JPH043009B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、フロツピーデイスク、ビデオ、オー
デイオの録音テープ等記録用媒体として幅広く使
用されている連続磁性媒体の製造方法に関する。 〔従来の技術〕 近年、磁気記録の高密度の要求に伴い磁性層が
磁性材料のみによつて形成される連続磁性媒体の
研究が盛んに行われている。連続磁性媒体は、真
空蒸着法、スパツタ法もしくはメツキ法によつて
製造されている。この連続磁性媒体は、磁性層が
連続薄膜であるため、長手方向の記録は勿論、垂
直記録方式において特に記録密度と飛躍的向上が
期待されている。また各磁気テープ又はデイスク
状磁気記録媒体等、種々の製品形態への応用開発
が進められている。 殊に、長尺状の連続薄膜磁性媒体の磁性層は、
スパツタ装置内において、次のように形成され
る。耐熱基材を、対称的な位置に設けられている
１対の位置決め用リング、サブストホルダ間を通
して、複数のガイドロールによりＳ字形に搬送す
る。この基材は、上記リングとサブストホルダの
隙間を通過の際に、リング側に設けられたターゲ
ツトからリングの孔を通り抜けて、基材表面に磁
性材料を析出させることにより、両面に連続的な
磁性層が形成されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記した連続磁性媒体は、塗布
型の磁性媒体と異なり、磁性層中に結合材、潤滑
剤等を全く含有しないので可撓性、潤滑性に乏し
く耐久性に問題を有している。このため、第３図
のような連続磁性媒体面４２上に、フツ素系潤滑
剤４３、シリコーンオイル、高級脂肪酸及びその
誘導体等を単独もしくは複合させた形で、塗布す
ることにより皮膜４３を形成したり、あるいは第
４図のように非晶質の炭素もしくは、SiO_x（ｘは
１〜２の数）で表わされる化合物等の連続保護層
５３を連続磁性層５２表面上に形成する試みが行
われているが、いずれも十分な耐久性を得るには
至つていない。 本発明は、上記欠点に鑑みてなされており、耐
熱基材上の連続磁性層の表面に弗化炭素薄膜から
なる保護層を形成して、十分な耐久性を有する連
続磁性媒体の製造方法を提供することを目的とす
る。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明によれば、耐熱基材上にスパツタ法によ
り磁性材料のみによる連続磁性層を形成し、次に
この連続磁性層上にスパツタ法により炭素層を形
成し、続いて炭素層に弗素イオン及びアルゴンイ
オンを同時に照射し、弗素化して弗化炭素薄膜か
らなる連続保護層を連続磁性層上に設けることを
特徴とする連続磁性体媒の製造方法が得られる。 〔作用〕 本発明の作用について述べる。 低圧アルゴン雰囲気中で、高電圧印加してグロ
ー放電等を行うと、アルゴンプラズマを発生す
る。アルゴンプラズマは、ターゲツトに衝突し、
ターゲツトから高速粒子をはじき出す。高速粒子
は、耐熱基材表面に衝突し、基材表面に薄膜を形
成する。陰極のターゲツトを磁性体した場合、耐
熱基材面垂直に磁気異方性を有する薄膜からなる
連続磁性層が形成する。更に、陰極ターゲツトを
カーボンとして、連続磁性層上に炭素層を形成す
る。 次に、真空容器内において、導入された弗素ガ
スを弗素イオンガスにより弗素イオンに、またこ
れと同時に導入されアルゴンガスをアルゴンイオ
ンガンによつてアルゴンイオンをそれぞれ生成さ
せ、同時に炭素層に照射する。２種のイオン照射
された炭素薄膜の弗素化の速度は、アルゴンイオ
ン同時照射により促進され、弗化炭素薄膜形成速
度が大きくなる。 このようにして得られた連続磁性体媒上の弗化
炭素薄膜からなる保護層により耐久性が大きい。 ここで、連続磁性層の磁性材料としてはCo・
Crの他に、Co・Cr、Ni・Feの二層導体及び
Ni・Ｐ・Co等が使用できる。 また、耐熱基材としては、厚さ50μｍ程度のポ
リイミドを使用できるがこれに限定されない。こ
こで、上記した弗化炭素薄膜は（C_xＦ）_o（ｘは１
から２までの数、ｎは自然数）の化学式で表わさ
れる。 また、連続磁性層及び炭素層は同一容器内でも
可能である。 〔実施例〕 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。第１図ａは、本発明に係る連続磁性媒体
の連続磁性薄膜形成方法の一例を示す模式図であ
る。この図において、真空容器１２内に、ポリア
ミド製の耐熱基材１と、この基材を支持する基板
ホルダー１１と、CoCrターゲツト１０が配置さ
れている。 真空ポンプ１３に連結する排気管及び、アルゴ
ンガス導入管１４が真空容器１２内に連結するよ
うに設けられている。 真空容器１２内を低圧アルゴンガス雰囲気中１
５で、スパツタ法により耐熱基材１の両面に0.2μ
ｍの厚さでCo・Cr薄膜の連続磁性層２が形成さ
れる。 即ちホルダー１１とターゲツト間に高電圧を印
加し、容器内でグロー放電を発生させ、アルゴン
プラズマを発生させる。アルゴンプラズマは、
Co・Crターゲツト１０からCo・Cr粒子１０ａを
たたき出し、たたき出されたCo・Cr粒子１０ａ
は耐熱基材１面に衝突して、耐熱基材１面上に析
出して、Co・Cr薄膜の連続磁性層を形成する。 第１図ｂは、本発明に係る連続磁性媒体の炭素
薄膜形成方法の一例を示す模式図である。 この図において、Co・Cr薄膜の連続磁性層２
が形成された耐熱基材１は、ホルダー１７に設け
られている。 カーボンターゲツト１６、連続磁性層２付き基
材１及びホルダー１１は真空容器１８内に配置さ
れている。 真空ポンプ１９に連結する排気管及びアルゴン
ガス導入管１４が真空容器１８内に連結するよう
に設けられている。 低圧アルゴンガス雰囲気中２１で、スパツタ法
により、両面の接続磁性層２の上に200Aの厚さ
の薄膜の炭素層４が形成する。 第１図ｃは、本発明に係る連続磁性媒体のフツ
化炭素薄膜形成方法の一例を示す模式図である。 Co・Cr薄膜の磁性層２が形成され、続いてカ
ーボン薄膜４が形成された断熱基材は、真空容器
３１内にありアルゴンイオンのイオンガス３２及
び弗素イオンのイオンガン３３は並設されてお
り、２つのガン３２，３３のイオン照射方向に、
上記耐熱基材の炭素薄膜４面がある。また、容器
３１内に基材ホルダー３４が設けられている。イ
オンガン３２で、導入管３５を経て導入された弗
素ガスは、弗素イオン３６となり基板の炭素薄膜
４に照射する。同時に、並設したイオンガン３３
で、アルゴンガスはアルゴンイオン３８となり、
基材の連続磁性層上の炭素薄膜４面に照射する。
照射された弗素イオン等は炭素薄膜４に衝突し、
反応してフツ化炭素の膜（第２図の３）を形成す
る。得られた連続磁性媒体は、第２図示の構造を
有する。 表１は、このようにして得られた連続磁性媒体
の耐久性の試験結果を示す。 この表は、本発明の実施例により製造された連
続磁性媒体からなるデイスクの、市販の片面用フ
ロツピーデイスクドライバーにセツトし、タツプ
テストを行つた結果を示している。表中、タツプ
回数はテスト開始からドロツプアウトが起こるま
でのタツプ回数を示している。

〔発明の効果〕

以上述べた通り、本発明によれば、良好な耐久
性の保護層を有する連続磁性媒体を製造すること
ができ、この磁性媒体の保護層形成に際して、弗
素イオンガスの単独使用のものよりさらに良好な
保護層を有する連続磁性媒体を製造することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂ及びｃは、本発明の実施例に係る
連続磁性媒体の製造方法を工程順に示した図、第
２図は、本発明の実施例に係る連続磁性媒体の断
面図、第３図は、従来の連続磁性媒体の一例を示
す断面図、第４図は、従来の連続磁性媒体の他の
一例を示す断面図である。 図中、１は耐熱基材、２は連続磁性層、３は保
護層、４は炭素層、１０はCo・Crターゲツト、
１１，１７及び３４はホルダー、１６はＣターゲ
ツト、３２，３３はイオンガン、３６は弗素イオ
ン、３８はアルゴンイオン、４１は耐熱基材、４
２は連続磁性層、４３は素子潤滑剤層、５１は耐
熱基材、５２は連続磁性層、５３はSiO₂皮膜保
護層である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 耐熱基材上にスパツタ法により磁性材料のみ
   からなる連続磁性層を形成し、次に上記連続磁性
   層上にスパツタ法により炭素層を形成し、続いて
   上記炭素層に弗素イオン及びアルゴンイオンを同
   時に照射することにより弗素化して、弗化炭素薄
   膜からなる連続保護層を上記連続磁性層上に設け
   ることを特徴とする連続磁性媒体の製造方法。 ２ 上記磁性材料はCo・Cr、Ni・Fe、Ni・Ｐ・
   Coのグループから選択された少なくとも１種か
   らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の連続磁性媒体の製造方法。