JPH04336435A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH04336435A JPH04336435A JP3107274A JP10727491A JPH04336435A JP H04336435 A JPH04336435 A JP H04336435A JP 3107274 A JP3107274 A JP 3107274A JP 10727491 A JP10727491 A JP 10727491A JP H04336435 A JPH04336435 A JP H04336435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- lead
- bonding material
- lead frame
- poor wettability
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
- H10W72/01308—Manufacture or treatment of die-attach connectors using permanent auxiliary members, e.g. using alignment marks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07311—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は樹脂封止型ＩＣ等の半
導体装置の製造に用いる半導体装置用リードフレームの
改良に関するものである。
導体装置の製造に用いる半導体装置用リードフレームの
改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の半導体装置用リードフレー
ムのダイスパット部を示す斜視図、図６は図５のＶＩ−
ＶＩ断面図であり、これらの図において、１はダイスパ
ット、２は一端部がダイスパット１に接続され、他端部
がリードフレーム枠（図示せず）やタイバー（図示せず
）等に接続されたダイスパット固定用リード、２ａはダ
イスパット固定用リード２のダイスパット１との接続部
近傍に設けられた凹部、３はダイスパット１およびダイ
スパット固定用リード２の表面処理層であるめっき層、
４は半導体ダイス（ＩＣ）５をダイスパット１に接合す
るダイボンド用接着剤ペースト（エポキシ系樹脂、ポリ
イミド系樹脂等）や金属ロウ材（はんだ、Ａｕ−Ｓｉ合
金等）等からなる接合材である。
ムのダイスパット部を示す斜視図、図６は図５のＶＩ−
ＶＩ断面図であり、これらの図において、１はダイスパ
ット、２は一端部がダイスパット１に接続され、他端部
がリードフレーム枠（図示せず）やタイバー（図示せず
）等に接続されたダイスパット固定用リード、２ａはダ
イスパット固定用リード２のダイスパット１との接続部
近傍に設けられた凹部、３はダイスパット１およびダイ
スパット固定用リード２の表面処理層であるめっき層、
４は半導体ダイス（ＩＣ）５をダイスパット１に接合す
るダイボンド用接着剤ペースト（エポキシ系樹脂、ポリ
イミド系樹脂等）や金属ロウ材（はんだ、Ａｕ−Ｓｉ合
金等）等からなる接合材である。
【０００３】次に作用について説明する。ダイスパット
１へ接合材４によって半導体ダイス５を接合する。この
接合時に接合材４の余剰分がダイスパット固定用リード
２に這い上がろうとするが、凹部２ａ内に吸収され凹部
２ａより先に流れ出すのが防止される。
１へ接合材４によって半導体ダイス５を接合する。この
接合時に接合材４の余剰分がダイスパット固定用リード
２に這い上がろうとするが、凹部２ａ内に吸収され凹部
２ａより先に流れ出すのが防止される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置用リ
ードフレームは以上のように構成されているので、ダイ
スパット固定用リード２の凹部における機械的強度が弱
くなり、ダイスパットを沈め加工するとき、凹部２ａに
おいてダイスパット固定用リード２が切断したり、曲が
ったりする等の問題点があった。
ードフレームは以上のように構成されているので、ダイ
スパット固定用リード２の凹部における機械的強度が弱
くなり、ダイスパットを沈め加工するとき、凹部２ａに
おいてダイスパット固定用リード２が切断したり、曲が
ったりする等の問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ダイスパット固定用リードの機
械的強度を損なう事なく、接合材のダイスパット固定用
リードへの流れ出しを防止できる半導体装置用リードフ
レームを得ることを目的とする。
ためになされたもので、ダイスパット固定用リードの機
械的強度を損なう事なく、接合材のダイスパット固定用
リードへの流れ出しを防止できる半導体装置用リードフ
レームを得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置用リードフレームはダイスパット固定用リードのダイ
スパットとの接合部近傍に接合材に対する濡れ性不良部
を形成したものである。
置用リードフレームはダイスパット固定用リードのダイ
スパットとの接合部近傍に接合材に対する濡れ性不良部
を形成したものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体装置用リードフレーム
は濡れ性不良部において接合材の這い上りが阻止され、
濡れ性不良部より先への流れ出しが防止され、かつ濡れ
性不良部において機械的強度は損なわれないので、濡れ
性不良部での切断や曲がりなくダイスパットの沈め加工
が行なえる。
は濡れ性不良部において接合材の這い上りが阻止され、
濡れ性不良部より先への流れ出しが防止され、かつ濡れ
性不良部において機械的強度は損なわれないので、濡れ
性不良部での切断や曲がりなくダイスパットの沈め加工
が行なえる。
【０００８】
【実施例】以下、図１、図２に示されるこの発明の一実
施例による半導体用リードフレームについて説明する。 図１はその斜視図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ断面図であ
り、これらの図において、図５、図６と異なるところは
ダイスパット固定用リード２のダイスパット１との接合
部近傍のメッキ層３にレーザ光を局部照射して局部加熱
し、その局部めっき部のめっき金属結晶を粗大化させ、
そのめっき面を酸化させると共にそのめっき部の下地金
属をめっき表面に拡散させめっき膜の組成を変化させる
等の変質をさせることによって接合材４に対して濡れ性
が損なわれた濡れ性不良部６を上記接合部近傍に形成し
た点である。
施例による半導体用リードフレームについて説明する。 図１はその斜視図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ断面図であ
り、これらの図において、図５、図６と異なるところは
ダイスパット固定用リード２のダイスパット１との接合
部近傍のメッキ層３にレーザ光を局部照射して局部加熱
し、その局部めっき部のめっき金属結晶を粗大化させ、
そのめっき面を酸化させると共にそのめっき部の下地金
属をめっき表面に拡散させめっき膜の組成を変化させる
等の変質をさせることによって接合材４に対して濡れ性
が損なわれた濡れ性不良部６を上記接合部近傍に形成し
た点である。
【０００９】次に作用について説明する。ダイスパット
１に半導体ダイス５を金属ロウ材（はんだ、Ａｕ−Ｓｉ
合金等）からなる接合材４で接合すると、余剰の接合材
４の金属ロウ材がダイスパット固定用リード２を這い上
がろうとするが、ダイスパット固定用リード２のダイス
パット１との接合部近傍に形成された濡れ性不良部６で
阻止され、濡れ性不良部６より先への接合材４の流れが
防止される。
１に半導体ダイス５を金属ロウ材（はんだ、Ａｕ−Ｓｉ
合金等）からなる接合材４で接合すると、余剰の接合材
４の金属ロウ材がダイスパット固定用リード２を這い上
がろうとするが、ダイスパット固定用リード２のダイス
パット１との接合部近傍に形成された濡れ性不良部６で
阻止され、濡れ性不良部６より先への接合材４の流れが
防止される。
【００１０】なお、上記実施例においては、濡れ性不良
部４をレーザ光の照射による局部加熱によって形成した
ものについて述べたが、これに限らず例えば局部放電ス
パークや水素炎マイクロトーチ等による高温炎による局
部加熱によって形成しても良く、同様の作用効果が得ら
れる。
部４をレーザ光の照射による局部加熱によって形成した
ものについて述べたが、これに限らず例えば局部放電ス
パークや水素炎マイクロトーチ等による高温炎による局
部加熱によって形成しても良く、同様の作用効果が得ら
れる。
【００１１】また以上の実施例においては、局部加熱に
よってダイスパット固定用リード２のダイスパット１と
の接合部近傍に濡れ性不良部６を形成したものについて
述べたが、これに限らず例えば図３および図３のＩＶ−
ＩＶ断面図である図４に示されるようにダイスパット固
定用リード２のダイスパット１との接合部近傍にディス
ペンサ法等によってエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂
等の樹脂材を塗布し、この樹脂材による濡れ性不良部６
を形成しても良く、この場合接合材４が金属ロウ材（は
んだ、Ａｕ−Ｓｉ合金等）又はエポキシ系樹脂、ポリイ
ミド樹脂等のダイボンド用接着剤ペースト等の何れてあ
っでも、その這い上がりが阻止され、樹脂材による濡れ
性不良部６より先への接合材４の流れが防止される。
よってダイスパット固定用リード２のダイスパット１と
の接合部近傍に濡れ性不良部６を形成したものについて
述べたが、これに限らず例えば図３および図３のＩＶ−
ＩＶ断面図である図４に示されるようにダイスパット固
定用リード２のダイスパット１との接合部近傍にディス
ペンサ法等によってエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂
等の樹脂材を塗布し、この樹脂材による濡れ性不良部６
を形成しても良く、この場合接合材４が金属ロウ材（は
んだ、Ａｕ−Ｓｉ合金等）又はエポキシ系樹脂、ポリイ
ミド樹脂等のダイボンド用接着剤ペースト等の何れてあ
っでも、その這い上がりが阻止され、樹脂材による濡れ
性不良部６より先への接合材４の流れが防止される。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ダイ
スパット固定用リードのダイスパットとの接合部近傍に
接合材に対する濡れ性不良部を形成したので、ダイスパ
ット固定用リードの機械的強度を損うことなく接合材の
這い上がりが防止され、上記濡れ性不良部での切断や曲
がりなく、精度の高いダイスパットの沈め加工が行なえ
る等の効果がある。
スパット固定用リードのダイスパットとの接合部近傍に
接合材に対する濡れ性不良部を形成したので、ダイスパ
ット固定用リードの機械的強度を損うことなく接合材の
這い上がりが防止され、上記濡れ性不良部での切断や曲
がりなく、精度の高いダイスパットの沈め加工が行なえ
る等の効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置用リード
フレームの斜視図である。
フレームの斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】この発明の他の実施例を示す斜視図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ断面図である。
【図５】従来の半導体装置用リードフレームの斜視図で
ある。
ある。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ断面図である。
１ ダイスパット
２ ダイスパット固定用リード
４ 接合材
５ 半導体ダイス
６ 濡れ性不良部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ダイスが接合材によって接合さ
れるダイスパットと、上記ダイスパットに一端部が接続
されたダイスパット固定用リードとを備え、上記ダイス
パット固定用リードの上記ダイスパットとの接続部近傍
に上記接合材に対する濡れ性不良部を形成したことを特
徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107274A JPH04336435A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107274A JPH04336435A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04336435A true JPH04336435A (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=14454913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3107274A Pending JPH04336435A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04336435A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014207256A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| JP2018127687A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 貴金属層付銅端子材の製造方法 |
| JP2021039993A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP3107274A patent/JPH04336435A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014207256A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| JP2018127687A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 貴金属層付銅端子材の製造方法 |
| JP2021039993A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
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