JPH04330654A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
- Publication number
- JPH04330654A JPH04330654A JP13644191A JP13644191A JPH04330654A JP H04330654 A JPH04330654 A JP H04330654A JP 13644191 A JP13644191 A JP 13644191A JP 13644191 A JP13644191 A JP 13644191A JP H04330654 A JPH04330654 A JP H04330654A
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- JP
- Japan
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- thin film
- amorphous magnetic
- magneto
- rare earth
- transparent
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を用いて情報の
記録、再生、消去を行うことのできる磁気光学記憶素子
に関する。
記録、再生、消去を行うことのできる磁気光学記憶素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報の記録、再生、消去が可能な
光記憶素子の開発が磁気光学記憶素子を中心に活発に推
進されている。また、この磁気光学記憶素子の構造で高
い評価を受けているものとして反射膜構造の素子がある
。
光記憶素子の開発が磁気光学記憶素子を中心に活発に推
進されている。また、この磁気光学記憶素子の構造で高
い評価を受けているものとして反射膜構造の素子がある
。
【０００３】図２に反射膜構造の素子の一例の側面図を
示す。同図で符号１はガラス、アクリル樹脂等よりなる
透明基板、２はＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の透明
薄膜、３はＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、Ｔ
ｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等の希土類・遷移金属合金か
らなる非晶質磁性体薄膜、４はＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ
３Ｎ４等の透明薄膜、５はＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の
反射膜である。
示す。同図で符号１はガラス、アクリル樹脂等よりなる
透明基板、２はＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の透明
薄膜、３はＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、Ｔ
ｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等の希土類・遷移金属合金か
らなる非晶質磁性体薄膜、４はＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ
３Ｎ４等の透明薄膜、５はＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の
反射膜である。
【０００４】以上の反射膜構造の素子は非晶質磁性体薄
膜３の厚みを１００Å程度と非常に薄くしているため透
明基板１側から入射した入射レーザ光が非晶質磁性体薄
膜３を透過し、この透過した光が反射膜５にて反射され
る。したがって、非晶質磁性体薄膜３表面にて入射レー
ザ光が反射された光のカー効果と上記した非晶質磁性体
薄膜３を透過し反射膜５にて反射され再び非晶質磁性体
薄膜３を透過する光のファラデー効果とが相乗作用を起
こしカー回転角の増大を得るものである。また、透明薄
膜２の内部で光が干渉しそれによってもカー回転角の増
大の作用を得るものである。
膜３の厚みを１００Å程度と非常に薄くしているため透
明基板１側から入射した入射レーザ光が非晶質磁性体薄
膜３を透過し、この透過した光が反射膜５にて反射され
る。したがって、非晶質磁性体薄膜３表面にて入射レー
ザ光が反射された光のカー効果と上記した非晶質磁性体
薄膜３を透過し反射膜５にて反射され再び非晶質磁性体
薄膜３を透過する光のファラデー効果とが相乗作用を起
こしカー回転角の増大を得るものである。また、透明薄
膜２の内部で光が干渉しそれによってもカー回転角の増
大の作用を得るものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の反射膜構造の素
子は磁気光学効果の点から見れば極めて優れた構造であ
るが、その一方で非晶質磁性体薄膜３の酸化による特整
劣化が大きいことが難点であることが判明している。つ
まり、反射膜５及び透明薄膜４を通過して外気が侵入し
非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる、あるいは反射膜５
、透明薄膜４内部に含まれていた酸素が非晶質磁性体薄
膜３を酸化せしめる現象が発生するのである。非晶質磁
性体薄膜３が酸化すれば保磁力が低下し磁気光学効果に
よる再生が困難となり、極端な場合は非晶質磁性体薄膜
３の垂直磁気異方性が全くなくなり記録、再生共に不可
能となるという著しく不都合な問題が発生する。
子は磁気光学効果の点から見れば極めて優れた構造であ
るが、その一方で非晶質磁性体薄膜３の酸化による特整
劣化が大きいことが難点であることが判明している。つ
まり、反射膜５及び透明薄膜４を通過して外気が侵入し
非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる、あるいは反射膜５
、透明薄膜４内部に含まれていた酸素が非晶質磁性体薄
膜３を酸化せしめる現象が発生するのである。非晶質磁
性体薄膜３が酸化すれば保磁力が低下し磁気光学効果に
よる再生が困難となり、極端な場合は非晶質磁性体薄膜
３の垂直磁気異方性が全くなくなり記録、再生共に不可
能となるという著しく不都合な問題が発生する。
【０００６】そこで本発明は上述の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、非晶質磁性体薄膜の酸化を防止するこ
とのできる構造を有する磁気光学記憶素子を提供するこ
とを目的とする。
れたものであり、非晶質磁性体薄膜の酸化を防止するこ
とのできる構造を有する磁気光学記憶素子を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体
薄膜を形成してなる磁気光学記憶素子において、前記非
晶質磁性体薄膜に近接する透明薄膜を備え、該透明薄膜
中に酸化容易性金属であるＴｉ、Ｍｇ、希土類金属の少
なくとも一つを含有したことを特徴とする磁気光学記憶
素子である。
め、本発明は透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体
薄膜を形成してなる磁気光学記憶素子において、前記非
晶質磁性体薄膜に近接する透明薄膜を備え、該透明薄膜
中に酸化容易性金属であるＴｉ、Ｍｇ、希土類金属の少
なくとも一つを含有したことを特徴とする磁気光学記憶
素子である。
【０００８】
【作用】透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜
に近接して設けられる透明薄膜中に、酸化容易性金属で
あるＴｉ、Ｍｇ、希土類金属の少なくとも一つを含有す
ることによって、侵入する酸素を反射膜中の酸化容易性
金属によって消費せしめる。
有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜
に近接して設けられる透明薄膜中に、酸化容易性金属で
あるＴｉ、Ｍｇ、希土類金属の少なくとも一つを含有す
ることによって、侵入する酸素を反射膜中の酸化容易性
金属によって消費せしめる。
【０００９】
【実施例】図１に示すものは本発明に係る磁気光学記憶
素子の一実施例の側面図である。同図で符号１はガラス
、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２はＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ２、Ｓｉ３Ｎ４等の透明薄膜、３はＧｄＴｂＦｅ、Ｔ
ｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等
の希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の透明薄膜、６はＣ
ｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、ＳＵＳ等の金属膜中にＴｉ、Ｍ
ｇ、希土類金属（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ）等の酸
化容易性金属物質を含有した反射膜である。
素子の一実施例の側面図である。同図で符号１はガラス
、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２はＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ２、Ｓｉ３Ｎ４等の透明薄膜、３はＧｄＴｂＦｅ、Ｔ
ｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等
の希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の透明薄膜、６はＣ
ｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、ＳＵＳ等の金属膜中にＴｉ、Ｍ
ｇ、希土類金属（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ）等の酸
化容易性金属物質を含有した反射膜である。
【００１０】ここで、上記酸化容易性金属物質の含有は
透明薄膜２に対して行ってもよく、あるいは透明薄膜４
に対して行ってもよく、あるいは透明薄膜２、透明薄膜
４、反射膜６の任意の２以上の膜に対して行ってもよい
。また、同図の構成において透明薄膜２はなくても構わ
ない。
透明薄膜２に対して行ってもよく、あるいは透明薄膜４
に対して行ってもよく、あるいは透明薄膜２、透明薄膜
４、反射膜６の任意の２以上の膜に対して行ってもよい
。また、同図の構成において透明薄膜２はなくても構わ
ない。
【００１１】以上の実施例の説明においては反射膜構造
の素子において本発明を適用したものを示したが、本発
明は非晶質磁性体薄膜の膜厚が十分厚い（１０００Å程
度）厚膜形の構造の素子、つまり、カー効果のみを利用
する素子においても適用が可能なものである。
の素子において本発明を適用したものを示したが、本発
明は非晶質磁性体薄膜の膜厚が十分厚い（１０００Å程
度）厚膜形の構造の素子、つまり、カー効果のみを利用
する素子においても適用が可能なものである。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば非晶質磁性体薄膜に近接
する透明薄膜の膜中に含有したＴｉ、Ｍｇ、希土類金属
（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ）等の酸化容易性金属物
質の存在により非晶質磁性体薄膜の酸化を大幅に抑制す
ることができるので、この非晶質磁性体薄膜の磁気的特
性を安定化することができ、素子の信頼性を著しく向上
することができる。
する透明薄膜の膜中に含有したＴｉ、Ｍｇ、希土類金属
（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ）等の酸化容易性金属物
質の存在により非晶質磁性体薄膜の酸化を大幅に抑制す
ることができるので、この非晶質磁性体薄膜の磁気的特
性を安定化することができ、素子の信頼性を著しく向上
することができる。
【図１】本発明に係る磁気光学記憶素子の側面図である
。
。
【図２】従来の磁気光学記憶素子の側面図である。
１ 透明基板
２ 透明薄膜
３ 非晶質磁性体薄膜
４ 透明薄膜
５ 反射膜
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体
薄膜を形成してなる磁気光学記憶素子において、前記非
晶質磁性体薄膜に近接する透明薄膜を備え、該透明薄膜
中に酸化容易性金属であるＴｉ、Ｍｇ、希土類金属の少
なくとも一つを含有したことを特徴とする磁気光学記憶
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13644191A JPH0834014B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13644191A JPH0834014B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 磁気光学記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14980882A Division JPS5938781A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04330654A true JPH04330654A (ja) | 1992-11-18 |
| JPH0834014B2 JPH0834014B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=15175195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13644191A Expired - Lifetime JPH0834014B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834014B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP13644191A patent/JPH0834014B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834014B2 (ja) | 1996-03-29 |
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