JPH0431178B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフアクシミリ等に用いることのできる
密着型リニアセンサー等の光電変換装置のための
配線基板を製造する方法に関する。

〔従来の技術〕

フアクシミリ等に用いられる光電変換装置は、
第２図および第３図に示すように、絶縁基板１の
上面に電極配線部２を設け、さらに専用集積回路
４をボンデイングワイヤー５等で接合するための
ボンデイング配線部３を形成してなり、前記の電
極配線部２の先端の光電変換部電極１６に、アモ
ルフアスシリコン等からなる光電素子部６を設
け、透明電極７と光電変換部共通電極８としての
金属導電層を図示の如く形成してなるものであ
る。

第２図及び第３図において、電極配線部２は、
アモルフアスシリコンとの光電変換特性が良好で
あるという理由から金属クロム層が用いられた。
しかし欠点として金属クロム層は蒸着法にて形成
されるので厚く形成するのが不向きであり、金属
クロム層単独ではピンホール等を生じて電気伝導
度が充分でない場合もあつた。一方、ボンデイン
グ配線部３は、専用集積回路４を載置するところ
であるから、ボンデイング適性および耐久性、耐
腐食性のため金（Au）を積層形成することが行
なわれる。しかし、金は極めて高価であり、従来
法のように絶縁基板１の全面に金を蒸着形成し、
しかる後、不必要部分を除去する方法では、大量
の金が無駄になり、好ましくない。その上、金属
をクロム層の面に形成した場合、接着強度が弱
く、粘着テープによる剥離試験を行なうと、金が
剥離するという問題がある。

これを防ぐ方法として、金属クロム層と金属の
間に接着層としての働きを有する銅層、銀層、ア
ルミニウム層等を介在させることも考えられた
が、悪いことに金は銅、銀、アルミニウム等の接
着層と相溶性があり、金層を接着層が互いに拡散
し合つて、混合してしまうという問題があり、集
積回路のボンデイング状態に悪影響を及ぼすもの
であつた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は以上のような従来技術の欠点に鑑み、 電極配線部に充分な電気導電性を確保するこ
と、 ボンデイング配線部に用いる高価な金を無駄
にしないこと、 ボンデイング配線部の金層が下層と充分な接
着強度を有すること、 ボンデイング配線部の金層が下層の金属と拡
散混合しないこと、 アモルフアルシリコンからなる光電変換素子
の光電特性に対する電極／配線部の影響を良好
に保つこと、 等の問題点を主として解決しようとするものであ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明は、絶縁基板上に電極／配線
用金属クロム膜を蒸着し；さらにこのクロム膜の
受光部分をマスクしたのち電極／配線用金属ニツ
ケル膜を上記クロム膜上に積層し；写真蝕刻法に
より上記金属ニツケルを選択的に除去して金属ニ
ツケル電極／配線パターンを形成し；ボンデイン
グ部を少なくとも含めて上記金属ニツケル電極／
配線パターンの一部を開口露出する絶縁性マスク
を被着したのち、その開口部に電解金メツキを施
すことにより金メツキ層からなるボンデイング／
配線部を形成し；前記絶縁性マスクを剥離したの
ち、電極／配線部および上記光電変換部を被覆す
るマスクパターンを形成したのち上記金属クロム
膜を選択的にエツチングして少なくとも金属クロ
ム膜と金属ニツケルからなる所望の電極／配線パ
ターンを形成するとともに上記光電素子接触部に
おいて金属クロム膜のみからなる電極／配線パタ
ーンを形成することを特徴とする光電変換装置用
配線基板の製造方法を提供するものである。

なお、上記方法において、電解金メツキ工程は
上記金属ニツケル露出部分を活性化したのちにお
こなうことが好ましい。

〔発明の詳述〕

以下、この発明を密着型リニアセンサー用配線
基板に適用した図示の一実施例を参照して説明す
る。

第１図ａに示す如く、たとえばバリウム硼硅酸
ガラス、石英ガラス、あるいはグレーズドアルミ
ナ等のアルカリ金属を実質的に含まない絶縁基板
１の上面に真空蒸着法、スパツタリング法あるい
はイオンプレイテイング法により金属クロム膜９
を0.1〜0.3μm程度の厚みに蒸着し、つづいて、セ
ンサーの受光部分に該当する部分の上記クロム膜
９をレジスト１５等によりマスクしたのち、金属
ニツケル膜１０を0.1〜0.5μm厚程度蒸着する。ク
ロムとニツケルの接着強度を増すため、間にアル
ミニウム層や銅層の接着層を介在させてもよい。
この接着層の厚みは、銅層では0.05〜0.2μm、ア
ルミニウム層では0.1〜0.3μm程度でよい。この接
着層を介在した場合、接着強度の増加という利点
以外に電極配線部２の電気伝導度を高めるという
効果もある。特に銅の接着層を用いた時は、金属
ニツケル層１０を電解メツキ法にて積層形成する
こともできる。

次にレジスト１５を除去したのち第１図ｂに示
すように、さらにレジスト液を塗布したのち露
光、現像により所定の電極／配線部分を覆うレジ
ストパターン１１を形成し、これをマスクにして
エツチングして金属ニツケルパターン１０′を形
成する（第１図ｃ）。ついで、上記レジストパタ
ーン１１を剥離したのち、さらにレジスト１４を
塗布し、さらに金メツキを施す部分のみを開口す
るように露光、現像をおこない金属ニツケル層１
０が露出する開口部１２を形成する（第１図ａ）。
この開口部１２は、外気に触れることによつて表
面に酸化ニツケルの不導体層が形成されるので、
このまま次工程の電解金メツキを行なうと、金メ
ツキ層との接着強度が不充分であるので、電解金
メツキの前処理として、次亜リン酸のような強力
な還元剤の１〜10重量パーセント程度の水溶液と
接触させ、開口部１２の金属ニツケル層１０の表
面を荒らすことが良い。

次に第１図ｅに示すように、導電層を陰極とし
て、電解金めつきを行なう。金メツキ膜１３の厚
さとしては0.4〜5.0μm程度が適当である。前処理
によつて、金メツキ膜１３の接着強度は充分なも
のとなり、また、金は下層のニツケル膜１０′と
は相溶性が無いので拡散現象は起こらない。この
金メツキ膜１３が、ボンデイング／配線部となる
ものである。

電解メツキ後、第１図ｆに示す如く、レジスト
１４を剥離液等を用いて除去する。つづいて、レ
ジストを全面に塗布したのち、露光、現像により
上記電極／配線部２および光電変換部１６に相当
する部分を被覆するレジストパターン１７を形成
する。この図示の実施例ではレジストパターン１
７は金メツキ膜１３を施したボンデイング配線部
３および共通電極８となる部分にもレジストパタ
ーン１７が被着されている。しかしながら、ボン
デイング配線部３の金メツキ膜１３は、それ自体
レジスト膜となりうるものであり、また共通電極
８は、最終工程で別途形成することもできるか
ら、必ずしもこれらの部分にレジストパターン１
７を施す必要はない。ただし、共通電極８につい
ては、この時に形成するのが工程的に有利であ
る。

この状態でレジストパターン１７で覆われてい
ない部分、すなわち露出している金属クロム膜９
をエツチング除去したのち、さらにこのレジスト
パターン１７を除去する（第１図ｇ）。この第１
図ｇにおいて、共通電極８は金属クロム層のみと
なつているが、これに限られず、例えば共通電極
８の上層に金メツキ層を形成した場合には、金メ
ツキ層、ニツケル層、クロム層の三層で構成され
ることになる。共通電極８は基本的には通常の金
属で形成することでさしつかえない。ボンデイン
グ部以外の電極／配線部２（第２図参照）はこの
ように少なくとも金属クロム膜９と金属ニツケル
膜１０の２層からなり、導電性を充分に確保し得
るが図示の如く金メツキ層１３をさらに上乗せし
てもよい。

以下に本発明の実施例を述べる。

〔実施例 １〕 米国コーニング社製バリウム硼硅酸ガラス7059
を絶縁ガラスに用い、この上面にスパツター蒸着
法により金属クロム膜を0.2μm厚に一様に形成
し、続いてセンサーの受光部分に該当する部分の
上記クロム膜をポジ型感光性樹脂（東京応化(株)製
OFPR800（商標））でマスクしたのち、直ちに
全面に金属ニツケルを0.15〜0.25μm厚に蒸着積層
させた。ついで、ポジ型感光性樹脂（OFPR800）
を全面塗布したのち、マスクを用いたパターン露
光、現像により所定の電極／配線部分を覆う上記
樹脂パターンを形成した。なお、この実施例で現
像液、剥離液は全てアルカリ金属を含まないもの
を使用した。

次に、露出した金属ニツケル層を６％硝酸水溶
液でエツチング除去した（35℃、1.5〜３分）の
ち、上記樹脂パターンを剥離液を用いて除去した
（50℃、５〜10分）。ついで、OFPR800を全面塗
布し、マスクを用いたパターン露光・現像によ
り、金メツキ部を開口部とする絶縁性被膜を被着
した。続いて10重量％の次亜リン酸水溶液に３〜
５分間浸漬し、水洗乾燥後、前記開口部に電解金
メツキを行なつた。なお、このニツケル層表面の
活性化（又は粗面化）は次亜リン酸アンモニウム
などの還元剤を用いておこなうこともできる。こ
の電解金メツキはシアン化金カリウムメツキ浴を
用いる通常の操作（電流密度0.02〜0.03A／cm²）
によりおこない、メツキ厚0.5μmの金メツキ層を
上記開口部に形成した。次いで前記の絶縁性被膜
を指定剥離液にて除去し、再度ポジ型感光性樹脂
OFPR800を用いて、電極／配線部および光電変
換部に相当する部分を被覆するパターンを形成
し、露出する金属クロム層を硝酸セリウム（）
アンモニウム‐過塩素酸系のエツチング液で除去
した（室温、２分）。ついで、この感光性樹脂パ
ターンを除去して密着型リニアセンサー用の配線
基板が得られた。得られた配線基板は、粘着テー
プを用いた剥離試験にも剥離せず、各層の接着強
度は良好であつた。

〔実施例 ２〕 実施例１において、絶縁基板の上面に金属クロ
ムをスパツター蒸着したあと、受光部をマスク
し、ついで接着層として厚さ0.1μmの金属銅層を
積層し、しかる後、金属ニツケル膜として、スル
フアミン酸ニツケル浴を用い厚さ0.3μmに形成し
た。以下は実施例１と全く同様にして配線基板を
得た。得られた配線基板は、粘着テープを用いた
剥離試験にも剥離現象は生じず、各層の接着強度
は良好であつた。

〔発明の効果〕

本発明は、以上のような配線基板の製造方法で
あり、本発明によれば、電極配線部は金属クロム
の蒸着膜と金属ニツケル膜の二層構成であるか
ら、充分な電気伝導度が確保でき、また、例えば
金属クロム蒸着層にピンホール等の断線原因が生
じていたとしても、導通信頼性も著しく高まる。
また本発明の製法ではボンデイング配線部の金属
は絶縁性被膜が被着されていない開口部、すなわ
ち必要な個所にのみ選択的に電解メツキされるか
ら、高価な金は無駄にならないものである。加え
て、金メツキ層の下層は金属ニツケル層であり、
金属ニツケルは、金と相溶しないので、金属が下
層の金属と拡散混合することがなく、ボンデイン
グ状態が恒常的に良好となる。加えて、金メツキ
層の形成工程の前にあらかじめNi蒸着層を電
極／配線のためにパターニングしたから、金メツ
キ層を形成したのちに、このようなNiのパター
ニングをおこなう場合に起り得るNi／Au界面の
エツチング液による局部的オーバーエツチングを
回避することができ、したがつて金メツキ層と下
層の金属ニツケル層の接着強度も強く、セロフア
ン粘着テープによる剥離試験に対しても充分な耐
性を示すものである。さらに本発明の方法によれ
ば、製造工程中においてセンサーの受光部のクロ
ム層はNiと接触することがないのでCr層中にNi
が拡散して光電変換特性を損うようなことも回避
できる。

なお、付言すれば、本発明の製造方法によれ
ば、金属の電解メツキを行なう際、金メツキ層は
感光性樹脂の絶縁性被膜の開口部のみに施される
のであるが、被メツキ体自身は、金属クロム膜と
金属ニツケル膜からなる一様な導電層が存在する
ので、電解メツキの電界は局在することが無く、
したがつて部分金メツキは、メツキ形状にかかわ
らず、均質な厚みの金属が形成できるという付随
的効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ〜ｇは、本発明の配線基板の製造方法
の一例を工程順に示す説明図であり、第２図はリ
ニアセンサーの一例を示す説明断面図であり、第
３図は、リニアセンサーの一例を示す部分平面図
である。 １…絶縁基板、２…電極配線部、３…ボンデイ
ング配線部、４…専用集積回路、５…ボンデイン
グワイヤー、６…光電素子部、７…透明電極、８
…共通電極、９…Cr膜、１０…Ni膜、１１，１
４，１７…レジストパターン、１３…金メツキ
層、１６…光電変換部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に電極／配線用金属クロム膜を蒸
   着し；さらにこのクロム膜の受光部分をマスクし
   たのち電極／配線用金属ニツケル膜を上記クロム
   膜上に積層し；写真蝕刻法により上記金属ニツケ
   ルを選択的に除去して金属ニツケル電極／配線パ
   ターンを形成し；ボンデイング部を少なくとも含
   めて上記金属ニツケル電極／配線パターンの一部
   を開口露出する絶縁性マスクを被着したのち、そ
   の開口部に電解金メツキを施すことにより金メツ
   キ層からなるボンデイング／配線部を形成し；前
   記絶縁性マスクを剥離したのち、電極／配線部お
   よび上記光電変換部を被覆するマスクパターンを
   形成したのち上記金属クロム膜を選択的にエツチ
   ングして少なくとも金属クロム膜と金属ニツケル
   膜からなる所望の電極／配線パターンを形成する
   とともに上記光電素子接触部において金属クロム
   膜のみからなる電極／配線パターンを形成するこ
   とを特徴とする光電変換装置用配線基板の製造方
   法。 ２ 電解金メツキを予め上記金属ニツケル露出部
   分を活性化したのちにおこなう特許請求の範囲第
   １項記載の製造方法。