとき、ワイヤとリードとが接触し合う恐れがあ
る。
これを図面によつて説明すると、第4図におい
て1は基板、2は半導体素子とし、この半導体素
子には複数のボンデイングパツト3が設置されて
あるものとする。図示するボンデイングパツト3
は千鳥状に配列されてある。4は第1の列のポス
ト、5は第2の列のポストで、前記第1の列のポ
ストは半導体素子2に向い合うように並び、第2
の列は第1の列よりも半導体素子2から離れて並
ぶようにしてある。なお各ポストは基板1上に設
置されてある。
て1は基板、2は半導体素子とし、この半導体素
子には複数のボンデイングパツト3が設置されて
あるものとする。図示するボンデイングパツト3
は千鳥状に配列されてある。4は第1の列のポス
ト、5は第2の列のポストで、前記第1の列のポ
ストは半導体素子2に向い合うように並び、第2
の列は第1の列よりも半導体素子2から離れて並
ぶようにしてある。なお各ポストは基板1上に設
置されてある。
各列のポストは交互に並ぶことによつて千鳥状
に配列されてある。6は第1の列の各ポスト4に
連なるリード、7は第2の列の各ポスト5に連な
るリード、8は第1の列のポスト4と一方の列の
各ボンデイングパツト3とを接続するワイヤ、9
は第2の列のポスト5と他の列の各ボンデイング
パツトとを接続するワイヤで、いずれもワイヤボ
ンデイングされてある。
に配列されてある。6は第1の列の各ポスト4に
連なるリード、7は第2の列の各ポスト5に連な
るリード、8は第1の列のポスト4と一方の列の
各ボンデイングパツト3とを接続するワイヤ、9
は第2の列のポスト5と他の列の各ボンデイング
パツトとを接続するワイヤで、いずれもワイヤボ
ンデイングされてある。
半導体素子2が基板1上の規定の箇所にダイボ
ンデイングされた場合は何等の問題はない。すな
わちこの場合は後記する第1図に示すように各ボ
ンデイングパツト3とこれに接続されるポスト
4,5は互いに正しく向い合うようになり、した
がつてワイヤ9は第1の列のポスト4或いはその
リード6をまたぐようなことはない。
ンデイングされた場合は何等の問題はない。すな
わちこの場合は後記する第1図に示すように各ボ
ンデイングパツト3とこれに接続されるポスト
4,5は互いに正しく向い合うようになり、した
がつてワイヤ9は第1の列のポスト4或いはその
リード6をまたぐようなことはない。
しかし半導体素子2が規定の箇所よりずれてダ
イボンデイングされたとすると、第4図に示すよ
うに第2の列のポスト5に接続されるワイヤ9は
第1の列のポストまたはそのリード6をまたぐよ
うになる。通常この種ワイヤは後記する第2図に
も示すように、ボンデイングパツトとボストとの
間を垂れ下がるようにして張られる。そのため前
記第2の列のポスト5に接続されるワイヤ9はこ
れが垂れ下がることによつてこれがまたいでいる
第1の列のポスト4またはこれに連なるリード6
に接触してしまうことがある。
イボンデイングされたとすると、第4図に示すよ
うに第2の列のポスト5に接続されるワイヤ9は
第1の列のポストまたはそのリード6をまたぐよ
うになる。通常この種ワイヤは後記する第2図に
も示すように、ボンデイングパツトとボストとの
間を垂れ下がるようにして張られる。そのため前
記第2の列のポスト5に接続されるワイヤ9はこ
れが垂れ下がることによつてこれがまたいでいる
第1の列のポスト4またはこれに連なるリード6
に接触してしまうことがある。
(発明が解決しようとする問題点)
この発明は半導体素子とポストとを接続するワ
イヤの接触による事故の発生を簡単な構成によつ
て確実に回避することを目的とする。
イヤの接触による事故の発生を簡単な構成によつ
て確実に回避することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
この発明は基板上のポストの第1の列と第2の
列との間に、前記第1の列のポストに連なるリー
ドを覆うように絶縁層を設置したことを特徴とす
る。
列との間に、前記第1の列のポストに連なるリー
ドを覆うように絶縁層を設置したことを特徴とす
る。
この発明を図によつて説明する。なお第4図と
同じ符号を付した部分は同一または対応する部分
を示す。第1図の構成から理解できるように、こ
の発明では第1のポスト4の列と第2のポスト5
の列との間に絶縁層10を設置する。この絶縁層
10は第1の列のポスト4に連なるリード6を覆
うように設置されてある。
同じ符号を付した部分は同一または対応する部分
を示す。第1図の構成から理解できるように、こ
の発明では第1のポスト4の列と第2のポスト5
の列との間に絶縁層10を設置する。この絶縁層
10は第1の列のポスト4に連なるリード6を覆
うように設置されてある。
(作用)
第1図は半導体素子2が基板1上の規定位置に
ダイボンデイングされたときの状態を示し、この
ときは各ワイヤ8,9はそれぞれ互いに平行する
ようにしてある。したがつて各ワイヤはポスト
4,5並びにこれに連なるリード6,7の上方を
通過するようなことは何等ない。
ダイボンデイングされたときの状態を示し、この
ときは各ワイヤ8,9はそれぞれ互いに平行する
ようにしてある。したがつて各ワイヤはポスト
4,5並びにこれに連なるリード6,7の上方を
通過するようなことは何等ない。
しかし半導体素子2が第3図に示すように規定
位置よりずれてダイボンデイングされた場合、ワ
イヤ9がポスト4またはこれに連なるリード6の
上方を通過するとしても、、絶縁層10が存在し
ているので、ワイヤ9はこの絶縁層10の表面に
支持され、これをこえて下方に垂れ下がるような
ことはない。そしてこの絶縁層10はポスト4に
連なるリード6を覆つているので、ワイヤ9はポ
スト4にはもちろんリード6にも接触することは
ない。のみならずこのように半導体素子のダイボ
ンデイング位置がずれてもワイヤの接触が防止で
きることから、そのダイボンデイング位置の精度
ゆるくすることもできるようになる。
位置よりずれてダイボンデイングされた場合、ワ
イヤ9がポスト4またはこれに連なるリード6の
上方を通過するとしても、、絶縁層10が存在し
ているので、ワイヤ9はこの絶縁層10の表面に
支持され、これをこえて下方に垂れ下がるような
ことはない。そしてこの絶縁層10はポスト4に
連なるリード6を覆つているので、ワイヤ9はポ
スト4にはもちろんリード6にも接触することは
ない。のみならずこのように半導体素子のダイボ
ンデイング位置がずれてもワイヤの接触が防止で
きることから、そのダイボンデイング位置の精度
ゆるくすることもできるようになる。
(発明の効果)
以上詳述したようにこの発明によれば、第1の
列のポストと第2の列のポストとの間に絶縁層を
設置し、これによつて半導体素子のボンデイング
パツトからポストに向かうワイヤが第2の列のポ
ストまたはこれに連なるリードに接触するのを簡
単に防止することができるし、更に半導体素子の
ダイボンデイング位置を高精度とする必要もな
く、したがつてそれだけ工程管理上、許容基準を
ゆるく認定できるので、工程の歩留まりが向上
し、生産性を高めることができるようになるとい
つた効果を奏する。
列のポストと第2の列のポストとの間に絶縁層を
設置し、これによつて半導体素子のボンデイング
パツトからポストに向かうワイヤが第2の列のポ
ストまたはこれに連なるリードに接触するのを簡
単に防止することができるし、更に半導体素子の
ダイボンデイング位置を高精度とする必要もな
く、したがつてそれだけ工程管理上、許容基準を
ゆるく認定できるので、工程の歩留まりが向上
し、生産性を高めることができるようになるとい
つた効果を奏する。
第1図はこの発明の実施例を示す平面図、第2
図は同断面図、第3図は動作状態を示す平面図、
第4図は従来例を示す平面図である。 1……基板、2……半導体素子、3……ボンデ
イングパツト、4……第1の列のポスト、5……
第2の列のポスト、6,7……リード、8,9…
…ワイヤ。
図は同断面図、第3図は動作状態を示す平面図、
第4図は従来例を示す平面図である。 1……基板、2……半導体素子、3……ボンデ
イングパツト、4……第1の列のポスト、5……
第2の列のポスト、6,7……リード、8,9…
…ワイヤ。
Claims (1)
- 1 半導体素子のボンデイングパツトと基板上の
ポストとをワイヤで接続してなる半導体装置にお
いて、前記ポストを前記半導体素子側に沿つて並
ぶ第1の列と、前記第1の列より前記半導体素子
から離れている位置に並びかつ前記第1の列のポ
ストに対して千鳥状に配置されてある第2の列と
によつて構成し、前記第1のポストと第2の列の
ポストとの間に、前記第1の列のポストに連なる
リードを覆う絶縁層を設置してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248484A JPS61127140A (ja) | 1984-11-24 | 1984-11-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248484A JPS61127140A (ja) | 1984-11-24 | 1984-11-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61127140A JPS61127140A (ja) | 1986-06-14 |
| JPH0426544B2 true JPH0426544B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17178841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59248484A Granted JPS61127140A (ja) | 1984-11-24 | 1984-11-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61127140A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2598129B2 (ja) * | 1989-05-18 | 1997-04-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-11-24 JP JP59248484A patent/JPS61127140A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61127140A (ja) | 1986-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |