JPH04295048A - 高誘電率誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH04295048A JPH04295048A JP3083301A JP8330191A JPH04295048A JP H04295048 A JPH04295048 A JP H04295048A JP 3083301 A JP3083301 A JP 3083301A JP 8330191 A JP8330191 A JP 8330191A JP H04295048 A JPH04295048 A JP H04295048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- capacitance
- tables
- sample
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 37
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910002976 CaZrO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910014031 strontium zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910017509 Nd2 O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Ba ZrO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019639 Nb2 O5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002637 Pr6O11 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高誘電率誘電体磁器組
成物に係り、特に広い温度範囲（−５５℃〜＋１５０℃
）にわたって静電容量の変化が小さく、かつ誘電体損失
の小さい優れた特性を有する高誘電率誘電体磁器組成物
に関する。
成物に係り、特に広い温度範囲（−５５℃〜＋１５０℃
）にわたって静電容量の変化が小さく、かつ誘電体損失
の小さい優れた特性を有する高誘電率誘電体磁器組成物
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電率が高く、その温度変化が小
さい誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ３ ）にビスマス化合物、例えばＢｉ２ Ｏ３
・２ＳｎＯ２ やＢｉ２ Ｏ３ ・２ＺｒＯ２ とＴａ
２ Ｏ５ やＮｂ２ Ｏ５ 等を添加してその温度変化
率を小さくしたものが使われていた。
さい誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ３ ）にビスマス化合物、例えばＢｉ２ Ｏ３
・２ＳｎＯ２ やＢｉ２ Ｏ３ ・２ＺｒＯ２ とＴａ
２ Ｏ５ やＮｂ２ Ｏ５ 等を添加してその温度変化
率を小さくしたものが使われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの成
分を含む組成物では誘電率を高くすると、静電容量の温
度変化率が大きくなり、誘電率を大きくするにはおのず
と限界があった。このため、これらの組成物をコンデン
サに使用した場合、小型で大容量を得ることは困難であ
った。
分を含む組成物では誘電率を高くすると、静電容量の温
度変化率が大きくなり、誘電率を大きくするにはおのず
と限界があった。このため、これらの組成物をコンデン
サに使用した場合、小型で大容量を得ることは困難であ
った。
【０００４】また組成物の成分にビスマス化合物を含む
ものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器組成物素
体に屈曲を生じたりする問題があった。
ものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器組成物素
体に屈曲を生じたりする問題があった。
【０００５】さらにビスマスを含有するチタン酸バリウ
ム系積層型磁器コンデンサを作成した場合、内部電極で
あるパラジウム、、または銀−パラジウム合金と誘電体
の成分であるビスマスが反応を起こし、電極としての機
能を失うため、内部電極として高価な白金を使用しなけ
ればならず、積層型磁器のコンデンサのコストアップの
要因になっていた。
ム系積層型磁器コンデンサを作成した場合、内部電極で
あるパラジウム、、または銀−パラジウム合金と誘電体
の成分であるビスマスが反応を起こし、電極としての機
能を失うため、内部電極として高価な白金を使用しなけ
ればならず、積層型磁器のコンデンサのコストアップの
要因になっていた。
【０００６】従って、本発明の目的は、広い温度範囲に
わたって静電容量の変化が少なく、誘電体損失の小さい
優れた特性を有する高誘電率誘電体磁器組成物を提供す
るものである。
わたって静電容量の変化が少なく、誘電体損失の小さい
優れた特性を有する高誘電率誘電体磁器組成物を提供す
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明者等は鋭意研究の結果、主成分として、ＢａＴ
ｉＯ３ ：９４．０〜９９．０モル％Ｎｂ２ Ｏ５
：０．５ 〜３．０ モル％ＣｏＯ ：０
．５ 〜３．０ モル％に対して、添加物としてＣａＺ
ｒＯ３ 、ＳｒＺｒＯ３ 、ＢａＺｒＯ３ のうち一種
類以上を０．２ 〜７．０ 重量％含有することにより
、キュリー点を高温側へシフトすることを見出した。こ
れにより、静電容量の温度変化が少ない領域を拡げるこ
とができる。
、本発明者等は鋭意研究の結果、主成分として、ＢａＴ
ｉＯ３ ：９４．０〜９９．０モル％Ｎｂ２ Ｏ５
：０．５ 〜３．０ モル％ＣｏＯ ：０
．５ 〜３．０ モル％に対して、添加物としてＣａＺ
ｒＯ３ 、ＳｒＺｒＯ３ 、ＢａＺｒＯ３ のうち一種
類以上を０．２ 〜７．０ 重量％含有することにより
、キュリー点を高温側へシフトすることを見出した。こ
れにより、静電容量の温度変化が少ない領域を拡げるこ
とができる。
【０００８】また必要に応じてＬａ２ Ｏ３ 、Ｎｄ２
Ｏ３ 、Ｐｒ６ Ｏ１１のうち一種類以上を０．５
重量％以下含有することにより、特性が優れることを見
出した。
Ｏ３ 、Ｐｒ６ Ｏ１１のうち一種類以上を０．５
重量％以下含有することにより、特性が優れることを見
出した。
【０００９】さらに、これらにＭｎＯを０〜０．３ 重
量％、ＳｉＯ２を０〜０．３ 重量％含有することによ
り焼結性がよくなり、特性が一層向上するものとなる。
量％、ＳｉＯ２を０〜０．３ 重量％含有することによ
り焼結性がよくなり、特性が一層向上するものとなる。
【００１０】
【作用】本発明の組成の誘電体磁器組成物を用いること
により、常温での比誘電率が２０００〜４７００という
高誘電率を有し、誘電体損失（ｔａｎδ）は１．２ ％
以下という小さい値であり、静電容量の温度変化はＥＩ
ＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定する×７Ｒ特性
（−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で静電容量の変化が
２５℃を基準にして±１５％以内）を満足し、さらに×
８Ｒ特性（−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲で静電容量
の変化が２５℃を基準にして±１５％以内）を満足する
すぐれた特性の高誘電率誘電体磁器組成物を得ることが
できる。
により、常温での比誘電率が２０００〜４７００という
高誘電率を有し、誘電体損失（ｔａｎδ）は１．２ ％
以下という小さい値であり、静電容量の温度変化はＥＩ
ＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定する×７Ｒ特性
（−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で静電容量の変化が
２５℃を基準にして±１５％以内）を満足し、さらに×
８Ｒ特性（−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲で静電容量
の変化が２５℃を基準にして±１５％以内）を満足する
すぐれた特性の高誘電率誘電体磁器組成物を得ることが
できる。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例を図１〜図３を用いて説明
する。図１は本発明の誘電体磁器組成物の主成分の三元
組成図、図２は本発明の誘電体磁器組成物の製造工程図
、図３は各試料の静電容量の温度特性カーブを示す。
する。図１は本発明の誘電体磁器組成物の主成分の三元
組成図、図２は本発明の誘電体磁器組成物の製造工程図
、図３は各試料の静電容量の温度特性カーブを示す。
【００１２】ＢａＴｉＯ３ を形成するための出発原料
として、高純度のＢａＣＯ３ とＴｉＯ２ を１：１の
モル比で調合し、調合した出発原料に脱水・乾燥処理を
行う（図２の■参照）。
として、高純度のＢａＣＯ３ とＴｉＯ２ を１：１の
モル比で調合し、調合した出発原料に脱水・乾燥処理を
行う（図２の■参照）。
【００１３】次にこれらの原料を仮成形し、１０００℃
〜１２００℃で２時間安定にして化学反応を行わしめ、
ＢａＴｉＯ３ を形成する仮焼成を行い、得られたＢａ
ＴｉＯ３ を例えば、アトマイザー等で微粉砕する（図
２の■参照）。
〜１２００℃で２時間安定にして化学反応を行わしめ、
ＢａＴｉＯ３ を形成する仮焼成を行い、得られたＢａ
ＴｉＯ３ を例えば、アトマイザー等で微粉砕する（図
２の■参照）。
【００１４】得られたＢａＴｉＯ３ 粉末または溶液法
にて調整して得られたＢａＴｉＯ３ 粉末、Ｎｂ２ Ｏ
５ 、ＣｏＯ、ＣａＺｒＯ３ 、ＳｒＺｒＯ３ 、Ｂａ
ＺｒＯ３ 、Ｎｄ２ Ｏ３ 、Ｌａ２ Ｏ３ 、Ｐｒ６
Ｏ１１、ＭｎＣＯ３ 、ＳｉＯ２ 等を焼成後の組成
が表１、表２の如くになるように秤量し、湿式混合し、
脱水・乾燥する（図２の■参照）。
にて調整して得られたＢａＴｉＯ３ 粉末、Ｎｂ２ Ｏ
５ 、ＣｏＯ、ＣａＺｒＯ３ 、ＳｒＺｒＯ３ 、Ｂａ
ＺｒＯ３ 、Ｎｄ２ Ｏ３ 、Ｌａ２ Ｏ３ 、Ｐｒ６
Ｏ１１、ＭｎＣＯ３ 、ＳｉＯ２ 等を焼成後の組成
が表１、表２の如くになるように秤量し、湿式混合し、
脱水・乾燥する（図２の■参照）。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】なお、表１、表２において各試料Ｎｏは共
通である。これらの原料に有機バインダーを適当量加え
、約３ｔｏｎ／ｃｍ２ の成形圧力で成形し、直径１６
．５ｍｍ、厚さ約０．６ ｍｍの円板状成形物を作成す
る。この成形物を１２４０℃〜１３８０℃で２時間安定
にして、本焼成を行う（図２の■参照）。
通である。これらの原料に有機バインダーを適当量加え
、約３ｔｏｎ／ｃｍ２ の成形圧力で成形し、直径１６
．５ｍｍ、厚さ約０．６ ｍｍの円板状成形物を作成す
る。この成形物を１２４０℃〜１３８０℃で２時間安定
にして、本焼成を行う（図２の■参照）。
【００１８】得られた磁器組成物素体の両端面に銀電極
を焼付けて、コンデンサとする（図２の■参照）。
を焼付けて、コンデンサとする（図２の■参照）。
【００１９】これらのコンデンサの各電気的特性を測定
した。即ち比誘電率、誘電体損失を周波数１ＫＨｚ、１
Ｖ、室温２０℃の条件で、絶縁抵抗はＤ．Ｃ．５００Ｖ
、室温２０℃１分後の条件での測定値を求め、静電容量
の温度変化率（表３では表示簡略のため静電容量変化率
ΔＣ／Ｃ２５℃と示す）は２５℃における値に対する−
５５℃、＋１２５℃、＋１５０℃における値の変化率を
求めた（図２の■参照）。
した。即ち比誘電率、誘電体損失を周波数１ＫＨｚ、１
Ｖ、室温２０℃の条件で、絶縁抵抗はＤ．Ｃ．５００Ｖ
、室温２０℃１分後の条件での測定値を求め、静電容量
の温度変化率（表３では表示簡略のため静電容量変化率
ΔＣ／Ｃ２５℃と示す）は２５℃における値に対する−
５５℃、＋１２５℃、＋１５０℃における値の変化率を
求めた（図２の■参照）。
【００２０】各測定結果を表３に示す。
【００２１】
【表３】
【００２２】なお、表３中、×印を付した試料Ｎｏ１、
３、３−４、３−９、３−１４、３−１７、３−１８、
３−１９、３−２０、３−２１、，３−２２、３−２３
、６、８、１０は本発明の範囲に含まれず、本発明の実
施例との比較のために示す。
３、３−４、３−９、３−１４、３−１７、３−１８、
３−１９、３−２０、３−２１、，３−２２、３−２３
、６、８、１０は本発明の範囲に含まれず、本発明の実
施例との比較のために示す。
【００２３】また、表３の試料Ｎｏは表１、表２の試料
Ｎｏと共通である。表１〜表３から明らかな如く、本発
明の組成の誘電体磁器組成物は、比誘電率が２０００〜
４７００という高い値であり、誘電体損失は１．２ ％
以下という小さい値であり、静電容量の温度変化はＥＩ
ＡＪに規定する×７Ｒ特性のみならず、×８Ｒ特性をも
満足する安定した誘電体磁器組成物である。
Ｎｏと共通である。表１〜表３から明らかな如く、本発
明の組成の誘電体磁器組成物は、比誘電率が２０００〜
４７００という高い値であり、誘電体損失は１．２ ％
以下という小さい値であり、静電容量の温度変化はＥＩ
ＡＪに規定する×７Ｒ特性のみならず、×８Ｒ特性をも
満足する安定した誘電体磁器組成物である。
【００２４】図１は本発明の誘電体組成物の主成分の三
元組成図である。図１における各点の番号は表１〜表３
における試料Ｎｏと一致する。
元組成図である。図１における各点の番号は表１〜表３
における試料Ｎｏと一致する。
【００２５】図１から本発明の主成分は点２、７、５、
９を結ぶ線によりできる四辺形の内側の組成になること
が明らかである。
９を結ぶ線によりできる四辺形の内側の組成になること
が明らかである。
【００２６】図３は、表１〜表３の各試料のうち３試料
の静電容量の温度特性カーブを示す。図３において、点
Δを結ぶ曲線Ａは表１〜表３の試料Ｎｏ１の静電容量の
温度特性カブを示し、同様に点・を結ぶ曲線Ｂは試料Ｎ
ｏ３−１、点×を結ぶ曲線Ｃは試料Ｎｏ３−４の各カー
ブを示す。
の静電容量の温度特性カーブを示す。図３において、点
Δを結ぶ曲線Ａは表１〜表３の試料Ｎｏ１の静電容量の
温度特性カブを示し、同様に点・を結ぶ曲線Ｂは試料Ｎ
ｏ３−１、点×を結ぶ曲線Ｃは試料Ｎｏ３−４の各カー
ブを示す。
【００２７】図３から明らかな如く、試料Ｎｏ３−１の
曲線Ｂは−５５℃〜＋１２５℃、−５５℃〜＋１５０℃
における静電容量の温度変化率が±１５％以内であって
、ＥＩＡＪに規定する×７Ｒ特性、×８Ｒ特性を満足し
、広い温度範囲において誘電率の温度変化が少ない。
曲線Ｂは−５５℃〜＋１２５℃、−５５℃〜＋１５０℃
における静電容量の温度変化率が±１５％以内であって
、ＥＩＡＪに規定する×７Ｒ特性、×８Ｒ特性を満足し
、広い温度範囲において誘電率の温度変化が少ない。
【００２８】次に本発明の誘電体組成物の組成範囲の限
定理由を表１〜表３、図１、図３を参照しつつ説明する
。
定理由を表１〜表３、図１、図３を参照しつつ説明する
。
【００２９】ＢａＴｉＯ３ が９４．０モル％未満であ
れば、比誘電率が低くなる（例えば表１〜表３の試料Ｎ
ｏ６参照）。
れば、比誘電率が低くなる（例えば表１〜表３の試料Ｎ
ｏ６参照）。
【００３０】ＢａＴｉＯ３ が９９．０モル％を越える
と、誘電体損失（ｔａｎδ）と静電容量の温度特性変化
率が大きくなり、焼結性も悪化する（例えば表１〜表３
、図３の試料Ｎｏ１参照）。
と、誘電体損失（ｔａｎδ）と静電容量の温度特性変化
率が大きくなり、焼結性も悪化する（例えば表１〜表３
、図３の試料Ｎｏ１参照）。
【００３１】Ｎｂ２ Ｏ５ が０．５ モル％未満であ
ると、誘電体損失と静電容量の温度化率が大きくなり、
焼結性も悪化する（例えば表１〜表３、図３の試料Ｎｏ
１参照）。
ると、誘電体損失と静電容量の温度化率が大きくなり、
焼結性も悪化する（例えば表１〜表３、図３の試料Ｎｏ
１参照）。
【００３２】Ｎｂ２ Ｏ５ が３．０ モル％を越える
と、比誘電率が低くなったり（例えば表１〜表３の試料
Ｎｏ６参照）、静電容量の温度変化率が大きくなる（例
えば表１〜表３の試料Ｎｏ８参照）。
と、比誘電率が低くなったり（例えば表１〜表３の試料
Ｎｏ６参照）、静電容量の温度変化率が大きくなる（例
えば表１〜表３の試料Ｎｏ８参照）。
【００３３】またＣｏＯが０．５ モル％未満であると
、誘電体損失と静電容量の温度変化率が大きくなり、焼
結性も悪化する（例えば表１〜表３、図３の試料Ｎｏ１
参照）。
、誘電体損失と静電容量の温度変化率が大きくなり、焼
結性も悪化する（例えば表１〜表３、図３の試料Ｎｏ１
参照）。
【００３４】ＣｏＯが３．０ モル％を越えると、比誘
電率が低くなったり（例えば表１〜表３の試料Ｎｏ６、
１０参照）、静電容量の温度変化率が大きくなる（例え
ば表１〜表３の試料Ｎｏ１０参照）。
電率が低くなったり（例えば表１〜表３の試料Ｎｏ６、
１０参照）、静電容量の温度変化率が大きくなる（例え
ば表１〜表３の試料Ｎｏ１０参照）。
【００３５】添加物として、ＣａＺｒＯ３ 、ＳｒＺｒ
Ｏ３ 、ＢａＺｒＯ３ のうちいずれか一種類以上が０
．２ 重量％未満では、静電容量の温度変化率が大きく
なり、×７Ｒ特性や×８Ｒ特性を満足しなくなる（例え
ば表１〜表３の試料Ｎｏ３、３−１８、３−２０参照）
。
Ｏ３ 、ＢａＺｒＯ３ のうちいずれか一種類以上が０
．２ 重量％未満では、静電容量の温度変化率が大きく
なり、×７Ｒ特性や×８Ｒ特性を満足しなくなる（例え
ば表１〜表３の試料Ｎｏ３、３−１８、３−２０参照）
。
【００３６】また、ＣａＺｒＯ３ 、ＳｒＺｒＯ３ 、
ＢａＺｒＯ３ のうちいずれか一種類以上が７．０ 重
量％を越えると、やはり静電容量の温度変化率が大きく
なり、×８Ｒ特性を満足しなくなる（例えば表１〜表３
、図３の試料Ｎｏ３−４、３−１９、３−２１参照）。
ＢａＺｒＯ３ のうちいずれか一種類以上が７．０ 重
量％を越えると、やはり静電容量の温度変化率が大きく
なり、×８Ｒ特性を満足しなくなる（例えば表１〜表３
、図３の試料Ｎｏ３−４、３−１９、３−２１参照）。
【００３７】さらにＮｄ２ Ｏ３ 、Ｌａ２ Ｏ３ 、
Ｐｒ６ Ｏ１１が上記の組成に対して無添加でも使用上
問題はない（例えば、表１〜表３の試料Ｎｏ３−７、３
−１２、３−２４、３−２５、３−２６参照）。
Ｐｒ６ Ｏ１１が上記の組成に対して無添加でも使用上
問題はない（例えば、表１〜表３の試料Ｎｏ３−７、３
−１２、３−２４、３−２５、３−２６参照）。
【００３８】しかし、これらＮｄ２ Ｏ３ 、Ｌａ２
Ｏ３ 、Ｐｒ６ Ｏ１１のうちいずれか一種類以上を０
．５ 重量％までの添加で焼結性がよくなり（例えば、
表１〜表３の３−８、３−１０、３−１１参照）、０．
５ 重量％を越えると、静電容量の温度変化率が大きく
なり、×８Ｒ特性をはずれる（例えば、表１〜表３の試
料Ｎｏ３−９、３−２２、３−２３参照）。
Ｏ３ 、Ｐｒ６ Ｏ１１のうちいずれか一種類以上を０
．５ 重量％までの添加で焼結性がよくなり（例えば、
表１〜表３の３−８、３−１０、３−１１参照）、０．
５ 重量％を越えると、静電容量の温度変化率が大きく
なり、×８Ｒ特性をはずれる（例えば、表１〜表３の試
料Ｎｏ３−９、３−２２、３−２３参照）。
【００３９】ＭｎＯの添加については、無添加でも使用
上問題ないが（例えば表１〜表３の試料Ｎｏ３−１２参
照）、０．３ 重量％までの添加で還元防止になり、誘
電体損失が改善され、焼結性も向上する（例えば、表１
〜表３の試料Ｎｏ３−１３参照）。
上問題ないが（例えば表１〜表３の試料Ｎｏ３−１２参
照）、０．３ 重量％までの添加で還元防止になり、誘
電体損失が改善され、焼結性も向上する（例えば、表１
〜表３の試料Ｎｏ３−１３参照）。
【００４０】ＭｎＯが０．３ 重量％を越えると、静電
容量の温度変化率が大きくなり、焼結性は悪化し、緻密
な磁器が得られなくなる（例えば、表１〜表３の試料Ｎ
ｏ３−１４参照）。
容量の温度変化率が大きくなり、焼結性は悪化し、緻密
な磁器が得られなくなる（例えば、表１〜表３の試料Ｎ
ｏ３−１４参照）。
【００４１】ＳｉＯ２ の添加については、無添加でも
使用上問題はないが（例えば、表１〜表３の試料Ｎｏ３
−１５参照）、０．３ 重量％までの添加で、焼結性が
よくなり、特性も改善される。
使用上問題はないが（例えば、表１〜表３の試料Ｎｏ３
−１５参照）、０．３ 重量％までの添加で、焼結性が
よくなり、特性も改善される。
【００４２】ＳｉＯ２ が０．３ 重量％を越えると、
静電容量の温度変化率が大きくなるばかりでなく、誘電
体損失等の特性も悪化し、焼結性も悪化する（例えば、
表１〜表３の試料Ｎｏ３−１７参照）。
静電容量の温度変化率が大きくなるばかりでなく、誘電
体損失等の特性も悪化し、焼結性も悪化する（例えば、
表１〜表３の試料Ｎｏ３−１７参照）。
【００４３】また原料中に含まれるアルカリ金属酸化物
または製造工程中に混入する微量の不純物としてのＳｉ
Ｏ２ 、Ａｌ２ Ｏ３ は特性を著しく悪化させること
はない。
または製造工程中に混入する微量の不純物としてのＳｉ
Ｏ２ 、Ａｌ２ Ｏ３ は特性を著しく悪化させること
はない。
【００４４】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は比誘電率が
約２０００〜４７００という高い値を有し、誘電体損失
は１．２ ％以下という小さい値であり、静電容量の温
度変化率はＥＩＡＪに規定する×７Ｒ特性、×８Ｒ特性
を満足し、広い温度範囲にわたって誘電率の変化が小さ
い。 このように優れた特性の誘電体磁器組成物は例えば自動
車のエンジンルーム等に使用可能である。
約２０００〜４７００という高い値を有し、誘電体損失
は１．２ ％以下という小さい値であり、静電容量の温
度変化率はＥＩＡＪに規定する×７Ｒ特性、×８Ｒ特性
を満足し、広い温度範囲にわたって誘電率の変化が小さ
い。 このように優れた特性の誘電体磁器組成物は例えば自動
車のエンジンルーム等に使用可能である。
【００４５】また、本発明の誘電体磁器組成物にはパラ
ジウムまたは銀−パラジウム合金と反応し易いビスマス
を含まないため、この組成物を誘電体層として積層コン
デンサを製造する場合、内部電極としてパラジウム単独
または銀−パラジウム合金の使用が可能となる。
ジウムまたは銀−パラジウム合金と反応し易いビスマス
を含まないため、この組成物を誘電体層として積層コン
デンサを製造する場合、内部電極としてパラジウム単独
または銀−パラジウム合金の使用が可能となる。
【００４６】従って、高価な白金または白金−パラジウ
ム合金を用いる必要がなく、製品の大幅なコストダウン
が実現出来、工業上の利益は計りしれないものがある。
ム合金を用いる必要がなく、製品の大幅なコストダウン
が実現出来、工業上の利益は計りしれないものがある。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物の主成分の三元組成
図である。
図である。
【図２】本発明の誘電体磁器組成物の製造工程説明図で
ある。
ある。
【図３】試料の静電容量の温度特性カーブである。
Claims (4)
- 【請求項１】 主成分として、 ＢａＴｉＯ３ ：９４．０〜９９．０モル％Ｎｂ２ Ｏ
５ ：０．５ 〜３．０ モル％ＣｏＯ
：０．５ 〜３．０ モル％に対して、添加物として
ＣａＺｒＯ３ 、ＳｒＺｒＯ３ 、ＢａＺｒＯ３ のう
ちいずれか一種類以上を０．２ 〜７．０ 重量％含有
してなることを特徴とする高誘電率誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 上記組成物にＬａ２ Ｏ３ 、Ｎｄ２
Ｏ３ 、Ｐｒ６ Ｏ１１のうちいずれか一種類以上を
０．５ 重量％以下含有することを特徴とする請求項１
記載の高誘電率誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 上記組成物にＭｎＯを０．３ 重量％
以下含有することを特徴とする請求項１、又は請求項２
記載の高誘電率誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 上記組成物にＳｉＯ２ を０．３ 重
量％以下含有することを特徴とする請求項１、請求項２
又は請求項３記載の高誘電率誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3083301A JP2978580B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3083301A JP2978580B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04295048A true JPH04295048A (ja) | 1992-10-20 |
| JP2978580B2 JP2978580B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=13798589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3083301A Expired - Lifetime JP2978580B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978580B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5990029A (en) * | 1997-02-25 | 1999-11-23 | Tdk Corporation | High dielectric-constant dielectric ceramic composition, and its fabrication process |
| US6226172B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-05-01 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US6403513B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-11 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| WO2002051770A1 (en) * | 2000-12-25 | 2002-07-04 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition and electronic parts |
| US6544916B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-04-08 | Tdk Corporation | Manufacture method of dielectric ceramic composition |
| US6559084B1 (en) | 1999-07-21 | 2003-05-06 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7262146B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-08-28 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7381464B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-06-03 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7541305B2 (en) | 2004-08-30 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| CN102994785A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-27 | 上海大学 | 一种BaZrO3耐火材料真空感应熔炼含钛储氢合金的方法 |
| CN119930277A (zh) * | 2025-01-22 | 2025-05-06 | 昆山清元电子科技有限公司 | 高介电陶瓷电容器及其制备方法 |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP3083301A patent/JP2978580B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5990029A (en) * | 1997-02-25 | 1999-11-23 | Tdk Corporation | High dielectric-constant dielectric ceramic composition, and its fabrication process |
| US6226172B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-05-01 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US6699809B2 (en) | 1999-07-21 | 2004-03-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US6559084B1 (en) | 1999-07-21 | 2003-05-06 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US6403513B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-11 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US6544916B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-04-08 | Tdk Corporation | Manufacture method of dielectric ceramic composition |
| WO2002051770A1 (en) * | 2000-12-25 | 2002-07-04 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition and electronic parts |
| US6764976B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-07-20 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7262146B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-08-28 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| EP1916681A1 (en) | 2004-08-30 | 2008-04-30 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7541305B2 (en) | 2004-08-30 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7381464B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-06-03 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| EP2003665A1 (en) | 2004-11-30 | 2008-12-17 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition with Core-Shell particles and electronic device |
| CN102994785A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-27 | 上海大学 | 一种BaZrO3耐火材料真空感应熔炼含钛储氢合金的方法 |
| CN119930277A (zh) * | 2025-01-22 | 2025-05-06 | 昆山清元电子科技有限公司 | 高介电陶瓷电容器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2978580B2 (ja) | 1999-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04218207A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04295048A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPH05109319A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| US10964477B2 (en) | Dielectric composition and electronic component | |
| JPH04292459A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPH04292458A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPH06243721A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPH10297967A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JPH0414442B2 (ja) | ||
| JP2848712B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6128621B2 (ja) | ||
| JPH0118521B2 (ja) | ||
| JP2789110B2 (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JPH0118522B2 (ja) | ||
| JPH04249809A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPS5815078A (ja) | 高誘電率系磁器誘電体組成物 | |
| JPH0536308A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPH04267006A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPS6128209B2 (ja) | ||
| JPH0689605A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH03285209A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPS6216481B2 (ja) | ||
| JPH03274606A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2849837B2 (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JPH0345557A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990831 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070910 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100910 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110910 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110910 Year of fee payment: 12 |