JPH04323806A - 耐熱衝撃フェライト材料 - Google Patents
耐熱衝撃フェライト材料Info
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- JPH04323806A JPH04323806A JP3122156A JP12215691A JPH04323806A JP H04323806 A JPH04323806 A JP H04323806A JP 3122156 A JP3122156 A JP 3122156A JP 12215691 A JP12215691 A JP 12215691A JP H04323806 A JPH04323806 A JP H04323806A
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Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱衝撃性を有するフ
ェライト材料に関するものである。
ェライト材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フェライトコアにコイルを施し、インダ
クターとして使用するものの中には、フェライトコアに
コイルの端末接続用のリードピンを植設し、このリード
ピンにコイルの端末を絡げ、はんだ付けしたものが広く
使用されている。
クターとして使用するものの中には、フェライトコアに
コイルの端末接続用のリードピンを植設し、このリード
ピンにコイルの端末を絡げ、はんだ付けしたものが広く
使用されている。
【０００３】この様なインダクターの場合、リードピン
にコイルの端末をはんだ付けする方法として、リードピ
ンにコイルの端末を絡げた状態で、高温のはんだ槽にコ
アを挿入し、はんだ付けする方法が用いられている。こ
の場合、コアには急激な温度変化が生じ、この熱衝撃に
よりコアが割れるといった問題があった。
にコイルの端末をはんだ付けする方法として、リードピ
ンにコイルの端末を絡げた状態で、高温のはんだ槽にコ
アを挿入し、はんだ付けする方法が用いられている。こ
の場合、コアには急激な温度変化が生じ、この熱衝撃に
よりコアが割れるといった問題があった。
【０００４】これに対し、従来のフェライトでは、材料
の空孔率を５％以上に高めて、熱応力の分散を図ること
により対応していた。
の空孔率を５％以上に高めて、熱応力の分散を図ること
により対応していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法、すなわち
、材料の空孔率を高める方法では、フェライト材料の強
度、飽和磁束密度、透磁率等が比較的小さくなり、実用
上の問題が生じ、この問題を解決しようとすると空孔率
を小さくしていく必要があり、耐熱衝撃性に優れ、しか
も強度、飽和磁束密度、透磁率等を満足するフェライト
材料が得られなく、そのようなフェライト材料が切望さ
れていた。
、材料の空孔率を高める方法では、フェライト材料の強
度、飽和磁束密度、透磁率等が比較的小さくなり、実用
上の問題が生じ、この問題を解決しようとすると空孔率
を小さくしていく必要があり、耐熱衝撃性に優れ、しか
も強度、飽和磁束密度、透磁率等を満足するフェライト
材料が得られなく、そのようなフェライト材料が切望さ
れていた。
【０００６】これに対し、本発明者等は、特開平１―１
０３９５３号公報に記載されているように、Ｎｉ―Ｚｎ
系のフェライトにＢｉ２Ｏ３、ＰｂＯを所定量添加して
耐熱衝撃性を改善できることを発明している。本発明者
等は、これらのフェライト材料について、鋭意研究を重
ねた結果、低い空孔率で特定の結晶粒径のときに、高い
電磁気特性及び強度を有し、かつ耐熱衝撃性に優れたフ
ェライト材料を得ることができることを見い出したもの
である。
０３９５３号公報に記載されているように、Ｎｉ―Ｚｎ
系のフェライトにＢｉ２Ｏ３、ＰｂＯを所定量添加して
耐熱衝撃性を改善できることを発明している。本発明者
等は、これらのフェライト材料について、鋭意研究を重
ねた結果、低い空孔率で特定の結晶粒径のときに、高い
電磁気特性及び強度を有し、かつ耐熱衝撃性に優れたフ
ェライト材料を得ることができることを見い出したもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｆｅ２Ｏ３を
４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯを１０〜３５ｍｏｌ％、Ｃ
ｕＯを３〜１０ｍｏｌ％、残部ＮｉＯからなるフェライ
トに、Ｂｉ２Ｏ３又はＰｂＯを０．０３〜２重量％添加
し、焼成後の空孔率を５％以下にした上、結晶組織を平
均粒径２０〜６０μｍにコントロールしたフェライト材
料である。これにより、耐熱衝撃性に優れ、しかも強度
、飽和磁束密度、透磁率が高いフェライト材料を得るこ
とができる。
４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯを１０〜３５ｍｏｌ％、Ｃ
ｕＯを３〜１０ｍｏｌ％、残部ＮｉＯからなるフェライ
トに、Ｂｉ２Ｏ３又はＰｂＯを０．０３〜２重量％添加
し、焼成後の空孔率を５％以下にした上、結晶組織を平
均粒径２０〜６０μｍにコントロールしたフェライト材
料である。これにより、耐熱衝撃性に優れ、しかも強度
、飽和磁束密度、透磁率が高いフェライト材料を得るこ
とができる。
【０００８】また、本発明のフェライト材料は、ＮｉＯ
の多くとも１／２以下が、ＭｇＯ及び／又は（１／４）
（Ｌｉ２Ｏ＋Ｆｅ２Ｏ３）及び／又はＭｎ酸化物に置換
しても同様の効果を得ることができる。又、ＳｉＯ２を
０〜１ｗｔ％添加しても同様の効果を得ることができる
。
の多くとも１／２以下が、ＭｇＯ及び／又は（１／４）
（Ｌｉ２Ｏ＋Ｆｅ２Ｏ３）及び／又はＭｎ酸化物に置換
しても同様の効果を得ることができる。又、ＳｉＯ２を
０〜１ｗｔ％添加しても同様の効果を得ることができる
。
【０００９】
【実施例】表１の組成比で各試料を秤量、混合し、８５
０℃で２時間仮焼した後、振動ミルで粉砕し、１〜１．
５μｍのフェライト粉末を作成した。このフェライト粉
末に、乳鉢でＢｉ２Ｏ３、ＰｂＯ、ＳｉＯ２を所定量添
加混合し、これを造粒し、丸棒状コアに成形し、乾燥後
、ダイヤグラインダーで溝加工し、ドラム型コアとし、
これを空気中１１００℃２時間で焼成し試料を作成した
。この試料を４５０℃の半田槽に全長の約半分を浸漬し
、コアの破壊率を集計し、耐熱衝撃性の評価を行なった
。又、この試料について、空孔率、結晶の平均粒径、強
度、透磁率、飽和磁束密度の測定を行なった。
０℃で２時間仮焼した後、振動ミルで粉砕し、１〜１．
５μｍのフェライト粉末を作成した。このフェライト粉
末に、乳鉢でＢｉ２Ｏ３、ＰｂＯ、ＳｉＯ２を所定量添
加混合し、これを造粒し、丸棒状コアに成形し、乾燥後
、ダイヤグラインダーで溝加工し、ドラム型コアとし、
これを空気中１１００℃２時間で焼成し試料を作成した
。この試料を４５０℃の半田槽に全長の約半分を浸漬し
、コアの破壊率を集計し、耐熱衝撃性の評価を行なった
。又、この試料について、空孔率、結晶の平均粒径、強
度、透磁率、飽和磁束密度の測定を行なった。
【００１０】
【表１】
【００１１】この各試料の破壊率、空孔率、結晶の平均
粒径、抗折強度、μｉ、Ｂｍの各特性値を表２に示す。 表２において、試料１〜１０は添加物なし、試料１１〜
２０は、それぞれ試料１〜１０にＢｉ２Ｏ３を０．３ｗ
ｔ％添加したもの、試料２１は、顆粒を３００μｍ〜５
００μｍとし、焼成体の空孔率を高めたものである。
粒径、抗折強度、μｉ、Ｂｍの各特性値を表２に示す。 表２において、試料１〜１０は添加物なし、試料１１〜
２０は、それぞれ試料１〜１０にＢｉ２Ｏ３を０．３ｗ
ｔ％添加したもの、試料２１は、顆粒を３００μｍ〜５
００μｍとし、焼成体の空孔率を高めたものである。
【００１２】
【表２】
【００１３】この試料２１を見ればわかるとおり、空孔
率を高めた場合、破壊率を小さくすることはできるが、
抗折強度、μｉ、Ｂｍの低下が大きく、Ｂｉ２Ｏ３添加
により結晶粒径を２０〜６０μｍに制御する方法が有利
であることがわかる。
率を高めた場合、破壊率を小さくすることはできるが、
抗折強度、μｉ、Ｂｍの低下が大きく、Ｂｉ２Ｏ３添加
により結晶粒径を２０〜６０μｍに制御する方法が有利
であることがわかる。
【００１４】次に、試料３にＢｉ２Ｏ３を０．３ｗｔ％
添加したものと、ＰｂＯを０．３ｗｔ％添加したものと
、Ｂｉ２Ｏ３を０．３ｗｔ％及びＳｉＯ２を０．１ｗｔ
％添加したものとを、それぞれ焼成温度を変化させて結
晶粒径を変化させ、そのときの破壊率と空孔率を表３に
示す。また、同じものを図１に示す。この表３及び図１
から明らかなように、結晶粒径が２０〜６０μｍである
時に、優れた耐熱衝撃性を有することがわかる。
添加したものと、ＰｂＯを０．３ｗｔ％添加したものと
、Ｂｉ２Ｏ３を０．３ｗｔ％及びＳｉＯ２を０．１ｗｔ
％添加したものとを、それぞれ焼成温度を変化させて結
晶粒径を変化させ、そのときの破壊率と空孔率を表３に
示す。また、同じものを図１に示す。この表３及び図１
から明らかなように、結晶粒径が２０〜６０μｍである
時に、優れた耐熱衝撃性を有することがわかる。
【００１５】
【表３】
【００１６】また、焼成温度を１１００℃とし、添加物
（Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ、ＳｉＯ２）の添加量を変えたと
きの破壊率、空孔率、結晶粒径を表４に示す。添加物を
変化させても、結晶粒径が２０〜６０μｍであれば、優
れた耐熱衝撃性を有することがわかる。
（Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ、ＳｉＯ２）の添加量を変えたと
きの破壊率、空孔率、結晶粒径を表４に示す。添加物を
変化させても、結晶粒径が２０〜６０μｍであれば、優
れた耐熱衝撃性を有することがわかる。
【００１７】
【表４】
【００１８】
【発明の効果】本発明は、耐熱衝撃性に優れ、強度及び
電磁気特性も優れたフェライト材料を提供するものであ
る。従って、ハンダ槽、ハンダごて等により熱を直接受
けるリードピン電極付のドラムコア、チップインダクタ
等用のフェライト材料として、極めて有用であり、これ
らの部品の小型化・ＳＭＤ化に対応できる。又、フェラ
イト板に回路パターンを印刷したフェライト基板等に応
用することも可能であり、各製品の製造歩留を向上し、
コストを低減することができる。
電磁気特性も優れたフェライト材料を提供するものであ
る。従って、ハンダ槽、ハンダごて等により熱を直接受
けるリードピン電極付のドラムコア、チップインダクタ
等用のフェライト材料として、極めて有用であり、これ
らの部品の小型化・ＳＭＤ化に対応できる。又、フェラ
イト板に回路パターンを印刷したフェライト基板等に応
用することも可能であり、各製品の製造歩留を向上し、
コストを低減することができる。
【図１】結晶粒径と熱衝撃による破壊率との関係を示す
グラフである。
グラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｆｅ２Ｏ３を４０〜５０ｍｏｌ％、Ｚ
ｎＯを１０〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯを３〜１０ｍｏｌ％
、残部ＮｉＯからなるフェライト材料に、Ｂｉ２Ｏ３、
ＰｂＯの少なくとも１種類を０．０３〜２ｗｔ％含み、
空孔率が５％以下で、その結晶組織の平均粒径が２０〜
６０μｍであることを特徴とする耐熱衝撃フェライト材
料。 - 【請求項２】 特許請求の範囲第１項において、Ｎｉ
Ｏの多くとも１／２が、ＭｇＯ及び／又は（１／４）（
Ｌｉ２Ｏ＋Ｆｅ２Ｏ３）及び／又はＭｎ酸化物に置換さ
れていることを特徴とする耐熱衝撃フェライト材料。 - 【請求項３】 特許請求の範囲第１項において、Ｓｉ
Ｏ２を０〜１ｗｔ％添加したことを特徴とする耐熱衝撃
フェライト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3122156A JPH0732095B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 耐熱衝撃フェライト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3122156A JPH0732095B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 耐熱衝撃フェライト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323806A true JPH04323806A (ja) | 1992-11-13 |
| JPH0732095B2 JPH0732095B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=14828988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3122156A Expired - Fee Related JPH0732095B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 耐熱衝撃フェライト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732095B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7034649B2 (en) | 2003-09-03 | 2006-04-25 | Tdk Corporation | Ferrite material, ferrite sintered body, and inductor |
| US20190122794A1 (en) * | 2017-10-24 | 2019-04-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Coil electronic component |
| JP2020077730A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧粉磁心 |
| JP2020077732A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧粉磁心 |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP3122156A patent/JPH0732095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7034649B2 (en) | 2003-09-03 | 2006-04-25 | Tdk Corporation | Ferrite material, ferrite sintered body, and inductor |
| US20190122794A1 (en) * | 2017-10-24 | 2019-04-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Coil electronic component |
| CN109698059A (zh) * | 2017-10-24 | 2019-04-30 | 三星电机株式会社 | 线圈电子组件及其制造方法 |
| US10796829B2 (en) * | 2017-10-24 | 2020-10-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Coil electronic component |
| CN109698059B (zh) * | 2017-10-24 | 2024-03-05 | 三星电机株式会社 | 线圈电子组件及其制造方法 |
| JP2020077730A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧粉磁心 |
| JP2020077732A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧粉磁心 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732095B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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