JPH04337659A - Lead frame - Google Patents

Lead frame

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JPH04337659A
JPH04337659A JP10996691A JP10996691A JPH04337659A JP H04337659 A JPH04337659 A JP H04337659A JP 10996691 A JP10996691 A JP 10996691A JP 10996691 A JP10996691 A JP 10996691A JP H04337659 A JPH04337659 A JP H04337659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
frame
die pad
coining
work
Prior art date
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Pending
Application number
JP10996691A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ken Yamamura
山村 謙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH04337659A publication Critical patent/JPH04337659A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a lead frame which enables and assembly of a semiconductor device to be facilitated by eliminating deflection in longer direction or in shorter direction due to self weight of the lead frame. CONSTITUTION:The frame is provided with a die pad 1 where a semiconductor element is jointed and an external frame 4 which retains the die pad 1 through a support arm 3 and a machining curing part 10 is formed at the above external frame 4.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は半導体素子を載置接合
して、半導体装置を組み立てるために用いられる半導体
装置用リードフレーム(以下リードフレームと称する)
に関するものである。
[Industrial Application Field] This invention relates to a lead frame for a semiconductor device (hereinafter referred to as a lead frame) used for mounting and bonding semiconductor elements to assemble a semiconductor device.
It is related to.

【0002】0002

【従来の技術】図7の従来のリードフレームの一部を示
す平面図である。リードフレームは例えばリン青銅等の
銅系合金や42アロイ等の鉄系合金の板材を用いて所望
のパターンにエッチングまたは金型でパンチングを行っ
て作られる。図において1は半導体素子(図示省略)が
載置、接合されるダイパッド、2は上記半導体素子を外
部に導出して電気的導通をとるためのリード、3はダイ
パッド1を外枠4に固定する支持腕である。5はリード
2を固定するタイバーである。
2. Description of the Related Art FIG. 7 is a plan view showing a part of the conventional lead frame shown in FIG. The lead frame is made by etching or punching a desired pattern using a plate material of a copper alloy such as phosphor bronze or an iron alloy such as 42 alloy. In the figure, 1 is a die pad on which a semiconductor element (not shown) is placed and bonded, 2 is a lead for leading out the semiconductor element to the outside for electrical continuity, and 3 is a die pad that fixes the die pad 1 to the outer frame 4. It is a supporting arm. 5 is a tie bar for fixing the lead 2.

【0003】図8は図7のリードフレーム上に半導体素
子が組み立てられた状態の一例を示すものであり、シリ
コンで作られた半導体素子6がダイパッド1上に載置さ
れて接合材(図示省略)により固着されている。半導体
素子6上に形成された電極7とリード2の間は金属細線
8がボンディングされ電気的に接続されている。
FIG. 8 shows an example of a semiconductor device assembled on the lead frame of FIG. 7, in which a semiconductor device 6 made of silicon is placed on a die pad 1 and a bonding material (not shown) ) is fixed. A thin metal wire 8 is bonded between the electrode 7 formed on the semiconductor element 6 and the lead 2 to electrically connect them.

【0004】次に動作について説明する。図7に示すリ
ードフレームのダイパッド1上に半導体素子6を接合し
、図8の状態とした後、樹脂モールドなどでタイバー5
の内側にパッケージ(図示せず)が施された後、不要に
なったタイバー5を切断除去しリード2の曲げが行なわ
れて半導体装置が製造される。ダイパッド1上に載置さ
れ接合された半導体素子6は素子上の電極7から金属細
線8、リード2を通じて外部と電気信号のやりとりをし
て動作する。
Next, the operation will be explained. After bonding the semiconductor element 6 onto the die pad 1 of the lead frame shown in FIG. 7 and bringing it into the state shown in FIG.
After a package (not shown) is placed inside the semiconductor device, the tie bars 5 that are no longer needed are cut and removed, and the leads 2 are bent to produce a semiconductor device. The semiconductor element 6 mounted and bonded on the die pad 1 operates by exchanging electric signals with the outside through an electrode 7 on the element, a thin metal wire 8, and a lead 2.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来のリードフレーム
は厚さ0.1mm〜0.25mmの銅系合金や鉄系合金
の薄い板材を用いている為に、特に薄いフレームなどで
は図9(a)のようにリードフレームの自重による長手
方向のたわみ、図9(b)のような短手方向のたわみが
生じ、ダイボンド、ワイヤボンド時にフレームが装置に
引っかかったり、ワイヤボンド後の検査の際に金属細線
が変形するなどの問題点があった。
[Problems to be Solved by the Invention] Conventional lead frames use thin plates of copper alloys or iron alloys with a thickness of 0.1 mm to 0.25 mm. ), the lead frame deflects in the longitudinal direction due to its own weight, and in the transverse direction as shown in Figure 9(b), the frame may get caught in the equipment during die bonding or wire bonding, or during inspection after wire bonding. There were problems such as deformation of the thin metal wire.

【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものでありリードフレームの自重による
長手方向、または短手方向のたわみをなくし半導体装置
の組立を容易にしたリードフレームを得ることを目的と
する。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a lead frame that eliminates deflection in the longitudinal or lateral directions due to the lead frame's own weight and facilitates the assembly of semiconductor devices. The purpose is to

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明に係るリードフ
レームは、半導体素子が接合されるダイパッドと、この
ダイパッドを支持腕を介して保持する外枠とを備え、前
記外枠には加工硬化部を形成してなるように構成したも
のである。
[Means for Solving the Problems] A lead frame according to the present invention includes a die pad to which a semiconductor element is bonded, and an outer frame that holds the die pad via support arms, and the outer frame has a work-hardened portion. It is constructed so that it forms.

【0008】[0008]

【作用】この発明における加工硬化部は、フレームの剛
性を高めフレームの長手方向あるいは短手方向のたわみ
を小さくする。
[Operation] The work-hardened portion of the present invention increases the rigidity of the frame and reduces deflection in the longitudinal or lateral direction of the frame.

【0009】[0009]

【実施例】実施例1. 図1はこの発明の一実施例によるリードフレームを示す
平面図である。図において、斜線で示された9はコイニ
ングにより形成された溝、10はこの溝9のまわりに形
成された加工硬化部である。前記溝9は、必要なパター
ンにエッチングまたは金型でパンチングを行った後、あ
るいはパンチング時に同時に図中の斜線部に示された外
枠4の長手方向、短手方向の表面あるいは裏面にコイニ
ングにより形成したものである。
[Example] Example 1. FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention. In the figure, 9 indicated by diagonal lines is a groove formed by coining, and 10 is a work-hardened portion formed around this groove 9. The grooves 9 are formed by coining on the longitudinal and lateral surfaces or back surfaces of the outer frame 4 shown in the shaded area in the figure, after etching or punching into a required pattern with a mold, or simultaneously with the punching. It was formed.

【0010】一般に金属材料をコイニング、曲げなどで
塑性変形させると多数の転位が金属材料内に導入される
。これらの転位は金属内の結晶粒界や固溶原子、析出粒
子の周囲に複数にからみあった状態となる。このような
状態の金属材料を変形しようとすると、新たな転位がこ
れらのからみあった転位に動きが妨げられる。従って一
度コイニング、曲げなどで塑性変形した金属材料は初め
よりも弾性率、弾性応力は高まる。この現象を加工硬化
という。
Generally, when a metal material is plastically deformed by coining, bending, etc., a large number of dislocations are introduced into the metal material. A plurality of these dislocations become entangled around grain boundaries, solid solution atoms, and precipitated particles in the metal. When attempting to deform a metal material in such a state, the movement of new dislocations is hindered by these entangled dislocations. Therefore, once a metal material has been plastically deformed by coining, bending, etc., its elastic modulus and elastic stress will be higher than at the beginning. This phenomenon is called work hardening.

【0011】図2にコイニングにより加工硬化を生じさ
せたリードフレームの外枠4の断面を示す。図において
9はコイニングにより形成された溝であり、この溝9の
周囲には加工硬化部10が形成されている。この加工硬
化領域は先に述べた様にコイニングを行っていない領域
に比べ弾性率は高くなっており、外枠4全体でもコイニ
ングを行わない場合より弾性率は高くなる。
FIG. 2 shows a cross section of the outer frame 4 of the lead frame which has been work hardened by coining. In the figure, 9 is a groove formed by coining, and a work-hardened portion 10 is formed around this groove 9. As described above, this work-hardened region has a higher elastic modulus than the region where coining is not performed, and the elastic modulus of the entire outer frame 4 is also higher than when coining is not performed.

【0012】図3に金属材料の板材11の一端を固定し
たものを示す。図3(a)はコイニングをしていないも
の、図3(b)はコイニングにより溝を形成したもので
ある。薄い板材で弾性率が小さければ図3(a)のよう
に板材が自重によりたわみ先端では△Zの変位が生じる
。ところが図3(b)のようにコイニングにより溝を形
成し加工硬化領域を形成させると剛性率が高まり、図3
(a)のようにZ方向にたわむことがなくなる。
FIG. 3 shows a metal plate 11 with one end fixed. FIG. 3(a) shows the one without coining, and FIG. 3(b) shows the one with grooves formed by coining. If the plate material is thin and has a small elastic modulus, the plate material bends due to its own weight and a displacement of ΔZ occurs at the tip, as shown in FIG. 3(a). However, when a groove is formed by coining to form a work hardening region as shown in Fig. 3(b), the rigidity increases and
There is no bending in the Z direction as shown in (a).

【0013】以上のように、本実施例によれば図1に示
すようにリードフレームの外枠4の長手方向と短手方向
にコイニングによる溝9を設けたことにより加工硬化部
10を形成しているため、リードフレームの長手方向と
短手方向双方のリードフレームの自重によるたわみをな
くすことができる。従ってダイボンド、ワイヤボンドの
際装置にひっかかることやワイヤボンド後に金属細線が
変形することがなくなるなどの効果が得られる。
As described above, according to this embodiment, the work-hardened portion 10 is formed by providing grooves 9 by coining in the longitudinal and lateral directions of the outer frame 4 of the lead frame, as shown in FIG. Therefore, deflection due to the lead frame's own weight in both the longitudinal and lateral directions of the lead frame can be eliminated. Therefore, effects such as preventing the thin metal wire from getting caught in the equipment during die bonding or wire bonding and from deforming the thin metal wire after wire bonding can be obtained.

【0014】実施例2. 外枠の一部を裏側に折り曲げた後にコイニングをする実
施例について説明する図4の斜線部は外枠4の折り曲げ
部12を示しておりフレームの裏側に曲げられる。折り
曲げた部分の拡大を図5(a)に示す。この状態では折
り曲げた部分に空間13が生じるために、フレーム全体
の厚さtがばらつきやすい。そこで図5(b)のように
リードフレームの表側、裏側からかしめながらコイニン
グを行い溝9を形成すると空間部13がなくなると同時
に加工硬化部10が形成され先の実施例と同様の効果が
得られる。
Example 2. The hatched area in FIG. 4, which describes an embodiment in which coining is performed after a part of the outer frame is bent to the back side, indicates the bent portion 12 of the outer frame 4, which is bent to the back side of the frame. An enlarged view of the folded portion is shown in FIG. 5(a). In this state, since a space 13 is created in the bent portion, the thickness t of the entire frame is likely to vary. Therefore, as shown in FIG. 5(b), if the groove 9 is formed by coining while caulking from the front and back sides of the lead frame, the space 13 is eliminated and at the same time the work hardened part 10 is formed, resulting in the same effect as in the previous embodiment. It will be done.

【0015】実施例3. 図6に同様の加工を外枠4とタイバー5の間に施した例
を示す。エッチング加工によりあらかじめ折り曲げ部1
2を形成しておき、後に裏側に折り曲げ、コイニングを
し溝9を形成する。(図の破線)このようにしても加工
硬化部が形成され、上記実施例と同様の効果が得られる
Example 3. FIG. 6 shows an example in which similar processing is performed between the outer frame 4 and the tie bar 5. Bent part 1 is pre-etched by etching process.
2 is formed, and then folded to the back side and coined to form a groove 9. (Dotted line in the figure) A work-hardened portion is also formed in this manner, and the same effect as in the above embodiment can be obtained.

【0016】なお、上記加工硬化部10は必ずしも外枠
4の全体に設けなくても差し支えない。また、リードフ
レームの裏表の少なくとも一方に形成すればよく、さら
に、形成方法はコイニングのみに限定されるものではな
い。
Note that the work-hardened portion 10 does not necessarily have to be provided on the entire outer frame 4. In addition, it is sufficient to form it on at least one of the front and back sides of the lead frame, and the formation method is not limited to coining only.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上のように、この発明によればリード
フレームの外枠に加工硬化部を形成するように構成した
ので、リードフレームの自重による長手方向、または短
手方向のたわみをなくし半導体装置の組立を容易にした
リードフレームを得ることができる効果がある。
As described above, according to the present invention, a work-hardened portion is formed in the outer frame of the lead frame, so that the deflection in the longitudinal direction or the lateral direction due to the lead frame's own weight is eliminated, and the semiconductor This has the effect of making it possible to obtain a lead frame that facilitates assembly of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】この発明の一実施例によるリードフレームを示
す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す実施例の加工硬化部を説明する外枠
の断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of an outer frame illustrating a work-hardened portion of the embodiment shown in FIG. 1;

【図3】金属材料のたわみを説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating the deflection of a metal material.

【図4】この発明の他の実施例によるリードフレームを
示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a lead frame according to another embodiment of the present invention.

【図5】図4の折り曲げ部の拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of the folded portion of FIG. 4;

【図6】この発明のさらに他の実施例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing still another embodiment of the invention.

【図7】従来のリードフレームを示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a conventional lead frame.

【図8】図7のリードフレーム上に半導体素子を組立て
た状態を示す平面図である。
8 is a plan view showing a semiconductor element assembled on the lead frame of FIG. 7; FIG.

【図9】リードフレームのたわみを説明する模式図であ
る。
FIG. 9 is a schematic diagram illustrating deflection of a lead frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    ダイパッド 3    支持腕 4    外枠 10    加工硬化部 1 Die pad 3 Support arm 4 Outer frame 10    Work hardening part

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  半導体素子が接合されるダイパッドと
、このダイパッドを支持腕を介して保持する外枠とを備
え、前記外枠には加工硬化部を形成してなることを特徴
とするリードフレーム。
1. A lead frame comprising a die pad to which a semiconductor element is bonded, and an outer frame that holds the die pad via support arms, the outer frame having a work-hardened portion formed therein. .
JP10996691A 1991-05-15 1991-05-15 Lead frame Pending JPH04337659A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012204774A (en) * 2011-03-28 2012-10-22 Shinko Electric Ind Co Ltd Lead frame
JP2014138170A (en) * 2013-01-18 2014-07-28 Sh Materials Co Ltd Semiconductor device mounting substrate and manufacturing method thereof

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