JPH04337659A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH04337659A JPH04337659A JP10996691A JP10996691A JPH04337659A JP H04337659 A JPH04337659 A JP H04337659A JP 10996691 A JP10996691 A JP 10996691A JP 10996691 A JP10996691 A JP 10996691A JP H04337659 A JPH04337659 A JP H04337659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- frame
- die pad
- coining
- work
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体素子を載置接合
して、半導体装置を組み立てるために用いられる半導体
装置用リードフレーム（以下リードフレームと称する）
に関するものである。
して、半導体装置を組み立てるために用いられる半導体
装置用リードフレーム（以下リードフレームと称する）
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７の従来のリードフレームの一部を示
す平面図である。リードフレームは例えばリン青銅等の
銅系合金や４２アロイ等の鉄系合金の板材を用いて所望
のパターンにエッチングまたは金型でパンチングを行っ
て作られる。図において１は半導体素子（図示省略）が
載置、接合されるダイパッド、２は上記半導体素子を外
部に導出して電気的導通をとるためのリード、３はダイ
パッド１を外枠４に固定する支持腕である。５はリード
２を固定するタイバーである。
す平面図である。リードフレームは例えばリン青銅等の
銅系合金や４２アロイ等の鉄系合金の板材を用いて所望
のパターンにエッチングまたは金型でパンチングを行っ
て作られる。図において１は半導体素子（図示省略）が
載置、接合されるダイパッド、２は上記半導体素子を外
部に導出して電気的導通をとるためのリード、３はダイ
パッド１を外枠４に固定する支持腕である。５はリード
２を固定するタイバーである。
【０００３】図８は図７のリードフレーム上に半導体素
子が組み立てられた状態の一例を示すものであり、シリ
コンで作られた半導体素子６がダイパッド１上に載置さ
れて接合材（図示省略）により固着されている。半導体
素子６上に形成された電極７とリード２の間は金属細線
８がボンディングされ電気的に接続されている。
子が組み立てられた状態の一例を示すものであり、シリ
コンで作られた半導体素子６がダイパッド１上に載置さ
れて接合材（図示省略）により固着されている。半導体
素子６上に形成された電極７とリード２の間は金属細線
８がボンディングされ電気的に接続されている。
【０００４】次に動作について説明する。図７に示すリ
ードフレームのダイパッド１上に半導体素子６を接合し
、図８の状態とした後、樹脂モールドなどでタイバー５
の内側にパッケージ（図示せず）が施された後、不要に
なったタイバー５を切断除去しリード２の曲げが行なわ
れて半導体装置が製造される。ダイパッド１上に載置さ
れ接合された半導体素子６は素子上の電極７から金属細
線８、リード２を通じて外部と電気信号のやりとりをし
て動作する。
ードフレームのダイパッド１上に半導体素子６を接合し
、図８の状態とした後、樹脂モールドなどでタイバー５
の内側にパッケージ（図示せず）が施された後、不要に
なったタイバー５を切断除去しリード２の曲げが行なわ
れて半導体装置が製造される。ダイパッド１上に載置さ
れ接合された半導体素子６は素子上の電極７から金属細
線８、リード２を通じて外部と電気信号のやりとりをし
て動作する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のリードフレーム
は厚さ０．１ｍｍ〜０．２５ｍｍの銅系合金や鉄系合金
の薄い板材を用いている為に、特に薄いフレームなどで
は図９（ａ）のようにリードフレームの自重による長手
方向のたわみ、図９（ｂ）のような短手方向のたわみが
生じ、ダイボンド、ワイヤボンド時にフレームが装置に
引っかかったり、ワイヤボンド後の検査の際に金属細線
が変形するなどの問題点があった。
は厚さ０．１ｍｍ〜０．２５ｍｍの銅系合金や鉄系合金
の薄い板材を用いている為に、特に薄いフレームなどで
は図９（ａ）のようにリードフレームの自重による長手
方向のたわみ、図９（ｂ）のような短手方向のたわみが
生じ、ダイボンド、ワイヤボンド時にフレームが装置に
引っかかったり、ワイヤボンド後の検査の際に金属細線
が変形するなどの問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものでありリードフレームの自重による
長手方向、または短手方向のたわみをなくし半導体装置
の組立を容易にしたリードフレームを得ることを目的と
する。
ためになされたものでありリードフレームの自重による
長手方向、または短手方向のたわみをなくし半導体装置
の組立を容易にしたリードフレームを得ることを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るリードフ
レームは、半導体素子が接合されるダイパッドと、この
ダイパッドを支持腕を介して保持する外枠とを備え、前
記外枠には加工硬化部を形成してなるように構成したも
のである。
レームは、半導体素子が接合されるダイパッドと、この
ダイパッドを支持腕を介して保持する外枠とを備え、前
記外枠には加工硬化部を形成してなるように構成したも
のである。
【０００８】
【作用】この発明における加工硬化部は、フレームの剛
性を高めフレームの長手方向あるいは短手方向のたわみ
を小さくする。
性を高めフレームの長手方向あるいは短手方向のたわみ
を小さくする。
【０００９】
【実施例】実施例１．
図１はこの発明の一実施例によるリードフレームを示す
平面図である。図において、斜線で示された９はコイニ
ングにより形成された溝、１０はこの溝９のまわりに形
成された加工硬化部である。前記溝９は、必要なパター
ンにエッチングまたは金型でパンチングを行った後、あ
るいはパンチング時に同時に図中の斜線部に示された外
枠４の長手方向、短手方向の表面あるいは裏面にコイニ
ングにより形成したものである。
平面図である。図において、斜線で示された９はコイニ
ングにより形成された溝、１０はこの溝９のまわりに形
成された加工硬化部である。前記溝９は、必要なパター
ンにエッチングまたは金型でパンチングを行った後、あ
るいはパンチング時に同時に図中の斜線部に示された外
枠４の長手方向、短手方向の表面あるいは裏面にコイニ
ングにより形成したものである。
【００１０】一般に金属材料をコイニング、曲げなどで
塑性変形させると多数の転位が金属材料内に導入される
。これらの転位は金属内の結晶粒界や固溶原子、析出粒
子の周囲に複数にからみあった状態となる。このような
状態の金属材料を変形しようとすると、新たな転位がこ
れらのからみあった転位に動きが妨げられる。従って一
度コイニング、曲げなどで塑性変形した金属材料は初め
よりも弾性率、弾性応力は高まる。この現象を加工硬化
という。
塑性変形させると多数の転位が金属材料内に導入される
。これらの転位は金属内の結晶粒界や固溶原子、析出粒
子の周囲に複数にからみあった状態となる。このような
状態の金属材料を変形しようとすると、新たな転位がこ
れらのからみあった転位に動きが妨げられる。従って一
度コイニング、曲げなどで塑性変形した金属材料は初め
よりも弾性率、弾性応力は高まる。この現象を加工硬化
という。
【００１１】図２にコイニングにより加工硬化を生じさ
せたリードフレームの外枠４の断面を示す。図において
９はコイニングにより形成された溝であり、この溝９の
周囲には加工硬化部１０が形成されている。この加工硬
化領域は先に述べた様にコイニングを行っていない領域
に比べ弾性率は高くなっており、外枠４全体でもコイニ
ングを行わない場合より弾性率は高くなる。
せたリードフレームの外枠４の断面を示す。図において
９はコイニングにより形成された溝であり、この溝９の
周囲には加工硬化部１０が形成されている。この加工硬
化領域は先に述べた様にコイニングを行っていない領域
に比べ弾性率は高くなっており、外枠４全体でもコイニ
ングを行わない場合より弾性率は高くなる。
【００１２】図３に金属材料の板材１１の一端を固定し
たものを示す。図３（ａ）はコイニングをしていないも
の、図３（ｂ）はコイニングにより溝を形成したもので
ある。薄い板材で弾性率が小さければ図３（ａ）のよう
に板材が自重によりたわみ先端では△Ｚの変位が生じる
。ところが図３（ｂ）のようにコイニングにより溝を形
成し加工硬化領域を形成させると剛性率が高まり、図３
（ａ）のようにＺ方向にたわむことがなくなる。
たものを示す。図３（ａ）はコイニングをしていないも
の、図３（ｂ）はコイニングにより溝を形成したもので
ある。薄い板材で弾性率が小さければ図３（ａ）のよう
に板材が自重によりたわみ先端では△Ｚの変位が生じる
。ところが図３（ｂ）のようにコイニングにより溝を形
成し加工硬化領域を形成させると剛性率が高まり、図３
（ａ）のようにＺ方向にたわむことがなくなる。
【００１３】以上のように、本実施例によれば図１に示
すようにリードフレームの外枠４の長手方向と短手方向
にコイニングによる溝９を設けたことにより加工硬化部
１０を形成しているため、リードフレームの長手方向と
短手方向双方のリードフレームの自重によるたわみをな
くすことができる。従ってダイボンド、ワイヤボンドの
際装置にひっかかることやワイヤボンド後に金属細線が
変形することがなくなるなどの効果が得られる。
すようにリードフレームの外枠４の長手方向と短手方向
にコイニングによる溝９を設けたことにより加工硬化部
１０を形成しているため、リードフレームの長手方向と
短手方向双方のリードフレームの自重によるたわみをな
くすことができる。従ってダイボンド、ワイヤボンドの
際装置にひっかかることやワイヤボンド後に金属細線が
変形することがなくなるなどの効果が得られる。
【００１４】実施例２．
外枠の一部を裏側に折り曲げた後にコイニングをする実
施例について説明する図４の斜線部は外枠４の折り曲げ
部１２を示しておりフレームの裏側に曲げられる。折り
曲げた部分の拡大を図５（ａ）に示す。この状態では折
り曲げた部分に空間１３が生じるために、フレーム全体
の厚さｔがばらつきやすい。そこで図５（ｂ）のように
リードフレームの表側、裏側からかしめながらコイニン
グを行い溝９を形成すると空間部１３がなくなると同時
に加工硬化部１０が形成され先の実施例と同様の効果が
得られる。
施例について説明する図４の斜線部は外枠４の折り曲げ
部１２を示しておりフレームの裏側に曲げられる。折り
曲げた部分の拡大を図５（ａ）に示す。この状態では折
り曲げた部分に空間１３が生じるために、フレーム全体
の厚さｔがばらつきやすい。そこで図５（ｂ）のように
リードフレームの表側、裏側からかしめながらコイニン
グを行い溝９を形成すると空間部１３がなくなると同時
に加工硬化部１０が形成され先の実施例と同様の効果が
得られる。
【００１５】実施例３．
図６に同様の加工を外枠４とタイバー５の間に施した例
を示す。エッチング加工によりあらかじめ折り曲げ部１
２を形成しておき、後に裏側に折り曲げ、コイニングを
し溝９を形成する。（図の破線）このようにしても加工
硬化部が形成され、上記実施例と同様の効果が得られる
。
を示す。エッチング加工によりあらかじめ折り曲げ部１
２を形成しておき、後に裏側に折り曲げ、コイニングを
し溝９を形成する。（図の破線）このようにしても加工
硬化部が形成され、上記実施例と同様の効果が得られる
。
【００１６】なお、上記加工硬化部１０は必ずしも外枠
４の全体に設けなくても差し支えない。また、リードフ
レームの裏表の少なくとも一方に形成すればよく、さら
に、形成方法はコイニングのみに限定されるものではな
い。
４の全体に設けなくても差し支えない。また、リードフ
レームの裏表の少なくとも一方に形成すればよく、さら
に、形成方法はコイニングのみに限定されるものではな
い。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によればリード
フレームの外枠に加工硬化部を形成するように構成した
ので、リードフレームの自重による長手方向、または短
手方向のたわみをなくし半導体装置の組立を容易にした
リードフレームを得ることができる効果がある。
フレームの外枠に加工硬化部を形成するように構成した
ので、リードフレームの自重による長手方向、または短
手方向のたわみをなくし半導体装置の組立を容易にした
リードフレームを得ることができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例によるリードフレームを示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１に示す実施例の加工硬化部を説明する外枠
の断面図である。
の断面図である。
【図３】金属材料のたわみを説明する図である。
【図４】この発明の他の実施例によるリードフレームを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】図４の折り曲げ部の拡大図である。
【図６】この発明のさらに他の実施例を示す図である。
【図７】従来のリードフレームを示す平面図である。
【図８】図７のリードフレーム上に半導体素子を組立て
た状態を示す平面図である。
た状態を示す平面図である。
【図９】リードフレームのたわみを説明する模式図であ
る。
る。
１ ダイパッド
３ 支持腕
４ 外枠
１０ 加工硬化部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子が接合されるダイパッドと
、このダイパッドを支持腕を介して保持する外枠とを備
え、前記外枠には加工硬化部を形成してなることを特徴
とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10996691A JPH04337659A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10996691A JPH04337659A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337659A true JPH04337659A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14523671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10996691A Pending JPH04337659A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04337659A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012204774A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム |
| JP2014138170A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Sh Materials Co Ltd | 半導体素子搭載用基板及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP10996691A patent/JPH04337659A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012204774A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム |
| US8558358B2 (en) | 2011-03-28 | 2013-10-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame |
| JP2014138170A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Sh Materials Co Ltd | 半導体素子搭載用基板及びその製造方法 |
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