JPH04344402A - 多層基板の厚さ測定方法 - Google Patents
多層基板の厚さ測定方法Info
- Publication number
- JPH04344402A JPH04344402A JP11596691A JP11596691A JPH04344402A JP H04344402 A JPH04344402 A JP H04344402A JP 11596691 A JP11596691 A JP 11596691A JP 11596691 A JP11596691 A JP 11596691A JP H04344402 A JPH04344402 A JP H04344402A
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- measuring
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁体層を含む基板の
厚さを測定する方法に関する。
厚さを測定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、種々の基板等の厚さを測定す
るために各種方法が用いられており、これら各種方法の
うち代表的なものとしては、 （１）光の干渉による層の厚さを測定する方法（２）ダ
イヤルゲージ・ノギス・マイクロメータ等を用いる機械
的な測定方法 （３）互いに向き合う２つの電極（コンデンサ）の間に
基板を挿入し、静電容量の変化により基板の厚さを測定
する方法 等が知られている。
るために各種方法が用いられており、これら各種方法の
うち代表的なものとしては、 （１）光の干渉による層の厚さを測定する方法（２）ダ
イヤルゲージ・ノギス・マイクロメータ等を用いる機械
的な測定方法 （３）互いに向き合う２つの電極（コンデンサ）の間に
基板を挿入し、静電容量の変化により基板の厚さを測定
する方法 等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法のうち
、上記（１）の光の干渉による方法で厚さを測定するこ
とができるものは鏡面に密着されている透明物質に限ら
れ、しかも複数の層からなる基板全体の厚さを測定する
ことはできない。また、上記（２）の機械的な測定方法
は、基板の全面に亘ってその厚さを測定するには時間が
かかり過ぎて現実的でなく、一点のみの測定でよい場合
であっても基板に接触するため基板を傷つける恐れがあ
る。
、上記（１）の光の干渉による方法で厚さを測定するこ
とができるものは鏡面に密着されている透明物質に限ら
れ、しかも複数の層からなる基板全体の厚さを測定する
ことはできない。また、上記（２）の機械的な測定方法
は、基板の全面に亘ってその厚さを測定するには時間が
かかり過ぎて現実的でなく、一点のみの測定でよい場合
であっても基板に接触するため基板を傷つける恐れがあ
る。
【０００４】また、上記（３）のコンデンサの容量変化
を測定する方法は、導体（半導体を含む）の基板の厚さ
測定には有効であるが、絶縁体層を含む多層基板の厚さ
を測定することは通常不可能である。本発明は、上記事
情に鑑み、絶縁体層を含む多層基板の厚さを、該多層基
板が透明であるか不透明であるかを問わずに、その広い
範囲に亘って容易に測定することのできる厚さ測定方法
を提供することを目的とする。
を測定する方法は、導体（半導体を含む）の基板の厚さ
測定には有効であるが、絶縁体層を含む多層基板の厚さ
を測定することは通常不可能である。本発明は、上記事
情に鑑み、絶縁体層を含む多層基板の厚さを、該多層基
板が透明であるか不透明であるかを問わずに、その広い
範囲に亘って容易に測定することのできる厚さ測定方法
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の第一の多層基板の厚さ測定方法は、互いに向
き合う２つの電極の間の静電容量を測定することにより
該２つの電極の間に挿入された導体板の厚さを測定する
厚さ測定具を用いて、表面及び裏面が導体層で形成され
てなるとともに内部に絶縁体層を有する多層基板の厚さ
を測定する方法であって、前記多層基板の表面及び裏面
の導体層を互いに短絡して、前記厚さ測定具を用いて該
多層基板の厚さを測定することを特徴とするものである
。
の本発明の第一の多層基板の厚さ測定方法は、互いに向
き合う２つの電極の間の静電容量を測定することにより
該２つの電極の間に挿入された導体板の厚さを測定する
厚さ測定具を用いて、表面及び裏面が導体層で形成され
てなるとともに内部に絶縁体層を有する多層基板の厚さ
を測定する方法であって、前記多層基板の表面及び裏面
の導体層を互いに短絡して、前記厚さ測定具を用いて該
多層基板の厚さを測定することを特徴とするものである
。
【０００６】また上記目的を達成するための本発明の第
二の多層基板の厚さ測定方法は、互いに向き合う２つの
電極の間の静電容量を測定することにより該２つの電極
の間に挿入された導体板の厚さを測定する厚さ測定具を
用いて、表面及び裏面のうち少なくとも一面が絶縁体層
で形成された多層基板の厚さを測定する方法であって、
前記多層基板の表面及び裏面の双方が導体層となるよう
に該表面及び／又は該裏面の絶縁体層上に導体層を形成
し、該表面及び該裏面の導体層を互いに短絡して、前記
厚さ測定具を用いて該多層基板の厚さを測定することを
特徴とするものである。
二の多層基板の厚さ測定方法は、互いに向き合う２つの
電極の間の静電容量を測定することにより該２つの電極
の間に挿入された導体板の厚さを測定する厚さ測定具を
用いて、表面及び裏面のうち少なくとも一面が絶縁体層
で形成された多層基板の厚さを測定する方法であって、
前記多層基板の表面及び裏面の双方が導体層となるよう
に該表面及び／又は該裏面の絶縁体層上に導体層を形成
し、該表面及び該裏面の導体層を互いに短絡して、前記
厚さ測定具を用いて該多層基板の厚さを測定することを
特徴とするものである。
【０００７】ここで上記「導体」には、上記静電容量の
測定に際し導体と同等の作用をする半導体も含まれる。
測定に際し導体と同等の作用をする半導体も含まれる。
【０００８】
【作用】多層基板の表面及び裏面の双方が導体であり、
これらの導体が互いに短絡されている場合は、上記２つ
の電極によるコンデンサ容量の変化は多層基板全体が導
体である場合と同等である。本発明はこの点に想到する
ことにより完成されたものであり、多層基板の表面もし
くは裏面が絶縁体層の場合はさらにその上に導体層を形
成した後表面及び裏面の導体層を互いに短絡して上記厚
さ測定具を用いて測定するようにしたため、多層基板の
厚さを非接触でかつ広い範囲に亘って容易に測定するこ
とができる。
これらの導体が互いに短絡されている場合は、上記２つ
の電極によるコンデンサ容量の変化は多層基板全体が導
体である場合と同等である。本発明はこの点に想到する
ことにより完成されたものであり、多層基板の表面もし
くは裏面が絶縁体層の場合はさらにその上に導体層を形
成した後表面及び裏面の導体層を互いに短絡して上記厚
さ測定具を用いて測定するようにしたため、多層基板の
厚さを非接触でかつ広い範囲に亘って容易に測定するこ
とができる。
【０００９】なお、絶縁体層の上に導体層を形成する場
合は、その導体層はその多層基板全体の厚さと比べ無視
できる程度の厚さの導体薄膜とするか、形成される導体
層の厚さが他の方法により管理され、もしくは形成後に
その厚さが測定される必要がある。
合は、その導体層はその多層基板全体の厚さと比べ無視
できる程度の厚さの導体薄膜とするか、形成される導体
層の厚さが他の方法により管理され、もしくは形成後に
その厚さが測定される必要がある。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は、静電容量を測定することにより基板の厚さを測定
する厚さ測定具の測定電極部分の模式図である。互いに
向かい合う２つの電極２、３の端面２ａ、３ａの面積を
Ａ、両端面２ａ、３ａの間隔をｄとしたとき、その静電
容量Ｃは、端面２ａ、３ａの縁部の誤差を除き、Ｃ＝κ
・Ａ／ｄ
…（１）ここでκは比例定数を表わす。で表
わされる。この間に端面２ａ、３ａの面積と同等もしく
はそれ以上の面積を有する、厚さｄ０の導体板が挿入さ
れたときのコンデンサ容量の変化分をΔＣとすると、 ΔＣ＝κ・Ａ／ｄ−κＡ／（ｄ−ｄ０） …（２
）となり、したがって基板の厚さｘは、 ｄ０＝ｄ２ ・ΔＣ／（κＡ−ｄ・ΔＣ） …（
３）として求められる。
１は、静電容量を測定することにより基板の厚さを測定
する厚さ測定具の測定電極部分の模式図である。互いに
向かい合う２つの電極２、３の端面２ａ、３ａの面積を
Ａ、両端面２ａ、３ａの間隔をｄとしたとき、その静電
容量Ｃは、端面２ａ、３ａの縁部の誤差を除き、Ｃ＝κ
・Ａ／ｄ
…（１）ここでκは比例定数を表わす。で表
わされる。この間に端面２ａ、３ａの面積と同等もしく
はそれ以上の面積を有する、厚さｄ０の導体板が挿入さ
れたときのコンデンサ容量の変化分をΔＣとすると、 ΔＣ＝κ・Ａ／ｄ−κＡ／（ｄ−ｄ０） …（２
）となり、したがって基板の厚さｘは、 ｄ０＝ｄ２ ・ΔＣ／（κＡ−ｄ・ΔＣ） …（
３）として求められる。
【００１１】図２は、本実施例で測定対象とした多層基
板の平面図、図３はその多層基板の一部を拡大して示し
た断面図である。この多層基板１は最初は図３に示す導
体層１ａのみからなる基板であり、この導体層１ａのみ
の状態で、図１に示す厚さ測定具を用いて、図２に示す
ように端部を除く２００ｍｍの範囲に亘ってその厚さｄ
１を測定した。
板の平面図、図３はその多層基板の一部を拡大して示し
た断面図である。この多層基板１は最初は図３に示す導
体層１ａのみからなる基板であり、この導体層１ａのみ
の状態で、図１に示す厚さ測定具を用いて、図２に示す
ように端部を除く２００ｍｍの範囲に亘ってその厚さｄ
１を測定した。
【００１２】次にその導体層１ａの両面に透明の絶縁層
１ｂ、１ｃを形成し、光干渉法により図２に示す２００
ｍｍの範囲に亘って各絶縁層の厚さｄ２、ｄ３を測定し
、導体層１ａの厚さｄ１を含めた総厚ｄ０を求めた。 さらにその絶縁層１ｂ、１ｃの表面に導体薄膜１ｄ、１
ｅ，を形成し、これらの導体薄膜１ｄ、１ｅを導線で互
いに短絡した後、図１に示す測定具を用いてこの多層基
板１の総厚ｄ０を測定した。
１ｂ、１ｃを形成し、光干渉法により図２に示す２００
ｍｍの範囲に亘って各絶縁層の厚さｄ２、ｄ３を測定し
、導体層１ａの厚さｄ１を含めた総厚ｄ０を求めた。 さらにその絶縁層１ｂ、１ｃの表面に導体薄膜１ｄ、１
ｅ，を形成し、これらの導体薄膜１ｄ、１ｅを導線で互
いに短絡した後、図１に示す測定具を用いてこの多層基
板１の総厚ｄ０を測定した。
【００１３】図４は上記一連の測定結果を表わした図で
ある。この図に示すように光干渉法と同程度の良好な測
定結果を得ることができる。なお、表面及び裏面に導体
薄膜１ｄ、１ｅを形成したことによりこの導体薄膜１ｄ
、１ｅの厚さ分は誤差となるが、蒸着等により現在数１
０オングストロームの薄膜を生成することが可能であり
、例えば導体薄膜１ｄ、１ｅに起因する誤差を１／１０
０程度許容すれば、全体の厚さが数千オングストローム
程度の薄さの基板まで測定可能である。また導体薄膜１
ｄ、１ｅの概略的な厚さがわかるときは測定値からその
厚さを差し引いてもよい。鏡面に密着された透明層の測
定の場合は１０００オングストローム以上の精度を有し
ないため、この程度の誤差は問題とはならない。また、
この方法は、コンデンサの容量変化により、導体、半導
体の基板の厚さを測定する従来の装置をそのまま利用す
ることができ、また図２に示すような直径が２００ｍｍ
程度の円盤の、該直径のほぼ全長に亘ってその厚さを測
定する場合、１分程度で測定することができる。また測
定結果が電気信号として得られるため、その信号を計算
機に入力して断面図、等高線図等を容易に作成すること
もできる。
ある。この図に示すように光干渉法と同程度の良好な測
定結果を得ることができる。なお、表面及び裏面に導体
薄膜１ｄ、１ｅを形成したことによりこの導体薄膜１ｄ
、１ｅの厚さ分は誤差となるが、蒸着等により現在数１
０オングストロームの薄膜を生成することが可能であり
、例えば導体薄膜１ｄ、１ｅに起因する誤差を１／１０
０程度許容すれば、全体の厚さが数千オングストローム
程度の薄さの基板まで測定可能である。また導体薄膜１
ｄ、１ｅの概略的な厚さがわかるときは測定値からその
厚さを差し引いてもよい。鏡面に密着された透明層の測
定の場合は１０００オングストローム以上の精度を有し
ないため、この程度の誤差は問題とはならない。また、
この方法は、コンデンサの容量変化により、導体、半導
体の基板の厚さを測定する従来の装置をそのまま利用す
ることができ、また図２に示すような直径が２００ｍｍ
程度の円盤の、該直径のほぼ全長に亘ってその厚さを測
定する場合、１分程度で測定することができる。また測
定結果が電気信号として得られるため、その信号を計算
機に入力して断面図、等高線図等を容易に作成すること
もできる。
【００１４】また上記実施例は、多層基板の表面と裏面
との双方に導体薄膜を形成した例であるが、表面もしく
は裏面の一方に導体層が形成されている場合は絶縁体層
が形成されている側にのみ導体薄膜を形成すればよく、
また表面及び裏面の双方が半導体層でその間に絶縁体層
を有する場合は表面と裏面の導体層を短絡するだけでよ
いことはもちろんである。
との双方に導体薄膜を形成した例であるが、表面もしく
は裏面の一方に導体層が形成されている場合は絶縁体層
が形成されている側にのみ導体薄膜を形成すればよく、
また表面及び裏面の双方が半導体層でその間に絶縁体層
を有する場合は表面と裏面の導体層を短絡するだけでよ
いことはもちろんである。
【００１５】また上記実施例は絶縁体層上に測定誤差と
みなせる導体薄膜を形成した例であるが、絶縁体層上に
形成する導体層は、その形成する厚さを管理することが
できる場合もしくは形成した後にその厚さを測定するこ
とができる場合は薄膜である必要はない。
みなせる導体薄膜を形成した例であるが、絶縁体層上に
形成する導体層は、その形成する厚さを管理することが
できる場合もしくは形成した後にその厚さを測定するこ
とができる場合は薄膜である必要はない。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の多
層基板の厚さ測定方法は、多層基板の表面と裏面の導体
層を互いに短絡させ、もしくはその多層基板の表面及び
／又は裏面が絶縁体層の場合はその絶縁体層上に導体層
を形成した後短絡させ、その後にコンデンサの容量変化
により導体板の厚さを測定する厚さ測定具を用いてその
多層基板の厚さを測定するようにしたものであるため、
市販の既存の測定具を用いて絶縁体層を含む多層基板の
厚さをその広い範囲に亘って容易に測定することができ
る。
層基板の厚さ測定方法は、多層基板の表面と裏面の導体
層を互いに短絡させ、もしくはその多層基板の表面及び
／又は裏面が絶縁体層の場合はその絶縁体層上に導体層
を形成した後短絡させ、その後にコンデンサの容量変化
により導体板の厚さを測定する厚さ測定具を用いてその
多層基板の厚さを測定するようにしたものであるため、
市販の既存の測定具を用いて絶縁体層を含む多層基板の
厚さをその広い範囲に亘って容易に測定することができ
る。
【図１】静電容量を測定することにより基板の厚さを測
定する厚さ測定具の、測定電極部分の模式図である。
定する厚さ測定具の、測定電極部分の模式図である。
【図２】測定対象とされた多層基板の平面図である。
【図３】図２に示す多層基板の一部を拡大して示した断
面図である。
面図である。
【図４】多層基板の厚さの測定結果を表わした図である
。
。
１ 多層基板
１ａ 導体層
１ｂ、１ｃ 絶縁体層
１ｄ、１ｅ 導体薄膜層
２、３ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 互いに向き合う２つの電極の間の静電
容量を測定することにより該２つの電極の間に挿入され
た導体板の厚さを測定する厚さ測定具を用いて、表面及
び裏面が導体層で形成されてなるとともに内部に絶縁体
層を有する多層基板の厚さを測定する方法であって、前
記多層基板の表面及び裏面の導体層を互いに短絡して、
前記厚さ測定具を用いて該多層基板の厚さを測定するこ
とを特徴とする基板の厚さ測定方法。 - 【請求項２】 互いに向き合う２つの電極の間の静電
容量を測定することにより該２つの電極の間に挿入され
た導体板の厚さを測定する厚さ測定具を用いて、表面及
び裏面のうち少なくとも一面が絶縁体層で形成された多
層基板の厚さを測定する方法であって、前記多層基板の
表面及び裏面の双方が導体層となるように該表面及び／
又は該裏面の絶縁体層上に導体層を形成し、該表面及び
該裏面の導体層を互いに短絡して、前記厚さ測定具を用
いて該多層基板の厚さを測定することを特徴とする基板
の厚さ測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11596691A JPH04344402A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 多層基板の厚さ測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11596691A JPH04344402A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 多層基板の厚さ測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04344402A true JPH04344402A (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=14675548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11596691A Withdrawn JPH04344402A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 多層基板の厚さ測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04344402A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2544514A1 (de) | 2011-07-05 | 2013-01-09 | Pierburg Pump Technology GmbH | Verfahren zur Überprüfung einer korrekten Klebung eines Substrates auf einem elektrisch und thermisch leitfähigen Körper |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP11596691A patent/JPH04344402A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2544514A1 (de) | 2011-07-05 | 2013-01-09 | Pierburg Pump Technology GmbH | Verfahren zur Überprüfung einer korrekten Klebung eines Substrates auf einem elektrisch und thermisch leitfähigen Körper |
| WO2013004446A1 (de) * | 2011-07-05 | 2013-01-10 | Pierburg Pump Technology Gmbh | Verfahren zur überprüfung einer korrekten klebung eines substrates auf einem elektrisch und thermisch leitfähigen körper |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |