JPH04276076A - 化学気相成長法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長方法に関
し、さらに詳しくは、金属膜の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　　Ｖ
ａｐｏｒ　　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）法は、高
性能膜を量産できる方法として広く実用化されている。 金属膜の化学気相成長法の原料として金属の塩化物が広
く用いられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、薄膜合成時に
反応器材料に対する腐食性の強い塩化水素ガスを発生す
る。本発明は上記難点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、安価で取り扱いやすい原料を用
いて、腐食性のガスを発生することなく、金属膜を容易
に合成し得る新たな化学気相成長法の提供にある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】金属の有機酸塩、例えば
、金属の酢酸酸塩または金属の酢酸酸塩の誘導体を原料
として用い、反応ガス、例えば、水素を原料ガスに加え
ることにより、被処理物表面に金属膜を成長させること
を特徴とする化学気相成長方法。

【０００５】

【作用】本発明方法によるときは、取り扱い上も安全な
原料を用いて、少ない工程で、腐食性のガスを発生する
ことなく、優れた金属膜を容易にに成長させることがで
きる。

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１に成膜装置の模式図を示す。原料として酢酸コバルト
を用い、これを３００℃に保った気化器内で気化し、窒
素ガス（流量３００ｃｍ３／ｍｉｎ）をキャリアガスと
してこれを反応器内に導入した。反応ガスとして水素ガ
ス（流量３００ｃｍ３／ｍｉｎ）を用い、これを同軸噴
流として、反応器中で原料ガスと拡散混合し、大気圧下
で成膜した。基板として、硼珪酸ガラスとシリコン単結
晶を用いた。反応温度３５０〜５００℃で反応させたと
ころ、金属光沢を持ち高い導電性を示す結晶性のコバル
ト膜が得られた。図２に合成された薄膜のＸ線回折パタ
ーンの１例を示す。図３に薄膜の成膜速度を反応温度に
対して示す。図４に合成された膜の抵抗率を示す。４０
０℃で成膜した膜の抵抗率は４×１０−４Ω・ｃｍでバ
ルク材の抵抗率とほぼ一致している。以上本発明につき
好適な実施例を挙げて種々説明したが、本発明はこの実
施例に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しな
い範囲内で多くの改変を施し得るのはもちろんのことで
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】装置の概略図である。

【図２】合成された膜のＸ線回折パターンの１例を示す
図である。

【図３】薄膜の成膜速度を反応温度に対して示した図で
ある。

【図４】合成された薄膜の抵抗率を反応温度に対して示
した図である。

【符号の説明】

１　　キャリアガスボンベ ２　　反応ガスボンベ ３　　ガス流量制御器 ４　　温度検出器 ５　　気化器 ６　　原料 ７　　反応器 ８　　ヒーター ９　　被処理物

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　金属の有機酸塩を原料として用い、反
   応ガスを原料ガスに加えることにより、被処理物表面に
   金属膜を成長させることを特徴とする化学気相成長方法
   。
2. 【請求項２】　　金属の有機酸塩が金属の酢酸酸塩また
   は金属の酢酸酸塩の誘導体である特許請求範囲第１項記
   載の化学気相成長方法。
3. 【請求項３】　　反応ガスが水素である特許請求範囲第
   １項記載の化学気相成長方法。