JPH0426761B2 - - Google Patents

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JPH0426761B2
JPH0426761B2 JP61015221A JP1522186A JPH0426761B2 JP H0426761 B2 JPH0426761 B2 JP H0426761B2 JP 61015221 A JP61015221 A JP 61015221A JP 1522186 A JP1522186 A JP 1522186A JP H0426761 B2 JPH0426761 B2 JP H0426761B2
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JP
Japan
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humidity
antimony
antimony phosphate
proton conductor
phosphate
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JP61015221A
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JPS62173702A (ja
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Noboru Yamazoe
Norio Miura
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Figaro Engineering Inc
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Figaro Engineering Inc
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Publication date
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の利用分野] 本発明は、プロトン導電体を用いた湿度センサ
と、このセンサを用いた湿度検出方法に関する。 [従来技術] ラコンチ(LaConti)らは、プロトン導電体の
キヤリアーがプロトンの水和イオン、主として
H3O+であることを報告している(特開昭53−
115293号、米国特許出願773136)。このことは、
プロトン導電体の電気伝導度が湿度により変化す
ることを示唆する。 発明者らは、各種プロトン導電体に付いて検討
し、リン酸アンチモン(HSbP2O8)が水蒸気に
対し高い感度を有することを見出した。リン酸ア
ンチモンは、100〜300℃程度の中温域においても
水蒸気に対し高感度であり、800℃程度の熱処理
を行つても変形・破壊しない。 このような特性を備えた湿度センサは、例えば
電子レンジの制御に用いることができる。この用
途では、センサは調理に伴つて発生する水蒸気を
検出して、レンジを制御する。ここで雰囲気は、
調理のため100〜200℃程度に加熱されている。ま
たセンサは湿度に高感度であることが必要とされ
る。センサは調理により発生する煙等で汚染され
るので、ヒートクリーニングを行うことも必要と
なる。100〜300℃程度の温度で水蒸気に高感度
で、高温での熱処理に耐えるセンサは、この用途
に特に適している。 リン酸アンチモンは低湿領域(相対湿度0〜30
%)での水蒸気濃度の変化には高感度であるが、
高湿領域(相対湿度70%以上)では電気伝導度は
飽和する。そこでこのセンサは、低湿領域での湿
度の検出に適している。 関連する先行技術に付いて説明する。リン酸ア
ンチモンはチロ(E.Thiro)らにより初めて合成
された化合物で、彼等はHSbP2O8中の水素イオ
ンをナトリウムイオン等で置換し得ることを報告
している(無機・一般化学誌 Zeitschriftfur
Anorganishe und Allgemein Chemie346巻92頁
1966年)。 公知の湿度センサの多くは、金属酸化物表面へ
の水の吸着を利用する。例えば新田らにより開発
された湿度センサは、マグネシウムクロマイト−
酸化チタンの多孔質焼結体を利用する(ジヤーナ
ル オブ アメリカン セラミツク ソサイエテ
イー Journal of American Ceramic
Society63巻295頁1980年)。この焼結体に水が吸
着すると表面伝導が生ずる。表面の電気伝導度は
湿度により変化し、これから湿度を検出できる。
しかしこのセンサの湿度感度は100℃以上では著
しく低下する。またSnO2等のガスセンサを湿度
センサに転用することも検討されている。金属酸
化物半導体の表面に水が吸着すると、半導体の電
気伝導度が変化する。しかしこのセンサでは水蒸
気への感度よりも一酸化炭素やメタン等の可燃性
ガスへの感度の方が高いため、可燃性ガスが存在
すると誤差が生じる。 これに対して本発明の湿度センサでは、リン酸
アンチモン結晶の抵抗値の変化を利用し、表面伝
導を利用しない。 [発明の課題] 本発明は、高感度はプロトン導電体湿度センサ
を提供することを目的とする。 また本発明は、可燃性ガスの影響を受けない湿
度の検出方法を提供することを目的とする。 [発明の構成] 本発明では、リン酸アンチモン(HSbP2O8
の抵抗値の変化から湿度を検出する。リン酸アン
チモンには適宜の電極を接続し、抵抗値を測定で
きるようにする。リン酸アンチモンは例えばデイ
スク状等に成型し、その表裏に通気性の貴金属電
極を被覆すること等により用いる。 リン酸アンチモンの抵抗値は、例えば直流、交
流等の任意の条件で測定できる。しかし直流で
は、水素の共存により検出誤差が生じる。リン酸
アンチモンはプロトン導電体であり、水素により
起電力が発生する。直流では、抵抗値と起電力と
を区別出来ないため、水素が存在すると誤差が生
じる。交流でリン酸アンチモンのインピーダンス
を測定すると、水素による検出誤差は生じない。
またリン酸アンチモンは100〜300℃程度の温度で
も水蒸気に高感度であり、これらの温度に加熱し
て用いることが出来る。 [実施例] リン酸アンチモンの合成、合成した物質の同
定、センサの構造と検出回路、センサの特性、他
の材料との比較の順に、実施例を説明する。 (リン酸アンチモンの合成) 酸塩アンチモン(SbCl5)を10倍のモル量の濃
リン酸(H3PO4、85wt%)中に滴下し、撹はん
下で270℃にて24時間反応させた。この反応によ
りリン酸アンチモンを主とする白色固体が生成し
た。生成物を分離し、再度アンチモンと等モル量
のリン酸を加え、240℃に4日間加熱し反応を完
了させた。生成物をろ過し、PHが6になるまで水
を加えて遠心分離を繰り返し、過剰のリン酸等を
除去した。得られたリン酸アンチモンは白色の固
体である。 この反応の特色は、アンチモンの化合物とリン
酸とを反応させる点に有る。アンチモン化合物
は、SbCl3やSbBr3、アンチモンの硝酸塩、アン
チモンの酸化物や水酸化物等の任意のものを用い
ることができる。これらの化合物は水に不溶性の
ものでもリン酸と反応して溶解するし、3価のも
のでも酸化されて5価となる。好ましい反応温度
は200〜320℃であるが、反応温度や時間は自由に
変更できる。 (リン酸アンチモンの同定) 得られた試料の蛍光X線分析の結果を第1図に
示す。図の縦軸は、蛍光X線のカウント数であ
る。この結果から、Sb原子とP原子との比が
1:2であることがわかつた。 得られた試料のX線回折を行つた。この結果か
ら、試料がリン酸アンチモン(HSbP2O8)であ
ることがわかつた。回折図を第2図に示す。 リン酸アンチモンの水和状態を確認するため、
熱重量分析(TGA)を行つた。第3図に結果を
示す。室温ではリン酸アンチモンはHSbP2O8
6H2O等の水和物として存在する。加熱すると、
リン酸アンチモンは徐々に脱水し、480℃以上で
はHSbP2O8に転化する。更に温度を増すと、850
℃程度から格好酸素が脱離し、SbP2−O7.5とな
る。しかしこれらの脱水反応や酸素の脱離反応は
可逆的であり、冷却すれば元の状態に戻り、結晶
の破壊等は生じない。 第4図に、リン酸アンチモンの赤外吸収スペク
トルを示す。比較のためリン酸ジルコニウム
(Zr(HPO42・H2Oと、アンチモン酸(H2Sb2O5
(OH)2)の赤外吸収スペクトルを示す。 リン酸アンチモンのプロトン導電体としての性
質を測定した。リン酸アンチモンをデイスク状に
成型し、デイスクの両面に白金電極を取り付け
る。デイスクの一面を100%の水素にさらし、他
面を窒素で希釈した水素にさらす。二つの電極の
間には、 E=RT/2FIn(P1/P2) で現される起電力Eが発生した。ここにRは気体
定数、Tは絶対温度、Fはフアラデイー定数、
P1/P2は水素分圧の比で有る。この結果からリ
ン酸アンチモンはプロトン導電体で、電子等のプ
ロトン以外のキヤリアーは無視し得ることがわか
つた。27℃での水素分圧の比と、起電力との関係
を第5図に示す。 (センサの構造と検出回路) プロトン導電体室温センサ2の構造を第6図に
示す。図において、4はリン酸アンチモンのデイ
スク状の成型体で、ここでは直径10mm、厚さ2mm
の円盤状デイスクを用いた。デイスク4の表裏に
は、白金粉末を圧着した膜状の通気性電極6,8
を取り付けた。電極6,8には白金のリード線1
0,12を接続し、リン酸アンチモンの抵抗値を
外部へ取り出せるようにする。14は白金−白
金・ロジウム等の熱電対で、デイスク4の側部に
取り付けてある。16はコイル状のヒータで、セ
ンサ2を適宜に温度に加熱するためのものであ
る。これらのリード線10,12や熱電対14等
を、ベース18に設けたステムに熔接し、センサ
2を完成する。 このセンサ2は次のようにして製造した。リー
ド線10、白金粉末、リン酸アンチモンの粉末、
白金粉末、リード線12の順に積層し、2700Kg/
cm2でプレスした。熱電対14を白金ペーストによ
り、デイスク4に取り付けた。 リン酸アンチモンには、リン酸アンチモンの抵
抗値が主となる範囲で、他の物質、例えばアンチ
モン酸等の他のプロトン導電体を混合しても良
く、各種を有機バインダー等を混合しても良い。
リン酸アンチモンの形状はデイスク状のものに現
らず、基盤上に膜状に塗布したもの等任意のもの
を用いることが出来る。デイスク4の成型は、プ
レス成型や焼結等により行うことが出来る。なお
ここで有機バインダーを添加した後、500〜800℃
程度でバインダーを酸化除去すれば、気孔率の高
いデイスクを得ることが出来る。 また電極6,8には白金の他に、金や銀、ある
いはSnO2やLaNiO3等の金属酸化物半導体等の任
意のものを用いることが出来る。またその形状は
自由に変更でき、例えばデイスク4の一方の面に
櫛状の電極を対向させたものを用いれば高い導電
率を得ることができる。 熱電対14はサーミスタや白金測温抵抗等に代
えることができ、また設けなくても良い。ヒータ
16も同様に設けなくても良い。 第7図に検出回路の例を示す。リン酸アンチモ
ン4に検出抵抗R1と、20Hz〜200KHz程度の交
流電源20、を接続し、検出抵抗R1への電圧を
電圧計22で取り出す。熱電対14の起電力を比
較回路24で基準値と比較し、アナログスイツチ
26をオン−オフさせる。ヒータ16には、アナ
ログスイツチ26を介して電源28を接続し、セ
ンサ2を一定温度に加熱する。 実際には電源20は直流でも良い。しかし水素
が存在する場合、二つの電極6,8間に濃度の差
が有ると、起電力が発生し、抵抗値の検出に誤差
が生じる。また直流で用いる場合、電極では次の
反応が起こる。 H2O→2H++1/202+2e- (陽極側) 2H++2e-+1/202→H2O (陰極側) これらの反応を長時間あるいは大量に起こさせ
ると、電極が劣化する。これに対して交流では、
起電力は誤差の原因とならず、また電極反応は正
逆反応が短時間で交互に起こるので、実質上無視
できる。 (センサの特性) 単味のリン酸アンチモンを用いたセンサ2の水
蒸気感度を第8図に示す。なお以下の例では、交
流電源20の周波数は200Hzとし、抵抗値は各雰
囲気での定常値を測定した。 センサ2の抵抗値は水蒸気分圧と共に著しく減
少し、湿度への高い感度を示す。また感度は低温
側で大きい。 リン酸アンチモンの抵抗値が水蒸気により変化
する原因は、以下のように推測できる。第5図で
示したように、リン酸アンチモンのキヤリアーは
プロトンである。しかしプロトンはH+としてで
はなく、H3O+として移動するものと考えられ
る。このためプロトンの移動度は結晶内部の含水
量に依存し、含水量は雰囲気の湿度に依存する。
リン酸アンチモンの抵抗値は湿度により変化す
る。次に含水量は絶対湿度よりも相対湿度に依存
し、同じ水蒸気圧の変化であれば、低温側の方が
抵抗値の変化は大きい。 なお水蒸気圧を100Torr以上に増しても抵抗値
は変化するが、水蒸気圧当たりの抵抗値の変化は
徐々に小さくなる。 第9図に、リン酸アンチモンの気孔率を増した
試料の結果を示す。リン酸アンチモン80wt%と、
メチルセルロース(M.C)10wt%、ジフエニル
シランジオール(D.P.S)10wt%を混合してデイ
スク4とし、600℃で4時間空気中で焼成する。
焼成により有機物は燃焼して除かれ、デイスク内
に気孔を残す。このようにして多孔質のデイスク
4を得た。250℃での水蒸気分圧と抵抗値との関
係を示す。低湿側での感度が著しく増している。
なお加える有機物は、燃焼により除去し得るもの
で有れば良い。 単味のリン酸アンチモンの室温での電気伝導度
と相対湿度との関係を表1に示す。
【表】 なお電気伝導度は、相対湿度1%での値を基準
とした。低湿領域での感度は極めて高いが、高湿
領域では飽和することがわかる。 センサ2の耐熱性を調べるため単味のものを
800℃で1時間空気中で処理したが、処理の前後
での特性変化は小さかつた。 出発材料でのアンチモン原子とリン原子との比
を1:2からずらすと、原子比が1:2からシフ
トしたリン酸アンチモンが得られた。原子比が
1.8と2.8とのものに付いて測定したが、感湿特性
は化学量論比のリン酸アンチモンと類似した。 (他の材料との比較) リン酸アンチモン以外のプロトン導電体を合成
し、特性を評価した。最初に、酸化アンチモン
(Sb2O3)を15倍の当量の過酸化水素と反応させ、
アンチモン酸(Sb2O5・2H2O)を得た。 第10図に、100℃でのリン酸アンチモンとア
ンチモン酸との吸着等温線を示す。縦軸は1モル
当りの吸着水の重量である。リン酸アンチモンの
吸着水の量は大きく、このことが水蒸気感度を高
める原因であると考えられる。 105℃でのアンチモン酸の抵抗値への水蒸気分
圧の影響を、第11図に示す。aの単味のもので
の水蒸気感度は、リン酸アンチモンに比べて低
い。またアンチモン酸の水素の一部をナトリウム
イオンで置換したものを合成したが、感度は増さ
なかつた。 第12図に、リン酸ジルコニウムの水蒸気への
感度を示す。リン酸(H3PO4)と塩化水素と塩
化ジルコニウムとを反応させ、リン酸ジルコニウ
ム(Zr(HPO42)のゲルを得た。ゲルをリン酸
中120℃で1週間還流し、結晶性のリン酸ジルコ
ニウムとした。105℃と220℃での感度を測定した
が、リン酸アンチモンより低かつた。 Na2CO3、ZrO2、SiO2、NH4H2PO4とから、
NASICON(Na3Zr2Si2PO12)を合成した。
NASICONに0.1Nの硫酸を滴下し、ナトリウム
イオンの一部を水素イオンで置換し、プロトン導
電体とした。100℃での水蒸気圧と抵抗値との関
係を第13図に示す。抵抗値の変化は小さく、ヒ
ステリシスが有る。 [発明の効果] 本発明では、高感度なプロトン導電体湿度セン
サが得られる。 また本発明の湿度検出方法では、可燃性ガスの
影響を受けずに湿度の検出が出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第5図は実施例のプロトン導電体湿度
センサの特性図、第6図は実施例の湿度センサの
一部切り欠き部付き正面図、第7図は実施例に用
いる検出回路の回路図である。第8図〜第10図
は実施例の特性図、第11図〜第13図は従来例
の特性図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 プロトン導電体に少なくとも一対の電極を接
    続した湿度センサにおいて、 前記プロトン導電体は、リン酸アンチモン
    (HSbP2O8)であることを特徴とするプロトン導
    電体湿度センサ。 2 特許請求の範囲第1項記載のプロトン導電体
    湿度センサにおいて、 前記プロトン導電体はデイスク状に成型されて
    おり、かつ前記電極はデイスクの表裏両面に設け
    たことを特徴とするプロトン導電体湿度センサ。 3 特許請求の範囲第2項記載のプロトン導電体
    湿度センサにおいて、 前記電極は、貴金属の通気性膜であることを特
    徴とするプロトン導電体湿度センサ。 4 リン酸アンチモン(HSbP2O8)を用いたプ
    ロトン導電体に交流電圧を印加し、 交流電圧の印加下におけるプロトン導電体のイ
    ンピーダンスを測定し、このインピーダンスの変
    化から湿度を検出する、湿度検出方法。 5 特許請求の範囲第4項記載の方法において、
    前記プロトン導電体を100〜300℃に加熱して用い
    ることを特徴とする湿度検出方法。
JP61015221A 1986-01-27 1986-01-27 プロトン導電体湿度センサおよびこの湿度センサを用いた湿度検出方法 Granted JPS62173702A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101522673B1 (ko) * 2013-03-29 2015-06-25 (주)티티에스 가열기 및 이를 포함하는 기판 지지 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101522673B1 (ko) * 2013-03-29 2015-06-25 (주)티티에스 가열기 및 이를 포함하는 기판 지지 장치

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