JPH04343055A - Ｘ線光電子分析方法 - Google Patents
Ｘ線光電子分析方法Info
- Publication number
- JPH04343055A JPH04343055A JP3142435A JP14243591A JPH04343055A JP H04343055 A JPH04343055 A JP H04343055A JP 3142435 A JP3142435 A JP 3142435A JP 14243591 A JP14243591 A JP 14243591A JP H04343055 A JPH04343055 A JP H04343055A
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- JP
- Japan
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- sample
- point
- ray
- ray photoelectron
- analysis
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線光電子分光により試
料面の面分析を行う方法に関する。
料面の面分析を行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】試料に励起用Ｘ線を照射し、試料から放
出されるＸ線光電子のエネルギースペクトルを測定して
試料面の元素分析を行うＸ線光電子分析法により、試料
面の二次元的な元素分布を測定する場合、試料面の分析
領域全面に励起用Ｘ線を照射し、試料面から放射される
Ｘ線光電子から特定エネルギーの電子を選別し、その電
子による試料面の像を形成させる。このとき試料面の各
点のＸ線照度はＸ線源からの距離とかＸ線のその点にお
ける入射角度によって異なるため、分析結果はこの照射
Ｘ線の照度むらに対する補正が必要である。
出されるＸ線光電子のエネルギースペクトルを測定して
試料面の元素分析を行うＸ線光電子分析法により、試料
面の二次元的な元素分布を測定する場合、試料面の分析
領域全面に励起用Ｘ線を照射し、試料面から放射される
Ｘ線光電子から特定エネルギーの電子を選別し、その電
子による試料面の像を形成させる。このとき試料面の各
点のＸ線照度はＸ線源からの距離とかＸ線のその点にお
ける入射角度によって異なるため、分析結果はこの照射
Ｘ線の照度むらに対する補正が必要である。
【０００３】この補正方法として従来は、Ｘ線源を点線
源とみなし、試料面の各点のＸ線照度はその点とＸ線源
との間の距離の二乗に反比例し、Ｘ線入射角の余弦に比
例すると云う関係式により補正を行っていた。
源とみなし、試料面の各点のＸ線照度はその点とＸ線源
との間の距離の二乗に反比例し、Ｘ線入射角の余弦に比
例すると云う関係式により補正を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】試料面のＸ線照度に対
する上述した補正方法には次のような問題がある。即ち
従来の補正方法はＸ線源を点とみなしているが、実際は
或る大きさを持っているので、試料面上の一点のＸ線照
度はＸ線源上の各点毎に逆自乗および余弦の法則を適用
したものを加算すると云う演算が必要であり、しかも広
がりを持ったＸ線源の各点のＸ線輝度は均一でなく、か
つ励起電子線の加速電圧によりＸ線源上の各点の電子照
度の分布状態が変わるから、従来の補正方法は精度が低
いものであった。本発明は簡単な方法でＸ線照度むらの
補正を正確に行い得るようにしようとするものである。
する上述した補正方法には次のような問題がある。即ち
従来の補正方法はＸ線源を点とみなしているが、実際は
或る大きさを持っているので、試料面上の一点のＸ線照
度はＸ線源上の各点毎に逆自乗および余弦の法則を適用
したものを加算すると云う演算が必要であり、しかも広
がりを持ったＸ線源の各点のＸ線輝度は均一でなく、か
つ励起電子線の加速電圧によりＸ線源上の各点の電子照
度の分布状態が変わるから、従来の補正方法は精度が低
いものであった。本発明は簡単な方法でＸ線照度むらの
補正を正確に行い得るようにしようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】Ｘ線光電子分析装置にお
いて、試料位置に元素濃度が均一な標準試料を置いて、
分析領域上の複数の点について光電子強度を測定し、そ
れらの測定値を相互に等しくする補正係数を上記各点毎
に求め、それらの係数値から、分析領域の任意の点の係
数値を算出する内挿式を作成してメモリに記憶させてお
き、試料測定結果に上記内挿式による対応点の補正係数
を掛け算するようにした。
いて、試料位置に元素濃度が均一な標準試料を置いて、
分析領域上の複数の点について光電子強度を測定し、そ
れらの測定値を相互に等しくする補正係数を上記各点毎
に求め、それらの係数値から、分析領域の任意の点の係
数値を算出する内挿式を作成してメモリに記憶させてお
き、試料測定結果に上記内挿式による対応点の補正係数
を掛け算するようにした。
【０００６】
【作用】本発明によれば補正係数を標準試料による実測
データから決めているので、Ｘ線源の広がりとかＸ線源
上の各点のＸ線輝度むら等の影響なしに正確な補正を行
うことができる。また標準試料の測定は分析領域の全体
でなく複数点で行うだけであるから補正係数を決める予
備測定が短時間ででき、かつ標準試料の全面について補
正係数を記憶しておかなくてもよい。
データから決めているので、Ｘ線源の広がりとかＸ線源
上の各点のＸ線輝度むら等の影響なしに正確な補正を行
うことができる。また標準試料の測定は分析領域の全体
でなく複数点で行うだけであるから補正係数を決める予
備測定が短時間ででき、かつ標準試料の全面について補
正係数を記憶しておかなくてもよい。
【０００７】
【実施例】図２に本発明方法を実行する一実施例装置を
示す。１はＸ線源で試料Ｓに斜方向からＸ線を照射する
。試料Ｓの垂直上方に電子レンズ系２が配置される。 レンズ系２によって試料表面から放出されるＸ線光電子
による試料面の像が形成されるこの像面上にエネルギー
分析器３の入口スリット４が配置されている。レンズ系
２にはｘ，ｙ各方向の偏向電極２１が設けられており、
入口スリット４の面上で電子像が移動して、試料面上の
任意の点から放出されたＸ線光電子がエネルギー分析器
３に入射せしめられる。５は電子検出器でエネルギー分
析器３で選別された指定エネルギーの電子を検出する。 この検出信号はカウンタ６で計数され、一定時間の計数
データが試料面上の或る一つの点の実測分析データとし
てデータ処理装置７に取込まれる。
示す。１はＸ線源で試料Ｓに斜方向からＸ線を照射する
。試料Ｓの垂直上方に電子レンズ系２が配置される。 レンズ系２によって試料表面から放出されるＸ線光電子
による試料面の像が形成されるこの像面上にエネルギー
分析器３の入口スリット４が配置されている。レンズ系
２にはｘ，ｙ各方向の偏向電極２１が設けられており、
入口スリット４の面上で電子像が移動して、試料面上の
任意の点から放出されたＸ線光電子がエネルギー分析器
３に入射せしめられる。５は電子検出器でエネルギー分
析器３で選別された指定エネルギーの電子を検出する。 この検出信号はカウンタ６で計数され、一定時間の計数
データが試料面上の或る一つの点の実測分析データとし
てデータ処理装置７に取込まれる。
【０００８】データ処理装置は補正演算のプログラムお
よび、この演算に必要な実測データを記憶させておくメ
モリを有し、また試料の各点の実測および補正分析デー
タを記憶させておくメモリを有しており、補正演算の実
行および装置全体の動作制御を行う。
よび、この演算に必要な実測データを記憶させておくメ
モリを有し、また試料の各点の実測および補正分析デー
タを記憶させておくメモリを有しており、補正演算の実
行および装置全体の動作制御を行う。
【０００９】本発明装置による試料分析は次のように行
われる。まず補正演算のためのデータ採取を行う。任意
元素が均一分布した標準試料を装置にセットし、データ
処理装置７に分析領域を入力する。分析領域は長方形で
図１に示すように４隅の座標値（ｘｏ，ｙｏ），（ｘ１
，ｙｏ），（ｘｏ，ｙ１）（ｘ１，ｙ１）を与えること
によって指定する。電子エネルギー分析器３の選別エネ
ルギーを標準試料の上記元素の光電子エネルギーに設定
する。このようにして補正係数データ採取動作をスター
トさせると、データ処理装置は電子レンズ系２のｘ，ｙ
偏向電極電圧を制御して上記指定領域の４隅ａ，ｂ，ｃ
，ｄ４点から順次実測データを取込みメモリに格納する
。
われる。まず補正演算のためのデータ採取を行う。任意
元素が均一分布した標準試料を装置にセットし、データ
処理装置７に分析領域を入力する。分析領域は長方形で
図１に示すように４隅の座標値（ｘｏ，ｙｏ），（ｘ１
，ｙｏ），（ｘｏ，ｙ１）（ｘ１，ｙ１）を与えること
によって指定する。電子エネルギー分析器３の選別エネ
ルギーを標準試料の上記元素の光電子エネルギーに設定
する。このようにして補正係数データ採取動作をスター
トさせると、データ処理装置は電子レンズ系２のｘ，ｙ
偏向電極電圧を制御して上記指定領域の４隅ａ，ｂ，ｃ
，ｄ４点から順次実測データを取込みメモリに格納する
。
【００１０】次に被分析試料を装置にセットし、分析領
域指定を上述した所と同様にして行う。この場合領域指
定は標準試料測定時の領域の内側にあればよく、同じに
する必要はない。特に分析領域の指定を行わないときは
分析は自動的に標準試料測定時の指定領域について行わ
れる。測定動作をスタートさせると、データ処理装置は
試料面の指定領域内の各点について実測分析データを採
取し、その点の座標データと共にメモリに格納し、その
後補正演算を行う。
域指定を上述した所と同様にして行う。この場合領域指
定は標準試料測定時の領域の内側にあればよく、同じに
する必要はない。特に分析領域の指定を行わないときは
分析は自動的に標準試料測定時の指定領域について行わ
れる。測定動作をスタートさせると、データ処理装置は
試料面の指定領域内の各点について実測分析データを採
取し、その点の座標データと共にメモリに格納し、その
後補正演算を行う。
【００１１】補正演算は以下のように行われる。標準試
料についての図１の指定領域の４隅の実測データをＩａ
，Ｉｂ，Ｉｃ，Ｉｄとして試料面の任意の点の座標を（
ｘ，ｙ）、被測定試料のその点の実測分析データをＩと
して、その点の補正分析データＩ（ｘ，ｙ）を
Ｉ（ｘ，ｙ）＝Ｉ・Ｓ−１ 但し、Ｓ＝｛Ｉａ（ｘ１ −ｘ）（ｙ１ −ｙ）＋
Ｉｂ（ｘ−ｘ０ ）（ｙ１ −ｙ）
＋Ｉｃ（ｘ１ −ｘ）（ｙ−ｙ０ ）＋Ｉｄ（ｘ−ｘ
０ ）（ｙ−ｙ０ ）｝ ／（ｙ１
−ｙ０ ）（ｘ１ −ｘ０ ）として算出する。これ
は補正係数が平面に沿って変化するとして、指定領域の
４隅の標準試料の実測データからＩをＩ（ｘ，ｙ）に変
換する演算である。
料についての図１の指定領域の４隅の実測データをＩａ
，Ｉｂ，Ｉｃ，Ｉｄとして試料面の任意の点の座標を（
ｘ，ｙ）、被測定試料のその点の実測分析データをＩと
して、その点の補正分析データＩ（ｘ，ｙ）を
Ｉ（ｘ，ｙ）＝Ｉ・Ｓ−１ 但し、Ｓ＝｛Ｉａ（ｘ１ −ｘ）（ｙ１ −ｙ）＋
Ｉｂ（ｘ−ｘ０ ）（ｙ１ −ｙ）
＋Ｉｃ（ｘ１ −ｘ）（ｙ−ｙ０ ）＋Ｉｄ（ｘ−ｘ
０ ）（ｙ−ｙ０ ）｝ ／（ｙ１
−ｙ０ ）（ｘ１ −ｘ０ ）として算出する。これ
は補正係数が平面に沿って変化するとして、指定領域の
４隅の標準試料の実測データからＩをＩ（ｘ，ｙ）に変
換する演算である。
【００１２】標準試料による補正データの採取動作は一
試料毎に毎回行う必要はなく、Ｘ線源の電子加速電圧が
一定である場合、分析領域が標準試料測定の際の指定領
域から余り変わらないときは、予め一回行っておけばよ
い。Ｘ線源の加速電圧を変えたときはＸ線源の各点のＸ
線輝度の分布状態が変わるから、そのような場合は改め
て標準試料の測定を行う。予め色々な加速電圧の場合に
ついて、補正データを予め求めて記憶させておいてもよ
い。或は試料のＸ線照度を変えたいときは、Ｘ線源の加
速電圧は一定にしてフィラメント電流を変えるようにす
るのもよい。
試料毎に毎回行う必要はなく、Ｘ線源の電子加速電圧が
一定である場合、分析領域が標準試料測定の際の指定領
域から余り変わらないときは、予め一回行っておけばよ
い。Ｘ線源の加速電圧を変えたときはＸ線源の各点のＸ
線輝度の分布状態が変わるから、そのような場合は改め
て標準試料の測定を行う。予め色々な加速電圧の場合に
ついて、補正データを予め求めて記憶させておいてもよ
い。或は試料のＸ線照度を変えたいときは、Ｘ線源の加
速電圧は一定にしてフィラメント電流を変えるようにす
るのもよい。
【００１３】上述実施例では補正係数が平面的に変化す
るとして演算式を作っているが、分析領域の４隅だけで
なく、中央点のデータも求め、二次曲面の式等によって
補正を行うようにしてもよい。
るとして演算式を作っているが、分析領域の４隅だけで
なく、中央点のデータも求め、二次曲面の式等によって
補正を行うようにしてもよい。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば試料面のＸ線照度むらが
実測データに基づいて補正されているので、測定結果は
正確であり、補正データは分析領域の全面について実測
するのでなく、複数の点で実測するだけで内挿演算によ
って分析領域の全面の補正を行っているので、補正デー
タの採取が能率的に行われ、補正データを記憶させてお
くメモリも場所をとらない。
実測データに基づいて補正されているので、測定結果は
正確であり、補正データは分析領域の全面について実測
するのでなく、複数の点で実測するだけで内挿演算によ
って分析領域の全面の補正を行っているので、補正デー
タの採取が能率的に行われ、補正データを記憶させてお
くメモリも場所をとらない。
【図１】 分析領域の座標指定図
【図２】 本発明の一実施例装置の側面図
１ Ｘ線源
２ 電子レンズ
３ エネルギー分析器
４ 入口スリット
５ 電子検出器
６ カウンタ
７ データ処理装置
Claims (1)
- 【請求項１】Ｘ線光電子分析装置に標準試料を置き、指
定分析領域を含む領域内の複数の点においてＸ線光電子
強度を測定し、その測定値から指定分析領域内の任意の
点のＸ線光電子強度を全て一定にする補正演算の内挿式
を作成し、被分析試料について指定分析領域の各点のＸ
線光電子強度実測値に上記内挿式による補正演算を行っ
て上記各点の分析データとすることを特徴とするＸ線光
電子分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142435A JP2985904B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Ｘ線光電子分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142435A JP2985904B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Ｘ線光電子分析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04343055A true JPH04343055A (ja) | 1992-11-30 |
| JP2985904B2 JP2985904B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=15315250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3142435A Expired - Lifetime JP2985904B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Ｘ線光電子分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985904B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020060381A (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-16 | 日本電子株式会社 | 元素マップの生成方法および表面分析装置 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP3142435A patent/JP2985904B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020060381A (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-16 | 日本電子株式会社 | 元素マップの生成方法および表面分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2985904B2 (ja) | 1999-12-06 |
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