JPH04271121A - コンタクトホールの形成方法 - Google Patents
コンタクトホールの形成方法Info
- Publication number
- JPH04271121A JPH04271121A JP3004855A JP485591A JPH04271121A JP H04271121 A JPH04271121 A JP H04271121A JP 3004855 A JP3004855 A JP 3004855A JP 485591 A JP485591 A JP 485591A JP H04271121 A JPH04271121 A JP H04271121A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- forming
- polyimide resin
- etching
- dummy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度集積半導体装置
におけるコンタクトホールの形成方法に関する。
におけるコンタクトホールの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高密度集積半導体装置の多層配線
の層間絶縁膜にポリイミド樹脂が用いられている場合に
は、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示されているような工
程を経てそのポリイミド樹脂にコンタクトホールを形成
している。
の層間絶縁膜にポリイミド樹脂が用いられている場合に
は、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示されているような工
程を経てそのポリイミド樹脂にコンタクトホールを形成
している。
【０００３】まず、第１アルミ配線層１ａ〜１ｃが形成
されている半導体基板３上に、層間絶縁膜であるポリイ
ミド樹脂層４を形成する。そして、そのポリイミド樹脂
層４上に、このポリイミドエッチング時のマスクとなる
チタン層あるいはシリコン窒化膜層５を形成する。次に
、第１アルミ配線層１ａ〜１ｃ上にコンタクトホールを
形成するため、その部分のシリコン窒化膜層５を除去す
る。このときの縦断面図は図３（Ａ）に示す通りである
。そして、この状態でポリイミド樹脂層４をエッチング
して第１アルミ配線層１ａ〜１ｃ上にコンタクトホール
６ａ〜６ｃを形成する。このときの縦断面図は図３（Ｂ
）に示す通りである。その後、シリコン窒化膜５を除去
し、必要であるならば第２アルミ配線層を形成して第１
アルミ配線層１ａ〜１ｃを電気的に相互接続する。
されている半導体基板３上に、層間絶縁膜であるポリイ
ミド樹脂層４を形成する。そして、そのポリイミド樹脂
層４上に、このポリイミドエッチング時のマスクとなる
チタン層あるいはシリコン窒化膜層５を形成する。次に
、第１アルミ配線層１ａ〜１ｃ上にコンタクトホールを
形成するため、その部分のシリコン窒化膜層５を除去す
る。このときの縦断面図は図３（Ａ）に示す通りである
。そして、この状態でポリイミド樹脂層４をエッチング
して第１アルミ配線層１ａ〜１ｃ上にコンタクトホール
６ａ〜６ｃを形成する。このときの縦断面図は図３（Ｂ
）に示す通りである。その後、シリコン窒化膜５を除去
し、必要であるならば第２アルミ配線層を形成して第１
アルミ配線層１ａ〜１ｃを電気的に相互接続する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来のコンタクトホールの形成方法にあっては、コン
タクトホールを形成すべきコンタクトホール形成位置が
密に分布している領域，換言すれば、コンタクトホール
形成位置の相互間隔が狭く分布している領域ではポリイ
ミド樹脂層４のエッチングは確実に行われるが、図３（
Ｂ）に示すコンタクトホール６ａ付近のようにそれが比
較的疎に分布している領域ではエッチング残りが生じ易
く、そのエッチングは確実に行われない場合が有るとい
う問題がある。
な従来のコンタクトホールの形成方法にあっては、コン
タクトホールを形成すべきコンタクトホール形成位置が
密に分布している領域，換言すれば、コンタクトホール
形成位置の相互間隔が狭く分布している領域ではポリイ
ミド樹脂層４のエッチングは確実に行われるが、図３（
Ｂ）に示すコンタクトホール６ａ付近のようにそれが比
較的疎に分布している領域ではエッチング残りが生じ易
く、そのエッチングは確実に行われない場合が有るとい
う問題がある。
【０００５】このような現象が生じるのは、ポリイミド
樹脂のエッチング時にはそのポリイミド樹脂に含まれて
いる水分が蒸発するが、コンタクトホール形成位置が疎
に分布している領域ではその水分の蒸発があるコンタク
トホールで集中して行われ、これがエッチングを妨げる
ためであり、最悪の場合にはコンタクトホール６ａのよ
うにコンタクトホールのエッチング残りが生じることと
なる。
樹脂のエッチング時にはそのポリイミド樹脂に含まれて
いる水分が蒸発するが、コンタクトホール形成位置が疎
に分布している領域ではその水分の蒸発があるコンタク
トホールで集中して行われ、これがエッチングを妨げる
ためであり、最悪の場合にはコンタクトホール６ａのよ
うにコンタクトホールのエッチング残りが生じることと
なる。
【０００６】本発明は、このような従来の問題点を解消
するためになされたものであり、コンタクトホール形成
位置の分布の如何に拘らずに、確実にコンタクトホール
を形成できるコンタクトホールの形成方法の提供を目的
とする。
するためになされたものであり、コンタクトホール形成
位置の分布の如何に拘らずに、確実にコンタクトホール
を形成できるコンタクトホールの形成方法の提供を目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、ポリイミド樹脂によって形成されてい
る層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクト
ホールの形成方法において、前記コンタクトホールが形
成されるべきコンタクトホール形成位置にダミー柱を形
成する工程と、当該ダミー柱が完全に覆われるまでポリ
イミド樹脂層を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂層
を前記ダミー柱の頭部が露出するまでエッチングする工
程と、前記ダミー柱を除去してコンタクトホールを形成
する工程とを含むことを特徴とする。
に、本発明では、ポリイミド樹脂によって形成されてい
る層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクト
ホールの形成方法において、前記コンタクトホールが形
成されるべきコンタクトホール形成位置にダミー柱を形
成する工程と、当該ダミー柱が完全に覆われるまでポリ
イミド樹脂層を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂層
を前記ダミー柱の頭部が露出するまでエッチングする工
程と、前記ダミー柱を除去してコンタクトホールを形成
する工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
【作用】このような工程でコンタクトホールを形成すれ
ば、コンタクトホールは、ダミー柱を取り除くことによ
って形成されることとなるから、ポリイミドの水分の影
響を全く考えることなく、かつ、コンタクトホール形成
位置の分布の如何に拘らずに、確実にコンタクトホール
が形成できることになる。
ば、コンタクトホールは、ダミー柱を取り除くことによ
って形成されることとなるから、ポリイミドの水分の影
響を全く考えることなく、かつ、コンタクトホール形成
位置の分布の如何に拘らずに、確実にコンタクトホール
が形成できることになる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）と図２（Ａ）及
び図２（Ｂ）は、本発明の一実施例の各工程によって得
られる縦断面図であり、本発明においては次のようにし
てコンタクトホールを形成する。
に説明する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）と図２（Ａ）及
び図２（Ｂ）は、本発明の一実施例の各工程によって得
られる縦断面図であり、本発明においては次のようにし
てコンタクトホールを形成する。
【００１０】まず、絶縁層２の上に第１アルミ配線層１
ａ〜１ｃが形成されている半導体基板３の上全面に、シ
リコン酸化膜を堆積させ、図１（Ａ）に示されているよ
うなダミー柱１０ａ〜１０ｃを第１アルミ配線層１ａ〜
１ｃ上に形成する。このダミー柱１０ａ〜１０ｃは、フ
ォトリソ工程とエッチング工程により形成される。具体
的には、前記半導体基板３の上全面にシリコン酸化膜を
形成した後、そのシリコン酸化膜上の所定部分にフォト
リソ工程でレジストマスクを形成し、そのレジストマス
クをマスクとしてシリコン酸化膜をエッチングすること
によりダミー柱１０ａ〜１０ｃが形成される。このダミ
ー柱１０ａ〜１０ｃの高さは、最終的に得たいコンタク
トホールの深さよりも３０００オングストローム程度高
めに作っておく。このようにするのは、ダミー柱の除去
を容易に行なえるようにするためである。
ａ〜１ｃが形成されている半導体基板３の上全面に、シ
リコン酸化膜を堆積させ、図１（Ａ）に示されているよ
うなダミー柱１０ａ〜１０ｃを第１アルミ配線層１ａ〜
１ｃ上に形成する。このダミー柱１０ａ〜１０ｃは、フ
ォトリソ工程とエッチング工程により形成される。具体
的には、前記半導体基板３の上全面にシリコン酸化膜を
形成した後、そのシリコン酸化膜上の所定部分にフォト
リソ工程でレジストマスクを形成し、そのレジストマス
クをマスクとしてシリコン酸化膜をエッチングすること
によりダミー柱１０ａ〜１０ｃが形成される。このダミ
ー柱１０ａ〜１０ｃの高さは、最終的に得たいコンタク
トホールの深さよりも３０００オングストローム程度高
めに作っておく。このようにするのは、ダミー柱の除去
を容易に行なえるようにするためである。
【００１１】次に、図１（Ａ）のような層構造の基板上
に、図１（Ｂ）に示すようにポリイミド樹脂層４を形成
する。このポリイミド樹脂層４の膜厚は、最終的にコン
タクトホールの高さとなる目標値よりも７０００オング
ストローム程度厚めにする。そして、ポリイミド樹脂層
４のエッチバックを行なって、その厚さを前記目標値ま
でエッチングする。このエッチングによって図２（Ａ）
に示すようにダミー柱１０ａ〜１０ｃの頭部が露出され
ることになる。このとき、その頭部は３０００オングス
トローム程度露出していることになる。最後に、シリコ
ン酸化膜で形成されているダミー柱１０ａ〜１０ｃをエ
ッチングによって取り除き、図２（Ｂ）に示されている
ようなコンタクトホール６ａ〜６ｃを形成する。尚、ダ
ミー柱の除去はフッ酸溶液によるウエットエッチング法
によって行なう。このようにしてコンタクトホールを形
成すると、コンタクトホールを形成するためのポリイミ
ド樹脂のエッチングを行なう必要がなくなるために、ポ
リイミド樹脂のエッチング時の水分の影響を全く考えず
にコンタクトホールの形成を行なうことができることに
なる。 従って、コンタクトホール形成位置の分布の疎密の如何
にかかわらずに、コンタクトホールの形成を確実に行な
うことができる。
に、図１（Ｂ）に示すようにポリイミド樹脂層４を形成
する。このポリイミド樹脂層４の膜厚は、最終的にコン
タクトホールの高さとなる目標値よりも７０００オング
ストローム程度厚めにする。そして、ポリイミド樹脂層
４のエッチバックを行なって、その厚さを前記目標値ま
でエッチングする。このエッチングによって図２（Ａ）
に示すようにダミー柱１０ａ〜１０ｃの頭部が露出され
ることになる。このとき、その頭部は３０００オングス
トローム程度露出していることになる。最後に、シリコ
ン酸化膜で形成されているダミー柱１０ａ〜１０ｃをエ
ッチングによって取り除き、図２（Ｂ）に示されている
ようなコンタクトホール６ａ〜６ｃを形成する。尚、ダ
ミー柱の除去はフッ酸溶液によるウエットエッチング法
によって行なう。このようにしてコンタクトホールを形
成すると、コンタクトホールを形成するためのポリイミ
ド樹脂のエッチングを行なう必要がなくなるために、ポ
リイミド樹脂のエッチング時の水分の影響を全く考えず
にコンタクトホールの形成を行なうことができることに
なる。 従って、コンタクトホール形成位置の分布の疎密の如何
にかかわらずに、コンタクトホールの形成を確実に行な
うことができる。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明によれば、コンタクトホール形成位置の分布の如何に
拘らずに全てのコンタクトホールの形成を確実に行なう
ことができる。
明によれば、コンタクトホール形成位置の分布の如何に
拘らずに全てのコンタクトホールの形成を確実に行なう
ことができる。
【図１】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明のコンタク
トホールの形成方法を説明するための縦断面図である。
トホールの形成方法を説明するための縦断面図である。
【図２】図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１の（Ｂ）の工
程に引き続いて行われる本発明のコンタクトホールの形
成方法を説明するための縦断面図である。
程に引き続いて行われる本発明のコンタクトホールの形
成方法を説明するための縦断面図である。
【図３】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、従来のコンタクト
ホールの形成方法を説明するための縦断面図である。
ホールの形成方法を説明するための縦断面図である。
１ａ〜１ｃ 第１アルミ配線層 ２ 絶縁層
３ 半導体基板
４ ポリイミド樹脂層（層間絶縁膜） ５ チタン層あるいはシリコン窒化膜層６ａ〜６ｃ
コンタクトホール １０ａ〜１０ｃ ダミー柱
３ 半導体基板
４ ポリイミド樹脂層（層間絶縁膜） ５ チタン層あるいはシリコン窒化膜層６ａ〜６ｃ
コンタクトホール １０ａ〜１０ｃ ダミー柱
Claims (1)
- 【請求項１】 ポリイミド樹脂によって形成されてい
る層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクト
ホールの形成方法において、前記コンタクトホールが形
成されるべきコンタクトホール形成位置にダミー柱を形
成する工程と、当該ダミー柱が完全に覆われるまでポリ
イミド樹脂層を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂層
を前記ダミー柱の頭部が露出するまでエッチングする工
程と、前記ダミー柱を除去してコンタクトホールを形成
する工程とを含むことを特徴とするコンタクトホールの
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004855A JPH04271121A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | コンタクトホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004855A JPH04271121A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | コンタクトホールの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04271121A true JPH04271121A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=11595297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3004855A Withdrawn JPH04271121A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | コンタクトホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04271121A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007141985A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP3004855A patent/JPH04271121A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007141985A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |