JPH0431175B2 - - Google Patents
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- JPH0431175B2 JPH0431175B2 JP8808085A JP8808085A JPH0431175B2 JP H0431175 B2 JPH0431175 B2 JP H0431175B2 JP 8808085 A JP8808085 A JP 8808085A JP 8808085 A JP8808085 A JP 8808085A JP H0431175 B2 JPH0431175 B2 JP H0431175B2
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に
ロコスプロセスを利用したデバイスのフイールド
酸化膜の製造工程の短縮と品質向上に関する。
ロコスプロセスを利用したデバイスのフイールド
酸化膜の製造工程の短縮と品質向上に関する。
この発明は、フイールド酸化膜をロコス酸化法
で製造する方法において、ロコス酸化時にマスク
となるべきシリコン窒化膜の下に形成するパツド
酸化膜を熱酸化膜から、高温気相成長膜に変更す
ることにより、ロコス酸化工程の短縮化とロコス
酸化膜質を向上化するようにしたものである。
で製造する方法において、ロコス酸化時にマスク
となるべきシリコン窒化膜の下に形成するパツド
酸化膜を熱酸化膜から、高温気相成長膜に変更す
ることにより、ロコス酸化工程の短縮化とロコス
酸化膜質を向上化するようにしたものである。
従来、MOS型電界効果トランジスタのフイー
ルド酸化膜は、以下のような製造方法で行われて
いる。図面では、ＮチヤネルMOS型トランジス
タを例として説明する。第２図ａに示すように、
Ｐ型Si基板１に、熱酸化法によつて50nmのパツ
ド酸化膜２を形成する。次に、気相成長法によつ
て150nmのシリコン窒化膜３を形成する。次に、
第２図ｂに示すように、フオトリソグラフイーに
よつて、ロコス酸化時のマスクとなるべきシリコ
ン窒化膜３ａを減す。第２図ｃに示すように、
1μmくらいのロコス酸化法によるフイールド膜４
を形成する。以下、第２図ｄに示すように、熱酸
化法により、ゲート酸化膜５を形成し、多結晶Si
ゲート６を形成し、リン又はヒ素イオン注入法に
より、ＮチヤネルMOS型トランジスタのソース
７ａとドレーン７ｂとを形成する。気相成長法に
よる中間絶縁膜８に、フオトリソグラフイーによ
つて、ソース７ａのコンタクト９ａとドレーン７
ｂのコンタクト９ｂとを形成する。最後に、スパ
ツタ法によるAI金属の配線１０を形成すること
によりＮチヤネルMOS型トランジスタが形成で
きる。
ルド酸化膜は、以下のような製造方法で行われて
いる。図面では、ＮチヤネルMOS型トランジス
タを例として説明する。第２図ａに示すように、
Ｐ型Si基板１に、熱酸化法によつて50nmのパツ
ド酸化膜２を形成する。次に、気相成長法によつ
て150nmのシリコン窒化膜３を形成する。次に、
第２図ｂに示すように、フオトリソグラフイーに
よつて、ロコス酸化時のマスクとなるべきシリコ
ン窒化膜３ａを減す。第２図ｃに示すように、
1μmくらいのロコス酸化法によるフイールド膜４
を形成する。以下、第２図ｄに示すように、熱酸
化法により、ゲート酸化膜５を形成し、多結晶Si
ゲート６を形成し、リン又はヒ素イオン注入法に
より、ＮチヤネルMOS型トランジスタのソース
７ａとドレーン７ｂとを形成する。気相成長法に
よる中間絶縁膜８に、フオトリソグラフイーによ
つて、ソース７ａのコンタクト９ａとドレーン７
ｂのコンタクト９ｂとを形成する。最後に、スパ
ツタ法によるAI金属の配線１０を形成すること
によりＮチヤネルMOS型トランジスタが形成で
きる。
しかし、従来のMOS型トランジスタの製造法
では以下のことが問題点としてあげられる。
では以下のことが問題点としてあげられる。
１ 拡散炉内で、熱酸化を行ないパツド酸化膜を
形成し、次に気相成長装置でシリコン窒化膜を
形成するために、プロセスの時間がかかり、か
つ、一度大気中に出すので、パツド酸化膜とシ
リコン窒化膜の界面に、汚染層又はトラツプ単
位を形成してしまう心配があつた。
形成し、次に気相成長装置でシリコン窒化膜を
形成するために、プロセスの時間がかかり、か
つ、一度大気中に出すので、パツド酸化膜とシ
リコン窒化膜の界面に、汚染層又はトラツプ単
位を形成してしまう心配があつた。
２ パツド酸化膜が50nm形成しても、ロコスプ
ロセスを行うと、フイールド酸化の端のSi基板
中に歪による欠陥が生じる危険性があつた。
ロセスを行うと、フイールド酸化の端のSi基板
中に歪による欠陥が生じる危険性があつた。
そこでこの発明は従来のような欠点を解決する
ため、ロコスプロセスのパツド酸化膜とシリコン
窒化膜の形成を短時間で、クリーンな状態で行な
うことを目的としている。
ため、ロコスプロセスのパツド酸化膜とシリコン
窒化膜の形成を短時間で、クリーンな状態で行な
うことを目的としている。
上記問題を解決するために、この発明は、気相
成長法による装置の中で、反応ガスの種類と反応
温度とを変えて、連続的に、パツド酸化膜とシリ
コン窒化膜を形成するようにした。
成長法による装置の中で、反応ガスの種類と反応
温度とを変えて、連続的に、パツド酸化膜とシリ
コン窒化膜を形成するようにした。
上記のように、連続的に気相成長を行なうと、
同一気相成長内のために、プロセス時間の短縮が
はかれ、しかも、パツド酸化膜は熱酸化法によら
ず、気相成長法によるためSi基板中に欠陥を発生
させることもなくなるのである。
同一気相成長内のために、プロセス時間の短縮が
はかれ、しかも、パツド酸化膜は熱酸化法によら
ず、気相成長法によるためSi基板中に欠陥を発生
させることもなくなるのである。
以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて説
明する。ＮチヤネルMOS型トランジスタを例と
してあげた。第１図ａに示すように、Ｐ型Si基板
１に、気相成長法によつて50nmのパツド酸化膜
２を形成する。この場合の気相成長の条件は、反
応ガスに関しては、ジクロルシランSiH2Cl2と亜
酸化窒素N2O、反応温度は850℃、反応圧力は
1.1mバールである。次に、反応ガスをたつて気
相成長装置内の反応温度を760℃に降温させる。
760℃になつたら、以下の気相成長の条件で、シ
リコン窒化膜３を成長させる。反応ガスに関して
は、ジクロルシランSiH2Cl2とアンモニアNH3、
反応圧力は0.8mバールである。次に、第１図ｂ
に示すように、フオトリソグラフイーによつてロ
コス酸化時のマスクとなるべきシリコン窒化膜３
ａを残す。第１図ｃに示すように、ロコス酸化に
より、約1μmフイールド膜４を形成する。以下、
第１図ｄに示すように、熱酸化法により、ゲート
酸化膜５を形成し、多結晶Siゲート６を形成し、
リン又はヒ素イオン注入法により、Ｎチヤネル
MOS型トランジスタのソース７ａとドレーン７
ｂとを形成する。気相成長法による中間絶縁膜８
に、フオトリソグラフイーによつて、ソース７ａ
のコンタクト９ａとドレーン７ｂのコンタクト９
ｂとを形成する。最後に、スパツタ法によるAI
金属の配線１０を形成することにより、Ｎチヤン
ネルMOS型トランジスタが形成できる。
明する。ＮチヤネルMOS型トランジスタを例と
してあげた。第１図ａに示すように、Ｐ型Si基板
１に、気相成長法によつて50nmのパツド酸化膜
２を形成する。この場合の気相成長の条件は、反
応ガスに関しては、ジクロルシランSiH2Cl2と亜
酸化窒素N2O、反応温度は850℃、反応圧力は
1.1mバールである。次に、反応ガスをたつて気
相成長装置内の反応温度を760℃に降温させる。
760℃になつたら、以下の気相成長の条件で、シ
リコン窒化膜３を成長させる。反応ガスに関して
は、ジクロルシランSiH2Cl2とアンモニアNH3、
反応圧力は0.8mバールである。次に、第１図ｂ
に示すように、フオトリソグラフイーによつてロ
コス酸化時のマスクとなるべきシリコン窒化膜３
ａを残す。第１図ｃに示すように、ロコス酸化に
より、約1μmフイールド膜４を形成する。以下、
第１図ｄに示すように、熱酸化法により、ゲート
酸化膜５を形成し、多結晶Siゲート６を形成し、
リン又はヒ素イオン注入法により、Ｎチヤネル
MOS型トランジスタのソース７ａとドレーン７
ｂとを形成する。気相成長法による中間絶縁膜８
に、フオトリソグラフイーによつて、ソース７ａ
のコンタクト９ａとドレーン７ｂのコンタクト９
ｂとを形成する。最後に、スパツタ法によるAI
金属の配線１０を形成することにより、Ｎチヤン
ネルMOS型トランジスタが形成できる。
この発明は以上説明したように、ロコスプロセ
スのパツド酸化膜とシリコン窒化膜を高温気相成
長法で、連続的に形成でき、品質向上もはかれる
効果がある。かつ、一般的なロコスプロセス１も
利用できる。
スのパツド酸化膜とシリコン窒化膜を高温気相成
長法で、連続的に形成でき、品質向上もはかれる
効果がある。かつ、一般的なロコスプロセス１も
利用できる。
第１図ａからｄまでは、この発明にかかわる
MOSトランジスタ形成の時の工程順の断面図、
第２図ａからｄまでは、従来のMOSトランジス
タ形成の時の工程順の断面図である。 １…Ｐ型Si基板、２…パツド酸化膜、３…シリ
コン窒化膜、４…フイールド膜、５…ゲート酸化
膜、６…多結晶Siゲート、７ａ…ソース、７ｂ…
ドレーン、８…中間絶縁膜、９ａ…ソースコンタ
クト、９ｂ…ドレーンコンタクト、１０…AI配
線。
MOSトランジスタ形成の時の工程順の断面図、
第２図ａからｄまでは、従来のMOSトランジス
タ形成の時の工程順の断面図である。 １…Ｐ型Si基板、２…パツド酸化膜、３…シリ
コン窒化膜、４…フイールド膜、５…ゲート酸化
膜、６…多結晶Siゲート、７ａ…ソース、７ｂ…
ドレーン、８…中間絶縁膜、９ａ…ソースコンタ
クト、９ｂ…ドレーンコンタクト、１０…AI配
線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコン半導体基板上に、気相成長法によ
り、シリコン酸化膜を形成し、連続して、シリコ
ン窒化膜を形成した後、このシリコン窒化膜を、
酸化のマスクとして使用する工程を有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 ２ 850℃近傍の温度とジクロルシランガスと亜
酸化窒素ガスを減圧下で反応させシリコン酸化膜
を形成した後に、760℃近傍の温度とジクロルシ
ランガスとアンモニアガスを減圧下で反応させて
シリコン窒化膜を前記シリコン酸化膜上に形成す
る工程を気相成長法で行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8808085A JPS61247055A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8808085A JPS61247055A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247055A JPS61247055A (ja) | 1986-11-04 |
| JPH0431175B2 true JPH0431175B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=13932885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8808085A Granted JPS61247055A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61247055A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2625372B2 (ja) * | 1993-12-27 | 1997-07-02 | 行政院国家科学委員会 | 区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる改良方法 |
| KR0171982B1 (ko) * | 1995-12-02 | 1999-03-30 | 김주용 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP8808085A patent/JPS61247055A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61247055A (ja) | 1986-11-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |