JPH06208987A - ウェットエッチング方法 - Google Patents
ウェットエッチング方法Info
- Publication number
- JPH06208987A JPH06208987A JP300093A JP300093A JPH06208987A JP H06208987 A JPH06208987 A JP H06208987A JP 300093 A JP300093 A JP 300093A JP 300093 A JP300093 A JP 300093A JP H06208987 A JPH06208987 A JP H06208987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wet etching
- chromium
- photoresist film
- chromium film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 18
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】配線及び電極等に用いられるクロム膜の上層膜
欠陥を防止し、絶縁不良や断線等の膜欠陥がなく安定性
に優れ、実用，量産に適した配線や電極を実現する。 【構成】基板１上に、クロム膜２を成膜し、フォトレジ
スト膜３をパターンニングする。この時のパターンニン
グ条件は、一般的な処理条件で行う。次に、このフォト
レジスト膜３を、温度７０℃の純水に１０分間浸漬処理
する高親水化処理を施す。これによりクロム膜２とフォ
トレジスト膜３の界面の親水性が高まり、ウェットエッ
チング時のエッチング液が、この界面に浸み入み易くな
りクロム膜２のテーパ化が実現する。尚、この方法は、
純水温度と浸漬時間のみが、主な影響因子で、コントロ
ール性に秀れており、安定性，再現性が良好である。
欠陥を防止し、絶縁不良や断線等の膜欠陥がなく安定性
に優れ、実用，量産に適した配線や電極を実現する。 【構成】基板１上に、クロム膜２を成膜し、フォトレジ
スト膜３をパターンニングする。この時のパターンニン
グ条件は、一般的な処理条件で行う。次に、このフォト
レジスト膜３を、温度７０℃の純水に１０分間浸漬処理
する高親水化処理を施す。これによりクロム膜２とフォ
トレジスト膜３の界面の親水性が高まり、ウェットエッ
チング時のエッチング液が、この界面に浸み入み易くな
りクロム膜２のテーパ化が実現する。尚、この方法は、
純水温度と浸漬時間のみが、主な影響因子で、コントロ
ール性に秀れており、安定性，再現性が良好である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェットエッチング方法
に関し、特に配線及び電極に用いられるクロム膜のウェ
ットエッチング方法に関する。
に関し、特に配線及び電極に用いられるクロム膜のウェ
ットエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の配線及び電極に用いられるクロム
膜のウェットエッチング方法では、クロム膜のエッチン
グ液として、硝酸第二セリウムアンモニウムと硝酸の混
合液等を用いてエッチングしており、フォトレジスト膜
のパターニング処理条件も、一般的な処理条件で処理し
ていた。
膜のウェットエッチング方法では、クロム膜のエッチン
グ液として、硝酸第二セリウムアンモニウムと硝酸の混
合液等を用いてエッチングしており、フォトレジスト膜
のパターニング処理条件も、一般的な処理条件で処理し
ていた。
【０００３】本来、クロム膜とフォトレジスト膜の密着
性は良く、フォトレジスト膜下へのアンダーカット（サ
イドエッチ）が入りにくく、図９（ａ），（ｂ）に示す
ように、クロム膜２のエッジ部は垂直又はやや逆テーパ
状になってしまうのが、一般的である。
性は良く、フォトレジスト膜下へのアンダーカット（サ
イドエッチ）が入りにくく、図９（ａ），（ｂ）に示す
ように、クロム膜２のエッジ部は垂直又はやや逆テーパ
状になってしまうのが、一般的である。
【０００４】一方、フォトレジスト膜３のパターニング
処理条件を一般的な処理条件に代えてポストベーキング
時間を短くコントロールすることにより、フォトレジス
ト膜３のクロム膜２の密着力を弱める方法や、エッチン
グ液中の硝酸濃度を高くし、フォトレジスト膜３の剥れ
を促進させる方法により、クロム膜２のアンダーカット
を入り易くし、テーパ状に加工するウェットエッチング
方法が実験レベルで提案されている（信学技報ＥＩＤ９
０−１２９、５３頁−５８頁、１９９１年参照）。
処理条件を一般的な処理条件に代えてポストベーキング
時間を短くコントロールすることにより、フォトレジス
ト膜３のクロム膜２の密着力を弱める方法や、エッチン
グ液中の硝酸濃度を高くし、フォトレジスト膜３の剥れ
を促進させる方法により、クロム膜２のアンダーカット
を入り易くし、テーパ状に加工するウェットエッチング
方法が実験レベルで提案されている（信学技報ＥＩＤ９
０−１２９、５３頁−５８頁、１９９１年参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の一般的なク
ロム膜のウェットエッチング方法では、クロム膜の断面
が垂直又はやや逆テーパ状になるため上層膜を形成した
場合に、ステップカバレージが悪く絶縁不良や断線等の
膜欠陥を誘発するという問題点があった。
ロム膜のウェットエッチング方法では、クロム膜の断面
が垂直又はやや逆テーパ状になるため上層膜を形成した
場合に、ステップカバレージが悪く絶縁不良や断線等の
膜欠陥を誘発するという問題点があった。
【０００６】一方、実験レベルで提案されているフォト
レジスト膜のポストベーキング時間を短くコントロール
することでフォトレジスト膜とクロム膜の結合を抑え密
着力を低下させる方法では、フォトレジスト膜とクロム
膜の結合力（密着力）を均一に再現性よくコントロール
するのは困難であり、ポストベーキング時間以外の影響
因子、つまり（１）レジスト塗布前の工程温度、（２）
塗布前のベーク温度と時間、（３）ポストベーク温度、
（４）現像工程完了からエッチングまでの放置時間等の
因子が大きく影響し、例えば、（４）については、図７
に示すように、従来の方法では、テーパ角度がエッチン
グまでの放置時間により大きく変化し、テーパ化しにく
くなる。このように、他の影響因子が大きく影響し、繰
り返し実験においても、図８に示すように、従来の方法
では、同一条件でテーパ角度が１０〜９０°まで大きく
ばらつき、再現性，安定性が悪くそのテーパ形状は、図
１０及び図１１（ａ），（ｂ）に示すように、輪郭が不
均一な鋸歯状の形状を呈する場合も多く発生し、実用
上，量産上大きな問題点になっていた。
レジスト膜のポストベーキング時間を短くコントロール
することでフォトレジスト膜とクロム膜の結合を抑え密
着力を低下させる方法では、フォトレジスト膜とクロム
膜の結合力（密着力）を均一に再現性よくコントロール
するのは困難であり、ポストベーキング時間以外の影響
因子、つまり（１）レジスト塗布前の工程温度、（２）
塗布前のベーク温度と時間、（３）ポストベーク温度、
（４）現像工程完了からエッチングまでの放置時間等の
因子が大きく影響し、例えば、（４）については、図７
に示すように、従来の方法では、テーパ角度がエッチン
グまでの放置時間により大きく変化し、テーパ化しにく
くなる。このように、他の影響因子が大きく影響し、繰
り返し実験においても、図８に示すように、従来の方法
では、同一条件でテーパ角度が１０〜９０°まで大きく
ばらつき、再現性，安定性が悪くそのテーパ形状は、図
１０及び図１１（ａ），（ｂ）に示すように、輪郭が不
均一な鋸歯状の形状を呈する場合も多く発生し、実用
上，量産上大きな問題点になっていた。
【０００７】本発明の目的は、絶縁不良や断線等の発生
がなく、再現性，安定性が良く実用，量産に適した配線
や電極等が得られるウェットエッチング方法を提供する
ことにある。
がなく、再現性，安定性が良く実用，量産に適した配線
や電極等が得られるウェットエッチング方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のウェットエッチ
ング方法は、基板上にスパッタにてクロム膜を成膜する
工程と、該クロム膜上にフォトレジスト膜を塗布し露
光，現像して該フォトレジスト膜をパターニングし前記
クロム膜を露出させる工程と、該クロム膜と前記フォト
レジスト膜の界面の親水性を高める高親水化処理を施す
工程と、前記クロム膜をウェットエッチングし該クロム
膜をテーパを有するパターンにパターンニングする工程
とを有する。
ング方法は、基板上にスパッタにてクロム膜を成膜する
工程と、該クロム膜上にフォトレジスト膜を塗布し露
光，現像して該フォトレジスト膜をパターニングし前記
クロム膜を露出させる工程と、該クロム膜と前記フォト
レジスト膜の界面の親水性を高める高親水化処理を施す
工程と、前記クロム膜をウェットエッチングし該クロム
膜をテーパを有するパターンにパターンニングする工程
とを有する。
【０００９】前記高親水化処理を施す工程が液温２０〜
１００℃の水又は水を主成分とした水溶液を用いた浸漬
処理とシャワー処理を含んで構成される。
１００℃の水又は水を主成分とした水溶液を用いた浸漬
処理とシャワー処理を含んで構成される。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例によりテーパ状に
パターニングされたクロム膜の断面図、図２（ａ），
（ｂ）は図１のフォトレジスト膜剥離後の平面図及びそ
の断面図、図３は本発明の一実施例の工程図、図４
（ａ）〜（ｄ）は図３のそれぞれの工程に対応する断面
図である。まず、図３のＰＲ塗布工程Ｓ１で図４（ａ）
に示すように、基板１上にクロム膜２をスパッタにて成
膜し、このクロム膜２上にフォトレジスト膜３を塗布す
る。
パターニングされたクロム膜の断面図、図２（ａ），
（ｂ）は図１のフォトレジスト膜剥離後の平面図及びそ
の断面図、図３は本発明の一実施例の工程図、図４
（ａ）〜（ｄ）は図３のそれぞれの工程に対応する断面
図である。まず、図３のＰＲ塗布工程Ｓ１で図４（ａ）
に示すように、基板１上にクロム膜２をスパッタにて成
膜し、このクロム膜２上にフォトレジスト膜３を塗布す
る。
【００１２】次に、露光工程Ｓ２，現像工程Ｓ３を経る
ことにより、図４（ｂ）に示すように、フォトレジスト
膜３をパターニングし、クロム膜２を露出させる。この
時のフォトレジスト膜３のパターニング条件、すなわ
ち、塗布前ベーク，プリベーク，ポストベーク等の処理
条件は、全て、一般的処理条件で特に特殊な処理条件に
する必要はない。
ことにより、図４（ｂ）に示すように、フォトレジスト
膜３をパターニングし、クロム膜２を露出させる。この
時のフォトレジスト膜３のパターニング条件、すなわ
ち、塗布前ベーク，プリベーク，ポストベーク等の処理
条件は、全て、一般的処理条件で特に特殊な処理条件に
する必要はない。
【００１３】次に、高親水化処理工程Ｓ４でフォトレジ
スト膜３を温度７０℃の純水に１０分間浸漬し高親水化
処理する。この高親水化処理により、図４（ｃ）に示す
ように、フォトレジスト膜３のクロム膜２との界面が十
分に親水性を高める構造となる。
スト膜３を温度７０℃の純水に１０分間浸漬し高親水化
処理する。この高親水化処理により、図４（ｃ）に示す
ように、フォトレジスト膜３のクロム膜２との界面が十
分に親水性を高める構造となる。
【００１４】次に、エッチング工程Ｓ５で硝酸第二セリ
ウムアンモニウム（１７．０ｗｔ％）と硝酸（２０．０
ｗｔ％）を混合したクロムのエッチング液を用いてクロ
ム膜２をウェットエッチングすることにより、図４
（ｄ），図１及び図２（ａ），（ｂ）に示すように、テ
ーパ角度約１０°のテーパ状を呈し輪郭がなめらかなク
ロム膜２が得られる。
ウムアンモニウム（１７．０ｗｔ％）と硝酸（２０．０
ｗｔ％）を混合したクロムのエッチング液を用いてクロ
ム膜２をウェットエッチングすることにより、図４
（ｄ），図１及び図２（ａ），（ｂ）に示すように、テ
ーパ角度約１０°のテーパ状を呈し輪郭がなめらかなク
ロム膜２が得られる。
【００１５】次に、高親水化処理の純水温度と浸漬時間
の関係について実験結果をもとに説明する。
の関係について実験結果をもとに説明する。
【００１６】図５は図３の高親水化処理工程での７０℃
温度純水浸漬時間とエッチング後のテーパ角度との関係
を示す特性図である。図５に示すように、浸漬時間が２
分以下では、テーパ角度が９０〜１０°であり２分以上
では１０°で一定となる。このように、浸漬時間がある
値をこえるとテーパ角は一定となり親水性が十分に高ま
った状態、即ち飽和状態となる。
温度純水浸漬時間とエッチング後のテーパ角度との関係
を示す特性図である。図５に示すように、浸漬時間が２
分以下では、テーパ角度が９０〜１０°であり２分以上
では１０°で一定となる。このように、浸漬時間がある
値をこえるとテーパ角は一定となり親水性が十分に高ま
った状態、即ち飽和状態となる。
【００１７】図６は図３の高親水化処理工程での高親水
化処理の最適条件範囲を説明する浸漬時間と純水温度と
の関係を示す特性図である。一方、図６に示すように、
親水化処理飽和時間は純水温度が高い程短時間で到達
し、純水温度が低い程長時間を要する。
化処理の最適条件範囲を説明する浸漬時間と純水温度と
の関係を示す特性図である。一方、図６に示すように、
親水化処理飽和時間は純水温度が高い程短時間で到達
し、純水温度が低い程長時間を要する。
【００１８】この実験結果より、高親水化処理条件は図
６の親水化処理飽和領域内の条件を採用することにより
安定した再現性のよいクロム膜のテーパ形状が得られる
ことが分る。
６の親水化処理飽和領域内の条件を採用することにより
安定した再現性のよいクロム膜のテーパ形状が得られる
ことが分る。
【００１９】図７は本発明と従来例のエッチングまでの
放置時間とテーパ角度との関係を示す特性図、図８は本
発明と従来例のウェットエッチング方法の再現性を説明
する繰返し実験回数とテーパ角度との関係を示す特性図
である。
放置時間とテーパ角度との関係を示す特性図、図８は本
発明と従来例のウェットエッチング方法の再現性を説明
する繰返し実験回数とテーパ角度との関係を示す特性図
である。
【００２０】一方、図７に示すように、従来例では現像
工程完了からエッチングまでの放置時間がテーパ角度に
影響を与える大きな因子となっているが、本発明ではそ
の影響は小さくなっており、図８に示すように、繰返し
実験においてもテーパ角度のばらつきは小さく、再現
性，安定性が良く実用，量産に適した方法であることが
分る。
工程完了からエッチングまでの放置時間がテーパ角度に
影響を与える大きな因子となっているが、本発明ではそ
の影響は小さくなっており、図８に示すように、繰返し
実験においてもテーパ角度のばらつきは小さく、再現
性，安定性が良く実用，量産に適した方法であることが
分る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、クロム膜
のエッチング工程の前にクロム膜とフォトレジスト膜の
界面の高親水化処理を施すことによりクロム膜をテーパ
角度約１０°のテーパ状を呈し輪郭をなめらかに形成す
ることができるので、上層膜を形成した場合に、絶縁不
良や断線等の膜欠陥がなく再現性，安定性に優れ実用，
量産に適した配線や電極等を実現できるという効果があ
る。
のエッチング工程の前にクロム膜とフォトレジスト膜の
界面の高親水化処理を施すことによりクロム膜をテーパ
角度約１０°のテーパ状を呈し輪郭をなめらかに形成す
ることができるので、上層膜を形成した場合に、絶縁不
良や断線等の膜欠陥がなく再現性，安定性に優れ実用，
量産に適した配線や電極等を実現できるという効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例によりテーパ状にパターンニ
ングされたクロム膜の断面図である。
ングされたクロム膜の断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は図１のフォトレジスト膜剥離
後の平面図及びその断面図である。
後の平面図及びその断面図である。
【図３】本発明の一実施例の工程図である。
【図４】図３のそれぞれの工程に対応する断面図であ
る。
る。
【図５】図３の高親水化処理工程での７０℃温純水浸漬
時間とエッチング後のテーパ角度との関係を示す特性図
である。
時間とエッチング後のテーパ角度との関係を示す特性図
である。
【図６】図３の高親水化処理工程での高親水化処理の最
適条件範囲を説明する浸漬時間と純水温度との関係を示
す特性図である。
適条件範囲を説明する浸漬時間と純水温度との関係を示
す特性図である。
【図７】本発明と従来例のエッチングまでの放置時間と
テーパ角度との関係を示す特性図である。
テーパ角度との関係を示す特性図である。
【図８】本発明と従来例のウェットエッチング方法の再
現性を説明する繰返し実験回数とテーパ角度との関係を
示す特性図である。
現性を説明する繰返し実験回数とテーパ角度との関係を
示す特性図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は従来の一般的なウェットエッ
チング方法によりパターンニングされたクロム膜のジャ
ストエッチ時の断面図及びオーバーエッチ時の断面図で
ある。
チング方法によりパターンニングされたクロム膜のジャ
ストエッチ時の断面図及びオーバーエッチ時の断面図で
ある。
【図１０】従来の実験レベルのウェットエッチング方法
によりテーパ状にパターンニングされたクロム膜の一例
の断面図である。
によりテーパ状にパターンニングされたクロム膜の一例
の断面図である。
【図１１】（ａ），（ｂ）は図１０のフォトレジスト膜
剥離後の平面図及びその断面図である。
剥離後の平面図及びその断面図である。
１ 基板 ２ クロム膜 ３ フォトレジスト膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にスパッタにてクロム膜を成膜す
る工程と、該クロム膜上にフォトレジスト膜を塗布し露
光，現像して該フォトレジスト膜をパターニングし前記
クロム膜を露出させる工程と、該クロム膜と前記フォト
レジスト膜の界面の親水性を高める高親水化処理を施す
工程と、前記クロム膜をウェットエッチングし該クロム
膜をテーパを有するパターンにパターンニングする工程
とを有することを特徴とするウェットエッチング方法。 - 【請求項２】 前記高親水化処理を施す工程が液温２０
〜１００℃の水又は水を主成分とした水溶液を用いた浸
漬処理とシャワー処理を含むことを特徴とする請求項１
記載のウェットエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00300093A JP3157634B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | ウェットエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00300093A JP3157634B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | ウェットエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208987A true JPH06208987A (ja) | 1994-07-26 |
| JP3157634B2 JP3157634B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=11545108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00300093A Expired - Fee Related JP3157634B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | ウェットエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3157634B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223719A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Seiko Epson Corp | エッチング方法およびこれを利用した圧電デバイスと圧電振動片の製造方法、ならびに電喰抑制パターンの構造 |
| JP2009069852A (ja) * | 2001-11-02 | 2009-04-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型液晶表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4524744B2 (ja) | 2004-04-14 | 2010-08-18 | 日本電気株式会社 | 有機マスクの形成方法及び該有機マスクを利用したパターン形成方法 |
| US7708478B2 (en) | 2006-04-13 | 2010-05-04 | Nokia Corporation | Actuator mechanism and a shutter mechanism |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP00300093A patent/JP3157634B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009069852A (ja) * | 2001-11-02 | 2009-04-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型液晶表示装置の製造方法 |
| JP2005223719A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Seiko Epson Corp | エッチング方法およびこれを利用した圧電デバイスと圧電振動片の製造方法、ならびに電喰抑制パターンの構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3157634B2 (ja) | 2001-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6331489B2 (en) | Semiconductor device production method | |
| JPH06208987A (ja) | ウェットエッチング方法 | |
| US20060138078A1 (en) | Semiconductor device fabrication method | |
| JPS6340734A (ja) | ガラス板への貫通孔の形成方法 | |
| US5747117A (en) | Method of applying a film to a substrate | |
| JPH05283970A (ja) | 高周波帯弾性表面波素子 | |
| JPH1154460A (ja) | 電導性構造を製造する方法 | |
| JP2589471B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58132927A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2000260765A (ja) | 有機絶縁膜のパターン形成方法 | |
| JPH02106919A (ja) | 逆テーパ形状のフォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPS60117648A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS604221A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04291733A (ja) | ＧａＡｓデバイス及びＴ字型ゲート電極の作成方法 | |
| JPS61224713A (ja) | 導体パタ−ンの形成方法 | |
| JP2912002B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61287146A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPS628511B2 (ja) | ||
| JPS5843540A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPS6276724A (ja) | 有機薄膜熱処理方法 | |
| JPS6217031B2 (ja) | ||
| JP2003318126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6236823A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH05281703A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0263292B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010123 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |