JPH04338656A - チップキャリアおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体チップをリードフレームや回路基板などに接続する際
に用いられるチップキャリアに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】高集積化された半導体チップを、例えば
リードフレームや回路基板等の接続端子に接続する際に
、例えばテープ状またはバッチタイプのフィルムチップ
キャリアが利用されている。

【０００３】これらのチップキャリアは、半導体チップ
を支持する機能とともに、半導体チップの接続用パッド
部から外部回路等への接続リード端子を引き出す機能を
もつが、最近ではこの他にチップキャリア自体に信号処
理回路の回路基板としての機能をもたせることが一般的
になってきている。しかし、この様にチップキャリアの
機能が高くなれば、ここに形成される配線パターンが密
になることが避けられない。

【０００４】また、この種のチップキャリアは、例えば
液晶ディスプレイデバイスとそのため回路基板との接続
の場合のように、組込むべき対象相互間の配置関係によ
り、チップキャリアの金属配線部分を屈曲させて接続し
なければならないことが多々あり、したがってチップキ
ャリアのベースフィルムとその上の金属配線に、容易に
屈曲できる程度に低い曲げ剛性をもたせることがしばし
ば望まれる。

【０００５】この改善として本発明者は屈曲予定部の可
撓性フィルム部材の肉厚を薄くしたチップキャリアを先
に提案し、いわゆる２層構造のチップキャリアを前提と
した製造方法を示した。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、２層構造のチ
ップキャリアを作成する為には、可撓性フィルム部材上
に金属箔層を金属スパッタ等の方法で形成しなければな
らないので、金属箔を接着剤を用いて可撓性フィルム部
材上に形成したいわゆる３層構造のチップキャリアに比
べ、ベース部材となるべき２層構造を構築するための精
密な工程が必要となり、それに要する費用からチップキ
ャリア自体が高価になる難点があった。

【０００７】さらに、前記屈曲予定部において可撓性フ
ィルム部材の肉厚を薄くするため、可撓性フィルム部材
をエッチング等で削らなければならない等、新たな作業
工程が必要とされると共に、これらの付加工程により製
作費用面で高価になる恨みがあった。そこで本発明は、
屈曲しやすい性質を有すると共に、製作費用面で安価な
るチップキャリアおよびその製造方法を提案することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的達成のため本願
請求項１記載の発明に係るチップキャリアでは、電気絶
縁性の可撓性フィルム部材と、この可撓性フィルム部材
の表面に接着剤層を介して形成された複数組の金属配線
とからなり、前記可撓性フィルム部材が、それに搭載す
べき半導体チップの配置予定部と金属配線と重なる部分
の屈曲予定部とにおいて穿孔されており、前記屈曲予定
部の穿孔部が、前記接着剤層からなる可撓性フィルム層
によって覆われていることを特徴とする。

【０００９】また、本願請求項２記載の発明は、請求項
１記載のチップキャリアの製造方法であって、前記半導
体チップの配置予定部及び前記金属配線と重なる部分の
屈曲予定部とが穿孔された可撓性フィルム部材に、一方
の面の全面に接着剤層が形成された金属箔を重ね合せて
積層体とする工程と、その後、前記屈曲予定部の穿孔に
露出した接着剤層を残して前記配置予定部の穿孔に露出
した接着剤層を除去する工程と、金属箔をエッチング処
理して金属配線を形成する工程とを有することを特徴と
する。

【００１０】一方、本願請求項３記載の発明は、同じく
請求項１記載のチップキャリアの製造方法であるが、前
記半導体チップの配置予定部及び前記金属配線と重なる
部分の屈曲予定部とが穿孔された可撓性フィルム部材に
、一方の面の前記配置予定部分を除く全面に接着剤層が
形成された金属箔を重ね合せて積層体とする工程と、そ
の後、金属箔をエッチング処理して金属配線を形成する
工程とを有することを特徴とするものである。

【００１１】

【作用】本発明は上記のように構成されているため、以
下の作用を奏する。まず、本発明に係るチップキャリア
は、可撓性フィルム部材と金属箔とを接着剤を介して積
層させたいわゆる３層構造のベース部材から作成されて
いるため、ベース部材の作製が極めて容易である。ここ
で、チップキャリア自体に屈曲性を持たせるためには、
金属配線と重なる部分の屈曲予定部の可撓性フィルムの
厚みを、その他の部分の可撓性フィルムより薄く形成す
る必要がある。

【００１２】本発明では、金属配線と重なる部分の屈曲
予定部が穿孔された可撓性フィルム部材と、乾燥した状
態で可撓性フィルムとなるような材質の接着剤とを用い
てベース部材となる可撓性フィルムを構成しており、前
記屈曲予定部においてはこの接着剤層からなる可撓性フ
ィルム層のみで可撓性フィルムを構成させることで、前
記屈曲予定部の薄膜化を図っている。即ち、金属配線と
重なる部分の屈曲予定部の薄膜部に接着剤層を転用して
いるため、製造工程が大幅に省略され、作製費用は極め
て安価になる。

【００１３】次に、請求項２記載の発明によれば、本発
明に係るチップキャリアが以下の方法で製造される。ま
ず、いわゆる３層構造のベース部材の作製に当り、半導
体チップの配置予定部及び前記金属配線と重なる部分の
屈曲予定部とが穿孔された可撓性フィルム部材を準備す
る。そして、金属箔の一方の面の全面に接着剤層を形成
し、この可撓性フィルム部材と金属箔とを重ね合せて積
層体とする。ここで、前述したように接着剤層は乾燥し
た場合に（若しくは、張り合せて糊着又は硬化した状態
で）可撓性フィルムを構成するような材質のものを用い
、金属箔表面に塗布等の手段で形成する。

【００１４】このようにしてベース部材を形成した後、
前記金属配線と重なる部分の屈曲予定部の穿孔に露出し
た接着剤層を残して前記半導体チップの配置予定部の穿
孔に露出した接着剤層を除去する工程と、金属箔をエッ
チング処理して金属配線を形成する工程とを行う。なお
、これらの工程はいずれを先に行っても良い。

【００１５】ここで、金属配線と重なる部分の屈曲予定
部の穿孔に露出した接着剤層を残して半導体チップの配
置予定部の穿孔に露出した接着剤層を除去する手段とし
ては、前記屈曲予定部の穿孔を覆い、かつ半導体チップ
の配置予定部の穿孔が露出する様にレジストを形成して
マスクを施し、この状態で接着剤層を除去するエッチン
グ等を行えば良い。この際に、可撓性フィルム部材の材
質として、接着剤層のエッチング液に侵されない材質を
選択する事により、レジストの塗布面が可撓性フィルム
面の金属配線と重なる部分の屈曲予定部及びその近傍だ
けで済むので、レジストの塗布量も少なくでき、その製
造が一層容易かつ安価に行える。

【００１６】また、金属箔をエッチング処理して金属配
線を形成する手段は、一般のリソグラフィ手段等による
。ここで、半導体チップの配置予定部はチップキャリア
を形成した場合のデバイス孔となる部分であり、このデ
バイス孔上の金属配線をインナーリードとしてオーバー
ハング状に形成することが好ましい。

【００１７】一方、請求項３記載の発明では、ベース部
材を作製する際に、金属箔表面の前記半導体チップの配
置予定部分を除いた全面に接着剤層を形成し、この金属
箔と前記同様な可撓性フィルム部材とを重ね合せて積層
体とする。即ち、可撓性フィルム部材は半導体チップの
配置予定部及び金属配線と重なる部分の屈曲予定部が穿
孔されているため、ベース部材のこれらの開口部に対し
前記配置予定部は金属箔面が露出しているが、前記屈曲
予定部は接着剤層で覆われているものとなる。従って、
本発明によれば接着剤層からなる可撓性フィルムを除去
する工程は不要となるが、ベース部材の作製に当り、金
属箔の前記配置予定部を除いて接着剤層を形成する工程
が必要となる。

【００１８】以上の製造方法をより具体的に説明すると
以下の通りである。まず、ベース部材の作製であるが、
金属箔として９〜１２５μｍ厚の銅箔を用い、可撓性フ
ィルム部材との接着剤として、ポリイミドワニス（好ま
しくはピロメリット酸を主成分の１つとするもの）、ポ
リアミドイミドワニス、もしくはポリアミドとエポキシ
樹脂を主成分とする混和物等を選択し、同箔の一方の面
に塗布して乾燥させる。

【００１９】次に、可撓性フィルム部材として５０〜１
２５μｍ厚のポリエチレンテレフタレート、ポリイミド
、ガラスエポキシ樹脂複合材料等のフィルム部材を用い
、連続プレス穿孔機にて屈曲予定部分とＩＣチップ搭載
用のデバイス孔となる配置予定部とを所望の形状に打ち
抜き加工する。この時、フィルム搬送用のスプロケット
孔も同時に打ち抜き加工できる。

【００２０】この打ち抜き加工された可撓性フィルム部
材に先の接着剤塗布銅箔を加熱加圧下で張り合わせ、更
にこれを加熱して接着剤を硬化させる。そして、この銅
箔と、接着剤層と可撓性フィルム部材との複合フィルム
とからなる３層構造のベース部材の銅箔面にフォトリソ
グラフィにて配線パターンを形成する。

【００２１】さらに、パターンが形成された銅箔面の全
面及び可撓性フィルム面のデバイス孔領域（半導体チッ
プの配置予定部）を除く全面にレジストを好ましくは５
〜２５μｍ厚に塗布して、半導体チップの配置予定部の
接着剤層を除去するためのエッチング液から金属配線と
重なる部分の屈曲予定部分の接着剤層及び可撓性フィル
ム部材を防御する。

【００２２】この時、可撓性フィルム部材がエッチング
液に侵されないときは、レジストの塗布面は可撓性フィ
ルム面の屈曲予定部分及びその近傍だけで良い。この様
な可撓性フィルム部材としては、酸成分として

【００２
３】

【化１】

【００２４】が主体であるポリイミド（例えば、宇部興
産社製の商品名『ユーピレックスＳ』）が良好である。

【００２５】この時、金属配線と重なる部分の屈曲予定
部近傍への局部的なレジスト塗布を行うには、スクリー
ン印刷、グラビア印刷、凸版印刷、凹半印刷等の印刷塗
布法、もしくは感光性レジストを用いてリソグラフィ法
にて形成することが出来る。この印刷用レジストとして
は、イソプレンゴム，天然コム，エチレンプロピレンコ
ム等の非極性樹脂を炭化水素系溶剤に溶解させたもの等
が、また感光性レジストとしては、環化イソプレンゴム
，環化天然ゴム等の耐アルカリ製レジストが用いられる
。

【００２６】次に、例えば５規定の苛性カリのエタノー
ル水（１：１重量比率）液をエッチング液として、５０
℃で１時間浸漬させて接着剤層を溶解して除去する。こ
の時、半導体チップの配置予定部上に金属配線の先端部
（インナーリード部）が配されている場合には、このイ
ンナーリード部がデバイス孔上にオーバーハング状に形
成されることとなる。この後、必要に応じて金属配線上
に金，錫等の表面メッキ、電気絶縁性膜のオーバーレイ
等を施す。

【００２７】また、逆に可撓性フィルム面をエッチング
した後、銅箔面をエッチングする事もできる。この場合
、銅箔面のエッチングの時に、半導体チップの配置予定
部の銅箔が裏面である可撓性フィルム面側よりエッチン
グされる事を防止するため、前記配置予定部の銅箔側の
裏面にレジストを塗布する必要がある。

【００２８】これは、請求項３記載の発明に係る製造方
法において金属配線部を形成する際にも同様である。こ
こで、請求項３記載の発明に係る製造方法でのベース部
材の作製であるが、金属箔として９〜１２５μｍの銅箔
を用いるのは前記と同様である。

【００２９】そして、可撓性フィルム部材との接着剤と
しての材質も同様であるが、銅箔面上に形成する際には
、スクリーン印刷，グラビア印刷，凸版印刷，凹版印刷
等の印刷塗布法により、半導体チップの配置予定部を除
き銅箔面の上に５〜２０μｍ厚にて塗布し乾燥させる。

【００３０】この接着剤層は、フォトリソグラフィを用
いて、感光性ポリイミド，感光性ポリウレタン，変性エ
ポキシ系フォトレジスト等の感光性樹脂を塗布した金属
箔を用意し、これらを半導体チップの配置予定部を除い
て露光，現像，乾燥処理することで形成しても良い。

【００３１】そして、ポリイミドワニス（好ましくはピ
ロメリット酸を主成分の１つとするもの）、ポリアミド
イミドワニス、もしくはポリアミドとエポキシ樹脂を主
成分とする混和物等を選択し、銅箔の一方の面に塗布し
て乾燥させる。

【００３２】このようにして銅箔に接着剤層を形成した
後、前記発明同様に可撓性フィルム部材と張り合せ、前
述した方法で金属配線を形成すれば良い。以下、実施例
を通じ本発明を更に詳しく説明する。

【００３３】

【実施例】本発明の一実施例を図面を参照して説明する
。図１及び図２に示すチップキャリアは、以下の方法で
作製された。まず、２６ｍｍ幅で３５μｍ厚の電解銅箔
を用意し、その粗面側の全面に、ポリイミド（ヘンケル
白水社製『マクロメルト６９００』）１００重量部、エ
ポキシ樹脂（シェル社製『エピコート８３４』）５０重
量部、溶剤（イソプロパノール／トルエン＝５０／５０
混合液）３００重量部より成る接着剤用塗料を塗布し、
１６０℃で３分間加熱乾燥して膜厚２０μｍの接着剤層
を得た。

【００３４】次に、５０μｍ厚で３５ｍｍ幅のポリイミ
ドフィルム２（宇部興産社製『ユーピレックスＳ』）を
用意し、そのデバイス孔１となる配置予定部と金属配線
と重なる部分の屈曲予定部６とを連続プレス穿孔機によ
り対応する形状に打ち抜き加工する。この時、フィルム
搬送用のスプロケット孔７も同時に打ち抜き加工を行う
。

【００３５】この打ち抜き加工されたポリイミドフィル
ム２に、上記の接着剤が塗布された銅箔を、ラミネータ
ー加工機により１３０℃にて貼り合わせた。その後、前
記接着剤層を６０℃で５時間，８０℃で５時間，１２０
℃で２時間，１５０℃で５時間，加熱硬化させて、該接
着剤層を可撓性フィルム層８としてベース部材を作製し
た。

【００３６】そして、銅箔側フォトレジスト（東京応化
工業社製『ＰＭＥＲ　　Ｐ−Ｒ３０Ｓ』）を塗布して乾
燥させ、所定の金属配線パターンを露光した後、アルカ
リ系現像液（東京応化工業社製ＰＭＥＲ現像液『Ｐ−１
Ｓ』）により現像し、更に塩化第二鉄水溶液にて銅箔を
エッチングして金属配線３を形成する。その後、アルカ
リ系剥離液（東京応化工業社製ＰＭＥＲ剥離液『ＰＳ』
）にてレジストを剥離した。

【００３７】次に、環化イソプレンゴム系フォトレジス
ト（日本ゼオン社製『ＺＰＮ１００』）を、ポリイミド
フィルム側より５μｍ厚でベース部材の全面に塗布して
乾燥させた。その後、ベース部材の裏面側から屈曲予定
部６の１．５ｍｍ幅外周で囲まれた領域を露光するため
に、高圧水銀灯露光機にて１００ｍｊ／ｃｍ２　の光を
照射後、有機溶剤系現像液（日本ゼオン社製『ＺＰＮ１
００』）により現像を行った。

【００３８】その後、５規定の苛性カリのエタノール水
（１：１重量比率）液に５０℃で１時間浸漬させ、半導
体チップの配置予定部の接着剤層をエッチングで除去し
てデバイス孔１を形成し、デバイス孔１上の金属配線３
の先端部をインナーリード４としてオーバーハング状に
形成させた。そして、これをトルエンに浸漬してレジス
トを剥離し、前記屈曲予定部には接着剤層からなる可撓
性フィルム層を残存させ、その後、金属配線３上に無電
解錫メッキを０．６μｍ施した。

【００３９】この様に、前記屈曲予定部には接着剤層の
みの可撓性フィルム層が２０μｍ厚で構成され、周囲の
ポリイミドフィルム部材（ポリイミドフィルム５０μｍ
と接着剤フィルム層２０μｍとの合計）の７０μｍ厚と
比較し、肉薄となる可撓性フィルム部（薄肉部６ａ）が
形成される。即ち、図２に示すように、金属配線と重な
る部分の屈曲予定部に薄肉部６ａを有するテープキャリ
アが得られた。

【００４０】このようにして作製したテープキャリアに
ついて、デバイス孔１に半導体チップ１１を配置して金
属配線３ａのインナーリード部４ａ，４ｂと半導体チッ
プ１１の端子部とをボンディングした後、テープキャリ
アを所定の形状に切断して、フィルムチップキャリアに
半導体チップ１１が搭載された状態の単体の半導体デバ
イスを得た。

【００４１】この単体の半導体デバイスは、図３に示す
ように、表示デバイスとして例えば液晶ディスプレイパ
ネル９と回路基板１０とのヒンジとなるようにそれらに
接続される。この場合、金属配線３ａのアウターリード
部５ａを液晶ディスプレイ９の電極基板の端子部に、金
属配線３ｂのアウターリード部５ｂを回路基板１０に夫
々接続し、チップキャリアをそのスリット状の薄肉部６
ａにおいて金属配線３ａ，３ｂと共に屈曲させることに
より、液晶ディスプレイ９と回路基板１０とを重ねるよ
うにした。

【００４２】上記のように、本実施例に係るチップキャ
リアでは、金属配線と重なる部分の屈曲予定部に薄肉部
６ａが設けられていることから容易に屈曲して折り返す
ことができ、更に数十回の曲げを繰り返しても、金属配
線３ａ，３ｂの破断等が生ずることがなく、屈曲性が非
常に良好であった。

【００４３】また、テープ両サイド長手方向に所定のピ
ッチで連接されたスプロケット孔７についても、テープ
の搬送がスプロケット孔７を用いずに行われる場合には
形成する必要がない。

【００４４】更に、本発明のチップキャリアは、図３の
ように重ねて配置された別々の外部装置間をヒンジ状に
接続する場合ばかりでなく、例えば回路基板表面の平ら
な部分に半導体チップを単に実装する場合にも用いられ
ることは言うまでもない。

【００４５】尚、前述の実施例では、本発明に係るチッ
プキャリアを用いて作成された単体の半導体デバイスを
液晶ディスプレイに接続した例を説明したが、表示デバ
イスとしてはプラズマディスプレイやエレクトロルミネ
ッセンスディスプレイなどにも適用可能であることは述
べるまでもない。

【００４６】次に、本発明に係るチップキャリアの製造
方法の他の実施例を説明する。この実施例では、上記実
施例同様の電解銅箔並びに接着剤を用意するが、接着剤
層を塗布する際に、スクリーン印刷法を用いて半導体チ
ップの配置予定部を除いた全面に２０μｍ厚で接着剤層
を形成する。

【００４７】また、他の実施例として、電解銅箔の粗面
側にエポキシアクリレート系レジスト（太陽インキ『Ｐ
ＥＲ−１０』）を塗布して乾燥させ、半導体チップの配
置予定部を除き高圧水銀橙光を３００ｍＪ／ｃｍ２　で
露光し、１，１，１，トリクロロエタンで現像して、２
０μｍ厚の接着剤層を形成したものを用いても良い。

【００４８】そして、これらを用いてベース部材を前記
実施例同様の方法で作製する。これらの実施例では、ベ
ース部材を作製した時点で、可撓性フィルム部材の金属
配線と重なる部分の屈曲予定部は接着剤層からなる可撓
性フィイルム層で覆われており、デバイス孔１となる半
導体チップの配置予定部は、銅箔裏面が露出した状態と
なっている。このため、前記実施例同様に、前記屈曲予
定部は接着剤層のみの可撓性フィルム層が２０μｍ厚で
構成され、周囲のポリイミドフィルム部材の７０μｍ厚
と比較し、肉薄となる可撓性フィルム部（薄肉部６ａ）
が形成されている。

【００４９】次に、前記実施例同様に打ち抜き加工され
たポリイミドフィルム２に上記の接着剤が塗布された銅
箔（３５μｍ厚で３５ｍｍ幅）を貼り合わせた。この時
、ポリイミドフィルム幅と同様な幅の銅箔を使用する場
合には、図１に示すようにスプロケット孔７を銅箔にも
設けておくことで、貼り合わせ時の位置あわせマークに
利用できる。

【００５０】その後、銅箔側とポリイミドフィルム２側
の両面全体に、ポジタイプのフォトレジスト（東京応化
工業社製『ＰＭＥＲ　　Ｐ−Ｒ３０Ｓ』）を塗布して乾
燥させ、銅箔側に所定の金属配線パターンを露光した後
、アルカリ系現像液（東京応化工業社製ＰＭＥＲ現像液
『Ｐ−１Ｓ』）により現像し、更に塩化第二鉄水溶液に
て銅箔をエッチングして金属配線３を形成する。

【００５１】そして、アルカリ系剥離液（東京応化工業
社製ＰＭＥＲ剥離液『ＰＳ』）にてレジストを剥離する
が、ポリイミドフィルム２側のレジストは金属エッチン
グの際の保護被覆として作用する。

【００５２】

【発明の効果】以上説明した様に本発明に係るチップキ
ャリアは、２層構造のチップキャリアの金属配線と重な
る部分の屈曲予定部を可撓性フィルム部材のエッチング
により肉厚を薄くした構造物と同様な効果を備えている
が、その製造が極めて容易であり、かつ大幅に安価な製
造費用で作製できる。

【００５３】即ち、本発明に係るチップキャリアは、金
属配線と重なる屈曲予定部に相当する部分の可撓性フィ
ルムが局部的に薄肉化されているので、金属配線を例え
ば液晶ディスプレイデバイスとその回路基板等とのよう
な一対の対象物の間に接続する際に、金属配線と共に可
撓性フィルムを容易に所望の形状に曲げることができ、
かつ曲げ疲労に対しても高い耐久性を有している。

【００５４】換言すれば、本発明のチップキャリアは、
金属配線を被着した状態で所望の形状に所定の個所で容
易に屈曲させることができるとともに、金属配線や可撓
性フィルムの破損等も生じにくく、接続加工性に優れて
いる利点がある。

【００５５】かかるチップキャリアは、それに搭載すべ
き半導体チップのための搭載予定領域を有し、例えば立
体的に配置された外部装置と狭い接続パッド間隔の半導
体チップとを接続するのに効果的に使用される。

【００５６】また、製造費用面では２層構造のチップキ
ャリアが可撓性フィルム上に金属スパッタにて銅箔層を
形成しているため、ベース部材の生産性が低く、さらに
屈曲予定部の可撓性フィルムの薄膜化の方法も、可撓性
フィルムをエッチング等で削らなければならないため、
製造工程が複雑化し製作費用も高価になる。

【００５７】これらに比較し、本発明のチップキャリア
の製造方法によれば、可撓性フィルム部材と金属箔とを
接着剤層を介して積層させた３層構造のベース部材が適
用でき、さらに金属配線と重なる部分の屈曲予定部のポ
リイミドフィルムの薄膜化の方法が、接着剤層の転用に
よるため、製造工程が簡略化され製造費用は安価になる
利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例にかかるチップキャリアの部
分平面図。

【図２】図１に示されたチップキャリアのＡ−Ａ部断面
図。

【図３】図１に示されたチップキャリアを外部回路装置
に接続した状態の一例を模式的に示す側面図である。

【符号の説明】

１…デバイス孔 ２…可撓性テープ ３ａ，３ｂ…金属配線 ４ａ，４ｂ…インナーリード部 ５ａ，５ｂ…アウターリード部 ６…屈曲予定部 ６ａ…薄肉部 ７…スプロケット孔 ８…接着剤層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　電気絶縁性の可撓性フィルム部材と、
   この可撓性フィルム部材の表面に接着剤層を介して形成
   された複数組の金属配線とからなり、前記可撓性フィル
   ム部材が、それに搭載すべき半導体チップの配置予定部
   と金属配線と重なる部分の屈曲予定部とにおいて穿孔さ
   れており、前記屈曲予定部の穿孔部が、前記接着剤層か
   らなる可撓性フィルム層によって覆われていることを特
   徴とするチップキャリア。
2. 【請求項２】　　請求項１記載のチップキャリアの製造
   方法であって、前記半導体チップの配置予定部及び前記
   金属配線と重なる部分の屈曲予定部とが穿孔された可撓
   性フィルム部材に、一方の面の全面に接着剤層が形成さ
   れた金属箔を重ね合せて積層体とする工程の後、前記屈
   曲予定部の穿孔に露出した接着剤層を残して前記配置予
   定部の穿孔に露出した接着剤層を除去する工程と、金属
   箔をエッチング処理して金属配線を形成する工程と、を
   有する事を特徴とする請求項１記載のチップキャリアの
   製造方法。
3. 【請求項３】　　請求項１記載のチップキャリアの製造
   方法であって、前記半導体チップの配置予定部及び前記
   金属配線と重なる部分の屈曲予定部とが穿孔された可撓
   性フィルム部材に、一方の面の前記配置予定部分を除く
   全面に接着剤層が形成された金属箔を重ね合せて積層体
   とする工程と、金属箔をエッチング処理して金属配線を
   形成する工程とを有する事を特徴とする請求項１記載の
   チップキャリアの製造方法。