JPS61247055A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61247055A JPS61247055A JP8808085A JP8808085A JPS61247055A JP S61247055 A JPS61247055 A JP S61247055A JP 8808085 A JP8808085 A JP 8808085A JP 8808085 A JP8808085 A JP 8808085A JP S61247055 A JPS61247055 A JP S61247055A
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特にロコスプ
ロセスを利用したデバイスのフィールド酸化膜の製造工
程の短縮と品質向上に関する。
ロセスを利用したデバイスのフィールド酸化膜の製造工
程の短縮と品質向上に関する。
この発明は、フィールド酸化膜をロコス酸化法で製造す
る方法において、ロコス酸化時にマスクとなるべきシリ
コン窒化膜の下に形成するノくラド酸化膜を熱酸化膜か
ら、高温気相成長膜に変更することにより、ロコス酸化
工程の短縮化とロコス酸化膜質を向上化するようにした
ものである。
る方法において、ロコス酸化時にマスクとなるべきシリ
コン窒化膜の下に形成するノくラド酸化膜を熱酸化膜か
ら、高温気相成長膜に変更することにより、ロコス酸化
工程の短縮化とロコス酸化膜質を向上化するようにした
ものである。
〔従来の技術〕 ・
従来、ＭＯ８ｍ電界効果トランジスタのフィールド酸化
膜は、以下のような製造方法で行われている。図面では
、ＮチャネルＭＯ８型トランジスタを例として説明する
。第２図（ａ）に示す工うに、アａＳｔ基板１に、熱酸
化法によって５０ｎｍのパッド酸化膜２ｔ？形成する。
膜は、以下のような製造方法で行われている。図面では
、ＮチャネルＭＯ８型トランジスタを例として説明する
。第２図（ａ）に示す工うに、アａＳｔ基板１に、熱酸
化法によって５０ｎｍのパッド酸化膜２ｔ？形成する。
次に、気相成長法によって１５０ｎｍのシリコン窒化膜
５ｆｒ形成する。
５ｆｒ形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、フォトリングラフイ
ーによって、ロコス酸化時のマスクとなるべきシリコン
窒化膜３ａｉ減す、第２図（Ｃ）に示すように、１μｍ
くらいのロコス酸化法によるフィールド＠４を形成する
。以下、第２図（ｄ）に示すように。
ーによって、ロコス酸化時のマスクとなるべきシリコン
窒化膜３ａｉ減す、第２図（Ｃ）に示すように、１μｍ
くらいのロコス酸化法によるフィールド＠４を形成する
。以下、第２図（ｄ）に示すように。
熱酸化法に工り、ゲート酸化膜５を形成し、多結晶８Ｌ
ゲート６ｆｒ形成し、リン又はヒ素イオン注入法に工９
．ＮチャネルＭＯＢ型トランジスタのソース７ａとドレ
ーン７ｂとを形成する。気相成長法による中間絶縁膜８
に、フォトリングラフイーによって、ソース７ａのコン
タクト９ａとドレーン７ｂのコンタクト９ｂとを形成す
る。最後に、スパッタ法によるＡＩ金金属配線１０を形
成することによｆｉＮチャネルＭＯ８ｆｉトランジスタ
が形５３！できる、 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、従来のＭＯ８型トランジスタの製造法では以下
のことが問題点としてあげられる。
ゲート６ｆｒ形成し、リン又はヒ素イオン注入法に工９
．ＮチャネルＭＯＢ型トランジスタのソース７ａとドレ
ーン７ｂとを形成する。気相成長法による中間絶縁膜８
に、フォトリングラフイーによって、ソース７ａのコン
タクト９ａとドレーン７ｂのコンタクト９ｂとを形成す
る。最後に、スパッタ法によるＡＩ金金属配線１０を形
成することによｆｉＮチャネルＭＯ８ｆｉトランジスタ
が形５３！できる、 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、従来のＭＯ８型トランジスタの製造法では以下
のことが問題点としてあげられる。
１）拡散炉内で、熱酸化全行ないパッド酸化膜全形成し
、次に気相成長装置でシリコン窒化膜を形成するために
、プロセスの時間がかがり、かつ。
、次に気相成長装置でシリコン窒化膜を形成するために
、プロセスの時間がかがり、かつ。
−変人気中に出すので、パッド酸化膜とシリコン窒化膜
の界面に、汚染層又はトラップ単位全形成してしまう心
配があった。
の界面に、汚染層又はトラップ単位全形成してしまう心
配があった。
２）パッド酸化膜が５０ｎｍ形成しても、ロコスプロセ
スを行うと、フィールド酸化の端のＳ１基板中に歪によ
る欠陥が生じる危険性があった。
スを行うと、フィールド酸化の端のＳ１基板中に歪によ
る欠陥が生じる危険性があった。
そこでこの発明は従来のような欠点を解決するため、ロ
コスプロセスのパッド酸化膜とシリコン窒化膜の形ｉｔ
短時間で、クリーンな状態で行なうことを目的としてい
る。
コスプロセスのパッド酸化膜とシリコン窒化膜の形ｉｔ
短時間で、クリーンな状態で行なうことを目的としてい
る。
上記問題を解決するために、この発明は一餓相成長法に
よる装置の中で１反応ガスの糧類と反応温度とを変えて
、連続的に、パッド酸化膜とシリコン窒化膜全形成する
ようにした。
よる装置の中で１反応ガスの糧類と反応温度とを変えて
、連続的に、パッド酸化膜とシリコン窒化膜全形成する
ようにした。
上記のように、連続的に気相成長を行なうと。
同−気相成長内のために、プロセス時間の短縮かにかれ
、しかも、パッド酸化膜は熱酸化法によらず、気相成長
法によるため８Ｌ基板中に欠陥を発生させることもなく
なるのである。
、しかも、パッド酸化膜は熱酸化法によらず、気相成長
法によるため８Ｌ基板中に欠陥を発生させることもなく
なるのである。
以下にこの発明の実権例全図面にもとづいて説明する。
ＮチャネルＭＯ８型トランジスタを例としてあげた。第
１図（ａ）に示すように、Ｐ型８１基板１に、気相成長
法によって５０ｎｍのパッド酸化膜２ｆ形放する。この
場合の気相成長の条件は。
１図（ａ）に示すように、Ｐ型８１基板１に、気相成長
法によって５０ｎｍのパッド酸化膜２ｆ形放する。この
場合の気相成長の条件は。
反応ガスに関しては、ジクロルシラン８１Ｈ１Ｏ１ｔと
亜酸化窒素Ｎ、 Ｏ１反応源度は８５０ Ｃ，反応圧力
は１．１ｍバールである。次に１反応ガスをたって気相
成長装置内の反応温度’１ｉ７６０［に降温嘔せる。７
６０Ｃになったら、以下の気相成長の条件で、シリコン
窒化膜３を成長させる０反応ガスに関しては、ジクロル
シラン８ＬＨ１０１！（！ニア７モニアＮｕｓ、反応圧
力は１．８−ｍバールである。
亜酸化窒素Ｎ、 Ｏ１反応源度は８５０ Ｃ，反応圧力
は１．１ｍバールである。次に１反応ガスをたって気相
成長装置内の反応温度’１ｉ７６０［に降温嘔せる。７
６０Ｃになったら、以下の気相成長の条件で、シリコン
窒化膜３を成長させる０反応ガスに関しては、ジクロル
シラン８ＬＨ１０１！（！ニア７モニアＮｕｓ、反応圧
力は１．８−ｍバールである。
次に、第１図（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ
ーによってロコス酸化時のマスクとなるヘキシリコン窒
化膜３ａｉ残す、第１図ｆｃ）に示すように。
ーによってロコス酸化時のマスクとなるヘキシリコン窒
化膜３ａｉ残す、第１図ｆｃ）に示すように。
ロコス酸化により、約１μｍのフィールド膜４を形成す
る。以下、第１図（ｄ）に示すように、熱酸化法により
、ゲート酸化膜５全形放し、多結晶８１ゲート６を形成
し、リン又はヒ素イオン注入法により、１１チャネルＭ
Ｏ８型トランジスタのソース７ａとドレーン７ｂとを形
成する。気相成長法による中間絶縁膜８に、フォトリソ
グラフィーによって、ソース７ａのコンタクト９ａとド
レーン７ｂのコンタクト９ｂとを形成する。ｆ＆後に、
スパッタ法によるＡＩ金金属配線１０を形成することに
よ５．ＮチャネルＭＯ８型トランジスタが形成てきる。
る。以下、第１図（ｄ）に示すように、熱酸化法により
、ゲート酸化膜５全形放し、多結晶８１ゲート６を形成
し、リン又はヒ素イオン注入法により、１１チャネルＭ
Ｏ８型トランジスタのソース７ａとドレーン７ｂとを形
成する。気相成長法による中間絶縁膜８に、フォトリソ
グラフィーによって、ソース７ａのコンタクト９ａとド
レーン７ｂのコンタクト９ｂとを形成する。ｆ＆後に、
スパッタ法によるＡＩ金金属配線１０を形成することに
よ５．ＮチャネルＭＯ８型トランジスタが形成てきる。
この発明は以上説明したように、ロコスプロセスのパッ
ド酸化膜とシリコン窒化膜を高温気相底長法で、連続的
に形成でき１品質向上もはかれる効果がある。かつ、一
般的なロコスプロセス１も利用できる。
ド酸化膜とシリコン窒化膜を高温気相底長法で、連続的
に形成でき１品質向上もはかれる効果がある。かつ、一
般的なロコスプロセス１も利用できる。
第１図（ａ）から（→までは、この発明にかかわるＭＯ
Ｓトランジスタ形成の時の工程順の断面図。 第２図（ａ）から（ａ） ｔでは、従来のＭＯＳトラン
ジスタ形成の時の工程順の断面図である。 １・・・Ｐ型８１基板 ２・・・パッド酸化膜３・・
・シリコン窒化膜 ４・・・フィールド膜５・・・ゲー
ト酸化膜 ６・・・多結晶８１ゲート７ａ・・・ソー
ス ７ｂ・・・ドレーン８・・・中間絶縁膜 ？ａ・・・ソースコンタクト ９ｂ・・・ドレーンコンタクト １０・・・ＡＩ配線 以上 出願人セイコー電子工業株式会社 ＋＋
Ｓトランジスタ形成の時の工程順の断面図。 第２図（ａ）から（ａ） ｔでは、従来のＭＯＳトラン
ジスタ形成の時の工程順の断面図である。 １・・・Ｐ型８１基板 ２・・・パッド酸化膜３・・
・シリコン窒化膜 ４・・・フィールド膜５・・・ゲー
ト酸化膜 ６・・・多結晶８１ゲート７ａ・・・ソー
ス ７ｂ・・・ドレーン８・・・中間絶縁膜 ？ａ・・・ソースコンタクト ９ｂ・・・ドレーンコンタクト １０・・・ＡＩ配線 以上 出願人セイコー電子工業株式会社 ＋＋
Claims (2)
- （１）シリコン半導体基板上に、気相成長法により、シ
リコン酸化膜を形成し、連続して、シリコン窒化膜を形
成した後、このシリコン窒化膜を、酸化のマスクとして
使用する工程を有することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - （２）８５０℃近傍の温度とジクロルシランガスと亜酸
化窒素ガスを減圧下で反応させシリコン酸化膜を形成し
た後に、７６０℃近傍の温度とジクロルシランガスとア
ンモニアガスを減圧下で反応させてシリコン窒化膜を前
記シリコン酸化膜上に形成する工程を気相成長法で行な
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8808085A JPS61247055A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8808085A JPS61247055A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247055A true JPS61247055A (ja) | 1986-11-04 |
| JPH0431175B2 JPH0431175B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=13932885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8808085A Granted JPS61247055A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61247055A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851104A (ja) * | 1993-12-27 | 1996-02-20 | Natl Science Council Of Roc | 区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる改良方法 |
| US5926724A (en) * | 1995-12-02 | 1999-07-20 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Device isolation technology |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP8808085A patent/JPS61247055A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851104A (ja) * | 1993-12-27 | 1996-02-20 | Natl Science Council Of Roc | 区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる改良方法 |
| US5926724A (en) * | 1995-12-02 | 1999-07-20 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Device isolation technology |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0431175B2 (ja) | 1992-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |