JPH043008B2 - - Google Patents
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- JPH043008B2 JPH043008B2 JP31522287A JP31522287A JPH043008B2 JP H043008 B2 JPH043008 B2 JP H043008B2 JP 31522287 A JP31522287 A JP 31522287A JP 31522287 A JP31522287 A JP 31522287A JP H043008 B2 JPH043008 B2 JP H043008B2
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フロツピーデイスク、ビデオ・オー
デイオの録音テープ等記録用媒体として幅広く使
用されている連続磁性媒体の製造方法に関する。
デイオの録音テープ等記録用媒体として幅広く使
用されている連続磁性媒体の製造方法に関する。
近年、磁気記録の高密度の要求に伴い磁性層が
磁性材料のみによつて形成される連続磁性媒体の
研究が盛んに行われている。連続磁性媒体は、真
空蒸着法、スパツタ法もしくはメツキ法によつて
製造されている。この連続磁性媒体は、磁性層が
連続薄膜であるため、長手方向の磁気記録は勿
論、垂直記録方式において特に記録密度の飛躍的
向上が期待されている。また、各磁気テープ又は
デイスク状磁気記録媒体等、種々の製品形態への
応用開発が進められている。
磁性材料のみによつて形成される連続磁性媒体の
研究が盛んに行われている。連続磁性媒体は、真
空蒸着法、スパツタ法もしくはメツキ法によつて
製造されている。この連続磁性媒体は、磁性層が
連続薄膜であるため、長手方向の磁気記録は勿
論、垂直記録方式において特に記録密度の飛躍的
向上が期待されている。また、各磁気テープ又は
デイスク状磁気記録媒体等、種々の製品形態への
応用開発が進められている。
殊に、長尺状の連続薄膜磁性媒体の連続磁性層
はスパツタ装置内において次のように形成され
る。即ち、耐熱基材を対称的な位置に設けられて
いる一対の位置決め用のリング、サブストホルダ
ー間を通して複数のガイドロールによりS字形に
搬送する。この基材は、上記リング、サブストホ
ルダー間通過の際に、リング側に設けられたター
ゲツトからリングの孔を経て基材表面に磁性材料
を折出させることにより、両面に連続的な磁性層
を形成されている。
はスパツタ装置内において次のように形成され
る。即ち、耐熱基材を対称的な位置に設けられて
いる一対の位置決め用のリング、サブストホルダ
ー間を通して複数のガイドロールによりS字形に
搬送する。この基材は、上記リング、サブストホ
ルダー間通過の際に、リング側に設けられたター
ゲツトからリングの孔を経て基材表面に磁性材料
を折出させることにより、両面に連続的な磁性層
を形成されている。
しかしながら、上述のような連続磁性媒体は、
塗布型の磁性媒体と異なり、磁性層中に結合剤、
潤滑剤等を全く含有しないので可撓性、潤滑性に
乏しく耐久性に問題を有している。このため、第
4図のような連続磁性媒体面32上に弗素系潤滑
剤、シリコーンオイル、高級脂肪酸及びその誘導
体等を単独もしくは複合させた形で塗布すること
により皮膜33を形成したり、あるいは第5図の
ように、非晶質の炭素もしくはSiox(x=1〜2)
で表わされる化合物等の保護層53を連続磁性層
52の表面上に形成する試みが行われているが、
いずれも十分な耐久性を得るには至つていない。
塗布型の磁性媒体と異なり、磁性層中に結合剤、
潤滑剤等を全く含有しないので可撓性、潤滑性に
乏しく耐久性に問題を有している。このため、第
4図のような連続磁性媒体面32上に弗素系潤滑
剤、シリコーンオイル、高級脂肪酸及びその誘導
体等を単独もしくは複合させた形で塗布すること
により皮膜33を形成したり、あるいは第5図の
ように、非晶質の炭素もしくはSiox(x=1〜2)
で表わされる化合物等の保護層53を連続磁性層
52の表面上に形成する試みが行われているが、
いずれも十分な耐久性を得るには至つていない。
本発明は、上記欠点に鑑みてなされており、耐
熱基材上の連続磁性層の表面に弗素炭素薄膜から
なる保護層を形成して、十分な耐久性を有する連
続磁性媒体の製造方法を提供することを目的とす
る。
熱基材上の連続磁性層の表面に弗素炭素薄膜から
なる保護層を形成して、十分な耐久性を有する連
続磁性媒体の製造方法を提供することを目的とす
る。
本発明によれば、耐熱基材上にスパツタ法によ
り、磁性材料のみによる連続磁性層を形成し、次
に上記連続磁性層上にスパツタ法により炭素層を
形成し、続いてこの炭素層に弗素イオンを照射す
ることにより弗素化して、弗化炭素薄膜からなる
保護層を形成することを特徴とする連続磁性媒体
の製造方法が得られる。
り、磁性材料のみによる連続磁性層を形成し、次
に上記連続磁性層上にスパツタ法により炭素層を
形成し、続いてこの炭素層に弗素イオンを照射す
ることにより弗素化して、弗化炭素薄膜からなる
保護層を形成することを特徴とする連続磁性媒体
の製造方法が得られる。
ここで、本発明において、弗素炭素薄膜は化学
式(CxF)o(xは1から2までの数、nは自然
数)で表わされる。
式(CxF)o(xは1から2までの数、nは自然
数)で表わされる。
本発明の作用について述べる。
低圧アルゴン雰囲気中で、高電圧印加してグロ
ー放電等の放電を行うと、アルゴンプラズマを発
生する。アルゴンプラズマは、ターゲツトに衝突
し、ターゲツトから高速粒子をはじき出す。高速
粒子は、耐熱基材表面に衝突し、基材表面に薄膜
を形成する。この時に陰極のターゲツトを磁性体
とした場合、耐熱基材面垂直に、磁気異方性を有
する磁性材料からなる連続磁性層が形成する。更
に、陰極ターゲツトをカーボンとして、連続磁性
層上に薄膜状の炭素層を形成する。次に、真空容
器内において、弗素ガスをイオンガンによつて弗
素イオンを炭素層に照射し、炭素層は弗化炭素薄
膜が生成することにより保護層が得られる。
ー放電等の放電を行うと、アルゴンプラズマを発
生する。アルゴンプラズマは、ターゲツトに衝突
し、ターゲツトから高速粒子をはじき出す。高速
粒子は、耐熱基材表面に衝突し、基材表面に薄膜
を形成する。この時に陰極のターゲツトを磁性体
とした場合、耐熱基材面垂直に、磁気異方性を有
する磁性材料からなる連続磁性層が形成する。更
に、陰極ターゲツトをカーボンとして、連続磁性
層上に薄膜状の炭素層を形成する。次に、真空容
器内において、弗素ガスをイオンガンによつて弗
素イオンを炭素層に照射し、炭素層は弗化炭素薄
膜が生成することにより保護層が得られる。
このようにして得られた連続磁性媒体は、連続
磁性層が弗化炭素薄膜の保護層で被れているた
め、耐久性が極めて大きい。
磁性層が弗化炭素薄膜の保護層で被れているた
め、耐久性が極めて大きい。
ここで、連続磁性層の磁性材料としてはCo・
Crの他に、Co・Cr、Ni・Feの二層導体及び
Ni・P・Co等が使用できる。
Crの他に、Co・Cr、Ni・Feの二層導体及び
Ni・P・Co等が使用できる。
また、耐熱基材としては、厚さ50μm程度のポ
リイミドを使用できるがこれに限定されない。
リイミドを使用できるがこれに限定されない。
上記の連続磁性層及び炭素層のスパツタ法によ
る形成は同一容器内においても可能である。
る形成は同一容器内においても可能である。
〔実施例〕
本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図aは、本発明に係る連続磁性媒体の磁性
薄膜形成方法の一例を示す模式図である。
薄膜形成方法の一例を示す模式図である。
この図において、耐熱基材1はポリアミド製で
ホルダー11に設けられている。基材1、ホルダ
ー11、及びCo・Crターゲツト10は真空容器
12内にあり、この真空容器12には、真空ポン
プ13に連結する排気管及びアルゴンガス導入管
14が設けられている。真空容器12内を低圧ア
ルゴンガス雰囲気中15で、耐熱基材上にスパツ
タ法により、耐熱基材1両面に0.2μmの厚さ
Co・Cr薄膜の連続磁性層2が形成される。
ホルダー11に設けられている。基材1、ホルダ
ー11、及びCo・Crターゲツト10は真空容器
12内にあり、この真空容器12には、真空ポン
プ13に連結する排気管及びアルゴンガス導入管
14が設けられている。真空容器12内を低圧ア
ルゴンガス雰囲気中15で、耐熱基材上にスパツ
タ法により、耐熱基材1両面に0.2μmの厚さ
Co・Cr薄膜の連続磁性層2が形成される。
即ち、ホルダー11とターゲツト10間に高電
圧を印加し、容器内でグロー放電を発生させアル
ゴンプラズマを発生させる。このアルゴンプラズ
マは、Co・Crターゲツト10からCo・Cr粒子1
0aをたたき出し、たたき出されたCo・Cr粒子
10aは耐熱基材1表面に衝突して、その運動エ
ネルギを失つて基材面に析出し、Co・Cr薄膜を
連続的に形成する。
圧を印加し、容器内でグロー放電を発生させアル
ゴンプラズマを発生させる。このアルゴンプラズ
マは、Co・Crターゲツト10からCo・Cr粒子1
0aをたたき出し、たたき出されたCo・Cr粒子
10aは耐熱基材1表面に衝突して、その運動エ
ネルギを失つて基材面に析出し、Co・Cr薄膜を
連続的に形成する。
第1図bは、本発明に係る連続磁性媒体の炭素
薄膜形成方法の一例を示す模式図である。
薄膜形成方法の一例を示す模式図である。
この図において、Co・Cr薄膜の連続磁性層2
が形成された耐熱基材1はホルダー17に設けら
れている。
が形成された耐熱基材1はホルダー17に設けら
れている。
カーボン(C)ターゲツト16、磁性層付き基材1
及びホルダー17は真空容器18内にあり、この
真空容器18に真空ポンプ19に連結する排出管
及びアルゴンガス導入管14が設けられている。
低圧アルゴンガス雰囲気中21で、上記の連続磁
性層が形成された基材はスパツタ法により、両面
の連続磁性層2のうえに200Aの厚さの薄膜状の
炭素層4を形成する。
及びホルダー17は真空容器18内にあり、この
真空容器18に真空ポンプ19に連結する排出管
及びアルゴンガス導入管14が設けられている。
低圧アルゴンガス雰囲気中21で、上記の連続磁
性層が形成された基材はスパツタ法により、両面
の連続磁性層2のうえに200Aの厚さの薄膜状の
炭素層4を形成する。
第1図cは、本発明に係る連続磁性媒体の弗化
炭素薄膜形成方法の一例を示す模式図である。連
続磁性層2としてCo・Cr薄膜の連続磁性層2が
形成され、続いて炭素層4が形成された耐熱基材
1は、真空容器41内にあり、この真空容器は導
入管43より導入された弗素ガス42に満たされ
ており、イオンガン43の照射方向の基板ホルダ
ー44に設けられている。
炭素薄膜形成方法の一例を示す模式図である。連
続磁性層2としてCo・Cr薄膜の連続磁性層2が
形成され、続いて炭素層4が形成された耐熱基材
1は、真空容器41内にあり、この真空容器は導
入管43より導入された弗素ガス42に満たされ
ており、イオンガン43の照射方向の基板ホルダ
ー44に設けられている。
さらに、真空容器41には真空ポンプ46に連
結する排出管が設けられている。イオンガン43
により、弗素ガスは、弗素イオン(F+)となり
基板に向い、炭素層4面に衝突して反応し弗素炭
素の膜(第2図の3)を形成する。得られた連続
磁性体は第2図示の構造を有する。
結する排出管が設けられている。イオンガン43
により、弗素ガスは、弗素イオン(F+)となり
基板に向い、炭素層4面に衝突して反応し弗素炭
素の膜(第2図の3)を形成する。得られた連続
磁性体は第2図示の構造を有する。
第3図は、実施例に係る連続磁性媒体の耐久性
の試験結果を示す。この図において、曲線29
は、本発明の実施例に係る連続磁性媒体のパス回
数と再生出力とのパス回数0の出力を1としたと
きの相対値を示す。この曲線29から明らかな様
に実施例に係る連続磁性媒体の出力は、2×107
パス回数においても、ほとんど低下しないことが
わかる。この耐久性試験は次のように行われた。
の試験結果を示す。この図において、曲線29
は、本発明の実施例に係る連続磁性媒体のパス回
数と再生出力とのパス回数0の出力を1としたと
きの相対値を示す。この曲線29から明らかな様
に実施例に係る連続磁性媒体の出力は、2×107
パス回数においても、ほとんど低下しないことが
わかる。この耐久性試験は次のように行われた。
市販の両面用フロツピーデイスクドライバーに
セツト記録密度10〔KFRPI〕で、相対速度1.0
〔m/s〕でパスウエアテストを行つた。
セツト記録密度10〔KFRPI〕で、相対速度1.0
〔m/s〕でパスウエアテストを行つた。
比較の為に第4図、第5図で示される従来の連
続磁性媒体の試験の結果を、第3図の曲線35、
曲線36によつて各々示す。ここで、第4図の連
続磁性媒体においては、耐熱基材31面上の
Co・Cr薄膜の連続磁性層32は実施例と同様に
スパツタ法により形成され、更に形成された連続
磁性層32上に弗素系潤滑剤(商標はクライトツ
クス デユポン(株)製)をスピンコートにより製造
されている。また第5図のような連続磁性媒体に
おいて、耐熱基材41面上のCo・Cr薄膜の連続
磁性層42は実施例と同様にスパツタ法により形
成され、更に形成された連続磁性層42上に
200AのSiO2皮膜からなる保護層43として形成
されている。
続磁性媒体の試験の結果を、第3図の曲線35、
曲線36によつて各々示す。ここで、第4図の連
続磁性媒体においては、耐熱基材31面上の
Co・Cr薄膜の連続磁性層32は実施例と同様に
スパツタ法により形成され、更に形成された連続
磁性層32上に弗素系潤滑剤(商標はクライトツ
クス デユポン(株)製)をスピンコートにより製造
されている。また第5図のような連続磁性媒体に
おいて、耐熱基材41面上のCo・Cr薄膜の連続
磁性層42は実施例と同様にスパツタ法により形
成され、更に形成された連続磁性層42上に
200AのSiO2皮膜からなる保護層43として形成
されている。
以上述べたように、本発明によれば、耐熱基材
上の連続磁性層の表面に弗化炭素薄膜からなる保
護層を形成することにより、十分に耐久性を有す
る連続磁性媒体が得られる。
上の連続磁性層の表面に弗化炭素薄膜からなる保
護層を形成することにより、十分に耐久性を有す
る連続磁性媒体が得られる。
第1図a,b及びcは、本発明の実施例に係る
連続磁性媒体の製造方法を工程順に示した図、第
2図は、本発明の実施例に係る連続磁性媒体の断
面図、第3図は、本発明の実施例に係る連続磁性
媒体の耐久性を示す図、第4図は、従来の連続磁
性媒体の一例を示す断面図、第5図は、従来の連
続磁性媒体の他の一例を示す断面図である。図中
1は耐熱基材、2は連続磁性層、3は保護層、4
は炭素層、10はCo・Crターゲツト、11及び
17はホルダー、16はCターゲツト、12,1
8及び41は真空容器、42は弗素ガス、43は
イオンガン、45は弗素イオン、46はポンプ、
31は耐熱基材、32は連続磁性層、33は皮
膜、51は耐熱基材、52は連続磁性層、53は
保護層である。
連続磁性媒体の製造方法を工程順に示した図、第
2図は、本発明の実施例に係る連続磁性媒体の断
面図、第3図は、本発明の実施例に係る連続磁性
媒体の耐久性を示す図、第4図は、従来の連続磁
性媒体の一例を示す断面図、第5図は、従来の連
続磁性媒体の他の一例を示す断面図である。図中
1は耐熱基材、2は連続磁性層、3は保護層、4
は炭素層、10はCo・Crターゲツト、11及び
17はホルダー、16はCターゲツト、12,1
8及び41は真空容器、42は弗素ガス、43は
イオンガン、45は弗素イオン、46はポンプ、
31は耐熱基材、32は連続磁性層、33は皮
膜、51は耐熱基材、52は連続磁性層、53は
保護層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 耐熱基材上にスパツタ法により磁性材料のみ
からなる連続磁性層を形成し、次に上記連続磁性
層上にスパツタ法により炭素層を形成し、続いて
上記炭素層に弗素イオンを照射することにより弗
素化して弗化炭素薄膜からなる保護層を形成する
ことを特徴とする連続磁性媒体の製造方法。 2 上記磁性材料はCo・Cr、Ni・Fe、Ni・P・
Coのグループから選択された少なくとも1種か
らなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の連続磁性媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31522287A JPH01158621A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 連続磁性媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31522287A JPH01158621A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 連続磁性媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158621A JPH01158621A (ja) | 1989-06-21 |
| JPH043008B2 true JPH043008B2 (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=18062866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31522287A Granted JPH01158621A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 連続磁性媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01158621A (ja) |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP31522287A patent/JPH01158621A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01158621A (ja) | 1989-06-21 |
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