JPH0434715B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） 本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換
パネルに関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭
度の高い画像を与える放射線画像変換パネル及び
その製造方法に関するものである。 （従来技術） 従来、放射線画像を得るために銀塩を使用し
た、いわゆる放射線写真が利用されているが、近
年、特に地球規模における銀資源の枯渇等の問題
から銀塩を使用しない放射線画像を画像化する方
法が望まれるようになつた。 上述の放射線写真法にかわる方法として、被写
体を透過した放射線を螢光体に吸収せしめ、しか
る後、この螢光体をある種のエネルギーで励起し
てこの螢光体が蓄積している放射線エネルギーを
螢光として放射せしめ、この螢光を検出して画像
化する方法が考えられている。具体的な方法とし
て、例えば米国特許第3859527号および特開昭55
−12144号には螢光体として輝尽性螢光体を用い
励起エネルギーとして可視光線および赤外線から
選ばれる電磁放射線を用いる放射線画像変換方法
が提唱されている。この変換方法は、支持体上に
輝尽性螢光体層を形成したパネルを用い、このパ
ネルの輝尽性螢光体層に被写体を透過した放射線
を吸収させて放射線の強弱に対応した放射線エネ
ルギーを蓄積させ、しかる後この輝尽性螢光体層
を輝尽励起光（以下単に「励起光」と称する）で
走査することによつて蓄積された放射線エネルギ
ーを光の信号として取り出し、この光の強弱によ
つて画像を得るものである。この最終的な画像は
ハードコピーとして再生してもよいし、CRT上
に再生してもよい。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮
鋭度が増感紙中の螢光体の瞬間発光（放射線照射
時の発光）の広がりによつて決定されるのは周知
の通りである。これに対し、上述の輝尽性螢光体
を利用した放射線画像変換方法における画像の鮮
鋭度は放射線画像変換パネル中の螢光体の輝尽発
光の広がりによつて決定されるのではなく、すな
わち放射線写真法におけるように螢光体の発光の
広がりによつて決定されるのではなく、励起光の
該パネル内での広がりに依存して決まる。なぜな
らばこの放射線像変換方法においては、放射線画
像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系
列化されて取り出されるので、ある時間（ti）に
照射された励起光による輝尽発光は望ましくは全
て採光されその時間に励起光が照射されていた該
パネル上のある画素（xi，yi）からの出力として
記録されるが、もし励起光が該パネル内で散乱等
により広がり、照射画素（xi，yi）の外側に存在
する螢光体をも励起してしまうと、上記（xi，
yi）なる画素からの出力としてその画素よりも広
い領域からの出力が記録されてしまうからであ
る。従つて、ある時間（ti）に照射された励起光
による輝尽発光が、その時間（ti）に励起光が真
に照射されていた該パネル上の画素（xi，yi）か
らの発光のみであれば、その発光がいかなる広が
りを持つものであろうと得られる画像の鮮鋭度に
は影響がないのである。 上述の放射線画像変換方法に用いられる放射線
像変換パネルは、少くとも輝尽性螢光体からなる
螢光体層を有するものである。螢光体層は一般に
は適当な基板上に設けられるが、螢光体層が自己
形態保持性がある場合は螢光体層自体が放射線画
像変換パネルとなり得る。さらに通常は螢光体層
が基板と接面する面とは反対側の螢光体層表面
に、螢光体層を物理的あるいは化学的に保護する
ための保護層が設けられる。このような従来の放
射線画像変換パネルにおいては、励起光の散乱等
により螢光体層中での励起光の平均自由行程は長
くなり、このため螢光体層中で励起光が比較的大
きく広がつてしまい、鮮鋭度が著しく劣化する欠
点を有しており、その改良が強く望まれている。 放射線画像変換パネルの鮮鋭度を改良する方法
としては、特開昭55−146447号公報記載の放射線
画像変換パネルの螢光体層中に自色粉体を混入す
る方法、特開昭55−163500号公報記載の放射線画
像変換パネルを輝尽性螢光体の励起波長領域にお
ける平均反射率が前記輝尽性螢光体の輝尽発光波
長領域における平均反射率よりも小さくなるよう
に着色する方法等が知られている。しかし、これ
らの方法は鮮鋭度を改良すると必然的に感度が著
しく低下してしまい、好ましい方法とは言えな
い。 （発明の目的） 本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換
パネルにおける上述のような欠点に鑑みてなされ
たものであり、鮮鋭度の高い画像を与える放射線
画像変換パネル及びその製造方法を提供すること
を目的とするものである。 （発明の構成） 本発明者等は、輝尽性螢光体を用いた放射線画
像変換パネルについて鋭意研究の結果、本発明は
前記の目的を達成する放射線画像変換パネルとし
て、基板に輝尽性螢光体層を設けた放射線画像変
換パネルにおいて、前記基板に隔壁部によつて区
切られた多数個のハニカム状小房を形成すると共
に、該多数個の小房の深さは互に均一に形成さ
れ、該小房に輝尽性螢光体が設けられていること
を特徴として構成される。 また前記本発明の放射線画像変換パネルの製造
方法は母型から離型することによつて形成する型
取り法、または基板を浸蝕することによつて形成
する浸蝕法のいづれかで設けた隔壁部によつて区
切られた多数個の互に深さが均一なハニカム状小
房を有する基板を形成し、該多数個の小房に輝尽
性螢光体を充填することを特徴とする放射線画像
変換パネルの製造方法が用いられる。 前記型取り法に於ては１つの母型から多量の前
記ハニカム構造の基板が繰返し廉価、迅速に作成
され、一方浸蝕法に於ては、写真法その他の利用
によつて精緻に自由な形状のハニカム構造が作成
されまた基板素材に大きな制約がない。 以下、本発明を図面により詳細に説明する。第
１図乃至第２図は、本発明の放射線画像変換パネ
ルの１つの実施例を示すものである。１０は螢光
体層基板である。この基板１０は底部１１と隔壁
部１２より構成されている。この底部１１は本質
的には必要無いが隔壁部１２を変形させないため
のものである。従つて隔壁部１２が十分強度の大
きいもので自己形態保持性があれば底部１１は必
要がない。隔壁部１２は第２図に示すように多数
の隔壁部材が交差して多数の小房１３を形成する
構造になつている。小房１３の形態は第２図に示
されるような形状に限定されるものではなく、第
３図に示されるような円形でも良いし、六角その
他いかなる形状でも良い。また小房１３の配置も
第２図に示されるような配置に限定されるもので
はなく、第３図に示されるような配置でも良い
し、小房に分割されていれば他のいかなる配置で
もよい。尚、小房の規則的配列によるモアレを防
止するためには、小房の形状及び／又は小房の配
列をランダムにするとよい。この小房にはそれぞ
れ輝尽性螢光体１４が充填され螢光体層１５が形
成される。 底部１１及び隔壁部１２を構成する基板１０
は、励起光を吸収するもの又は反射するものが材
料として使用されるが、励起光を反射する材料の
方が感度が向上しより好ましい。或はこの基板１
０そのものがこれ等の性質を有していなくても、
小房の内壁に励起光吸収層あるいは励起光反射層
を塗布あるいは蒸着等の方法で形成してもよい。 尚、底部１１は励起光を透過する材料であつて
も差支えない。 また、基板１０は輝尽性螢光体の発光光を透
過、吸収または反射するもの等いかなるものでも
材料として使用されるが、発光光を反射する材料
の方が輝度が向上しより好ましい。尚、基板を発
光光に対して吸収性若しくは反射性とするために
は、この基板そのものがこれ等の性質を有してな
くとも良く、小房内壁に発光光吸収層あるいは発
光光反射層を塗布あるいは蒸着等の方法で形成し
てもよい。 このような構成の放射線画像変換パネルにおい
て、輝尽性螢光体１４中に蓄積された放射線エネ
ルギーを輝尽発光として放出させるための励起光
は螢光体層１５による散乱等により、あらゆる方
向に向つて進むが、隔壁部１２に向つた励起光は
隔壁部材によつて吸収（隔壁部材が励起光吸収性
のものである場合）、若しくは反射（隔壁部材が
励起光反射性のものである場合）される。また底
部１１に向つた励起光は底部によつて吸収（底部
材が励起光吸収性のものである場合）、反射（底
部材が励起光反射性のものである場合）、若しく
は透過（底部材が励起光透過性のものである場
合、または底部を有しない場合）される。 従つて第４図に示されるような放射線画像変換
パネルの一点に照射された励起光の広がりは第４
図ｂのように拡りの裾が切除され、鮮鋭性のよい
放射線画像が得られる。 輝尽性螢光体が充填される部分の寸法d₁，d₂，
h₁は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネル
のシステムとして必要とされる要求画質を従来の
ものよりも向上させるものとして考えれば、概略
決定されるものである。即ち、その目安として
は、d₁，d₂を10μm〜60μm、隔壁の厚み幅W₁を
10〜300μmとし、深さh₁は30μm〜1000μm程度と
すれば製作、性能の両面について均衡のとれた、
そして従来の輝尽性螢光体を用いた放射線画像変
換パネルに比べて性能の向上したものが得られ
る。 尚、本発明の放射線画像変換パネルは第５図に
示すように輝尽性螢光体を隔壁部１２より高くし
て、外観上螢光体が均一に形成されているように
なつた場合でも隔壁からの高さh₂が小さければ第
１図のように隔壁上面と輝尽性螢光体の表面が同
一になつている場合にくらべて画質はやや劣るが
第１図の場合に近い画質向上効果が得られる。ま
た第６図に示すように隔壁上面に対して輝尽性螢
光体の表面が低い場合についても第１図の場合と
同様に画質向上効果が得られる。 さらに第７図に示すように高さh₃の均一な輝尽
性螢光体層上に隔壁部１２を設け、この各小房に
輝尽性螢光体を充填したような構造のパネルの場
合についても第１図の場合と同様に画質向上効果
が得られる。 本発明の放射線画像変換パネルの螢光体層基板
１０に用いられる材料としては例えば各種高分子
材料、ガラス、ウール、コツトン、紙、金属など
の種々の素材から作られたものが使用され得る
が、上記のものに限定されるものではない。ま
た、螢光体層基板１０は１種類の材料から成つて
いる必要はなく、２種類以上の材料から成つてい
てもよい。これらの螢光体層基板１０は螢光体層
をより強固に保持する目的で、小房内壁等の螢光
体に接する面に螢光体に接着性のある下塗り層を
有してもよい。尚、使用する螢光体層基板が励起
光を透過するものである場合には、得られる放射
線画像変換パネルは螢光体層基板の螢光体層が設
けられている面とは反対側の面から励起光を照射
することが可能となる。 また隔壁部材に用いられる材料は、例えば励起
光、発光光に不透明な顔料若しくは染料含有量を
有する各種高分子材料、ガラス或は材料自体が透
明なセラミツク、金属、更には材料自体が透明な
場合には前記小房の内壁に不透明被膜を蒸着その
他の手段で設けることができる。更に進んで該内
壁を蒸着或は化学的手段によつて鏡面仕上げとし
て反射面を形成することができるので輝尽性螢光
体を各小房に充填する際の隔壁部の強度を考慮し
ておけば特に使用材料について制約されることは
ない。 本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性螢光体は、先に述べた様に放射線を照射した
後励起光を照射すると輝尽発光を示す螢光体であ
るが実質的な面から望ましくは500〜800nmの励
起光によつて輝尽発光を示す螢光体である。本発
明の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢
光体としては、例えば特開昭48−80487号記載の
BaSO₄：Ax（但しＡはDy，TbおよびTmのうち
少なくとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル
％である。）で表わされる螢光体、特開昭48−
80488号記載のMgSO₄：Ax（但しＡはHoおよび
Dyのうち少くとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ≦
１モル％である。）で表わされる螢光体、特開昭
48−80489号記載のSrSO₄：Ax（但しＡはTm，
TbおよびDyのうち少くとも１種であり、ｘは
0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わされる螢光
体、特開昭51−29889号記載のNa₂SO₄，CaSO₄
およびBaSO₄等にMn，DyおよびTbのうち少く
とも１種を添加した螢光体、特開昭52−30487号
記載のBeO，Lif，Mg₂SO₄およびCaF₂等の螢光
体、特開昭53−39277号記載のLi₂B₄O₇：Cu，Ag
等の螢光体、特開昭54−47883号記載のLi₂O・
（B₂O₂）ｘ：Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、および
Li₂O（B₂O₂）ｘ：Cu，Ag（但しｘは２＜≦３）
等の螢光体、米国特許3859527号記載のSrS：Ce，
Sm、SrS：Eu，Sm、La₂O₂S：Eu，Smおよび
（Zn，Cd）Ｓ：Mn，ｘ（但しｘはハロゲン）で表
わせられる螢光体。特開昭55−12142号記載の
ZnS：Cu，P₆螢光体、一般式がBaO・xAl₂O₃：
Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表わされるアルミン酸バ
リウム螢光体、および一般式がM〓Ｏ・xSiO₂：
Ａ（但しM〓はMg，Ca，Sr，Zm，CdまたはBaで
あり、ＡはCe，Tb，Eu，Tm，Pb，Tl，Biおよ
びMnのうち少くとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ≦
2.5である。）で表わされるアルカリ土類金属珪酸
塩系螢光体。特開昭55−12143号記載の一般式が （Ba_1-x-yMg_xCa_y）FX：eEu²⁺ （但しｘはBrおよびClの中の少くとも１つで
あり、ｘ，ｙおよびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦
0.6、xy≠０および10^-6≦ｅ≦５×10^-2なる条件
を満たす数である。）で表わされるアルカリ士類
弗化ハロゲン化物螢光体、特開昭55−12144号記
載の一般式が LnOX：xA （但しLnはLa，Ｙ，GdおよびLuの少くとも
１つを、ｘはCl及び／又はBrを、ＡはCe及び／
又はTbを、ｘは０＜ｘ＜0.1を満足する数字を表
わす。）で表わされる螢光体、特開昭55−12145号
記載の一般式が （Ba_1-xM〓ｘ）FX：yA （但しM〓はMa，Ca，Sr，ZnおよびCdのうち
の少なくとも１つを、ＸはCl、Brおよびのう
ちの少なくとも１つを、ＡはEu，Tb，Ce，Tm，
Dy，Pr，Ho，Nd，Yb及びErのうちの少くとも
１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2
なる条件を満す数字を表わす。）で表わされる螢
光体、特開昭55−84389号記載の一般式がBaFX，
xCe，yA（但し、ＸはCl，BrおよびＩのうちの少
くとも１つ、ＡはIm，Tl，Gd，SmおよびZrの
うちの少くとも１つであり、ｘおよびｙはそれぞ
れ０＜ｘ≦２×10^-1および０＜ｙ≦５×10^-2であ
る。）で表わされる螢光体、特開昭55−1600078号
記載の一般式が M〓FX xA：yLn （但しM〓はBa，Ca，Sr，Mg，ZnおよびCd
のうちの少くとも１種、ＡはBeO，MgO，CaO，
SrO，BaO，ZnO，Al₂O₃，Y₂O₃，La₂O₃，
In₂O₃，SiO₂，TiO₂，ZrO₂，GeO₂，SnO₂，
Nb₂O₅，Ta₂O₅およびThO₂のうちの少くとも１
種、LnはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，
Nd，Yb，Er，SmおよびGdのうちの少くとも１
種、ＸはCl，BrおよびＩのうち少くとも１種で
あり、ｘおよびｙはそれぞれ５×10≦ｘ≦0.5お
よび０＜ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）で
表わされる希土類元素付活２価金属フルオロハラ
イド螢光体、一般式がZnS：Ａ、CdS：Ａ、（Zn，
Cd）Ｓ：Ａ、ZnS：Ａ，ＸおよびCdS：Ａ，Ｘ
（但しＡはCu，Ag，AuまたはMnであり、Ｘは
ハロゲンである。）で表わされる螢光体、特願昭
57−148285号記載の一般式〔〕または〔〕、 一般式〔〕 xM₃（PO₄）₂・NX₂：yA 一般式〔〕 M₃（PO₄）₂：yA （式中、ＭおよびＮはそれぞれMg，Ca，Sr，
Ba，ZnおよびCdの少くとも１種、ＸはＦ，Cl，
BrおよびＩの少くとも１種、ＡはEu，Tb，Ce，
Tm，Dy，Pr，He，Nd，Yb，Er，Sb，Tl，
MnおよびSnの少くとも１種を表わす。またｘお
よびｙは、０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満
たす数字である。）で表わされる螢光体、および
一般式〔〕または〔〕 一般式〔〕 nReX₃・mAX′₂：xEu 一般式〔〕 nReX₃・mAX′₂：xEu・ySm （式中、ReはLa，Gd，Ｙ，Luの少くとも１
種、Ａはアルカリ土類金属、Ba，Sr，Caの少く
とも１種、ＸおよびX′はＦ，Cl，Brの少くとも
一種を表わす。またｘおよびｙは、１×10^-4＜ｘ
＜３×10^-1、１×10^-4＜ｙ＜１×10^-1なる条件を
満たす数字であり、ｎ／ｍは、１×10^-3＜ｎ／ｍ
＜７×10^-1なる条件を満たす。）で表わされる螢
光体等が挙げられる。 しかしながら、本発明に係わる放射線画像変換
方法に用いられる螢光体は上述の螢光体に限られ
るものではなく、放射線を照射した後励起光を照
射した場合に輝尽発光を示すものであればいかな
る螢光体であつてもよいことは言うまでもない。 使用する輝尽性螢光体の平均粒子径は放射線画
像変換パネルの感度と粒状性を考慮して平均粒子
径0.1乃至100μmの範囲に於て適宜選択される。
さらに好ましくは平均粒径が１乃至30μmのもの
が使用される。ただし、螢光体層基板の小房より
も大きな粒径のものは望ましくない。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて、一般
的には上述の輝尽性螢光体は適当な結着剤中に分
散され、螢光体層基板の小房に充填される。結着
剤としては、例えばゼラチンの如き蛋白質、デキ
ストランの如きポリサツカライド又はアラビアゴ
ム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニ
トロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニリ
デン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタク
リレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、
ポリウレタン、セルロースアセテートブチレー
ト、ポリビニルアルコール等のような通常層形成
に用いられる結合剤が使用される。一般に結合剤
は輝尽性螢光体１重量部に対して0.01乃至１重量
部の範囲で使用される。しかしながら得られる放
射線画像変換パネルの感度と鮮鋭度の点では結合
剤は少ない方が好ましく、塗布の容易さとの兼合
いから0.03乃至0.2重量部の範囲がより好ましい。 さらに本発明の放射線画像変換パネルにおいて
は、一般に螢光体層の外部に露呈する面（螢光体
層基板の底部で隠蔽されない面）に螢光体層を物
理的あるいは化学的に保護するための保護膜が設
けられる。この保護膜は保護膜用塗布液を螢光体
層上に直接塗布して形成してもよいし、あるいは
あらかじめ別途形成された保護膜を螢光体層上に
接着してもよい。保護膜の材料としてはニトロセ
ルロース、エチルセルロース、セルロースアセテ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト等のような通常の保護膜用材料が用いられる。 尚、この保護膜は輝尽発光光を透過し、また励
起光の照射が保護膜側から行なわれる場合には励
起光を透過するものとして前記のものが選ばれ
る。 本発明の放射線画像変換パネルは第８図に概略
的に示される放射線画像変換方法に用いられた場
合優れた鮮鋭度を有する画像を与える。 すなわち、第８図において１６は放射線発生装
置、１７は被写体、１８は本発明の放射線画像変
換パネル、１９は該放射線画像変換パネルの放射
線潜像を螢光として放射させるための励起光源、
２０は放射線画像変換パネルより放射された光を
検出する光電変換装置、２１は光電変換装置２０
で検出された光電変換信号を画像として再生する
画像再生装置、２２は再生された画像を表示する
画像表示装置、２３は光源１９からの反射光をカ
ツトし、放射線画像変換パネル１８より放射され
た光のみを透過させるためのフイルターである。
光電変換装置２０〜画像表示装置２２は放射線変
換パネル１８からの光情報を何らかの形で画像と
して再生できるものであればよく、上記に限定さ
れるものではない。 また光源１９からの反射光をカツトするにはフ
イルター２３を用いずに特願昭57−124744号に示
されている発光の遅れを利用して分離する方法に
よつてもよい。 第８図に示されるように、被写体１７を放射線
発生装置１６と放射線画像変換パネル１８の間に
配置して放射線を照射すると、放射線は被写体１
７の各部の放射線透過率の変化に従つて透過し、
その透過像（すなわち放射線の強弱の像）が放射
線画像変換パネル１８に入射する。この入射した
透過像は放射線画像変換パネル１８の螢光体層に
吸収され、これによつて螢光体層中に吸収した放
射線量に比例した数の電子及び／又は正孔が発生
し、これが螢光体のトラツプレベルに蓄積され
る。すなわち放射線透過像の蓄積像（潜像）が形
成される。 次にこの潜像を励起光で励起して輝尽発光とし
て放射せしめ、顕在化する。本発明の放射線画像
変換パネル１８は、隔壁部材によつて多数の小房
に分割されており、上記螢光体層の励起の際に励
起光が螢光体層内で広がるのが抑制される。放射
された螢光の強弱は蓄積された電子及び／又は正
孔の数、すなわち放射線画像変換パネル１８の螢
光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比
例しており、この光信号を例えば光電子倍増管等
の光電変換装置２０で電気信号に変換し、画像再
生装置２１によつて画像として再生し、画像表示
装置２２によつてこの画像を表示する。 次に本発明の放射線画像変換パネルの製造方法
について説明する。まず前記型取り法に於ては第
９図のように、第１図に示した螢光体層基板と共
軛の形をした母型２４を作製する。この母型はシ
リコン結晶材より成る平板の表面に第１図のw₁，
h₁より多少大きなw₂，h₄なる幅と深さとを有す
る溝をダイヤモンド刃によつて形成したものであ
る。次にこの母型に成形剤を流し込む。この成形
剤は二酸化チタンを顔料として加えた白色シリコ
ンゴム等の仕上り後の隔壁での励起光の透過がほ
とんどなく、成形に際して流動性が良く、離型性
に優れ、且つ収縮性が少ない材料が好ましい。成
形剤が固化した後母型からこれを離型して、第１
図の螢光体層基板を得る。この基板の小房のそれ
ぞれに螢光体を充填することによつて、本発明の
放射線画像変換パネルが製造される。 次に浸蝕法に於ては、例えば感光性樹脂板を使
用した場合には、まず光に対し不透明部分が島状
のパターンを有するマスクを例えばナイロン系感
光性樹脂（プリンタイト；東洋紡績株式会社製）
の表面に密着させ、感光波長域250〜400nmの波
長を含む紫外線で照射する。露光後にこの感光性
樹脂を現像する。この現像によつて上記の感光性
樹脂の場合非露光部が流され、第１０図の如く螢
光体層基板２５が形成される。この基板２５の小
房に螢光体を充填することによつて放射線画像変
換パネルが製造される。またこの場合一般に感光
性樹脂は透明である為、第１１図に示す如く小房
の隔壁内面に光吸収体、若しくは光反射体２６が
塗布若しくは蒸着される。 更に、金属板のエツチングを使用した製造方法
について説明する。まず例えばニツケル板の両面
に例えばシツプレー社から販売されている感光性
樹脂AZ−1350を均一に塗布する。次に光透過部
分が島状のパターンを有するマスクを上記のニツ
ケル板の両面に表裏のパターンが整合する様に密
着させ紫外線で露光する。露光後この感光性樹脂
を現像する。この現像によつて上記の感光性樹脂
の場合露光部が流される。次にこのニツケル板を
120℃で30分間ベーキングした後酸でニツケル板
をエツチングすることによつて第１２図に示すよ
うな隔壁部材２７が形成される。この隔壁部材を
底部２８となる例えばポリエチレンテレフタレー
トに接着し螢光体層基板が形成される。この基板
の小房に螢光体を充填することによつて放射線画
像変換パネルが製造される。 上述したように本発明の放射線画像変換パネル
は、螢光体層基板の多数の隔壁部材によつて螢光
体層が小房に分割されており、励起光の螢光体層
内での広がりが抑制されるので画像の鮮鋭度が著
しく向上し工業的価値の非常に高いものである。 （実施例） 次に実施例によつて本発明を説明する。 実施例 １ ナイロン系感光性樹脂（プリンタイト；東洋紡
績株式会社製）の表面に非透過部分が島状のパタ
ーンを有するマスクを密着し、紫外線で１分間露
光した。露光後、この感光性樹脂を水で現像して
第１０図に示したような螢光体層基板を作製し
た。この基板の小房の大きさは、d₁＝d₂＝
100μm、h₁＝200μmであり、隔壁の厚さはw₁＝
40μmであつた。また該小房の内壁に反射率80％
のアルミニウム蒸着層をつけた（真空度２×
10^-5Torr、加熱蒸着）。 次に平均粒径2μmのBaFBr：Eu螢光体８重量
部およびポリビニルブチラール（結着剤）１重量
部を溶剤（シクロヘキサノン）を用いて混合分散
して塗布液とした。この塗布液を水平に置いた上
記螢光体層基板上に均一に塗布し、各小房に充填
し、一昼夜放置して放射線画像変換パネルＡを得
た。 一方これとは別に、上記の螢光体層基板を用い
ないで水平に置いたポリエチレンテレフタレート
フイルム上に上記塗布液を乾燥膜厚200μmとなる
ように塗布したこと以外は上記と同様にして比較
用の放射線画像変換パネルＢを得た。 次に上記放射線画像変換パネルＡおよびＢそれ
ぞれに管電圧80KVpのＸ線を照射した後150μmφ
のHe−Neレーザ光で走査し、螢光体を励起し
て、螢光体からの発光光を受光器（光電子増倍
管）で受光して電気信号に変換し、これを画像再
生装置によつて画像として再生して表示装置上に
画像を得た。得られたそれぞれの画像の変調伝達
関数（MTF）を調べた。その結果を第１表に示
す。

【表】 上記第１表より明らかなように、螢光体層を小
房に分割した放射線画像変換パネルＡは、従来の
放射線画像変換パネルＢに比較して鮮鋭度が極め
て高い画像を与える。 実施例 ２ 実施例１のナイロン系感光性樹脂を用いる代わ
りに、ニツケルをエツチングして第１２図に示す
ような螢光体層基板を作製した。この基板の小房
の大きさはd₁＝d₂＝120μm、h₁＝190μmであり、
隔壁の厚さは最小の所で35μmであつた。次に実
施例１のBaFBr：Eu螢光体の代わりに0.1YF₃・
0.9BaFBr：Eu螢光体を用いて実施例１と同様に
して塗布液を作り、実施例１と同様にして塗布・
乾燥して放射線画像変換パネルＣを得た。 一方これとは別に上記の螢光体層基板を用いな
いで水平に置いたポリエチレンテレフタレートフ
イルム上に上記塗布液を乾燥膜厚190μmとなるよ
うに塗布したこと以外は上記と同様にして比較用
放射線画像変換パネルＤを得た。実施例１と同様
にして放射線画像を変換することによつて得られ
た画像のMTFを下記第２表に示す。

【表】 上記第２表より明らかなように螢光体層を小房
に分割した放射線画像変換パネルＣは従来の放射
線画像変換パネルＤに比較して鮮鋭度が極めて高
い画像を与える。 （発明の効果） 本発明の目的が達成されると同時に、輝尽性螢
光体を使用する放射線画像変換方法に於る鮮鋭度
を向上させる一般的方法を提供することができ、
この技術分野の進展に貢献することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の放射線画像変換パネルの実施
例を示す一部断面図、第２図は第１図の平面図、
第３図は本発明の他の実施例を示す平面図、第４
図ａは従来の放射線画像変換パネルの特性を示す
図、ｂは本発明の放射線画像変換パネルの特性を
示す図、第５〜第７図は本発明の他の実施例を示
す断面図、第８図は本発明の放射線画像変換パネ
ルを用いた放射線画像情報記録方法の概略図を示
す図、第９図は第３図の放射線画像変換パネルの
製造に使用する母型の断面図、第１０図は感光性
樹脂を使用して作製した螢光体層基板の断面図、
第１１図は第１０図の螢光体層基板に反射層を設
けた放射線変換パネルの断面図、第１２図は金属
板を使用して作製した螢光体層基板の断面図であ
る。 １０……螢光体層基板、１１……底部、１２…
…隔壁部材、１３……小房、１４……輝尽性螢光
体、１５……螢光体層、１６……放射線発生装
置、１７……被写体、１８……放射線画像変換パ
ネル、１９……励起光源、２４……母型。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板に輝尽性蛍光体層を設けた放射線画像変
   換パネルに於て、前記基板に隔壁部によつて区切
   られた多数個のハニカム状小房を形成すると共
   に、該多数個の小房の深さは互に均一に形成さ
   れ、該小房に輝尽性蛍光体が設けられていること
   を特徴とする放射線画像変換パネル。 ２ 母型から離型することによつて形成した隔壁
   部によつて区切られた多数個の互に深さが均一な
   ハニカム状小房を形成し、該多数個の小房に輝尽
   性蛍光体を充填することを特徴とする放射線画像
   変換パネルの製造方法。 ３ 基板を浸蝕することによつて形成した隔壁部
   によつて区切られた多数個の互に深さが均一なハ
   ニカム状小房を有する基板を形成し、該多数個の
   小房に輝尽性蛍光体を充填することを特徴とする
   放射線画像変換パネルの製造方法。