JPH04330610A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH04330610A JPH04330610A JP3128485A JP12848591A JPH04330610A JP H04330610 A JPH04330610 A JP H04330610A JP 3128485 A JP3128485 A JP 3128485A JP 12848591 A JP12848591 A JP 12848591A JP H04330610 A JPH04330610 A JP H04330610A
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- recording medium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、広い記録密度領域にお
いて優れた記録再生特性を示す記録磁性層を有する磁気
記録媒体に関する。
いて優れた記録再生特性を示す記録磁性層を有する磁気
記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の方式としては、面内磁気記録
の他に、垂直磁気記録がある。最近では、垂直磁気記録
が高密度記録方式として注目され、幅広い研究が進めら
れている。
の他に、垂直磁気記録がある。最近では、垂直磁気記録
が高密度記録方式として注目され、幅広い研究が進めら
れている。
【０００３】この記録方式の提案以来、記録媒体材料の
主役はＣｏ−Ｃｒ合金薄膜であったが、その他にも、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｒｕ，
Ｃｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｏ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｏなどの合金系薄
膜、Ｆｅメッキ−アルマイト膜，Ｂａフェライト微粒子
塗布膜など様々な材料が提案されてきた。
主役はＣｏ−Ｃｒ合金薄膜であったが、その他にも、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｒｕ，
Ｃｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｏ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｏなどの合金系薄
膜、Ｆｅメッキ−アルマイト膜，Ｂａフェライト微粒子
塗布膜など様々な材料が提案されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの材料は、一般
に高密度記録特性に優れる反面、磁気ヘッド−記録磁性
層間の距離（スペーシング）に対し損失が大きいという
問題や、低記録密度領域における再生出力が低いという
問題があった。このような問題は記録媒体及び装置設計
上のマージンを大幅に狭め、実用化を困難にしていた。
に高密度記録特性に優れる反面、磁気ヘッド−記録磁性
層間の距離（スペーシング）に対し損失が大きいという
問題や、低記録密度領域における再生出力が低いという
問題があった。このような問題は記録媒体及び装置設計
上のマージンを大幅に狭め、実用化を困難にしていた。
【０００５】本発明は、上記従来技術が持つ再生出力の
不足そしてスペーシング損失が大きいという欠点を解決
し、以て広い記録密度領域において優れた記録特性及び
スペーシング依存性を示す磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
不足そしてスペーシング損失が大きいという欠点を解決
し、以て広い記録密度領域において優れた記録特性及び
スペーシング依存性を示す磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、膜面垂直方向における初期磁化曲線の
零磁場近傍の磁化率（ｄＭ／ｄＨ）が１／２０π以上で
あることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
に、本発明では、膜面垂直方向における初期磁化曲線の
零磁場近傍の磁化率（ｄＭ／ｄＨ）が１／２０π以上で
あることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【０００７】
【作用】本発明者らは、磁気ヘッドから発生する磁界な
みの弱磁場に対する記録磁性層の挙動に着目し鋭意研究
を続けた結果、高出力化そしてスペーシング損失低減の
ためには、膜面垂直方向における初期磁化曲線の零磁場
近傍の磁化率（ｄＭ／ｄＨ）（Ｍ：磁化，Ｈ：印加磁場
）が１／２０π以上という磁気特性を付与することによ
り実現できることを発見した。
みの弱磁場に対する記録磁性層の挙動に着目し鋭意研究
を続けた結果、高出力化そしてスペーシング損失低減の
ためには、膜面垂直方向における初期磁化曲線の零磁場
近傍の磁化率（ｄＭ／ｄＨ）（Ｍ：磁化，Ｈ：印加磁場
）が１／２０π以上という磁気特性を付与することによ
り実現できることを発見した。
【０００８】概ねこの磁気的特性を記録磁性層に担持さ
せることにより、記録再生特性面での大きな性能改善が
実現できるが、次の条件を更に付与することにより、一
層の性能改善を図ることができる。即ち、記録磁性層の
膜面垂直方向に１〜５ｋＯｅの外部磁場を印加して求め
た保磁力が５０〜１５００Ｏｅとなるような磁気的性質
を持たせることである。
せることにより、記録再生特性面での大きな性能改善が
実現できるが、次の条件を更に付与することにより、一
層の性能改善を図ることができる。即ち、記録磁性層の
膜面垂直方向に１〜５ｋＯｅの外部磁場を印加して求め
た保磁力が５０〜１５００Ｏｅとなるような磁気的性質
を持たせることである。
【０００９】こうした記録磁性層の性質が、その記録再
生特性に大きな影響を与えることは実験的には明白とな
ったが、理論的な裏付けは、まだ十分には進んでいない
。しかし、磁気記録の原理を再び考え直してみると、次
のような考え方も可能と思われる。図１（ａ）に示すよ
うに、リング型磁気ヘッド１が記録磁性層２を一方向に
記録を続け、磁気ヘッド後端がポイントＡのｘ座標位置
にさしかかった瞬間、ヘッド磁界を反転させ磁化遷移を
生じせしめるものとする。
生特性に大きな影響を与えることは実験的には明白とな
ったが、理論的な裏付けは、まだ十分には進んでいない
。しかし、磁気記録の原理を再び考え直してみると、次
のような考え方も可能と思われる。図１（ａ）に示すよ
うに、リング型磁気ヘッド１が記録磁性層２を一方向に
記録を続け、磁気ヘッド後端がポイントＡのｘ座標位置
にさしかかった瞬間、ヘッド磁界を反転させ磁化遷移を
生じせしめるものとする。
【００１０】最終的には、図１（ｃ）に示すような記録
パターンを形成する訳であるが、ここで図１（ａ）から
図１（ｃ）に至る記録過程について考える。リング形磁
気ヘッドから発生する磁界のｙ成分の分布は、概ね、図
１（ｂ）のような形状となる。図１（ａ）の磁化遷移近
傍の領域に於いて、ポイントＡより左側近傍の領域は、
磁化反転させるべき領域、そして磁化遷移右側近傍のポ
イントＢは磁化反転させてはならない位置である。
パターンを形成する訳であるが、ここで図１（ａ）から
図１（ｃ）に至る記録過程について考える。リング形磁
気ヘッドから発生する磁界のｙ成分の分布は、概ね、図
１（ｂ）のような形状となる。図１（ａ）の磁化遷移近
傍の領域に於いて、ポイントＡより左側近傍の領域は、
磁化反転させるべき領域、そして磁化遷移右側近傍のポ
イントＢは磁化反転させてはならない位置である。
【００１１】ここでポイントＡ及びポイントＢにおける
ヘッド磁界ｙ成分を、ＨＡ ，ＨＢ とすると、各々の
ポイントに作用する有効磁場は次のようになる。 （ＨＡ ）ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ＝ＨＡ ＋ＮＭｒ（Ｈ
Ｂ ）ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ＝ＨＢ ＋ＮＭｒここでＮ
は磁化反転前のポイントＡ近傍の平均的反磁界係数とし
た。
ヘッド磁界ｙ成分を、ＨＡ ，ＨＢ とすると、各々の
ポイントに作用する有効磁場は次のようになる。 （ＨＡ ）ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ＝ＨＡ ＋ＮＭｒ（Ｈ
Ｂ ）ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ＝ＨＢ ＋ＮＭｒここでＮ
は磁化反転前のポイントＡ近傍の平均的反磁界係数とし
た。
【００１２】ここで、ヘッド磁界程度の弱磁界（〜１ｋ
Ｏｅ）印加条件下での記録層のヒステリシス曲線を近似
的に図１（ｄ）の形状と仮定すると、急峻な磁化遷移並
びに高い再生出力を確保するための条件は次式で表すこ
とができる。 ｄＭｙ／ｄＨｙ：大 （１）Ｈ
Ｂ ＋ＮＭｒ＜Ｈｃ＜ＨＡ ＋ＮＭｒ （２
）
Ｏｅ）印加条件下での記録層のヒステリシス曲線を近似
的に図１（ｄ）の形状と仮定すると、急峻な磁化遷移並
びに高い再生出力を確保するための条件は次式で表すこ
とができる。 ｄＭｙ／ｄＨｙ：大 （１）Ｈ
Ｂ ＋ＮＭｒ＜Ｈｃ＜ＨＡ ＋ＮＭｒ （２
）
【００１３】式（１）より予想されることは、図１（
ｄ）に示す弱磁場ヒステリシス曲線の傾斜が大きい程、
高い出力が得られることである。ヘッド磁界程度の弱い
磁場（〜１ｋＯｅ）の印加条件下では、ヒステリシス傾
斜（ｄＭｙ／ｄＨｙ）は、初期磁化曲線の傾斜（磁化率
）と相関的な関係にあり、このことから、初期磁化曲線
の磁化率（ｄＭ／ｄＨ）が高い膜に於いて、高い再生出
力を実現できたものと考えられる。
ｄ）に示す弱磁場ヒステリシス曲線の傾斜が大きい程、
高い出力が得られることである。ヘッド磁界程度の弱い
磁場（〜１ｋＯｅ）の印加条件下では、ヒステリシス傾
斜（ｄＭｙ／ｄＨｙ）は、初期磁化曲線の傾斜（磁化率
）と相関的な関係にあり、このことから、初期磁化曲線
の磁化率（ｄＭ／ｄＨ）が高い膜に於いて、高い再生出
力を実現できたものと考えられる。
【００１４】一方、式（２）に於いて、ヘッド磁界の分
布（例えば、ＨＡ，ＨＢ といった量）は、磁気ヘッド
形状，ヘッド−記録層間スペーシング，ヘッドギャップ
長，磁気ヘッド材料といったパラメタにより決定され、
ヘッド磁界分布が急峻即ち、｜ＨＡ −ＨＢ ｜（換言
すれば、∂Ｈｙ／∂ｘ・Δｘ）が大きいほど、記録層磁
気特性分布のマージンを大きくとることができる。逆に
磁気ヘッドのパラメタを固定し、式（２）を満足する記
録層の条件について考えると、ヘッド磁界程度の弱印加
磁場下で測定した磁化反転スイッチング磁界Ｈｃが過大
あるいは過小になれば、この関係を満足できなくなり、
未飽和記録そして顕著な記録減磁という問題を引き起こ
す。
布（例えば、ＨＡ，ＨＢ といった量）は、磁気ヘッド
形状，ヘッド−記録層間スペーシング，ヘッドギャップ
長，磁気ヘッド材料といったパラメタにより決定され、
ヘッド磁界分布が急峻即ち、｜ＨＡ −ＨＢ ｜（換言
すれば、∂Ｈｙ／∂ｘ・Δｘ）が大きいほど、記録層磁
気特性分布のマージンを大きくとることができる。逆に
磁気ヘッドのパラメタを固定し、式（２）を満足する記
録層の条件について考えると、ヘッド磁界程度の弱印加
磁場下で測定した磁化反転スイッチング磁界Ｈｃが過大
あるいは過小になれば、この関係を満足できなくなり、
未飽和記録そして顕著な記録減磁という問題を引き起こ
す。
【００１５】本発明者等は、垂直磁気異方性を有する記
録媒体材料について幅広い検討を行い、膜面垂直方向に
１〜５ｋＯｅの磁場を印加して求めた保磁力が５０〜１
５００Ｏｅの範囲におさまるようにすれば、良好な結果
が得られることをつきとめた。こうした記録層の最適磁
気特性条件は、明確に確認されたわけではないが、前記
のような推測に基づいているものと思われる。
録媒体材料について幅広い検討を行い、膜面垂直方向に
１〜５ｋＯｅの磁場を印加して求めた保磁力が５０〜１
５００Ｏｅの範囲におさまるようにすれば、良好な結果
が得られることをつきとめた。こうした記録層の最適磁
気特性条件は、明確に確認されたわけではないが、前記
のような推測に基づいているものと思われる。
【００１６】なお本発明の適用できる記録磁性層材料は
、いわゆる純粋な垂直磁化膜（Ｋｕ≧２πＭｓ２ ，Ｋ
ｕ：磁気異方性定数，Ｍｓ：飽和磁化）と呼ばれるもの
に限らず、個々の記録モードにおいて、記録磁化に面内
成分だけでなく、垂直成分が存在するものは全てその対
象となる。具体的な材料として、本発明者等が実験的に
確認したものは、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ
などのＣｏ主体の垂直磁気異方性及び斜め磁気異方性合
金薄膜、（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｘ）−Ｏ（Ｘ：非磁性添
加元素）から成る垂直磁気異方性及び斜め磁気異方性薄
膜、更には垂直配向あるいはランダム的な配向をさせた
Ｂａフェライト粉，メタル粉，酸化鉄粉からなる磁性層
などがある。なお、ここで度々用いた「垂直磁気異方性
膜」や「斜め磁気異方性膜」という表現は、薄膜という
巨視的形状に由来する反磁界の影響を取り除いたイント
リンシックな磁気異方性方向を意味する。また上述した
材料を用いれば必ず本発明の要件が満たされるというも
のでなく、個々の材料に応じて適当な作製条件を設定す
ることが必要となる。
、いわゆる純粋な垂直磁化膜（Ｋｕ≧２πＭｓ２ ，Ｋ
ｕ：磁気異方性定数，Ｍｓ：飽和磁化）と呼ばれるもの
に限らず、個々の記録モードにおいて、記録磁化に面内
成分だけでなく、垂直成分が存在するものは全てその対
象となる。具体的な材料として、本発明者等が実験的に
確認したものは、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ
などのＣｏ主体の垂直磁気異方性及び斜め磁気異方性合
金薄膜、（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｘ）−Ｏ（Ｘ：非磁性添
加元素）から成る垂直磁気異方性及び斜め磁気異方性薄
膜、更には垂直配向あるいはランダム的な配向をさせた
Ｂａフェライト粉，メタル粉，酸化鉄粉からなる磁性層
などがある。なお、ここで度々用いた「垂直磁気異方性
膜」や「斜め磁気異方性膜」という表現は、薄膜という
巨視的形状に由来する反磁界の影響を取り除いたイント
リンシックな磁気異方性方向を意味する。また上述した
材料を用いれば必ず本発明の要件が満たされるというも
のでなく、個々の材料に応じて適当な作製条件を設定す
ることが必要となる。
【００１７】本発明の磁気記録媒体の製造方法自体は特
に限定されない。本発明の磁気記録媒体は、例えば、非
磁性基体にスパッタ法あるいは真空蒸着法といつたベー
パデポジション法により製造することができる。
に限定されない。本発明の磁気記録媒体は、例えば、非
磁性基体にスパッタ法あるいは真空蒸着法といつたベー
パデポジション法により製造することができる。
【００１８】本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性
基板としては、アルミニウム基板の他に、ポリイミド，
ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルム，ガラ
ス類，セラミック，陽極酸化アルミ，黄銅などの金属板
，Ｓｉ単結晶板，表面を熱酸化処理したＳｉ単結晶板な
どがある。
基板としては、アルミニウム基板の他に、ポリイミド，
ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルム，ガラ
ス類，セラミック，陽極酸化アルミ，黄銅などの金属板
，Ｓｉ単結晶板，表面を熱酸化処理したＳｉ単結晶板な
どがある。
【００１９】また、本発明の磁気記録媒体としては、ポ
リエステルフィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹
脂フィルムを基体とする磁気テープや磁気ディスク、合
成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラス板等から
なる円盤やドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラ
ムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含
する。
リエステルフィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹
脂フィルムを基体とする磁気テープや磁気ディスク、合
成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラス板等から
なる円盤やドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラ
ムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含
する。
【００２０】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。 実施例１ 厚さ４０μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製ユー
ピレックスＳＸ）を基板４とし、図２に示す真空巻取蒸
着装置を用いて基板上にＣｏ８１Ｃｒ１９合金膜を蒸着
した。以下にその薄膜形成プロセスを述べる。温度３０
０℃で１分間脱ガス処理したフィルム基板を供給ロール
３から送り出し、所定の温度（５０℃〜２７０℃）に加
熱したキャンロール５に沿わせた状態で、電子ビーム加
熱したＣｏ−Ｃｒ合金蒸発源８からの蒸気を基板上に垂
直入射させる。Ｃｏ−Ｃｒの膜厚は２０００Åとし、ま
た膜の磁気特性調整のために、膜堆積速度そしてニード
ルバルブ１０からのＡｒガス等入量を変化させた。この
ようにして作製した試料の磁気特性は、ヘッド磁界の大
きさを考慮し、１ｋＯｅの印加磁場下で初期磁化曲線そ
してマイナーループを測定した。
する。 実施例１ 厚さ４０μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製ユー
ピレックスＳＸ）を基板４とし、図２に示す真空巻取蒸
着装置を用いて基板上にＣｏ８１Ｃｒ１９合金膜を蒸着
した。以下にその薄膜形成プロセスを述べる。温度３０
０℃で１分間脱ガス処理したフィルム基板を供給ロール
３から送り出し、所定の温度（５０℃〜２７０℃）に加
熱したキャンロール５に沿わせた状態で、電子ビーム加
熱したＣｏ−Ｃｒ合金蒸発源８からの蒸気を基板上に垂
直入射させる。Ｃｏ−Ｃｒの膜厚は２０００Åとし、ま
た膜の磁気特性調整のために、膜堆積速度そしてニード
ルバルブ１０からのＡｒガス等入量を変化させた。この
ようにして作製した試料の磁気特性は、ヘッド磁界の大
きさを考慮し、１ｋＯｅの印加磁場下で初期磁化曲線そ
してマイナーループを測定した。
【００２１】Ｃｏ−Ｃｒ膜の代表的磁化曲線を模式的に
図３に示す。図中、Ａは初期磁化曲線を示し、Ｂはマイ
ナーループを示し、Ｃは初期磁化曲線の零磁場近傍の磁
化率を示す外挿直線である。なお、このような磁気特性
の測定は、Ｃｏ−Ｃｒ膜試料を、膜形成直後の外部磁場
を全く経験しない状態（熱消磁状態）か、交流消磁の後
に行った。両者の消磁法の違いによっては、初期磁化曲
線及びマイナーループに大きな差は認められなかった。 また磁気異方性主軸方向については、トルク磁力計で測
定したトルク曲線をフーリエ解析し、反磁界補正を行っ
た上で決定した。
図３に示す。図中、Ａは初期磁化曲線を示し、Ｂはマイ
ナーループを示し、Ｃは初期磁化曲線の零磁場近傍の磁
化率を示す外挿直線である。なお、このような磁気特性
の測定は、Ｃｏ−Ｃｒ膜試料を、膜形成直後の外部磁場
を全く経験しない状態（熱消磁状態）か、交流消磁の後
に行った。両者の消磁法の違いによっては、初期磁化曲
線及びマイナーループに大きな差は認められなかった。 また磁気異方性主軸方向については、トルク磁力計で測
定したトルク曲線をフーリエ解析し、反磁界補正を行っ
た上で決定した。
【００２２】またＣｏ−Ｃｒ膜の記録再生特性の評価は
、ギャップ長０．１８μｍのアモルファス−フェライト
複合型リングヘッド（トラック幅５０μｍ）により行い
、測定試料の形態は、３．５インチのフロッピーディス
クとした。作製した試料の磁気特性，記録密度特性を表
１に示す。なお表中、磁気異方性主軸方位φは膜面内か
ら測定した立ち上がり角である。
、ギャップ長０．１８μｍのアモルファス−フェライト
複合型リングヘッド（トラック幅５０μｍ）により行い
、測定試料の形態は、３．５インチのフロッピーディス
クとした。作製した試料の磁気特性，記録密度特性を表
１に示す。なお表中、磁気異方性主軸方位φは膜面内か
ら測定した立ち上がり角である。
【００２３】
【表１】
【００２４】実施例２
図２のマスク位置を変え、図４で定義する入射角θが５
０°から−１０°の角度範囲において、連続的に変化す
るようにした。このマスク位置以外は実施例１と全く同
様の条件で膜形成及び記録再生特性の評価を行った。
０°から−１０°の角度範囲において、連続的に変化す
るようにした。このマスク位置以外は実施例１と全く同
様の条件で膜形成及び記録再生特性の評価を行った。
【００２５】実施例３
厚さ９μｍのＰＥＴフィルム（東レ製）を基板４とし、
図５に示す装置を用いて、基板上にＣｏ−Ｏ膜を形成し
た。以下にその薄膜形成プロセスを述べる。ロール３か
ら供給したフィルム基板をＡｒプラズマ室１４に通し、
基板表面のプラズマ処理を行う。その後、ニードルバル
ブ１２を通して導入された酸素雰囲気ガス中でＣｏの蒸
着を行う。この時、同時に下流側から酸素導入管１５を
基板面に差し向け、膜の表面近傍が若干酸素リッチにな
るよう調整する。これは、酸素リッチにすることにより
、記録磁性層の摩擦摩耗特性を改善するためである。 作製した試料の磁気特性そして記録再生特性を表２に示
す。なお、記録再生特性の評価は、Ｃｏ−Ｏ膜試料を１
／２インチテープ状に切り出し、ギャップ長０．２５μ
ｍのアモルファス−フェライト複合型磁気ヘッドにより
評価した。
図５に示す装置を用いて、基板上にＣｏ−Ｏ膜を形成し
た。以下にその薄膜形成プロセスを述べる。ロール３か
ら供給したフィルム基板をＡｒプラズマ室１４に通し、
基板表面のプラズマ処理を行う。その後、ニードルバル
ブ１２を通して導入された酸素雰囲気ガス中でＣｏの蒸
着を行う。この時、同時に下流側から酸素導入管１５を
基板面に差し向け、膜の表面近傍が若干酸素リッチにな
るよう調整する。これは、酸素リッチにすることにより
、記録磁性層の摩擦摩耗特性を改善するためである。 作製した試料の磁気特性そして記録再生特性を表２に示
す。なお、記録再生特性の評価は、Ｃｏ−Ｏ膜試料を１
／２インチテープ状に切り出し、ギャップ長０．２５μ
ｍのアモルファス−フェライト複合型磁気ヘッドにより
評価した。
【００２６】
【表２】
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、膜面垂直方向にお
ける初期磁化曲線の零磁場近傍の磁化率を１／２０π以
上とし、更に弱印加磁場下の保磁力を大とすることによ
り記録媒体の記録再生特性を大幅に改善することができ
る。
ける初期磁化曲線の零磁場近傍の磁化率を１／２０π以
上とし、更に弱印加磁場下の保磁力を大とすることによ
り記録媒体の記録再生特性を大幅に改善することができ
る。
【図１】垂直磁気異方性記録層へのリング型磁気ヘッド
による記録機構を説明するための模式図である。
による記録機構を説明するための模式図である。
【図２】Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を形成するための蒸着装置の
一例の模式的概要図である。
一例の模式的概要図である。
【図３】弱印加磁場下でのヒステリシス曲線模式図であ
る。
る。
【図４】入射角を定義するための模式的説明図である。
【図５】Ｃｏ−Ｏ膜を形成するための蒸着装置の一例の
模式的概要図である。
模式的概要図である。
１ 磁気ヘッド
２ 記録層
３ ロール
４ 基板
５ キャンロール
６ 排気孔
７ マスク
８ 蒸発源
９ フィラメント
１０，１１，１２，１３ ニードルバルブ１５ ガ
ス導入管
ス導入管
Claims (4)
- 【請求項１】 膜面垂直方向における初期磁化曲線の
零磁場近傍の磁化率（ｄＭ／ｄＨ）が１／２０π以上で
あることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 膜面垂直方向に１〜５ｋＯｅの磁場を
印加して求めたマイナーループの保磁力が５０〜１５０
０Ｏｅであることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体
。 - 【請求項３】 記録磁性層がＣｏ系合金薄膜からなる
ことを特徴とする請求項１または２の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 記録磁性層がＣｏと酸素を主体とする
薄膜からなることを特徴とする請求項１または２の磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128485A JPH04330610A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128485A JPH04330610A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04330610A true JPH04330610A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=14985917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3128485A Withdrawn JPH04330610A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04330610A (ja) |
-
1991
- 1991-05-01 JP JP3128485A patent/JPH04330610A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |