JPH0430580A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
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- JPH0430580A JPH0430580A JP2137797A JP13779790A JPH0430580A JP H0430580 A JPH0430580 A JP H0430580A JP 2137797 A JP2137797 A JP 2137797A JP 13779790 A JP13779790 A JP 13779790A JP H0430580 A JPH0430580 A JP H0430580A
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- Japan
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- cdse
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ装置などのＯＡ機器の画像入力部
に用いられる光センサの製造方法に関するものである。
に用いられる光センサの製造方法に関するものである。
従来の技術
近蝦 ファクシミリ装置など各種ＯＡ機器の画像入力部
に密着型ラインセンサが広く使用される様になってき九
この密着型ラインセンサにＣｄＳ系半導体薄膜を用い
た光センサが広く用いられてい４ この光センサはガラ
スなどの絶縁性基板上にＣｄＳ、 ＣｄＳｅあるいは
固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅを主体とし これに少量のＣｕ
なとの不純物を添加した半導体薄膜を蒸着形成し これ
を高温でＣｄｃ１２の蒸気に暴露しながら熱処理し光電
的に活性化して後対向電極を設（す、さらに保護膜を形
成する方法によって得られも さて、 ＣｄＳ、 Ｃ
ｄＳｅあるいはＣｄＳ −ＣｄＳ ｅを主体として成る
光センサは光電流が大きいのが特長で、このためこのセ
ンサを用いた密着型ラインセンサでは周辺回路の設計が
容易である。−人 この光センサは光電流Ｊｐの光照射
に対する応答速度が遅いという欠点がある。すなわＬ
Ｊｐの立上がり時間τｒや立下がり時間τｄが通常使
用時のセンサ面強度１００１ｕｘで２〜３ｍ５ｅＣと長
ｔ、％ この様凶 センサの光電流の立上がり時間や立下がり時
間が長いとこのセンサを用いたラインセンサの読取り走
査速度が４〜５ｍｓ／１ｉｎｅと制限されてしまう。
に密着型ラインセンサが広く使用される様になってき九
この密着型ラインセンサにＣｄＳ系半導体薄膜を用い
た光センサが広く用いられてい４ この光センサはガラ
スなどの絶縁性基板上にＣｄＳ、 ＣｄＳｅあるいは
固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅを主体とし これに少量のＣｕ
なとの不純物を添加した半導体薄膜を蒸着形成し これ
を高温でＣｄｃ１２の蒸気に暴露しながら熱処理し光電
的に活性化して後対向電極を設（す、さらに保護膜を形
成する方法によって得られも さて、 ＣｄＳ、 Ｃ
ｄＳｅあるいはＣｄＳ −ＣｄＳ ｅを主体として成る
光センサは光電流が大きいのが特長で、このためこのセ
ンサを用いた密着型ラインセンサでは周辺回路の設計が
容易である。−人 この光センサは光電流Ｊｐの光照射
に対する応答速度が遅いという欠点がある。すなわＬ
Ｊｐの立上がり時間τｒや立下がり時間τｄが通常使
用時のセンサ面強度１００１ｕｘで２〜３ｍ５ｅＣと長
ｔ、％ この様凶 センサの光電流の立上がり時間や立下がり時
間が長いとこのセンサを用いたラインセンサの読取り走
査速度が４〜５ｍｓ／１ｉｎｅと制限されてしまう。
この欠点をなくすたべ 特開昭６３−３００５５８号公
報特開平１−１１０７７８号公報等に記載の発明におい
て（友基板上に形成したＣｄＳ系半導体薄膜を活性化熱
処理した後、電極形成の前か後で増感不純物としてのＣ
ｕあるいはＡｇを表面に付着拡散せしめて、高速の光セ
ンサを実現しな 発明が解決しようとする課題 この様にして得られる高速光センサは製造に多くのプロ
セスを必要とする。すなわ＆（１）ＣｄＳ系薄膜蒸着抵
センサパターン形成のため（２）レジスト塗布 （３
）センサパターンの露光 （４）現像処理 （５）ドラ
イエッチンク−（６）レジスト除去 さらに例えばＣｕ
あるいはＡｇ付着、拡散のための（７）付着プロセス
（８）拡散熱処凰 そして電極形成のための（９）レジ
スト塗！ （１０）電極パターンの露光 （１１）現
像処ｕ （１２）電極金属蒸着、 （１３）レジスト
除去、最後に保護膜形成のための（１４）レジスト塗＆
（１５）加熱処理をもって光センサが完成すも こ
の様に製造に多くのプロセスを要するということは繁雑
であり、生産上不都合であ４ 本発明は このような
従来技術の課題に鑑へ 光電流Ｊｐが大きく、かつ光応
答速度が速いという特長を損なわずして先願発明より大
幅に製造プロセスを減らすことの出来る光センサの製造
方法を提供することを目的とすａ 課題を解決するための手段 絶縁性基板上に ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはＣ，ｄＳと
ＣｄＳｅとの混合物に少量の活性化剤を添加混合したペ
ーストを塗布後乾燥して薄膜を形成し 前記薄膜を高温
で加熱して光電的に活性化した半導体薄膜を形成後、少
量のＣｕあるいはＡｇを前記半導体薄膜に付着拡散せし
数 対向電極を設け、さらに保護膜を形成する。
報特開平１−１１０７７８号公報等に記載の発明におい
て（友基板上に形成したＣｄＳ系半導体薄膜を活性化熱
処理した後、電極形成の前か後で増感不純物としてのＣ
ｕあるいはＡｇを表面に付着拡散せしめて、高速の光セ
ンサを実現しな 発明が解決しようとする課題 この様にして得られる高速光センサは製造に多くのプロ
セスを必要とする。すなわ＆（１）ＣｄＳ系薄膜蒸着抵
センサパターン形成のため（２）レジスト塗布 （３
）センサパターンの露光 （４）現像処理 （５）ドラ
イエッチンク−（６）レジスト除去 さらに例えばＣｕ
あるいはＡｇ付着、拡散のための（７）付着プロセス
（８）拡散熱処凰 そして電極形成のための（９）レジ
スト塗！ （１０）電極パターンの露光 （１１）現
像処ｕ （１２）電極金属蒸着、 （１３）レジスト
除去、最後に保護膜形成のための（１４）レジスト塗＆
（１５）加熱処理をもって光センサが完成すも こ
の様に製造に多くのプロセスを要するということは繁雑
であり、生産上不都合であ４ 本発明は このような
従来技術の課題に鑑へ 光電流Ｊｐが大きく、かつ光応
答速度が速いという特長を損なわずして先願発明より大
幅に製造プロセスを減らすことの出来る光センサの製造
方法を提供することを目的とすａ 課題を解決するための手段 絶縁性基板上に ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはＣ，ｄＳと
ＣｄＳｅとの混合物に少量の活性化剤を添加混合したペ
ーストを塗布後乾燥して薄膜を形成し 前記薄膜を高温
で加熱して光電的に活性化した半導体薄膜を形成後、少
量のＣｕあるいはＡｇを前記半導体薄膜に付着拡散せし
数 対向電極を設け、さらに保護膜を形成する。
あるい（瓜 絶縁性基板上に ＣｄＳ、 ＣｄＳｅあ
るいはＣｄＳとＣｄＳｅとの混合物に少量の活性化剤を
添加混合したペーストを塗布後乾燥して薄膜を形成し
前記薄膜を高温で加熱して光電的に活性化した半導体薄
膜を形成後対向電極を設（す、その後少量のＣｕあるい
はＡｇを前記半導体薄膜に付着拡散せしめ、 さらに保
護膜を形成すも作用 本発明の方法によれｉ；ＣＣｄ５系光導電型センサの光
電流値が大きく、かつ光応答速度が速いという特長を損
なわずして、しかもその製造プロセスを大幅に減らすこ
とができる。すなわ叛 センサパターンを形成するため
に（１−）ＣｄＳ系半導体材料ペーストの塗布（スクリ
ーン印刷）によってセンサパターンを形成 （２”）焼
成処理と僅か２つのプロセスで前記（１）〜（６）のプ
ロセスと同等のものが得られる。しかも高価なノ＜ター
ン露光装置などを必要としない。そのため大幅なコスト
ダウンも可能となる。
るいはＣｄＳとＣｄＳｅとの混合物に少量の活性化剤を
添加混合したペーストを塗布後乾燥して薄膜を形成し
前記薄膜を高温で加熱して光電的に活性化した半導体薄
膜を形成後対向電極を設（す、その後少量のＣｕあるい
はＡｇを前記半導体薄膜に付着拡散せしめ、 さらに保
護膜を形成すも作用 本発明の方法によれｉ；ＣＣｄ５系光導電型センサの光
電流値が大きく、かつ光応答速度が速いという特長を損
なわずして、しかもその製造プロセスを大幅に減らすこ
とができる。すなわ叛 センサパターンを形成するため
に（１−）ＣｄＳ系半導体材料ペーストの塗布（スクリ
ーン印刷）によってセンサパターンを形成 （２”）焼
成処理と僅か２つのプロセスで前記（１）〜（６）のプ
ロセスと同等のものが得られる。しかも高価なノ＜ター
ン露光装置などを必要としない。そのため大幅なコスト
ダウンも可能となる。
実施例
以下、本発明の詳細な説明する。
ガラスなどの絶縁性基板上に ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるい
はＣｄＳとＣｄＳｅとの混合物に少量の活性化剤例えば
ＣｄＣｌ２を加えポリエチレングリコールなどと混合し
たペーストをスクリーン印刷法などにより所定の形状に
塗布後乾燥して膜を形成する。この膜を５００〜８００
℃程度の高温にて焼成熱処理しポリエチレングリコール
などを除去すると共に光電的に活性化した半導体膜を形
成すも 焼成後の膜厚は普通５〜２０μｍとすも しか
る後、少量のＣｕあるいはＡｇを前記半導体薄膜に付着
せしめ中性または少量の酸素を含む雰囲気中２５０〜５
５０℃にて１５１１ｉｎ以上熱処理し膜中に拡散させる
。その後ＮｉＣｒ／Ａｕの蒸着膜などで対向電極を形成
し最後にポリイミドなどの保護膜を形成して光センサを
完成すも あるいは作製プロセスの順番を変えて前記活
性化熱処理＆ ＮｉＣｒ／Ａｕの蒸着膜などで対向電
極を形成し しかる後、少量のＣｕあるいはＡｇを前記
半導体薄膜に付着せしめ中性または少量の酸素を含む雰
囲気中２５０〜４００℃にて１５ｍ１ｎ以上熱処理し膜
中に拡散させる。最後にポリイミドなどの保護膜を形成
して作製する方法を採っても良し〜 活性化熱処理前の半導体薄膜中には増感不純物ＣｕやＡ
ｇを添加してない膜を用いた方が特性上好ましＩｔ〜 ＣｕあるいはＡｇは真空蒸着法や化学的付着法により付
着せしへ その分量は母体の半導体に対して０．００５
〜０．１モル％であム 増感不純物の量が０゜００５モ
ル％より少ないと高速性が不足Ｌ Ｏ，１モル％以上
では電流が小さくなム 化学的付着法とは例えばＣｕイ
オンを含む水溶液に半導体膜を浸漬し 半導体膜表面に
Ｃｕを付着させる様な方法であム 次ぎに具体例を説明すも ガラス基板（コーニング社、＃７０５９．２３０×２５
Ｘ １．２ｍｍ３）上に厚さ８μｍのＣｄ Ｓｓ、ｅＳ
ｅｓ、４膜を形成すム すなわ’Ｌ Ｃｄ８０．６
モノＩ／、Ｃｄ５ｅＯ１４モに、 ＣｄＣｌ２０．０
２モルをポリエチレングリコールに溶かして混合し 基
板の上にスクリーン印刷法によって主走査方向に帯状（
幅１ｍｍ）に塗布すム この帯状の膜を６００℃約ＩＨ
加熱処理して光電的に活性化して光導電体膜にした後、
母体であるＣｄ Ｓｓ、ｅＳ ｅｉ、ａ膜に対して０．
０１〜０．１モル％のＣｕを蒸着拡散させム Ｃｕ蒸着
時の基板温度は１５０℃とし 拡散処理はＮ２ガス中３
５０℃で３０ａ＋ｉｎとした その後その帯状の膜に対
向電極（ＮｉＣｒ／Ａｕ蒸着膜）をすなわち共通電極と
個別電極を８ビット／ｒａｍの割合で１７２８ビツト配
置形成する。
はＣｄＳとＣｄＳｅとの混合物に少量の活性化剤例えば
ＣｄＣｌ２を加えポリエチレングリコールなどと混合し
たペーストをスクリーン印刷法などにより所定の形状に
塗布後乾燥して膜を形成する。この膜を５００〜８００
℃程度の高温にて焼成熱処理しポリエチレングリコール
などを除去すると共に光電的に活性化した半導体膜を形
成すも 焼成後の膜厚は普通５〜２０μｍとすも しか
る後、少量のＣｕあるいはＡｇを前記半導体薄膜に付着
せしめ中性または少量の酸素を含む雰囲気中２５０〜５
５０℃にて１５１１ｉｎ以上熱処理し膜中に拡散させる
。その後ＮｉＣｒ／Ａｕの蒸着膜などで対向電極を形成
し最後にポリイミドなどの保護膜を形成して光センサを
完成すも あるいは作製プロセスの順番を変えて前記活
性化熱処理＆ ＮｉＣｒ／Ａｕの蒸着膜などで対向電
極を形成し しかる後、少量のＣｕあるいはＡｇを前記
半導体薄膜に付着せしめ中性または少量の酸素を含む雰
囲気中２５０〜４００℃にて１５ｍ１ｎ以上熱処理し膜
中に拡散させる。最後にポリイミドなどの保護膜を形成
して作製する方法を採っても良し〜 活性化熱処理前の半導体薄膜中には増感不純物ＣｕやＡ
ｇを添加してない膜を用いた方が特性上好ましＩｔ〜 ＣｕあるいはＡｇは真空蒸着法や化学的付着法により付
着せしへ その分量は母体の半導体に対して０．００５
〜０．１モル％であム 増感不純物の量が０゜００５モ
ル％より少ないと高速性が不足Ｌ Ｏ，１モル％以上
では電流が小さくなム 化学的付着法とは例えばＣｕイ
オンを含む水溶液に半導体膜を浸漬し 半導体膜表面に
Ｃｕを付着させる様な方法であム 次ぎに具体例を説明すも ガラス基板（コーニング社、＃７０５９．２３０×２５
Ｘ １．２ｍｍ３）上に厚さ８μｍのＣｄ Ｓｓ、ｅＳ
ｅｓ、４膜を形成すム すなわ’Ｌ Ｃｄ８０．６
モノＩ／、Ｃｄ５ｅＯ１４モに、 ＣｄＣｌ２０．０
２モルをポリエチレングリコールに溶かして混合し 基
板の上にスクリーン印刷法によって主走査方向に帯状（
幅１ｍｍ）に塗布すム この帯状の膜を６００℃約ＩＨ
加熱処理して光電的に活性化して光導電体膜にした後、
母体であるＣｄ Ｓｓ、ｅＳ ｅｉ、ａ膜に対して０．
０１〜０．１モル％のＣｕを蒸着拡散させム Ｃｕ蒸着
時の基板温度は１５０℃とし 拡散処理はＮ２ガス中３
５０℃で３０ａ＋ｉｎとした その後その帯状の膜に対
向電極（ＮｉＣｒ／Ａｕ蒸着膜）をすなわち共通電極と
個別電極を８ビット／ｒａｍの割合で１７２８ビツト配
置形成する。
対向電極の幅は９０μ亀 ギャップは６０μｍである。
最後にポリイミドの保護膜を形成してラインセンサを完
成すも これらラインセンサのうち１ビツトの特性を調
べた結果を第１表にまとめる。
成すも これらラインセンサのうち１ビツトの特性を調
べた結果を第１表にまとめる。
なお特性は印加電圧ＤＣ１０Ｖ、光照射は緑色ＬＥＤ光
（５７０ｎｍ、 １００１ｕｘ）をＩ Ｈｚ （０，５
ｓｅｃずつ）で点滅して測定した 応答時間は光電流Ｊ
ｐが０から飽和値の５０％に上がるまでの時間を立上が
り時間τｒ、Ｊｐが飽和値からその５０％に下がるまで
の時間を立下がり時間τｄとし九 比較のたべ 従来の
製法による（特開昭６３−３００５５８号公報）光セン
サの特性も併記する。
（５７０ｎｍ、 １００１ｕｘ）をＩ Ｈｚ （０，５
ｓｅｃずつ）で点滅して測定した 応答時間は光電流Ｊ
ｐが０から飽和値の５０％に上がるまでの時間を立上が
り時間τｒ、Ｊｐが飽和値からその５０％に下がるまで
の時間を立下がり時間τｄとし九 比較のたべ 従来の
製法による（特開昭６３−３００５５８号公報）光セン
サの特性も併記する。
（以下余白）
第１表
この様へ 従来の高速光センサと同じく光電流が数μＡ
以上と大きく、かつ光応答速度も速いことが分かも 光
電流の立上がり時間τｒは見かけ上大きい力（実際にラ
インセンサとして用いる場合には原稿黒字でも存在する
反射光（少なくとも３％はある）がバイアス光となり、
これが常時センサに照射されるた嵌 実効的立上がり時
間τｒ宰は著しく小さくなも その効果を第１表最右欄
にて示す。この程度のバイアス光照射による他の特性（
Ｊｐ、 τ山 ）の変化は殆どなし−この様に スク
リーン印刷法によるＣｄ５５．ｅＳｅ−１４膜の形成後
Ｃｕを付着拡散させることにより優れた特性が得られる
。Ｃｕの付着拡散を電極形成後に行っても同様の効果が
得られる。ＣｄＳ＠。
以上と大きく、かつ光応答速度も速いことが分かも 光
電流の立上がり時間τｒは見かけ上大きい力（実際にラ
インセンサとして用いる場合には原稿黒字でも存在する
反射光（少なくとも３％はある）がバイアス光となり、
これが常時センサに照射されるた嵌 実効的立上がり時
間τｒ宰は著しく小さくなも その効果を第１表最右欄
にて示す。この程度のバイアス光照射による他の特性（
Ｊｐ、 τ山 ）の変化は殆どなし−この様に スク
リーン印刷法によるＣｄ５５．ｅＳｅ−１４膜の形成後
Ｃｕを付着拡散させることにより優れた特性が得られる
。Ｃｕの付着拡散を電極形成後に行っても同様の効果が
得られる。ＣｄＳ＠。
６ＳｅＬ４の代わりにＣｄＳ、ＣｄＳｅや他の組成比の
固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅを用いて耘 またＣｕの代わり
にＡｇを用いても同様の効果が得られる。
固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅを用いて耘 またＣｕの代わり
にＡｇを用いても同様の効果が得られる。
発明の効果
本発明によれば 光電流値が大きいままで光応答速度が
著しく速い光センサを従来より少ない製造プロセスで実
現することができる。これにより、大幅なコストダウン
も可能となる。
著しく速い光センサを従来より少ない製造プロセスで実
現することができる。これにより、大幅なコストダウン
も可能となる。
Claims (4)
- （１）絶縁性基板上に、ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはＣｄ
ＳとＣｄＳｅとの混合物に少量の活性化剤を添加混合し
たペーストを塗布後乾燥して薄膜を形成し、前記薄膜を
高温で加熱して光電的に活性化した半導体薄膜を形成後
、少量のＣｕあるいはＡｇを前記半導体薄膜に付着拡散
せしめ、対向電極を設け、さらに保護膜を形成すること
を特徴とする光センサの製造方法。 - （２）ＣｕあるいはＡｇの付着量が母体であるＣｄＳ、
ＣｄＳｅあるいは固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅの０．００５
〜０．１モル％であり、拡散時の熱処理温度が２５０〜
５５０℃であることを特徴とする請求項１記載の光セン
サの製造方法。 - （３）絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはＣｄＳ
とＣｄＳｅとの混合物に少量の活性化剤を添加混合した
ペーストを塗布後乾燥して薄膜を形成し、前記薄膜を高
温で加熱して光電的に活性化した半導体薄膜を形成後対
向電極を設け、その後、少量のＣｕあるいはＡｇを前記
半導体薄膜に付着拡散せしめ、さらに保護膜を形成する
ことを特徴とする光センサの製造方法。 - （４）ＣｕあるいはＡｇの付着量が母体であるＣｄＳ、
ＣｄＳｅあるいは固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅ（７）０．０
０５〜０．１モル％であり、拡散時の熱処理温度が２５
０〜４００℃であることを特徴とする請求項３記載の光
センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137797A JPH0430580A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137797A JPH0430580A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 光センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430580A true JPH0430580A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15207077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2137797A Pending JPH0430580A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0430580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5643705A (en) * | 1994-09-30 | 1997-07-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Toner for developing electrostatic image and image formation process using the toner |
| US5866291A (en) * | 1996-09-18 | 1999-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Developing agent and image forming apparatus |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2137797A patent/JPH0430580A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5643705A (en) * | 1994-09-30 | 1997-07-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Toner for developing electrostatic image and image formation process using the toner |
| US5866291A (en) * | 1996-09-18 | 1999-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Developing agent and image forming apparatus |
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