JPH04289618A - リードスイッチ接点材料とその製造方法 - Google Patents
リードスイッチ接点材料とその製造方法Info
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- JPH04289618A JPH04289618A JP5274691A JP5274691A JPH04289618A JP H04289618 A JPH04289618 A JP H04289618A JP 5274691 A JP5274691 A JP 5274691A JP 5274691 A JP5274691 A JP 5274691A JP H04289618 A JPH04289618 A JP H04289618A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードスイッチ材料とそ
の製造方法に関し、更に詳しくは、接点基材と接点薄膜
との密着性が優れていて、接点薄膜の剥離が起こりづら
いので接点消耗も抑制されるリードスイッチ接点材料と
それを製造する方法に関する。
の製造方法に関し、更に詳しくは、接点基材と接点薄膜
との密着性が優れていて、接点薄膜の剥離が起こりづら
いので接点消耗も抑制されるリードスイッチ接点材料と
それを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードスイッチの封入接点の場合、その
接点材料としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕなど
の貴金属やそれらの合金が主として使用されている。こ
のことは、上記貴金属やそれらの合金がいずれも比抵抗
小，加工性容易であるという性質に加えて、一般に腐食
や酸化が起こりにくい材料であることに基づく。
接点材料としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕなど
の貴金属やそれらの合金が主として使用されている。こ
のことは、上記貴金属やそれらの合金がいずれも比抵抗
小，加工性容易であるという性質に加えて、一般に腐食
や酸化が起こりにくい材料であることに基づく。
【０００３】しかし、これら貴金属やそれらの合金はい
ずれも高価格であり、しかもその価格が安定していない
という問題がある。このため、接点基材としてＣｕ，Ｃ
ｕ合金，Ｆｅ，Ｆｅ合金，Ｎｉ合金のような安価な材料
を用い、この基材の表面を、腐食性，耐酸化性が優れ、
かつ導電性を有するＴｉＮやＺｒＮのようなセラミック
スで被覆して接点薄膜とした構造の接点が提案されてい
る（特開昭５６−１５２１１５号公報，特開昭５６−１
５９０１７号公報，特開昭５６−１５９０２８号公報な
どを参照）。
ずれも高価格であり、しかもその価格が安定していない
という問題がある。このため、接点基材としてＣｕ，Ｃ
ｕ合金，Ｆｅ，Ｆｅ合金，Ｎｉ合金のような安価な材料
を用い、この基材の表面を、腐食性，耐酸化性が優れ、
かつ導電性を有するＴｉＮやＺｒＮのようなセラミック
スで被覆して接点薄膜とした構造の接点が提案されてい
る（特開昭５６−１５２１１５号公報，特開昭５６−１
５９０１７号公報，特開昭５６−１５９０２８号公報な
どを参照）。
【０００４】このような接点薄膜を構成するセラミック
スとしては、主としてＴｉ，Ｚｒのような周期律表ＩＶ
ａ族金属の、窒化物，炭化物，ホウ化物，ケイ化物，ア
ルミ化物などが知られている。しかしながら、接点基材
の表面に上記したようなセラミックスを直接被覆して接
点薄膜にした材料は、このセラミックスから成る接点薄
膜と接点基材との密着性が必ずしも充分ではなく、その
ため接点薄膜が剥離しやすく、結果として接点消耗が激
しいという問題がある。
スとしては、主としてＴｉ，Ｚｒのような周期律表ＩＶ
ａ族金属の、窒化物，炭化物，ホウ化物，ケイ化物，ア
ルミ化物などが知られている。しかしながら、接点基材
の表面に上記したようなセラミックスを直接被覆して接
点薄膜にした材料は、このセラミックスから成る接点薄
膜と接点基材との密着性が必ずしも充分ではなく、その
ため接点薄膜が剥離しやすく、結果として接点消耗が激
しいという問題がある。
【０００５】このような問題を解決するために、接点基
材と上記接点薄膜の間に所定厚みの中間層を介在させる
ということも行われている。例えば、ＮｉＦｅ合金の基
材の表面に、まず、ＺｒまたはＴｉを蒸着して中間層を
形成し、ついで、この中間層の上に、Ｚｒに対してはＺ
ｒＮを、Ｔｉに対してはＴｉＮを接点薄膜とする材料が
提案されている（特開昭５８−１６４１１５号公報参照
）。
材と上記接点薄膜の間に所定厚みの中間層を介在させる
ということも行われている。例えば、ＮｉＦｅ合金の基
材の表面に、まず、ＺｒまたはＴｉを蒸着して中間層を
形成し、ついで、この中間層の上に、Ｚｒに対してはＺ
ｒＮを、Ｔｉに対してはＴｉＮを接点薄膜とする材料が
提案されている（特開昭５８−１６４１１５号公報参照
）。
【０００６】この材料の場合、接点薄膜と接点基材との
密着性は若干高まっているが、しかし、必ずしも満足の
いく良好な密着性であるとはいえない。本発明は、接点
基材，中間層およびセラミックスから成る接点薄膜で構
成されるリードスイッチ接点材料における上記問題を解
決し、接点基材と接点薄膜との密着性が極めて良好であ
り、したがって接点消耗が大いに抑制されたリードスイ
ッチ接点材料とその製造方法の提供を目的とする。
密着性は若干高まっているが、しかし、必ずしも満足の
いく良好な密着性であるとはいえない。本発明は、接点
基材，中間層およびセラミックスから成る接点薄膜で構
成されるリードスイッチ接点材料における上記問題を解
決し、接点基材と接点薄膜との密着性が極めて良好であ
り、したがって接点消耗が大いに抑制されたリードスイ
ッチ接点材料とその製造方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段・作用】上記した目的を達
成する為に、本発明においては、ＮｉＦｅ合金から成る
基材と、該基材の表面に形成されたＴｉまたはＺｒを主
成分とする中間層と、該中間層の表面に形成され、周期
律表ＩＶａ族金属のセラミックスから成る接点薄膜とを
有するリードスイッチ接点材料において、少なくとも前
記基材と前記中間層との界面にはＴｉまたＺｒの拡散層
が形成されていることを特徴とするリードスイッチ接点
材料が提供され、また、ＮｉＦｅ合金から成る基材を４
００℃以上の温度に加熱しながら前記基材の表面にＴｉ
またはＺｒを蒸着して中間層を形成し、ついで、前記中
間層の表面に、周期律表ＩＶａ族金属のセラミックスを
接点薄膜として形成することを特徴とするリードスイッ
チ接点材料の製造方法、ならびに、ＮｉＦｅ合金から成
る基材の表面にＴｉまたはＺｒを蒸着して中間層を形成
し、ついで全体を４００℃以上の温度に加熱して、前記
中間層の表面に周期律表ＩＶａ族金属のセラミックスを
蒸着して接点薄膜を形成することを特徴とするリードス
イッチ接点材料の製造方法が提供される。
成する為に、本発明においては、ＮｉＦｅ合金から成る
基材と、該基材の表面に形成されたＴｉまたはＺｒを主
成分とする中間層と、該中間層の表面に形成され、周期
律表ＩＶａ族金属のセラミックスから成る接点薄膜とを
有するリードスイッチ接点材料において、少なくとも前
記基材と前記中間層との界面にはＴｉまたＺｒの拡散層
が形成されていることを特徴とするリードスイッチ接点
材料が提供され、また、ＮｉＦｅ合金から成る基材を４
００℃以上の温度に加熱しながら前記基材の表面にＴｉ
またはＺｒを蒸着して中間層を形成し、ついで、前記中
間層の表面に、周期律表ＩＶａ族金属のセラミックスを
接点薄膜として形成することを特徴とするリードスイッ
チ接点材料の製造方法、ならびに、ＮｉＦｅ合金から成
る基材の表面にＴｉまたはＺｒを蒸着して中間層を形成
し、ついで全体を４００℃以上の温度に加熱して、前記
中間層の表面に周期律表ＩＶａ族金属のセラミックスを
蒸着して接点薄膜を形成することを特徴とするリードス
イッチ接点材料の製造方法が提供される。
【０００８】本発明の接点材料は、ＮｉＦｅ合金の基材
と上記中間層との界面に拡散層を形成したことを最大の
特徴とする。この拡散層は、中間層の構成元素であるＴ
ｉあるいはＺｒと接点基材の構成元素であるＮｉ，Ｆｅ
とが、後述する方法によって相互に熱拡散して形成され
た合金または金属間化合物から成る層であって、接点基
材と中間層との接合界面における化学組成を連続的に変
化させ、もって接点基材と中間層との間の画然とした境
界を消滅させて、両者の密着性を向上させる働きをする
。
と上記中間層との界面に拡散層を形成したことを最大の
特徴とする。この拡散層は、中間層の構成元素であるＴ
ｉあるいはＺｒと接点基材の構成元素であるＮｉ，Ｆｅ
とが、後述する方法によって相互に熱拡散して形成され
た合金または金属間化合物から成る層であって、接点基
材と中間層との接合界面における化学組成を連続的に変
化させ、もって接点基材と中間層との間の画然とした境
界を消滅させて、両者の密着性を向上させる働きをする
。
【０００９】本発明の接点材料において、中間層の膜厚
は０．０１〜５μｍ程度とする。あまり厚くすると、中
間層自体の抵抗や内部応力が大きくなり、最表層の接点
層コーティングに特別な配慮を払うことが必要になると
いう問題が生じ、またあまり薄くすると後述の拡散層形
成時にこの中間に位置するＴｉやＺｒが少なすぎて効果
がでないからである。
は０．０１〜５μｍ程度とする。あまり厚くすると、中
間層自体の抵抗や内部応力が大きくなり、最表層の接点
層コーティングに特別な配慮を払うことが必要になると
いう問題が生じ、またあまり薄くすると後述の拡散層形
成時にこの中間に位置するＴｉやＺｒが少なすぎて効果
がでないからである。
【００１０】この中間層は、接点基材の表面にＴｉまた
はＺｒを蒸着して形成される。蒸着の方法としては、常
法の真空蒸着，スパッタリング，イオンプレーティング
などが適用される。中間層の上に蒸着して形成される接
点薄膜は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆなどの周期律表ＩＶａ族金
属の、窒化物，炭化物，ホウ化物，ケイ化物，アルミ化
物の少なくとも１種のセラミックスで構成される。
はＺｒを蒸着して形成される。蒸着の方法としては、常
法の真空蒸着，スパッタリング，イオンプレーティング
などが適用される。中間層の上に蒸着して形成される接
点薄膜は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆなどの周期律表ＩＶａ族金
属の、窒化物，炭化物，ホウ化物，ケイ化物，アルミ化
物の少なくとも１種のセラミックスで構成される。
【００１１】これらのうち、中間層がＺｒで成る場合は
Ｚｒのセラミックス、中間層がＴｉから成る場合はＴｉ
のセラミックスで接点薄膜を形成すると、この接点薄膜
と中間層との密着性が良好になるので好ましい。また、
形成する接点薄膜の種類に対応して接点薄膜と中間層の
界面に、それぞれ窒素，炭素，ホウ素，ケイ素，アルミ
ニウムを拡散して拡散層を形成すると、密着性の一層の
向上が実現して好適である。
Ｚｒのセラミックス、中間層がＴｉから成る場合はＴｉ
のセラミックスで接点薄膜を形成すると、この接点薄膜
と中間層との密着性が良好になるので好ましい。また、
形成する接点薄膜の種類に対応して接点薄膜と中間層の
界面に、それぞれ窒素，炭素，ホウ素，ケイ素，アルミ
ニウムを拡散して拡散層を形成すると、密着性の一層の
向上が実現して好適である。
【００１２】この接点薄膜の膜厚は、通常、０．０５〜
１００μｍ程度であることが好ましい。この接点薄膜の
蒸着方法としては、例えば、真空蒸着，スパッタリング
，イオンプレーティング，ＣＶＤ，多層膜の熱処理によ
る合成などの常法が適用される。
１００μｍ程度であることが好ましい。この接点薄膜の
蒸着方法としては、例えば、真空蒸着，スパッタリング
，イオンプレーティング，ＣＶＤ，多層膜の熱処理によ
る合成などの常法が適用される。
【００１３】さて、本発明の接点材料における拡散層は
次のようにして形成される。第１の方法は、まず、常用
の成膜装置の中にＮｉＦｅ合金基材をセットし、これを
４００℃以上の温度に加熱した状態で、その表面にＴｉ
またはＺｒを蒸着する方法である。この加熱されている
接点基材の表面にＴｉまたはＺｒが蒸着すると、その蒸
着初期の段階では、ＴｉまたはＺｒが基材のＮｉＦｅ合
金と反応して基材表面から内部に拡散し、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｎｉ，Ｆｅが混在する拡散層になる。拡散が飽和した時
点から以降は、この拡散層の上にＴｉまたはＺｒが単体
金属として層状に蒸着して中間層になる。
次のようにして形成される。第１の方法は、まず、常用
の成膜装置の中にＮｉＦｅ合金基材をセットし、これを
４００℃以上の温度に加熱した状態で、その表面にＴｉ
またはＺｒを蒸着する方法である。この加熱されている
接点基材の表面にＴｉまたはＺｒが蒸着すると、その蒸
着初期の段階では、ＴｉまたはＺｒが基材のＮｉＦｅ合
金と反応して基材表面から内部に拡散し、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｎｉ，Ｆｅが混在する拡散層になる。拡散が飽和した時
点から以降は、この拡散層の上にＴｉまたはＺｒが単体
金属として層状に蒸着して中間層になる。
【００１４】拡散の状態、したがって拡散層の厚みは、
接点基材の温度によって規定され、この温度が４００℃
未満では上記した拡散は起こらない。しかし、あまり高
い温度にすると、接点基材を劣化させたり、拡散が起こ
りすぎて接点表層にまでＮｉやＦｅが露出してしまうと
いう問題が生じてしまうので、接点基材の温度は４００
〜７００℃に制御することが好ましい。このとき、拡散
層の厚みは０．１〜１μｍであり、中間層と接点基材と
の密着性を良好に確保することができる。
接点基材の温度によって規定され、この温度が４００℃
未満では上記した拡散は起こらない。しかし、あまり高
い温度にすると、接点基材を劣化させたり、拡散が起こ
りすぎて接点表層にまでＮｉやＦｅが露出してしまうと
いう問題が生じてしまうので、接点基材の温度は４００
〜７００℃に制御することが好ましい。このとき、拡散
層の厚みは０．１〜１μｍであり、中間層と接点基材と
の密着性を良好に確保することができる。
【００１５】第２の方法は、同じく成膜装置の中で、接
点基材の表面に所定厚みのＺｒまたはＴｉの蒸着層をま
ず形成し、その後、全体を４００℃以上の温度に加熱し
てＴｉまたはＺｒの接点基材への拡散を進める方法であ
る。このようにして製造された接点材料は、それをガラ
ス封入してリードスイッチとして使用する際に、その接
触抵抗の安定化を図るために、更に、接点薄膜の表面に
Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕなどの貴金属またはそれらの合
金を薄く蒸着してもよい。
点基材の表面に所定厚みのＺｒまたはＴｉの蒸着層をま
ず形成し、その後、全体を４００℃以上の温度に加熱し
てＴｉまたはＺｒの接点基材への拡散を進める方法であ
る。このようにして製造された接点材料は、それをガラ
ス封入してリードスイッチとして使用する際に、その接
触抵抗の安定化を図るために、更に、接点薄膜の表面に
Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕなどの貴金属またはそれらの合
金を薄く蒸着してもよい。
【００１６】
【実施例】実施例１
５２％Ｎｉ−Ｆｅ合金から成るリードスイッチの接点基
材を真空チャンバにセットし、チャンバ内を約１．０×
１０−６Ｔｏｒｒにまで真空排気し、基材を６５０℃に
加熱した状態で、Ａｒイオンによってイオンボンバード
処理を行なって基材表面を洗浄した。
材を真空チャンバにセットし、チャンバ内を約１．０×
１０−６Ｔｏｒｒにまで真空排気し、基材を６５０℃に
加熱した状態で、Ａｒイオンによってイオンボンバード
処理を行なって基材表面を洗浄した。
【００１７】ついで、イオンプレーティング法で、基材
表面に０．５μｍ相当量のＺｒを蒸着し、基材温度を６
５０℃に維持したまま、更にその上にイオンプレーティ
ング法で厚み２μｍのＺｒＮを蒸着した。 実施例２ 実施例１で用いた接点基材を真空チャンバにセットし、
チャンバ内を約１．０×１０−６Ｔｏｒｒに真空排気し
たのちＡｒイオンでイオンボンバードして表面を洗浄し
、ついで、常温下で、イオンプレーティング法で基材表
面に０．５μｍ相当量のＺｒを蒸着した。
表面に０．５μｍ相当量のＺｒを蒸着し、基材温度を６
５０℃に維持したまま、更にその上にイオンプレーティ
ング法で厚み２μｍのＺｒＮを蒸着した。 実施例２ 実施例１で用いた接点基材を真空チャンバにセットし、
チャンバ内を約１．０×１０−６Ｔｏｒｒに真空排気し
たのちＡｒイオンでイオンボンバードして表面を洗浄し
、ついで、常温下で、イオンプレーティング法で基材表
面に０．５μｍ相当量のＺｒを蒸着した。
【００１８】その後、基材を６５０℃に加熱し、その状
態で、イオンプレーティング法によって厚み２μｍのＺ
ｒＮ層を形成した。 実施例３ 実施例１で用いたリードスイッチの接点基材を真空チャ
ンバにセットし、チャンバ内を約１．０×１０−６Ｔｏ
ｒｒにまで真空排気し、基材を５５０℃に加熱した状態
で、Ａｒイオンによってイオンボンバード処理を行なっ
て基材表面を洗浄した。
態で、イオンプレーティング法によって厚み２μｍのＺ
ｒＮ層を形成した。 実施例３ 実施例１で用いたリードスイッチの接点基材を真空チャ
ンバにセットし、チャンバ内を約１．０×１０−６Ｔｏ
ｒｒにまで真空排気し、基材を５５０℃に加熱した状態
で、Ａｒイオンによってイオンボンバード処理を行なっ
て基材表面を洗浄した。
【００１９】ついで、イオンプレーティング法で、基材
表面に０．５μｍ相当量のＴｉを蒸着し、基材温度を５
５０℃に維持したまま、更にその上にイオンプレーティ
ング法で厚み２μｍのＴｉＮを蒸着した。最後に、この
ＴｉＮの上に真空蒸着法で厚み０．１μｍのＲｈ層を形
成した。 実施例４ 実施例１で用いた接点基材を真空チャンバにセットし、
チャンバ内を約１．０×１０−６Ｔｏｒｒに真空排気し
たのちＡｒイオンでイオンボンバードして表面を洗浄し
、ついで、常温下で、イオンプレーティング法で基材表
面に０．５μｍ相当量のＴｉを蒸着した。
表面に０．５μｍ相当量のＴｉを蒸着し、基材温度を５
５０℃に維持したまま、更にその上にイオンプレーティ
ング法で厚み２μｍのＴｉＮを蒸着した。最後に、この
ＴｉＮの上に真空蒸着法で厚み０．１μｍのＲｈ層を形
成した。 実施例４ 実施例１で用いた接点基材を真空チャンバにセットし、
チャンバ内を約１．０×１０−６Ｔｏｒｒに真空排気し
たのちＡｒイオンでイオンボンバードして表面を洗浄し
、ついで、常温下で、イオンプレーティング法で基材表
面に０．５μｍ相当量のＴｉを蒸着した。
【００２０】その後、基材を５５０℃に加熱し、その状
態で、イオンプレーティング法によって厚み２μｍのＴ
ｉＮ層を形成し、更にその上に、真空蒸着によって厚み
０．１μｍのＲｈ層を形成した。 比較例１ Ｚｒ層を形成することなく、直接、接点基材の表面にイ
オンプレーティング法で厚み２．５μｍのＺｒＮ層を形
成したことを除いては、実施例１と同様にして接点材料
を製造した。 比較例２ Ｔｉ層を形成することなく、直接、接点基材の表面にイ
オンプレーティング法で厚み２．５μｍのＴｉＮ層を形
成したことを除いては、実施例３と同様にして接点材料
を製造した。 比較例３ 接点基材の加熱温度が３５０℃であったことを除いては
、実施例２と同様にして接点材料を製造した。
態で、イオンプレーティング法によって厚み２μｍのＴ
ｉＮ層を形成し、更にその上に、真空蒸着によって厚み
０．１μｍのＲｈ層を形成した。 比較例１ Ｚｒ層を形成することなく、直接、接点基材の表面にイ
オンプレーティング法で厚み２．５μｍのＺｒＮ層を形
成したことを除いては、実施例１と同様にして接点材料
を製造した。 比較例２ Ｔｉ層を形成することなく、直接、接点基材の表面にイ
オンプレーティング法で厚み２．５μｍのＴｉＮ層を形
成したことを除いては、実施例３と同様にして接点材料
を製造した。 比較例３ 接点基材の加熱温度が３５０℃であったことを除いては
、実施例２と同様にして接点材料を製造した。
【００２１】実施例１〜４，比較例１，３の接点材料に
つき、１８０°曲げ試験を行なってその表面を走査電顕
で観察して蒸着膜の密着性を調べた。蒸着膜が基材から
剥離しない場合を○，剥離している場合を×として、表
１に示した。また、上記各接点材料をガラス封入してリ
ードスイッチを製造し、３０万回の接点開閉を反復して
エージング処理を行ったのちその接触抵抗を測定した。 更に、室温←→５００℃の加熱−冷却のヒートサイクル
を１００回反復し、接点薄膜における外観割れの有無を
走査電顕で観察した。更に、接点開閉を反復し累積故障
率が５０％となる動作回数を測定した。以上の結果を一
括して表１に示した。
つき、１８０°曲げ試験を行なってその表面を走査電顕
で観察して蒸着膜の密着性を調べた。蒸着膜が基材から
剥離しない場合を○，剥離している場合を×として、表
１に示した。また、上記各接点材料をガラス封入してリ
ードスイッチを製造し、３０万回の接点開閉を反復して
エージング処理を行ったのちその接触抵抗を測定した。 更に、室温←→５００℃の加熱−冷却のヒートサイクル
を１００回反復し、接点薄膜における外観割れの有無を
走査電顕で観察した。更に、接点開閉を反復し累積故障
率が５０％となる動作回数を測定した。以上の結果を一
括して表１に示した。
【００２２】
【表１】
【００２３】また、実施例１の接点材料と比較例３の接
点材料につき、オージェ電子分光法により、接点薄膜の
表面からの深さ方向における元素濃度分析を行った。そ
の結果を、実施例１，実施例３については図１，図２、
比較例３については図３に示した。これらの図から明ら
かなように、本発明の接点材料では、Ｚｒ層（中間層）
，Ｔｉ層（中間層）と接点基材（ＮｉＦｅ合金）の間に
拡散層が形成されている。しかし、比較例の接点材料に
はこの拡散層の存在は認められない。これは、基材温度
が３５０℃と４００℃よりも低い温度であったからであ
る。
点材料につき、オージェ電子分光法により、接点薄膜の
表面からの深さ方向における元素濃度分析を行った。そ
の結果を、実施例１，実施例３については図１，図２、
比較例３については図３に示した。これらの図から明ら
かなように、本発明の接点材料では、Ｚｒ層（中間層）
，Ｔｉ層（中間層）と接点基材（ＮｉＦｅ合金）の間に
拡散層が形成されている。しかし、比較例の接点材料に
はこの拡散層の存在は認められない。これは、基材温度
が３５０℃と４００℃よりも低い温度であったからであ
る。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
接点材料は接点基材と中間層との界面が画然とした境界
面ではなく、これら各層の成分元素が混在する拡散層に
なっているので、互いの密着性は極めて良好である。し
たがって、接点薄膜の剥離に基づく接点消耗が抑制され
るので、工業的価値の高いリードスイッチ接点材料であ
る。
接点材料は接点基材と中間層との界面が画然とした境界
面ではなく、これら各層の成分元素が混在する拡散層に
なっているので、互いの密着性は極めて良好である。し
たがって、接点薄膜の剥離に基づく接点消耗が抑制され
るので、工業的価値の高いリードスイッチ接点材料であ
る。
【図１】実施例１の接点材料のオージェ電子分光法の結
果を示すグラフである。
果を示すグラフである。
【図２】実施例３の接点材料のオージェ電子分光法の結
果を示すグラフである。
果を示すグラフである。
【図３】比較例３の接点材料のオージェ電子分光法の結
果を示すグラフである。
果を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＮｉＦｅ合金から成る基材と、該基材
の表面に形成されたＴｉまたはＺｒを主成分とする中間
層と、該中間層の表面に形成され、周期律表ＩＶａ族金
属のセラミックスから成る接点薄膜とを有するリードス
イッチ接点材料において、少なくとも前記基材と前記中
間層との界面にはＴｉまたはＺｒの拡散層が形成されて
いることを特徴とするリードスイッチ接点材料。 - 【請求項２】 ＮｉＦｅ合金から成る基材を４００℃
以上の温度に加熱しながら前記基材の表面にＴｉまたは
Ｚｒを蒸着して中間層を形成し、ついで、前記中間層の
表面に、周期律表ＩＶａ族金属のセラミックスを接点薄
膜として形成することを特徴とするリードスイッチ接点
材料の製造方法。 - 【請求項３】 ＮｉＦｅ合金から成る基材の表面にＴ
ｉまたはＺｒを蒸着して中間層を形成し、ついで全体を
４００℃以上の温度に加熱して、前記中間層の表面に周
期律表ＩＶａ族金属のセラミックスを蒸着して接点薄膜
を形成することを特徴とするリードスイッチ接点材料の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5274691A JPH04289618A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | リードスイッチ接点材料とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5274691A JPH04289618A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | リードスイッチ接点材料とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04289618A true JPH04289618A (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=12923481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5274691A Pending JPH04289618A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | リードスイッチ接点材料とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04289618A (ja) |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP5274691A patent/JPH04289618A/ja active Pending
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