JPH04290421A - リフトオフ法に適したフォトレジストパターンの形成方法 - Google Patents
リフトオフ法に適したフォトレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH04290421A JPH04290421A JP3054836A JP5483691A JPH04290421A JP H04290421 A JPH04290421 A JP H04290421A JP 3054836 A JP3054836 A JP 3054836A JP 5483691 A JP5483691 A JP 5483691A JP H04290421 A JPH04290421 A JP H04290421A
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- Japan
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- resist
- pattern
- layer
- photoresist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リフトオフ法に適した
フォトレジストパターンの形成方法に関し、詳細には、
半導体素子等の薄膜素子の製造に適用されるリフトオフ
法に適したフォトリソグラフィ技術によるフォトレジス
トパターンの形成方法に関するものである。
フォトレジストパターンの形成方法に関し、詳細には、
半導体素子等の薄膜素子の製造に適用されるリフトオフ
法に適したフォトリソグラフィ技術によるフォトレジス
トパターンの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リフトオフ法は、フォトリソグラフィ技
術によりフォトレジストパターンが形成された基板上の
フォトレジスト（以下レジストと言う）膜をマスクとし
て蒸着膜形成を行った後、レジスト上の蒸着膜をレジス
トと共に除去して、基板上に蒸着膜パターンを形成する
方法である。
術によりフォトレジストパターンが形成された基板上の
フォトレジスト（以下レジストと言う）膜をマスクとし
て蒸着膜形成を行った後、レジスト上の蒸着膜をレジス
トと共に除去して、基板上に蒸着膜パターンを形成する
方法である。
【０００３】このリフトオフ法を適用する際、重要なこ
とは、蒸着する時の基板上のマスクとなるレジストの断
面形状が、レジストが除去された部分がアンダーカット
形状になるように形成されていることである。
とは、蒸着する時の基板上のマスクとなるレジストの断
面形状が、レジストが除去された部分がアンダーカット
形状になるように形成されていることである。
【０００４】従来、基板上へのアンダーカット形状を有
するレジストの形成方法としては、クロロベンゼン処理
を用いた単層レジスト法、露光感度の異なる２種のレジ
ストを用いた２層レジスト法などが知られている。
するレジストの形成方法としては、クロロベンゼン処理
を用いた単層レジスト法、露光感度の異なる２種のレジ
ストを用いた２層レジスト法などが知られている。
【０００５】図２は、クロロベンゼン処理を用いた単層
レジスト法の概略工程図であって、アンダーカット形状
を有するレジストの形成は、大略次の要領で行われる。
レジスト法の概略工程図であって、アンダーカット形状
を有するレジストの形成は、大略次の要領で行われる。
【０００６】先ず、基板１上にポジ型レジスト層７を形
成する〔図２（ａ）参照〕。次いで、この基板１をクロ
ロベンゼンに浸しポジ型レジスト層７をクロロベンゼン
の浸透した層８と未浸透の層９に層分けする。これによ
りポジ型レジスト層７の表面には現像液に対する溶解性
の小さい層８が形成される〔図２（ｂ）参照〕。この後
、目的パターンを紫外光露光し現像する。この現像によ
り、層８と層９の現像液に対する溶解速度の差から、層
８と層９のレジストの除去されるパターン幅１０，１１
が異なり、層８に形成されるパターン幅１０よりも層９
に形成されるパターン幅１１の方が大きくなることから
、アンダーカット形状が得られる〔図２（ｃ）参照〕。
成する〔図２（ａ）参照〕。次いで、この基板１をクロ
ロベンゼンに浸しポジ型レジスト層７をクロロベンゼン
の浸透した層８と未浸透の層９に層分けする。これによ
りポジ型レジスト層７の表面には現像液に対する溶解性
の小さい層８が形成される〔図２（ｂ）参照〕。この後
、目的パターンを紫外光露光し現像する。この現像によ
り、層８と層９の現像液に対する溶解速度の差から、層
８と層９のレジストの除去されるパターン幅１０，１１
が異なり、層８に形成されるパターン幅１０よりも層９
に形成されるパターン幅１１の方が大きくなることから
、アンダーカット形状が得られる〔図２（ｃ）参照〕。
【０００７】また、図３は、２層レジスト法の概略工程
図であって、アンダーカット形状を有するレジストの形
成は、大略次の要領で行われる。
図であって、アンダーカット形状を有するレジストの形
成は、大略次の要領で行われる。
【０００８】先ず、基板１上に第１レジスト層１２とそ
の上に第２レジスト層１３を形成する。この時、第１レ
ジスト層１２に、第２レジスト層１３よりも露光に対す
る感度（以下感度と言う）の高いレジストを使用する〔
図３（ａ）参照〕。この後、目的パターンを紫外光露光
し現像する。この現像により、第１レジスト層１２と第
２レジスト層１３の現像液に対する溶解速度の差から、
第１レジスト層１２と第２レジスト層１３のレジストの
除去されるパターン幅１４，１５が異なり、第２レジス
ト層１３に形成されるパターン幅１５よりも第１レジス
ト層１２に形成されるパターン幅１４の方が大きくなる
ことから、アンダーカット形状が得られる〔図３（ｂ）
参照〕。
の上に第２レジスト層１３を形成する。この時、第１レ
ジスト層１２に、第２レジスト層１３よりも露光に対す
る感度（以下感度と言う）の高いレジストを使用する〔
図３（ａ）参照〕。この後、目的パターンを紫外光露光
し現像する。この現像により、第１レジスト層１２と第
２レジスト層１３の現像液に対する溶解速度の差から、
第１レジスト層１２と第２レジスト層１３のレジストの
除去されるパターン幅１４，１５が異なり、第２レジス
ト層１３に形成されるパターン幅１５よりも第１レジス
ト層１２に形成されるパターン幅１４の方が大きくなる
ことから、アンダーカット形状が得られる〔図３（ｂ）
参照〕。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した前者のクロロ
ベンゼン処理を用いた単層レジスト法では、ポジ型レジ
スト層７の表面にクロロベンゼンをしみこませて低感度
層（浸透した層８）の形成を行うためクロロベンゼンの
しみこみに限界があり、然るに層８の形成厚さに限界が
あることから、図２（ｃ）に示すように、ひさし１６の
厚さを充分な厚さに形成できない。また層８と層９の２
層間の感度差が小さいため露光、現像条件が非常に制限
され、特に２μｍ以上の厚いレジストの場合にはアンダ
ーカット形状が形成できないと言う問題がある。
ベンゼン処理を用いた単層レジスト法では、ポジ型レジ
スト層７の表面にクロロベンゼンをしみこませて低感度
層（浸透した層８）の形成を行うためクロロベンゼンの
しみこみに限界があり、然るに層８の形成厚さに限界が
あることから、図２（ｃ）に示すように、ひさし１６の
厚さを充分な厚さに形成できない。また層８と層９の２
層間の感度差が小さいため露光、現像条件が非常に制限
され、特に２μｍ以上の厚いレジストの場合にはアンダ
ーカット形状が形成できないと言う問題がある。
【００１０】一方、後者の２層レジスト法では、感度の
異なる２種のレジストを使用するけれども、この場合で
も、２層間の感度差の限界から露光、現像条件が制限さ
れる問題があり、また図３（ｂ）に示すように、ひさし
１６の長さが露光、現像条件により全レジスト層（層１
２と層１３）の厚さの大きい場合にはアンダーカット形
状が形成できないと言う問題がある。
異なる２種のレジストを使用するけれども、この場合で
も、２層間の感度差の限界から露光、現像条件が制限さ
れる問題があり、また図３（ｂ）に示すように、ひさし
１６の長さが露光、現像条件により全レジスト層（層１
２と層１３）の厚さの大きい場合にはアンダーカット形
状が形成できないと言う問題がある。
【００１１】そこで、本発明では、上記の問題点に鑑み
、上記方法で得られるよりも厚いレジスト膜に対しても
、確実にアンダーカット形状が形成でき、しかもアンダ
ーカット部のひさしの厚さおよび長さが制御できるリフ
トオフ法に適したフォトレジストパターンの形成方法を
提供するものである。
、上記方法で得られるよりも厚いレジスト膜に対しても
、確実にアンダーカット形状が形成でき、しかもアンダ
ーカット部のひさしの厚さおよび長さが制御できるリフ
トオフ法に適したフォトレジストパターンの形成方法を
提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係わるリフトオフ法に適したフォトレジス
トパターンの形成方法は、基板上にアンダーカットを形
成するための第１フォトレジストによるフォトレジスト
パターンを形成し、その上に、第１フォトレジストと現
像液および溶解液が異なる所定厚さの第２フォトレジス
トによる皮膜を形成した後、第１フォトレジスト上に被
さっている第２フォトレジストを目的パターン形状に応
じて除去し、次いで、第１フォトレジストを溶解除去す
るものである。
に、本発明に係わるリフトオフ法に適したフォトレジス
トパターンの形成方法は、基板上にアンダーカットを形
成するための第１フォトレジストによるフォトレジスト
パターンを形成し、その上に、第１フォトレジストと現
像液および溶解液が異なる所定厚さの第２フォトレジス
トによる皮膜を形成した後、第１フォトレジスト上に被
さっている第２フォトレジストを目的パターン形状に応
じて除去し、次いで、第１フォトレジストを溶解除去す
るものである。
【００１３】
【作用】本発明では、現像液および溶解液が異なる２種
のレジストを使用し、予め第１レジストによりアンダー
カット形状を基板上に形成するので、確実なアンダーカ
ット形状が形成できる。
のレジストを使用し、予め第１レジストによりアンダー
カット形状を基板上に形成するので、確実なアンダーカ
ット形状が形成できる。
【００１４】そして、基板上に形成されるレジストの膜
厚さおよびアンダーカット部のひさしの厚さは、上記２
種のレジストの粘度および塗布時のスピンコート回転数
を変えることにより、 ０．１μｍ〜２０μｍ程度の範
囲で制御することができる。また、ひさしの長さは、上
記第１レジストにより基板上に形成されるアンダーカッ
ト形状を変えることにより、ひさしの重さでひさしが変
形しない範囲で制御することができる。
厚さおよびアンダーカット部のひさしの厚さは、上記２
種のレジストの粘度および塗布時のスピンコート回転数
を変えることにより、 ０．１μｍ〜２０μｍ程度の範
囲で制御することができる。また、ひさしの長さは、上
記第１レジストにより基板上に形成されるアンダーカッ
ト形状を変えることにより、ひさしの重さでひさしが変
形しない範囲で制御することができる。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明に係わるリフトオフ法に適し
たフォトレジストパターンの形成方法を説明するための
概略工程図である。以下、この図を参照して本発明のフ
ォトレジストパターンの形成方法を詳細に説明する。
たフォトレジストパターンの形成方法を説明するための
概略工程図である。以下、この図を参照して本発明のフ
ォトレジストパターンの形成方法を詳細に説明する。
【００１６】先ず、基板１上に、ポジレジスト２を形成
した。この時、ポジレジスト２としてヘキストジャパン
社製ＡＺ１３７５を使用し、膜厚さを約 ４μｍに形成
し、形成後８５℃×３０分の条件で加熱（乾燥）した。 〔図１（ａ）参照〕
した。この時、ポジレジスト２としてヘキストジャパン
社製ＡＺ１３７５を使用し、膜厚さを約 ４μｍに形成
し、形成後８５℃×３０分の条件で加熱（乾燥）した。 〔図１（ａ）参照〕
【００１７】次いで、パターン幅１０μｍのポジパター
ンマスクを用いて露光、現像し、現像後の加熱（乾燥）
を行い幅１０μｍのレジストパターン２Ａを形成した。 〔図１（ｂ）参照〕
ンマスクを用いて露光、現像し、現像後の加熱（乾燥）
を行い幅１０μｍのレジストパターン２Ａを形成した。 〔図１（ｂ）参照〕
【００１８】次に、ネガレジスト３を基板１の上面全体
に塗布した。この時、ネガレジスト３として東京応化社
製ＯＭＲ８３−３５ＣＰを使用し、塗布回転数１５００
ｒｐｍで約 １．５μｍの膜厚さに塗布し、塗布後８５
℃×３０分の条件で加熱（乾燥）した。〔図１（ｃ）参
照〕
に塗布した。この時、ネガレジスト３として東京応化社
製ＯＭＲ８３−３５ＣＰを使用し、塗布回転数１５００
ｒｐｍで約 １．５μｍの膜厚さに塗布し、塗布後８５
℃×３０分の条件で加熱（乾燥）した。〔図１（ｃ）参
照〕
【００１９】この後、パターン幅 ６μｍのネガパ
ターンマスクを用い、上記幅１０μｍのレジストパター
ン２Ａ上のネガレジスト３を露光、現像して除去した。 〔図１（ｄ）参照〕
ターンマスクを用い、上記幅１０μｍのレジストパター
ン２Ａ上のネガレジスト３を露光、現像して除去した。 〔図１（ｄ）参照〕
【００２０】そして、最後にレジストパターン２Ａのみ
をアセトン等により溶解除去した。これにより、厚さ約
４．５μｍのひさし４を有するアンダーカット形状５
のネガレジストパターン６が得られた。〔図１（ｅ）参
照〕
をアセトン等により溶解除去した。これにより、厚さ約
４．５μｍのひさし４を有するアンダーカット形状５
のネガレジストパターン６が得られた。〔図１（ｅ）参
照〕
【００２１】尚、上記実施例では、第１レジストに
ポジレジストを、第２レジストにネガレジストを使用し
た最適な例を説明したが、本発明はこの例に特定される
ものではなく、要は、露光感度が異なり且つ現像液およ
び溶解液が異なる２種のレジストであればよい。また、
レジストの膜厚さも塗布条件を変えることにより２０μ
ｍ程度以内で所望の厚さに変えうる。
ポジレジストを、第２レジストにネガレジストを使用し
た最適な例を説明したが、本発明はこの例に特定される
ものではなく、要は、露光感度が異なり且つ現像液およ
び溶解液が異なる２種のレジストであればよい。また、
レジストの膜厚さも塗布条件を変えることにより２０μ
ｍ程度以内で所望の厚さに変えうる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるリ
フトオフ法に適したフォトレジストパターンの形成方法
によれば、２０μｍ程度の比較的厚いレジスト膜に対し
ても、確実にアンダーカット形状が形成できる。また、
アンダーカット部のひさしの厚さおよび長さが制御でき
、所望の形状のアンダーカットを形成することができる
。
フトオフ法に適したフォトレジストパターンの形成方法
によれば、２０μｍ程度の比較的厚いレジスト膜に対し
ても、確実にアンダーカット形状が形成できる。また、
アンダーカット部のひさしの厚さおよび長さが制御でき
、所望の形状のアンダーカットを形成することができる
。
【図１】本発明に係わるリフトオフ法に適したフォトレ
ジストパターンの形成方法を説明するための概略工程図
である。
ジストパターンの形成方法を説明するための概略工程図
である。
【図２】クロロベンゼン処理を用いた単層レジスト法の
概略工程図である。
概略工程図である。
【図３】２層レジスト法の概略工程図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にアンダーカットを形成するた
めの第１フォトレジストによるフォトレジストパターン
を形成し、その上に、第１フォトレジストと現像液およ
び溶解液が異なる所定厚さの第２フォトレジストによる
皮膜を形成した後、第１フォトレジスト上に被さってい
る第２フォトレジストを目的パターン形状に応じて除去
し、次いで、第１フォトレジストを溶解除去することを
特徴とするリフトオフ法に適したフォトレジストパター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054836A JPH04290421A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | リフトオフ法に適したフォトレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054836A JPH04290421A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | リフトオフ法に適したフォトレジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290421A true JPH04290421A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=12981719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3054836A Withdrawn JPH04290421A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | リフトオフ法に適したフォトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04290421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0978869A3 (en) * | 1998-08-07 | 2002-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a minute resist pattern and method for forming a gate electrode |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP3054836A patent/JPH04290421A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0978869A3 (en) * | 1998-08-07 | 2002-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a minute resist pattern and method for forming a gate electrode |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |