JPH0431376B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0431376B2 JPH0431376B2 JP15255684A JP15255684A JPH0431376B2 JP H0431376 B2 JPH0431376 B2 JP H0431376B2 JP 15255684 A JP15255684 A JP 15255684A JP 15255684 A JP15255684 A JP 15255684A JP H0431376 B2 JPH0431376 B2 JP H0431376B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- wiring
- electrode
- gate wiring
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アクテイブマトリクス液晶表示装置
における薄膜トランジスタ基板に関するものであ
る。
における薄膜トランジスタ基板に関するものであ
る。
非晶質シリコンａ−Siや多結晶シリコンＰ−Si
等の半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ
（TFT）の１つの応用に、アクテイブマトリクス
液晶表示装置がある。その単位画素の例を第２図
に示す。第２図ａ及びｂは、単位画素構造例のそ
れぞれ平面図及びＡ−Ｂ，Ｂ−Ｃに沿つた断面図
である。半導体薄膜としてａ−Siを用いた例で説
明する。ガラス等の透明絶縁基板１上には、ITO
による共通電極８が設けられ、画素に書き込まれ
た電荷の保持容量の一方の電極として働く。保持
容量は、共通電極８とITO画素電極７とSiOxや
SiNx等絶縁膜９とで形成されている。絶縁膜９
上にはゲート電極配線２が設けられ、行電極とし
て延在している。他行のゲート電極配線２′も図
示している。ゲート電極配線２，２′上にはゲー
ト絶縁膜３，ａ−Si膜４が設けられ、ａ−Si膜４
上に列電極としてのドレイン電極配線５，５′、
ソース電極６，６′が配されている。この例では、
両電極５，６共金属層１５，１６とn+ａ−Si膜２
５，２６から成る。ソース電極６は、画素電極７
と接続されている。さらに、図示してないが遮光
膜やパツシベーシヨン膜等も形成される場合があ
る。第２図ａ及びｂの構造例では、導電膜の層数
や絶縁膜の層数が多いので製造工数が多く、従つ
て製造歩留りを向上するのに困難がある。
等の半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ
（TFT）の１つの応用に、アクテイブマトリクス
液晶表示装置がある。その単位画素の例を第２図
に示す。第２図ａ及びｂは、単位画素構造例のそ
れぞれ平面図及びＡ−Ｂ，Ｂ−Ｃに沿つた断面図
である。半導体薄膜としてａ−Siを用いた例で説
明する。ガラス等の透明絶縁基板１上には、ITO
による共通電極８が設けられ、画素に書き込まれ
た電荷の保持容量の一方の電極として働く。保持
容量は、共通電極８とITO画素電極７とSiOxや
SiNx等絶縁膜９とで形成されている。絶縁膜９
上にはゲート電極配線２が設けられ、行電極とし
て延在している。他行のゲート電極配線２′も図
示している。ゲート電極配線２，２′上にはゲー
ト絶縁膜３，ａ−Si膜４が設けられ、ａ−Si膜４
上に列電極としてのドレイン電極配線５，５′、
ソース電極６，６′が配されている。この例では、
両電極５，６共金属層１５，１６とn+ａ−Si膜２
５，２６から成る。ソース電極６は、画素電極７
と接続されている。さらに、図示してないが遮光
膜やパツシベーシヨン膜等も形成される場合があ
る。第２図ａ及びｂの構造例では、導電膜の層数
や絶縁膜の層数が多いので製造工数が多く、従つ
て製造歩留りを向上するのに困難がある。
一方、第２図ｃに示した断面構造例では、電荷
保持容量を他行のゲート電極配線２′と画素電極
７及びゲート絶縁膜３で形成したものを示す。こ
の例では、製造工数が減少するが他行のゲート電
極配線２′で保持容量を形成するため、表示とし
て有効な画素面積即ち開孔率が減少してしまう欠
点を有す。
保持容量を他行のゲート電極配線２′と画素電極
７及びゲート絶縁膜３で形成したものを示す。こ
の例では、製造工数が減少するが他行のゲート電
極配線２′で保持容量を形成するため、表示とし
て有効な画素面積即ち開孔率が減少してしまう欠
点を有す。
第２図ａ，ｂ及びｃの例からわかる様に、従来
はゲート電極配線２，２′は、１回のマスク工程
及びエツチング工程で形成していた。そのため、
そのマスク・エツチ工程に不具合が１ケ所でもあ
ると、ゲート電極配線断線が生じ結果的に不良品
を生じてしまう。画素数を増やしたり、大面積表
示しようとする場合には、結局高い歩留りが得ら
れなくなり、低コストを実現しにくくなる。ま
た、第２図ａ，ｂの例では開孔率が高いが、層
数、工数が多く高歩留り・低コストが得にくい欠
点がある。第２図ｃの例では、開孔率が大きくで
きない欠点を有していた。
はゲート電極配線２，２′は、１回のマスク工程
及びエツチング工程で形成していた。そのため、
そのマスク・エツチ工程に不具合が１ケ所でもあ
ると、ゲート電極配線断線が生じ結果的に不良品
を生じてしまう。画素数を増やしたり、大面積表
示しようとする場合には、結局高い歩留りが得ら
れなくなり、低コストを実現しにくくなる。ま
た、第２図ａ，ｂの例では開孔率が高いが、層
数、工数が多く高歩留り・低コストが得にくい欠
点がある。第２図ｃの例では、開孔率が大きくで
きない欠点を有していた。
本発明は、層数及び工数を特に増加せずに高歩
留り、低コストの表示装置用基板を提供するもの
であり、かつ表示性能の１つである開孔率を特に
落とさずにそれを実現可能とするものである。
留り、低コストの表示装置用基板を提供するもの
であり、かつ表示性能の１つである開孔率を特に
落とさずにそれを実現可能とするものである。
本発明では、ゲート電極配線を少なく共遮光性
を有する導電膜の第１ゲート配線と透明導電膜の
第２ゲート配線の２層を用い、それが少なく共部
分的に接触させることにより行配線の断線確率を
極度に減少する。また、前記透明導電膜を電荷保
持容量の一方の電極に用いることによつて開孔率
の減少を防止するものである。
を有する導電膜の第１ゲート配線と透明導電膜の
第２ゲート配線の２層を用い、それが少なく共部
分的に接触させることにより行配線の断線確率を
極度に減少する。また、前記透明導電膜を電荷保
持容量の一方の電極に用いることによつて開孔率
の減少を防止するものである。
第１図ａ及びｂには、本発明の単位画素の構造
例を示す。第１図ｂは、第１図ａの平面図のＡ−
Ｂ，Ｂ−Ｃに沿つた断面図である。ゲート電極配
線２は、Al，Cr，Mo，Ｗ等金属やその硅化物な
どによる不透明導電膜を用いた第１ゲート配線１
２と、ITOやSnO2等透明導電膜を用いた第２ゲ
ート配線２２から成つている。第１及び第２ゲー
ト配線共に、直接重なる部分を有し、電気的には
ほぼ同電位になる。一方、他行の第２ゲート配線
２２′は、画素電極７の下に延在し、ゲート絶縁
膜３とで電荷保持容量を形成している。この例で
は、TFTのゲート電極としては第１ゲート配線
１２のみを配している。TFTは、第１ゲート配
線に、ゲート絶縁膜３、半導体薄膜４、ドレイン
電極配線５、ソース電極６から成つている。さら
に、遮光膜や表面保護膜が必要な場合もあるが、
本発明に直接関係ないので省略する。また図示し
てないがゲート電極配線の外部とり出し部のコン
タクトも２種以上の導電膜を用いているので、よ
り容易にできる利点も合わせもつ。
例を示す。第１図ｂは、第１図ａの平面図のＡ−
Ｂ，Ｂ−Ｃに沿つた断面図である。ゲート電極配
線２は、Al，Cr，Mo，Ｗ等金属やその硅化物な
どによる不透明導電膜を用いた第１ゲート配線１
２と、ITOやSnO2等透明導電膜を用いた第２ゲ
ート配線２２から成つている。第１及び第２ゲー
ト配線共に、直接重なる部分を有し、電気的には
ほぼ同電位になる。一方、他行の第２ゲート配線
２２′は、画素電極７の下に延在し、ゲート絶縁
膜３とで電荷保持容量を形成している。この例で
は、TFTのゲート電極としては第１ゲート配線
１２のみを配している。TFTは、第１ゲート配
線に、ゲート絶縁膜３、半導体薄膜４、ドレイン
電極配線５、ソース電極６から成つている。さら
に、遮光膜や表面保護膜が必要な場合もあるが、
本発明に直接関係ないので省略する。また図示し
てないがゲート電極配線の外部とり出し部のコン
タクトも２種以上の導電膜を用いているので、よ
り容易にできる利点も合わせもつ。
第３図は、本発明の他の断面構造例である。ゲ
ート電極配線２，２′は、第１ゲート配線１２，
１２′と第２ゲート配線２２，２２′から成つてい
るが、この例では、第２ゲート配線２２もTFT
のゲート電極として働く。また、第１ゲート配線
１２，１２′は第２ゲート配線２２，２２′の上で
かつ幅狭く形成されている。しかしTFT下の第
１ゲート配線１２の幅はTFTを充分遮光する値
に選ばれている。またTFTのドレイン・ソース
電極５，６は画素電極７と同じ透明導電膜で形成
された例を示した。必要により表面は絶縁膜１９
（例えばSiOx）で被われている。
ート電極配線２，２′は、第１ゲート配線１２，
１２′と第２ゲート配線２２，２２′から成つてい
るが、この例では、第２ゲート配線２２もTFT
のゲート電極として働く。また、第１ゲート配線
１２，１２′は第２ゲート配線２２，２２′の上で
かつ幅狭く形成されている。しかしTFT下の第
１ゲート配線１２の幅はTFTを充分遮光する値
に選ばれている。またTFTのドレイン・ソース
電極５，６は画素電極７と同じ透明導電膜で形成
された例を示した。必要により表面は絶縁膜１９
（例えばSiOx）で被われている。
第４図は、本発明の他の実施例に基いた断面構
造例である。この例では、TFT下のゲート電極
配線２は、幅広い第１ゲート配線１２とその下で
第１ゲート配線１２に被われる第２ゲート配線２
２で成り、それ以外の部分には第１、第２ゲート
配線１２，２２が重ならない（第４図の他行の第
１ゲート配線１２′、第２ゲート配線２２′を参
照）。この様にすれば、基板の損傷等による段差
があつても、断線の危険性はより減少する。ま
た、本例では電荷保持容量はゲート絶縁膜３とフ
イールド絶縁膜１９を介して他行の第２ゲート配
線２２′と画素電極７で設けている。さらに、列
電極であるドレイン電極配線５には画素電極７と
同時の形成できる付加電極配線３５を付加し欠長
配線を行なつている例を示した。ソース電極６も
同様である。
造例である。この例では、TFT下のゲート電極
配線２は、幅広い第１ゲート配線１２とその下で
第１ゲート配線１２に被われる第２ゲート配線２
２で成り、それ以外の部分には第１、第２ゲート
配線１２，２２が重ならない（第４図の他行の第
１ゲート配線１２′、第２ゲート配線２２′を参
照）。この様にすれば、基板の損傷等による段差
があつても、断線の危険性はより減少する。ま
た、本例では電荷保持容量はゲート絶縁膜３とフ
イールド絶縁膜１９を介して他行の第２ゲート配
線２２′と画素電極７で設けている。さらに、列
電極であるドレイン電極配線５には画素電極７と
同時の形成できる付加電極配線３５を付加し欠長
配線を行なつている例を示した。ソース電極６も
同様である。
第５図は、本発明の他の具体例の断面図であ
る。ゲート電極配線２を下に第１ゲート配線は上
に第２ゲート配線２２によつて構成した例であ
る。この例のTFTもやはりドレインソース電極
５，６共に画素電極７と同時に形成した付加電極
３５，３６を有した例を示した。
る。ゲート電極配線２を下に第１ゲート配線は上
に第２ゲート配線２２によつて構成した例であ
る。この例のTFTもやはりドレインソース電極
５，６共に画素電極７と同時に形成した付加電極
３５，３６を有した例を示した。
以上の電極例において、第１及び第２ゲート配
線の上下の関係は、第１ゲート配線に用いる材質
によつて適宜選ばれる。例えば、酸化しやすい
Crを第１ゲート配線に用いた場合には、第１ゲ
ート配線は上の方が下の第２ゲート配線例えば
ITOとコンタクトをとりやすい。酸化しにくい、
または酸化物を容易に除去できる導電膜を第１ゲ
ート配線に用いるときには、その限りでなく第５
図の例も適用できる。
線の上下の関係は、第１ゲート配線に用いる材質
によつて適宜選ばれる。例えば、酸化しやすい
Crを第１ゲート配線に用いた場合には、第１ゲ
ート配線は上の方が下の第２ゲート配線例えば
ITOとコンタクトをとりやすい。酸化しにくい、
または酸化物を容易に除去できる導電膜を第１ゲ
ート配線に用いるときには、その限りでなく第５
図の例も適用できる。
上述の如く、従来の１マスク工程で形成される
ゲート電極配線に対して、本発明による第１及び
第２ゲート配線はそれぞれのマスク・エツチ工程
によつて形成されるので、仮に、どちらか一方の
ゲート配線が断線したとしても、他方のゲート配
線とが行電極方向に面接触して電気的に接続して
いるために、同一のゲート電極配線の断線の確率
は従来の確率の自乗に低下する。例えば、１回の
マスク工程で0.1％の割合で断線が生ずるものと
すれば、本発明によれば100万本に１本切れるこ
とになり、不良率が極度に減少する。また、第２
ゲート配線に透明導電膜を使用するので、電荷保
持容量を形成しても開孔率を低下させることはな
い。
ゲート電極配線に対して、本発明による第１及び
第２ゲート配線はそれぞれのマスク・エツチ工程
によつて形成されるので、仮に、どちらか一方の
ゲート配線が断線したとしても、他方のゲート配
線とが行電極方向に面接触して電気的に接続して
いるために、同一のゲート電極配線の断線の確率
は従来の確率の自乗に低下する。例えば、１回の
マスク工程で0.1％の割合で断線が生ずるものと
すれば、本発明によれば100万本に１本切れるこ
とになり、不良率が極度に減少する。また、第２
ゲート配線に透明導電膜を使用するので、電荷保
持容量を形成しても開孔率を低下させることはな
い。
以上によつて、基本的に多数の単位画素を行列
状に配置するアクテイブマトリクス表示装置の製
造歩留りを向上することができ、結果的に低コス
トで市場に提供できる。また、第２ゲート配線形
成工程の分工程増となるが、コストは歩留り向上
で充分カバーできる。さらに欠陥が少ないことと
共に開孔率が低下しないので明るい良質の表示を
得ることができる。
状に配置するアクテイブマトリクス表示装置の製
造歩留りを向上することができ、結果的に低コス
トで市場に提供できる。また、第２ゲート配線形
成工程の分工程増となるが、コストは歩留り向上
で充分カバーできる。さらに欠陥が少ないことと
共に開孔率が低下しないので明るい良質の表示を
得ることができる。
以上、ａ−Si膜を用いたTFTを例に述べてき
たが、ｐ−Si場合によればビームアニール等で形
成した単結晶Si薄膜や他の半導体材料による
TFTを用いたアクテイブマトリクス表示装置用
基板に本発明は適用でき、その工業的価値は高
い。
たが、ｐ−Si場合によればビームアニール等で形
成した単結晶Si薄膜や他の半導体材料による
TFTを用いたアクテイブマトリクス表示装置用
基板に本発明は適用でき、その工業的価値は高
い。
第１図ａ及びｂは本発明による単位画素構造例
であり、第１図ｂは第１図ａの平面図のＡ−Ｂ，
Ｂ−Ｃに沿つた断面図である。第２図ａ及びｂ
は、従来の構造例の平面図及び断面図であり、第
２図ｃは従来構造の断面例である。第３図乃至第
５図は、本発明による実施例のそれぞれの断面図
である。 １……基板、２，２′……ゲート電極配線、３
……ゲート絶縁膜、４……半導体薄膜、５……ド
レイン電極、６……ソース電極、７……画素電
極、８……共通電極、１２，１２′……第１ゲー
ト配線、２２，２２′……第２ゲート配線。
であり、第１図ｂは第１図ａの平面図のＡ−Ｂ，
Ｂ−Ｃに沿つた断面図である。第２図ａ及びｂ
は、従来の構造例の平面図及び断面図であり、第
２図ｃは従来構造の断面例である。第３図乃至第
５図は、本発明による実施例のそれぞれの断面図
である。 １……基板、２，２′……ゲート電極配線、３
……ゲート絶縁膜、４……半導体薄膜、５……ド
レイン電極、６……ソース電極、７……画素電
極、８……共通電極、１２，１２′……第１ゲー
ト配線、２２，２２′……第２ゲート配線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明絶縁基板上の薄膜トランジスタと、第１
の透明導電膜からなる画素電極と、電荷保持容量
とを少なくとも具備する単位画素を有するアクテ
イブマトリクス表示装置用基板において、 前記薄膜トランジスタのゲート電極配線が行配
線として延在し、 該行配線は、遮光性を有する導電膜である第１
ゲート配線と透明導電膜から成る第２ゲート配線
とが積層配設された少なくとも２つのゲート配線
からなり、該積層配設された第１ゲート配線と第
２ゲート配線の少なくとも複数の単位画素部分は
面接触して電気的に導通して積層配設されてお
り、 前記電荷保持容量が画素電極と隣接する他行の
第２ゲート配線の一部と、ゲート絶縁膜を一部に
含む絶縁膜とによつて構成されたことを特徴とす
るアクテイブマトリクス表示装置用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15255684A JPS6129820A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | アクテイプマトリクス表示装置用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15255684A JPS6129820A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | アクテイプマトリクス表示装置用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129820A JPS6129820A (ja) | 1986-02-10 |
| JPH0431376B2 true JPH0431376B2 (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=15543050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15255684A Granted JPS6129820A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | アクテイプマトリクス表示装置用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129820A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685440B2 (ja) * | 1986-04-10 | 1994-10-26 | アルプス電気株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| JPS639977A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP2620240B2 (ja) | 1987-06-10 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP2620241B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP2668935B2 (ja) * | 1988-05-10 | 1997-10-27 | 松下電器産業株式会社 | マトリクス型画像表示装置用半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0833554B2 (ja) * | 1988-05-10 | 1996-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置用半導体およびその製造方法 |
| JPH02250038A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-05 | Seiko Instr Inc | 薄膜トランジスタアレイ |
| JPH0820641B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1996-03-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| US5162901A (en) * | 1989-05-26 | 1992-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto |
| JP3258768B2 (ja) * | 1993-06-22 | 2002-02-18 | 三菱電機株式会社 | マトリックス型表示装置 |
| JP2002055360A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US8836879B2 (en) * | 2010-06-10 | 2014-09-16 | Apple Inc. | Displays with minimized curtain mura |
| JP5955920B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2016-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-07-23 JP JP15255684A patent/JPS6129820A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6129820A (ja) | 1986-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4821092A (en) | Thin film transistor array for liquid crystal display panel | |
| US6475837B2 (en) | Electro-optical device | |
| US6373546B1 (en) | Structure of a liquid crystal display and the method of manufacturing the same | |
| JP4420462B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US12142614B2 (en) | Active matrix substrate | |
| JPH0431376B2 (ja) | ||
| JP2584290B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| US7023501B2 (en) | Liquid crystal display device having particular connections among drain and pixel electrodes and contact hole | |
| JPH04313729A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US20230135065A1 (en) | Active matrix substrate | |
| JP3669082B2 (ja) | 液晶表示素子用薄膜トランジスタアレイ | |
| US5546207A (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| JPH0570156B2 (ja) | ||
| US6356319B1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| JPH05303115A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0618921A (ja) | マトリックス型表示装置 | |
| JP4585071B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| KR100218503B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2000206560A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JP2566130B2 (ja) | アクテイブマトリクス表示装置用基板の製造方法 | |
| KR100397672B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 | |
| KR950003942B1 (ko) | 액정표시장치의 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| JPH05249485A (ja) | スイッチング用薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリックス液晶ディスプレイ | |
| JPH10253984A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS636529A (ja) | アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |