JPS5826382A - 磁気バブルメモリデバイスの製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスの製造方法Info
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- JPS5826382A JPS5826382A JP56123004A JP12300481A JPS5826382A JP S5826382 A JPS5826382 A JP S5826382A JP 56123004 A JP56123004 A JP 56123004A JP 12300481 A JP12300481 A JP 12300481A JP S5826382 A JPS5826382 A JP S5826382A
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- Japan
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- bubble memory
- mold
- chip
- lead frame
- magnet
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49075—Electromagnet, transformer or inductor including permanent magnet or core
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバブルメモリデバイスの構造及びその製造方法
に関するものである、 一般にバブルメモリデバイスは第１図、第２図に示すよ
うな構造よシなる。すなわち、セラミックなどによって
形成された絶縁基板１の中央凹部には、バブルメモリチ
ップ２が固定−ｇれておシ、また絶縁基板１の外１１１
０にはＸ軸方向にＸ方向駆動コイル３ａ及びＸ軸方向に
Ｙ方向駆動コイル３ｂが互いに［’；！して巻回され、
前記チップ２に水平な回転磁界を供給している。そして
、これら絶縁基板１．チップ２．及びコイル３ｍ、３ｂ
ｉモールドしてモールドデバイス４を形成している。ま
た、モールドデバイス４の上下面には前記テップ２に均
一なバイアス磁界を与えるための平叛状の永久磁石５ｍ
、 ５ｂおよびこの永久磁石５ａ、５ｂから出た磁束
を均一にするための整磁板ｆｉａ、５ｂとからなる磁石
ブロック７ａ、７ｂが配置され、更に永久磁石５ａ、５
ｂの外側にはこれらを覆うパーマロイなどよルなるシー
ルドケース８が設けられている。
に関するものである、 一般にバブルメモリデバイスは第１図、第２図に示すよ
うな構造よシなる。すなわち、セラミックなどによって
形成された絶縁基板１の中央凹部には、バブルメモリチ
ップ２が固定−ｇれておシ、また絶縁基板１の外１１１
０にはＸ軸方向にＸ方向駆動コイル３ａ及びＸ軸方向に
Ｙ方向駆動コイル３ｂが互いに［’；！して巻回され、
前記チップ２に水平な回転磁界を供給している。そして
、これら絶縁基板１．チップ２．及びコイル３ｍ、３ｂ
ｉモールドしてモールドデバイス４を形成している。ま
た、モールドデバイス４の上下面には前記テップ２に均
一なバイアス磁界を与えるための平叛状の永久磁石５ｍ
、 ５ｂおよびこの永久磁石５ａ、５ｂから出た磁束
を均一にするための整磁板ｆｉａ、５ｂとからなる磁石
ブロック７ａ、７ｂが配置され、更に永久磁石５ａ、５
ｂの外側にはこれらを覆うパーマロイなどよルなるシー
ルドケース８が設けられている。
かかるバブルメモリデバイスにおいて、前記モールドデ
バイス４と磁石ブロック７ａ、７ｂの従来の組立方法を
第１図２ｍ２図を参照し、て説明すると、モールドデバ
イス４の上下面には得？石ブロック７ｍ、７ｂが配置さ
れる凹部４ａ、４ｂがモールドによ）形成され、この凹
部４ａ、４ｂＫ接着剤を塗布してその中に磁石ブロック
７＆、７ｂが固定される。しかしながら、この組立方法
は接着剤の塗布。
バイス４と磁石ブロック７ａ、７ｂの従来の組立方法を
第１図２ｍ２図を参照し、て説明すると、モールドデバ
イス４の上下面には得？石ブロック７ｍ、７ｂが配置さ
れる凹部４ａ、４ｂがモールドによ）形成され、この凹
部４ａ、４ｂＫ接着剤を塗布してその中に磁石ブロック
７＆、７ｂが固定される。しかしながら、この組立方法
は接着剤の塗布。
凹部４ｍ、４ｂへの磁石ブロック７ａ、７ｂの接着。
接着剤の硬化などの作業に多大な時間を饗し、かつモー
ルドデバイス４の上下面に磁石組立用凹部４ａ、４ｂを
形成する必袈があシ、その結果凹部底面のモールドレジ
ン層が薄くなりモールド成形不良を発生しやすいなどの
欠点があった。
ルドデバイス４の上下面に磁石組立用凹部４ａ、４ｂを
形成する必袈があシ、その結果凹部底面のモールドレジ
ン層が薄くなりモールド成形不良を発生しやすいなどの
欠点があった。
本発明は、上記従来技術の欠点に鑑みなされたもので、
バブルメモリデバイスの製作工程ｆ！：１６４略化でき
るバブルメモリデバイスの構造とそのＨ４方法を提供す
ることを目的とする。
バブルメモリデバイスの製作工程ｆ！：１６４略化でき
るバブルメモリデバイスの構造とそのＨ４方法を提供す
ることを目的とする。
すなわち、本発明は磁石ブロックの組立工程の簡略化を
図るため考えられたもので、一般に電子素子封止に用い
られるレジンモールド封止の際ニ磁石ブロックの位置決
め固定を行うことを目的としている。また、磁石ブロッ
クのモールド型内への装着はモールド金型が磁性体であ
ることに着目し、その磁性を利用している。
図るため考えられたもので、一般に電子素子封止に用い
られるレジンモールド封止の際ニ磁石ブロックの位置決
め固定を行うことを目的としている。また、磁石ブロッ
クのモールド型内への装着はモールド金型が磁性体であ
ることに着目し、その磁性を利用している。
以下、不発明を図示の実施例によジ説明する。
第３図は不発明になるバブルメモリデバイスの一笑施例
を示すモールド後の断面図、第４図はモールドデバイス
の斜視図、第５図はモールド前のモールド金型の断面図
である。
を示すモールド後の断面図、第４図はモールドデバイス
の斜視図、第５図はモールド前のモールド金型の断面図
である。
本発明によるバブルメモリデバイスのｍｉは、第３図、
第４図に示すようにコイル３ ａ ａ ３ ｂを巻回し
た絶縁基１ｆｉ１と、チップ２と外部回路との間を電気
的に接続するためのリードフレーム９とを組立てた後、
モールドレジンによシ封止、固定する際に同時に磁石ブ
ロック７ｍ、７ｂをもモールドレジンによシ固定したこ
とを特徴とする。
第４図に示すようにコイル３ ａ ａ ３ ｂを巻回し
た絶縁基１ｆｉ１と、チップ２と外部回路との間を電気
的に接続するためのリードフレーム９とを組立てた後、
モールドレジンによシ封止、固定する際に同時に磁石ブ
ロック７ｍ、７ｂをもモールドレジンによシ固定したこ
とを特徴とする。
このパズルメモリデバイスの組立方法を第５図に示す。
モールド型の上型１０ａ、下型１０ｂ間にリードフレー
ム９を配置しさらに上型１０ａ、下型１０ｂの内面に磁
石ブロック７ａ、７ｂを配置する。
ム９を配置しさらに上型１０ａ、下型１０ｂの内面に磁
石ブロック７ａ、７ｂを配置する。
磁石ブロックγｍ、７ｂはそれぞれ上下型開具備した位
置決めピン１１によル所定の位置に置かれ、あらかじめ
着磁しておくことによシ磁石ブロック自身が持つ磁力に
よシ−ルドケースに固定されるため、上型１０ａ に
おいても磁石ブロック７ａは落丁することなく固定され
る。この状態で上型１０ａ、１”型１０ｂによシ形成さ
れたキャビティ１２にモールドレジンを流し込み、レジ
ン硬化後に型を開いてリードフレームと磁石ブロックが
一体にモールドされたバブルメモリデバイスを得る。
置決めピン１１によル所定の位置に置かれ、あらかじめ
着磁しておくことによシ磁石ブロック自身が持つ磁力に
よシ−ルドケースに固定されるため、上型１０ａ に
おいても磁石ブロック７ａは落丁することなく固定され
る。この状態で上型１０ａ、１”型１０ｂによシ形成さ
れたキャビティ１２にモールドレジンを流し込み、レジ
ン硬化後に型を開いてリードフレームと磁石ブロックが
一体にモールドされたバブルメモリデバイスを得る。
以上の説明から明らかな如く、本発明によるバブルメモ
リデバイス構造とその’Ｒ’ｌＲ方法によれば、磁石ブ
ロックの組立はＸＹ方向駆動用コイル、絶縁基板、リー
ドフレームなどのモールド封止と同時に行うことができ
るので従来のようなモールド後の磁石ブロック組立工程
を必吸とせず、かつ多大な接着剤硬化時間を要しない。
リデバイス構造とその’Ｒ’ｌＲ方法によれば、磁石ブ
ロックの組立はＸＹ方向駆動用コイル、絶縁基板、リー
ドフレームなどのモールド封止と同時に行うことができ
るので従来のようなモールド後の磁石ブロック組立工程
を必吸とせず、かつ多大な接着剤硬化時間を要しない。
更にモールド型においては磁石ブロック嵌入用の凹部を
形成する必髪がないのでモールド成形不良が発生しない
などの効果を奏する。
形成する必髪がないのでモールド成形不良が発生しない
などの効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のバブルメモリデバイスの断面図、第２図
はその分解斜視図、第３図は本弁明になる１−・・・絶
縁基鈑、２・・−会バプルメモリチッフ、３ａ・・・・
Ｘ方向駆動コイル、３ｂ・・―・Ｙ方向駆動コイル、４
−・・・モールドデバイス、５・・・・永久磁石、６・
・・・整磁板、γ１１１１＋１・’１ｊｌ１石１０ツク
、８・・−・シールドケース、９１ＩＩＩＩｌ・リード
フレーム、１０ａ＊＊ｓ＊モ−ルド上型、１０ｂ・・・
・モールド下型、１１・・・・位置決めビン、１２・・
・・キャビティ。 ７− 第１因 ７α ｂ 第２図 Ｇ
はその分解斜視図、第３図は本弁明になる１−・・・絶
縁基鈑、２・・−会バプルメモリチッフ、３ａ・・・・
Ｘ方向駆動コイル、３ｂ・・―・Ｙ方向駆動コイル、４
−・・・モールドデバイス、５・・・・永久磁石、６・
・・・整磁板、γ１１１１＋１・’１ｊｌ１石１０ツク
、８・・−・シールドケース、９１ＩＩＩＩｌ・リード
フレーム、１０ａ＊＊ｓ＊モ−ルド上型、１０ｂ・・・
・モールド下型、１１・・・・位置決めビン、１２・・
・・キャビティ。 ７− 第１因 ７α ｂ 第２図 Ｇ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 バブルメモリチップが固定された絶縁基板にチッ
プに水平回転磁界を与えるＸ、Ｙ方向駆動用コイルをそ
れぞれ巻回し、前記絶縁基板の外周端部をリードフレー
ムに固定し、さらに前記コイルの上下に前記チップにバ
イアス磁界を与える永久磁石及び整磁板からなる磁石ブ
筒ツクを配設してなるバブルメモリデバイスにお−て、
前記絶縁基板、コイル、リードフレームと一体に前記磁
石ブロックをモールドレジンにて固定したことを特徴と
するバブルメモリデバイス。 ２、バブルメモリチップが固定された絶縁基板にチップ
に水平回転磁界を与えるｘ、Ｙ方向駆動用コイルをそれ
ぞれ巻回し、前記絶縁基板の外周端部をリードフレーム
に固定し、さらに前記コイルの上下に前記チップにバイ
アス磁界を与える永久磁石及び整磁板からなる磁石ブロ
ックを配設してなるバブルメモリデバイスの製造方法に
おいて、前記磁石ブロックをあらかじめ着磁し、この磁
石ブロックを１才の磁力によってモールド型内に設けた
位置決めピンに位置決めして固定した状態で前記モール
ド型内にレジンを流入し、前記絶縁基板、コイル、リー
ドフレームと一体に前記磁石フロックをモールドしたこ
とを特徴とするバブルメモリデバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56123004A JPS5826382A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | 磁気バブルメモリデバイスの製造方法 |
| US06/402,738 US4470131A (en) | 1981-08-07 | 1982-07-28 | Bubble memory device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56123004A JPS5826382A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | 磁気バブルメモリデバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5826382A true JPS5826382A (ja) | 1983-02-16 |
| JPS6153798B2 JPS6153798B2 (ja) | 1986-11-19 |
Family
ID=14849870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56123004A Granted JPS5826382A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | 磁気バブルメモリデバイスの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4470131A (ja) |
| JP (1) | JPS5826382A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060099U (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | 富士通株式会社 | 磁気バブルメモリパツケ−ジ |
| JPS63119093A (ja) * | 1986-04-10 | 1988-05-23 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリデバイス |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155194U (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | ||
| JPH01100594A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-18 | Casio Comput Co Ltd | 発音制御装置 |
| JP3356121B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2002-12-09 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子および通信装置 |
| US7373716B2 (en) * | 2003-10-22 | 2008-05-20 | Dexter Magnetic Technologies, Inc. | Method for constructing permanent magnet assemblies |
| US7135792B2 (en) * | 2004-05-12 | 2006-11-14 | Dexter Magnetic Technologies, Inc. | High field voice coil motor |
| US7913376B2 (en) * | 2007-12-13 | 2011-03-29 | International Business Machines Corporation | Method of forming an actuating mechanism for a probe storage system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4164790A (en) * | 1977-12-27 | 1979-08-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic bubble packaging arrangement |
| US4150440A (en) * | 1978-03-13 | 1979-04-17 | Control Data Corporation | Bubble memory package |
-
1981
- 1981-08-07 JP JP56123004A patent/JPS5826382A/ja active Granted
-
1982
- 1982-07-28 US US06/402,738 patent/US4470131A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060099U (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | 富士通株式会社 | 磁気バブルメモリパツケ−ジ |
| JPS63119093A (ja) * | 1986-04-10 | 1988-05-23 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリデバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4470131A (en) | 1984-09-04 |
| JPS6153798B2 (ja) | 1986-11-19 |
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