JPS6239799A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射線
画像を与える放射線画像変換パネル及びその製造方法に
関するものである。

【従来技術】

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられる。このＸ線画像を得るために、被写体を透過し
たＸ＃Ｉを蛍光体Ｎ（蛍光スクリーン）に照射し、これ
により可視光を生じさせてこの　可傾　乎　か　；山　
堂め　冗宵　番　ン　ス　と　誕　と　闇　１−　十　
へ　１７瀞塩を使用したフィルムに照射して現像した、
いわゆる放射線写真が利用されている。しかし、近年銀
塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体層から直接
画像を取り出す方法が工夫されるようになった。 この方法としでは被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。兵体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２］４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に１ＩＩＩ尽性蛍光性蛍光
形成した放射線画像変換パネルを使用するもので、この
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過
した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応す
る放射線エネルギーを蓄ｖｔさせて潜像を形成し、しか
る後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励旭光で走査すること
によって各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させ
てこれを光に変換し、この光の強弱による光信号により
画像を得るものである。この最終的な画像はノ）−トコ
ビーとして再生しても良いし、ＣＲＴ上に再生してもよ
い。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜３０７７１１１程度の粒子状のＸ１
ｆｌ尽性蛍光体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あ
るいは保護層上に塗布・乾燥して作成されるので、輝尽
性蛍光体の光’１ｆｆｉ度が低く（充填率５０％）、放
射線感度を充分高くするには第５図（ａ）に示すように
輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする必要があった。 同図から明らかなようにＩＩＩ尽性蛍光体屑の層厚２０
０μＩｆｆのときに輝尽性蛍光体の附着量は５０　＋ｎ
　ｇ／　ｃ　Ｉｆ１２であり、層厚が３５０μｍまでは
放射線感度は直線的に増大して４５０μｍ以上で飽和す
る。尚、放射線感度が飽和するのは、輝尽性蛍光体層が
厚くなり過ぎると、ＸＩ′１１尽性蛍光体性蛍光体粒子
間性蛍光体層の散乱のため輝尽性蛍光体層内部での輝尽
発光が外部に出てこなくなるためである。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第５図（ＩＪ）に示すように、放射線゛画像
変換パネルの１１１Ｅ、性蛍光体層の層厚が薄いほど高
い傾向にあり、鮮鋭性の向上のためには、輝ぶ性蛍光体
層の薄層化が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
放射Ｍｆｆｉ子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるい
は放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構逍的乱れ
（構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光
体層の層厚が薄くなると、ＩＩＩ尽性電性蛍光体層収さ
れる放射線量子数が減少して量子モトルが増加したす補
遺的６Ｌれが顕在化して構造モトルが増加したりして画
質の低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるた
めには輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示
すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感
度と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成され
てきた。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーンの中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の
発光）の広がりによって決定されるのは周知の通りであ
るが、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射
線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放
射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系
列化されて取り出されるので、ある時間（Ｌｉ）に照射
された輝）′？−励起光による輝尽発光は望ましくは全
て採光されその時間に輝尽励起光が照射されていた該パ
ネル上のある画素（ｘｉ＋ｙｉ）からの出力として記録
されるが、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等により
広がり、照射画素（×ｉ＋ｙｉ）の外側に存在する輝尽
性蛍光体をも励起してしまうと、上記（ｘｉ、ｙｉ）な
る画素からの出力としてその画素よりも広い領域からの
出力が記録されてしょうがらである。従って、ある時間
（ｔｉ）に照射された輝尽励起光による輝尽発光が、そ
の時間（ｔｉ）に輝尽励起光が真に照射されていた該パ
ネル上の画素（にｉ、ｙｉ）からの発光のみであれば、
その発光がいかなる広がりを持つものであろうと得られ
る画像の鮮鋭性には影響がない。 このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性改善する方
法がいくつか考案されて米だ。例えば特開昭５５−１４
６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層中に白色粉体を混入する方法、特開明５５−１６３５
００号記載の放射Ｍ画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝
尽励起波長頭載における平均反射率が前記輝尽性蛍光体
の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さくな
るように着色する方法等である。しかし、これらの方法
は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が者しく低下してし
ま−・、好ましい方法とは言えない。 一方これに灯し本出願人は既に特願昭５９−１９６３６
５号においで前述のようなＩＴＩ尽性微性蛍光体いた放
射線画像変換パネルにおける従来の欠点を改良した新規
な放射線画像変換パネルとして１１坪尽性蛍光体層が結
着剤を含有しない放射線画像変換パネルを提案している
。これによれば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層が結着剤を含有しないので輝尽性蛍光体の充填率が著
しく向上すると共に輝尽性蛍光体層の透明性が向上する
ので、前記放射線画像変換パネルの放射線に対する感度
と画像の粒状性が改善されると同時に、画像の鮮鋭性も
改善される。 しかしながら前記放射線画像変換方法に於いて、感度、
粒状性を損つことなく且つ鮮鋭性の浸れた画質の要求は
更に厳しくなって米でいる。

【発明の目的１ 本発明はＲ１尽性蛍光体を用いた防泥提案の放射線画像
変換パネルに関連し、これをさらに改良するものであり
、本発明の目的は放射線に対する感度が向上すると共に
鮮鋭性の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供
することにある。 本発明の他の目的は、粒状性が向上すると共に、鮮鋭性
の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供するこ
とにある。 【発明の構成】 前記した本発明の目的は、−１！、属支持体上に多孔性
クロム層を有し、該多孔性クロム層の北に少なくとも一
層の輝尽性蛍光体層を有することをｆｉ−徴とする放射
線画像変換パネルによって達成される。 次に本発明を具体的に説明する。 第１図（ａ）は本発明の放射線画像変換パネル（以後意
味明晰な場合には単にパネルと略称することがある）の
厚み方向の断面図である。 同図に叢いて１０は本発明のパネルの形態を示す。 １１はアルミニウムからなる支持体であり、１２は支持
体１１の表面を被覆する多孔性クロム層である。 多孔性クロム層とは、一般にめっき技術の分野において
、ポーラスクロムと称されるもので、表面に多数の微細
な亀裂を有するクロムの薄層であり、かつその亀裂は開
口部が狭く底部の広い袋状の空孔を呈していることが多
い。本発明のパネルにおいて、多孔性クロム層１２に形
成される亀裂（１２ｉｊ）は５０００〜５００００個／
　Ｃｍ”程度の密度で存在することが好ましい。また亀
裂の深さｄは多孔性クロム層の厚さしに対して５〜７０
％程度が好ましく、多孔性クロム１１２の空孔率は１０
〜４５％程度となるのが好ましい。 第２図に前記多孔性クロム層の表面のＷ徽鏡写真を示す
。 このような多孔性クロム層表面には第１図に示すように
、輝尽性蛍光体の微細柱状ブロック１３ｉｊを気相堆積
法により形成することができる。（１３ｉ柱状ブロツク
１３ｉｊの平均的径は１〜４００μｍが好ましく、また
間隙（１３ｉｊ）は前記微細柱状ブロック１３ｉｊが互
いに独立していればいかなる間隔でもよいが、平均的に
はＯ〜２０１１Ｉ１１が好ましい。前記１３ｉｊ及び（
１３ｉｊ）によって本発明に関わる１￥Ｉ尽性微性蛍光
１３が形成される輝尽性蛍光体［１３の表面には保護層
１４が設けられることが好ましい。 また、前記多孔性クロム層と前記輝尽性蛍光体層との間
に必要に応じ輝尽性蛍光体の接着を助けるための接着層
、あるいは輝尽励起光および／または１１Ｉ尽発光の反
射層あるいは吸収層を設けてもよい。 第１図（ｂ）に、本発明のパネルの別の一例を厚み方向
の断面図として示す。なお、第１図（ａ）及び第１図（
Ｉ））において同記号は機能的に互いに同義である。 第１図（ｂ）においては、多孔性クロム層】２に形成さ
れる亀裂（１２ｉｊ）は支持体１１の表Ｗ１まで達して
おり、前記亀裂（１２ｉｊ）を充填して形成されたａＩ
腺５００００−５００００個／　ｃ　ｔｏ　２種度の密
度で存在することが好ましい。また細線網１５の高さ１
１と多孔性クロム層１２の厚さしとは１１≧しなる関係
にあることが好ましい。 前述のようにして得た輝尽性蛍光体の微細柱状ブロック
は特願昭５９−２６６９１２号〜２６６９１６号に記載
されている方法ｃ得たものよりその径が微細な柱状のブ
ロックとなる。 前記した光学的に互いに独立な微細柱状ブロック構造を
有する輝尽性蛍光体層に輝尽励起光が入射すると該励起
光は微細柱状ブロック構造の光誘導効果により柱状ブロ
ック内面で反射を繰り返しながら柱状ブロック外に散逸
することなく柱状ブロックの底まで到着する。従って輝
尽発光による画像の鮮鋭性を者しく増大することができ
る。 本発明のパネルの輝尽性蛍光体層３の厚みはパネルの放
射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異な
るが１０〜８００μ「ｎの範囲であることが好ましく、
５０〜５００μＩｎの範囲であることが更に好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて１１１Ｉ尽性蛍
光体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射
された後に、光的、熱的、ＰＩｉ械的、光学的または電
気的等の刺ｆ１１（ｖ＄尽励起）により、最初の光もし
くは高エネルギーの放射線の照射量に対応した輝尽発光
を示す蛍光体を言うが、実用的な面から好ましくは５０
０ｎｍ以上の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体
である。本発明の放射線画像変換パネルに用いられるＩ
ＴＩ尽性蛍光体としては、例えば特開昭４８−８０４８
７号に記載されているＢ　ａＳ　Ｏ４：Ａ　Ｘ（但しＡ
はＤｙ＋Ｔｂ及ゾＴＩｆｉのうち少なくとも１種であり
、Ｘはｏ、ｏｏｉ≦ｘ＜１モル９６である。）で表され
る蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭＨ８Ｏ，
：Ａｘ（但しＡはト（ｏ或いはＤｙのうちいずれかであ
り、０．００１≦Ｘ≦１モル％である）で表される蛍光
体、特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳ　ｒ
Ｓ　Ｏ＜：１．　ｘ（但しＡはＤｙ＋Ｔｂ及びＴｍのう
ち少なくとも１種でありとは０．００１≦ｘ＜１モル％
ある。）で表わされている蛍光体、特開昭５１−２９８
８９号に記載されているＮ　ａ２Ｓ　Ｏ４，Ｃａ　Ｓ　
Ｏ、及びＢａＳＯ４等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂのうち少な
くともＩＭを添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７
号に記載されているＢ　ｅ　Ｏ＋　Ｌ　＋　Ｆ　＋　Ｍ
　ｇ　Ｓ　Ｏ４及びＣａＦ２等の蛍光体、特開昭５３−
３９２７７号に記載されているＬ　ｉ　２　Ｂ　４０　
？　’、　Ｃｕ　ｅ　Ａ　ｇ等の蛍光体、特開昭５４−
４７８８３号に記載されているＬ　ｉ２０　・（Ｂ　２
０２）Ｘ：Ｃｕ（但しｘｌ、ｔ２＜ｘＳ３）、及ｔｐ　
Ｌ　ｉ２０−　（Ｂ　２０２）Ｘ：Ｃｕ、Ａｇ（但しＸ
は２＜ｘＳ３）等の蛍光体、米国特許３゜８５９．５２
７号に記ｆｉ３＃ｔてぃ７＋ｓｒｓ：ＣｅｔＳＩ［Ｉ、
ＳｒＳ　：Ｅ　ｕ、Ｓ　＋ｎ、　　Ｌ　１１２０２Ｓ　
：Ｅ　ｕ、Ｓ　ｍ及び（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ、Ｘ（但
しＸはハロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられる。ま
た、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ
：Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ＸＡ　１２０　
）：Ｅ　１１（但し０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるア
ルミン酸バリワム蛍光体、及び一般式がＭＩＩｏ−ｘＳ
　ｉｏ　□：Ａ　（但しＭ”はＭ　ｇ　＋　Ｃａ　ｒ　
Ｓ　ｒ　ｒ　Ｚ　ｎ　ｒ　Ｃｄ又はＢａでありＡはＣｅ
、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｕ、Ｐｂ、Ｔ　Ｉ、Ｂ　ｉ及びＭｉ］
のうち少なくとも１種であり、×は０．５≦Ｘ≦２．５
である。）で表わされるアルカリ土類金Ｒ珪酸塩Ｍ　　
’ｉｌｉ’　　ｆｋ　　めＣ巣　げ　ム　引　　入　　
　　　十　す・　　　　　−轟ル　；卜　講１（Ｂａ　
　　　　　　ＭＦ３　　Ｃａ　　）ＦＸ：ｅＥｕ”ｌ　
　　　Ｘ　　　Ｙ　　　　　　Ｘ　　　　　　ｙ（但し
ＸはＢ「及びＣＩの中の少なくとも１つであり、ＸｖＹ
及びｅはそれぞれＯ＜ｘ＋ｙ≦０．６、×ｙ≠Ｏ及び１
０−６≦Ｃ≦５Ｘ１０−２なる条件を満たす数である。 ）で表される蛍光体が挙げられる。また、一般式が Ｌ　ｎｏ　Ｘ　：ｘＡ （但しＬ　ｎはＬｎ、Ｙ、Ｇｄ及びＬ　ｕの少なくとも
１つを、ＸはＣＩ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又
はＴ　Ｉ＋を、Ｘは０〈に〈０．１を満足する数を表す
。）で表される蛍光体、特開昭５５−１．２１４５号に
記載されている一般式が （Ｂ　ａ　　　Ｍ　”ｘ）Ｆ　Ｘ　：ｙＡ重−Ｘ （但しＭ″′は、Ｍｇ＋Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄｙう
ち。 少なくとも１つを、Ｘ１ｉＣＩ、Ｂｒ及び工のうち少な
くとも１つを、ＡはＥ　ｕ　ｒ　Ｔ　ｂ　＋　Ｃｅ　ｒ
　Ｔ　ｍ　＋　Ｄ　ｙ　ｒ　Ｐ　ｒ　＋１１　ｏ、　Ｎ
　ｄ、　Ｙ　ｂ及びＥ「のうちの少なくとも１つを、Ｘ
及びｙはＯ≦に≦０．６及び０≦ｙ≦０．２なる条件を
満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭５５−８
４３８９号に記載されている一般式がＢ　ａＦ　Ｘ　：
ｘＣｅ。 ｙＡ（但し、ＸはＣＩ、Ｂｒ及（／Ｉのうちの少なくと
も１つ、ＡはＩ　ｎ、Ｔ　Ｉ、Ｇ　ｄ、Ｓ　１ｆｉ及び
Ｚｒのうちの少なくとも１つであり、Ｘ及びｙはそれぞ
れＯ＜ｘ≦２Ｘ１０−’及びｏ＜ｙ≦５Ｘ１０−”であ
る。）で表される蛍光体、特開昭５５−１６００’７８
号に記載されている一般式が ＭπＦ　Ｘ　＋ｘＡ　：ｙＬ　ｎ （但しＭ！ＩはＭｇ＋Ｃａ＋Ｉ３ａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣ
ｄのうちの少なくとも１種、ＡはＢｅＯ、ＭｇＯ＋Ｃａ
Ｏ。 Ｓｒ○、ＢａＯ，Ｚ　ｎ　Ｏ、Ａ　Ｉ　２０３　、Ｙ　
２０３　、Ｌ　ａ　２０　ｓ　。 Ｉ　ｎ２０　Ｉｔｓ　ＩＯ２，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｇ
ｅＯ２ＨＳ　ｎ　Ｏ２＋Ｎ　ｂ２０　ｓ、Ｔ　ｎ２０　
ｓ及びＴＩ＋０２のうちの少なくとも１種、Ｌ　ｎはＥ
ｕ＋Ｔｌ）、Ｃｅ＋Ｔｍ＋Ｄｙ＋Ｐｒ＋Ｈｏ＋ＮｃＬＹ
ｌ】、Ｅｒ、Ｓ＋ｎ及びＧｃｌのうちの少なくとも１種
であり、ＸはＣＩ、Ｂｒ及び■のうちの少なくとも１種
であり、Ｘ及びｙはそれぞれ５Ｘ１０−５≦×≦０．５
及び（’）＜ｙ≦０．２なる条件を満たす数である。）
で表される希土類元素付活２価金属フルオロノ１ライド
蛍光体、一般式がＺｎＳ　：Ａ、　（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　
：Ａ、　ＣｄＳ：Ａ、ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及びＣｄＳ：Ａ、
Ｘ（但しＡはＣｕ　ｒ　Ａ　ｇＨＡ　ｕ　Ｈ又はＭ　ｎ
であり、Ｘはハロゲンである。）で表される蛍光体、特
開昭５７−１４８２８５号に記載されている一般式（ｒ
）又は［Ｉ［）、一般式（１）　　　ｘＭ、（ＰＯ，）
２・ＮＸ２：ｌ’Ａ一般式（ＩＩ　）　　　　Ｍ３（Ｐ
Ｏ，）２・ｙＡ（式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭ　ｇ　＋
　Ｃａ　ｔ　Ｓ　ｒ　＋　Ｂ　ａ　ｔＺ　ｎ及びＣｄの
うち少なくとも１！！！ｌ、ＸはＦ　、ＣＩ。 Ｂｒ＋及び■のうち少なくとも１種、ＡはＥｕ、Ｔｂ。 Ｃｅ＋Ｔ＋ｎ＋Ｄｙ＋Ｐ　ｒ＋Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ＋Ｓ　
ｂ、Ｔ　！＋Ｍｎ及びＳ　ｎのうち少なくとも１種を表
す。また、Ｘ及びｙは０＜ｘ≦６．０≦ｙ≦１なる条件
を満たす数である。）で表される蛍光体、一般式（ＩＩ
Ｉ）又は［ＩＶ）一般式ＣＩｆｆ　］　　　ｎＲｅＸ　
コ・＋ｎＡ　Ｘ　’　２：ｘＥｕ一般式（■）　　　ｎ
ＲｅＸコ・ｔｏＡＸ’ｚ：ｘＥｕ＋ｙＳ＋ｎ（式中、’
ＲｅはＬａ、Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕのうち少なくとも１！！１
、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち少な
くとも１種、Ｘ及びＸ′はＦ、ＣＩ、Ｂｒのうち少なく
とも１種を表わす。また、Ｘ及びｙは、１Ｘ　ＩＦ’　
＜　ｘ＜　３　Ｘ　１０−’、　Ｉ　Ｘｌ０−１’＜ｙ
＜　Ｉ　Ｘｌ０−１なる条件を満たす数であり、ｎ／＋
ａはＩ　Ｘ　１０−’　＜　ｎ／、。＜　７　Ｘｌ０−
１なる条件を満たす。）Ｃ′表される蛍光体、及び 一般式 ％式％： （但し、Ｍ工はＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ、及びＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ”はＢ
　ｅ　＋　Ｍ　ｇ　ｔ　Ｃａ　＋　Ｓ　ｒ　ｔ　Ｂ　ａ
　＋　Ｚ　ｎ　＋　Ｃｄ　ｖ　Ｃｕ及びＮｉから選ばれ
る少なくとも一種の二価金属である。Ｍ“はＳ　ｃ、Ｙ
　、Ｌ　ｎ、Ｃｅ、Ｐ　ｒ、Ｎ　ｄ、Ｐ　１１１．Ｓ　
ＦＩｌｙＥ　ｕ、Ｇ　ｄ、Ｔ　ｂ。 Ｄｙ＋Ｈｏ＋Ｅｒ、Ｔｍ＋Ｙｂ、Ｌｕ、Ａ　Ｉ＋Ｇａｔ
及びＩ　ｎから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
る。 ｘ、ｘ’及びＸ＃はＦ、ＣＩ、Ｂｒ及び■から選ばれる
少なくとも一種のハロゲンである。Ａｌｊ：Ｅｕ。 ＴｂｔＣｅ、Ｔ＋ｎ＋Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ＋Ｎｄ、ＹＩｇ
Ｅｒ、Ｇｄ、ＬｕｔＳ　ｌｌ１ｅ　Ｙ　ｖ　Ｔ　ｌ　ｒ
　Ｎ　ａ　ｔ　Ａ　Ｆｌ　＋　Ｃｕ及びＭｇから選ばれ
る少なくとも一種の金属である。 また８は０≦ａ＜０．５範囲の数値であり、１〕は０≦
ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ＣはＯ＜ｃ≦０．２の
範蛍光体等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体
は真空蒸着、スパッタ等の方法でＲ尽性蛍光体屑を形成
させやすく好ましい。 しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発
光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい
。 本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群を有してもよい。ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて、金属支持体と
してはアルミニウム、銅、鉄及びそれらの合金が用いら
れる。尚、クロムメッキを行なうにはアルミニウムが都
合がよい。支持体の層厚は一般的には５００μＷ〜５Ｉ
であり、取り扱い上の点＃−Ｌ　　ｔ　　ａ　　Ｉ−１
′＋　６７　　中　］　　イ　Ｉ千１　１ｎｃｈ　−９
＋ｎｍ　Ｆ　　Ｊｋ　　７．−支持体の多孔性クロム層
は、たとえばアルミニツム支持体表面あるいはアルミニ
ウム支持体上に、下地メッキを施した面にクロムをメン
キした後、多孔性処理を行なうことにより形成される。 下地メッキ層はクロムメッキ層のＴｉ着性をよくするた
めに設けられ、たとえば支持体上に亜鉛、胴、ニッケル
の順に各層を約０．５μｍ程度メッキしてもよいし、あ
るいは亜鉛、ニッケルの順に各層を約０．５μＩｎ程度
メッキするが、または鍔、ニッケルの順に各層を約０．
５μＩ１１程度メッキしてもよい。 クロムメッキ浴としてはクロム酸−硫酸浴またはクロム
酸−ケイ７ン化ナトリウム−硫酸浴などが用いられる。 クロム酸−硫酸浴の場合には、Ｃｒｏ３ｔＡ度２００−
３００ｇ／　ｌ　、　Ｈ２Ｓ　Ｏ，８度２．０−３．０
ＦＩ／９、メッキ温度４５〜６０℃、電流密度１０〜７
０Ａ／ｄＩＩＩ２とするのが好ましい。クロム酸−ケイ
フ／化ナトリウム−硫酸浴の場合には、Ｃｒｙ、濃度２
００−３００ｇ／　Ｑ　、　Ｎ　ａ２ｓ　ｉＦ　６ｔｎ
度５−１０ｇ／　Ｑ　ＳＨ２ＳＯ１濃度Ｏ，］−１，５
ｇ／Ｑ　、ｌ　ツキ温度５０−６０″ｃ電流密度３０℃
６０Ａ／ｄ１１１２とするのが好ましい。クロムメッキ
厚は５〜３００μｍ程度が好ましい。 クロムメッキ層は、電析過程において発生する電着応力
によって自然発生的に網状の多数のマイフロラ・７りを
生じることが知られでいる。このマイクロランクを溶解
拡大することにより、本発明に関わる多孔性クロム層が
形成される。 この多孔性処理法としては機械的加工法、化学的エツチ
ング法、電解エツチング性及び加熱加工法等が上げられ
る。 機械的加工法はサンドブラスト、シシットビーニング、
ローレット等によるものである。 化学的エツチング法は鉱酸またはそれらの混酸を用いて
行なわれ、ｆ（解エツチング法はａｑｕａＣｒ○、を主
成分に８３ＰＯ，、（ＣＯ’０）Ｔ）２、クエン酸すＵ
　）ラム、Ｈ２ＳＯ，等を添加剤とした浴中で電解され
る。以上の方法により形成された多孔性クロム層は、輝
尽性蛍光体層を形成する前に加熱処理を施してもよい。 更に前記加熱加工法はクロムメンキ層上に輝尽性蛍光体
層を設けた後に加熱してマイクロクラックを成長させる
方法である。 クロムメッキ層にはメッキ時に発生する水素がスが吸着
されており、これを加熱することにより水素ガスが膨張
してマイクロクラックが拡大し、同時にクロム層上の輝
尽性蛍光体層にも亀裂を生じる。加熱処理は真空中ある
いは大気中で行ない、温度は３５０℃以上とするのが好
ましい。また、加熱処理を施した後、さらに１０〜２０
μＩ１１厚の輝尽性蛍光体層を堆積させてもよい。 前記機械的加工法、化学的エツチング法、電解エツチン
グ法及び加熱加工法の内エツチング法及び加熱加工法が
好ましく、加熱加工法が最も好ましい。 多孔性クロム層に加えて、その亀裂を充填して形成され
た細線網を設ける場合、すなわち第１図（ｂ）に示すご
とき構造のパネルを製造する場合には、たとえば以下に
述べる方法を用いる。 支持体としては、前述した支持体と同様のものを使用し
く下地メッキに関しても同様）、前述したロムメッキ層
の厚さは５〜５０μＷ程度とするの力！好ましい。次に
前述した化学的エツチング法あるいは電解エツチング法
を用いて多孔性処理を行ない、クロムメッキ層のマイク
ロクラックを支持体表面が裸出する深さまで成長させて
多孔性クロム層を作成する。 前記細ｆａ網の素材としては輝尽性蛍光体と結晶条件の
異なる、第３上び／または熱膨張など物性の異なるもの
が好ましく、実用的には金属であることが好ましい。前
記多孔性クロム層を上部に有する支持体をＮ　ａ　ＯＩ
（により処理して、多孔性クロム層の亀裂表面に被着し
ている酸化アルミニウムを除去した後、金属メッキたと
えばニッケルメンキを施すと、ニッケルの電着は前記亀
裂部分に優先的に行なわれて、ニッケルからなる細線ｔ
４が形成される。この際多孔性クロム層上に輝尽性蛍光
体を微細柱状ブロックとして都合よく堆積させるには前
記細Ｒ網の高さが前記多孔性クロム層の厚さと等しいが
、より大きい方が好ましい。 般的に前記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、１１［尽性
蛍光体層群を物理的にあるν１は化学的に保護するため
の保護層を設けることが好ましく１゜この保護層は、保
ｉｇ！層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形
成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成した保護
層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。保護層の材料
としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチ
ルメタクリレート。 ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリプロピレン１．ポリ塩化ビニリ
デン、ナイロン、ポリ四７）化エチレン、ポリ三７ツ化
−塩化エチレン、四７ツ化エチレンー六７ツ化プロピレ
ン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩
化ビニリデン−７クリロニトリル共重合体等の保ｖ１層
用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等により、
Ｓ　ｉＣ＝Ｓ　ｉｏ　２．Ｓ　ｉＮ　、Ａ　Ｉ□０３な
どの無機物質を積層して形成してもよい。 次に前記輝尽性蛍光体層の気相堆積法につν１て説明す
る。 ｆ５１の方法として真空蒸着法がある。該方法に於いて
は、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気
して１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。 次いで、支持体加熱用ヒーターにより３００〜５００℃
に加熱して支持体表面を清浄にした後、支持体を１００
℃に設定し、そしてアルゴンガスなどを導入して真空度
を５　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にした後、輝尽性蛍光
体たとえばタリウムを付活剤とした臭化ルビノウム蛍光
体を！厚が約２５０μＩＯになるまで蒸着する。 この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレ
クトロンビームを用いて共蒸着を行うことも可能である
。 蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に好ましくは保護層を設は本発明の放射
線画像変換パネルが製造される。 尚、保１！層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体
を設ける手順をとってもよい。 また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて
共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。 さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に応じて
被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱
してもよい。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０””Ｔｏｒｒ程度の真空度と
し、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｈｅ等の不活
性ガスをスパッタ装置内に導入して１０−、’Ｔｏｒｒ
程度のガス圧とする。 この層１２上に例えばタリウムを付活剤とした臭化ルビ
ジウムをターデッドとしてスパッタリングすることによ
り微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体を所望の厚さに
堆積させる。 前記スバツタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また
それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターデッ
ドを用いて、同時あるいは順次、前記ターデッドをスパ
ッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。 スパッタ終了後、真空蒸着法と同様に必要に応じて前記
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に好ましくは保
護層を設は本発明の放射線画像変換パネルが′ａｌ遺さ
れる。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支
持体を設ける手順をとってもよい。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターデッドして用いこれを同時あるいは順次スパッタリ
ングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて０２
．Ｈ２等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよ
い。 さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは
加熱してもよい。 その他の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とす
る輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有
機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解す
ることにより、支持体上に結着剤を含有しないＸ１ｌｌ
尽性蛍光体層を得る。 第３図（ａ）は気相堆積法によってえられた本発明の放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層及び該層厚に対応
する輝尽性蛍光体原料量と放射線感度の関係の一例を表
している。 本発明に係る気相堆積法によるＱｌ尽性蛍光体層は結着
剤を含んでいないので輝尽性蛍光体の附着量（充填室）
が従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽性蛍光体層の約２
倍あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線吸収率
が向上し放射線に対して高感度となるばかりか、画像の
粒状性が向上する。 更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は透明性に優
れており、輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高く、従
来の塗膜性による輝尽性蛍光体層よりＮ厚を厚くするこ
とが可能であり、放射線に対して一層高感度となる。 前記のようにして得られた微細柱状ブロック構造の輝尽
性蛍光体層を有する本発明のパネル鮮鋭性の一例を第３
図（Ｉ））の３１に於いて特性面ＫＱ３１によって示す
。 本発明のパネルは特願昭５９−２６６９１２号〜２６［
３９１６号に記載されている微細柱状ブロック構造より
その構造が微細であって、光誘導効果により、ｌｌＩ尽
励起光が柱状ブロック内面で反射を繰り返し、柱状ブロ
ック外に散逸することが少ないので、例えば特願昭５９
−２６６９１４号に指名されるタイル状補遺を引き継い
だもの特性を示す第３図（１））の３２と比較すると明
らかなように、画像の鮮鋭性が向上すると共に輝尽性蛍
光体の層厚の増大にともなう鮮鋭性をより向上すること
が可能である。 また輝尽性蛍光体粒子を結着剤に分散塗布して得られる
従来のパネルの特性を第３図の３３に示す。 これより明らかに画像の鮮鋭性が優れていることがわか
る。 本発明の放射線画像変換パネルは第４図に概略的に示さ
れる放射＃Ｘ１ｉＩ像変換方法に用いられた場合、優れ
た鮮鋭性粒状性及び感度を与える。すなわち、第４図に
おいて、４１は放射線発生装置、４２は被写体、４３は
本発明の放射線画像変換パネル、４４は輝尽励起光源、
４５は該放射線画像変換パネルより放射された輝尽発光
を検出する光電変換装置、４Ｇは４５で検出された信号
を画像として再生する装置４７は再生された画像を表示
する装置、４８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝
尽発光のみを透過させるフィルターである。尚４５以降
は４３がらの光情報を何らかの形で画像として再生でき
るものであればよく、上記に限定されるものではない。 第４図に示されるように放射線吸収率ｊｉ！４１からの
放射線は被写体４２を通して本発明の放射線画像変換放
射線画像変換パネル４３に入射する。この入射した放射
線はパネル４３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネ
ルギーが蓄積され放射線透過像のＷ積像が形成される。 次にこの蓄積像を輝尽励起光源４４からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。本発明の放射線
画像変換パネル４３は、ｊＩｌｌ尽性蛍光性蛍光体層柱
状ブロックｖＩｔを有しているため、上記輝尽励起光に
よる走査の際に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で拡散
するのが抑制される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置４５で光電変換し、画像再生装置４６
によって画像として再生し画像表示装置４７によって表
示することにより、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。

【実施例】

次に実施例によって本発明を説明する。 実施例１゜ 支持体として１．５ｍｍ厚のアルミニウム板を用い、ア
ルミニウム板表面なバブ研磨したのち脱脂及び水洗を行
い、Ｃｒｏ　３２５０ｇ／　Ｑ　％　Ｈ２Ｓ　Ｏ４２，
５ｇ／Ω、温度６０℃、電流密度４０Ａ／ｄａ２のメッ
キ浴において約６０μｍの厚さにクロムをメッキした。 次にこれを水洗した後Ｃｒｏ　２２５０ｇ／　Ｑ　１Ｈ
２Ｓ　Ｏ４２゜５ｇ／Ｑ、温度６０℃、電流密度５０Ａ
／ｄ！ｎ２の浴を用いて電解エツチングを行い、深さ７
０〜２０μ鵡の亀裂を有する多孔性クロム層を作成した
。 その後、この多孔性クロム層を上部に有する支持体を水
洗、乾燥し、蒸着器中に設置した。次に抵抗加熱用のモ
リブデンボート中に輝尽性蛍光体Ｒ［３ｒ：ｏ、００４
Ｔ　Ｑを入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着
器を排気してＩ　Ｘ　１０−’Ｔ　ｏｒｒの真空度とし
た。次いで支持体加熱用ヒーターにより３００〜５００
℃に加熱して支持体表面を清浄した後、支持体を１００
℃に設置し、アルゴンガスを導入して５　Ｘ　１０−’
　Ｔ　ｏｒｒ程度の真空度とした。 次に輝尽性蛍光体ＲｂＢ　ｒ：ｏ、００４Ｔ　Ｑを抵抗
加熱法によりＲｂＢｒを蒸発させ膜厚が約２５０μ論の
ＲＩ＋Ｂ　ｒ：ｏ、００４Ｔ　Ｑの微細柱状ブロック構
造を有する輝尽性蛍光体層を形成して本発明の放射線画
像変換パネルＡを得た。 このようにして得られた本発明のパネルＡ」こ管電圧８
０Ｋ　Ｖ　ｐ）Ｘ　＃ｉ　ヲ１０ｍＲ照Ｊｉｔ　Ｉ、　
タａ、半導体レーザ光（７８０ｎｍ）で輝尽励起し、輝
尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光検出器（光電
子増倍管）で充電変換し、この信号を画像再生装置によ
って画像として再生し、銀塩フィルム上に記録した。 信号の大きさより、放射線画像変換パネルＡのＸ線に対
する感度を調べ、また得られた画像より、画像の変調伝
達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）及び粒状性を調べ第１表に示す
。 第１表において、Ｘ線に対する感度は、本発明の放射線
画像変換パネルＡを１００として相対値で示しである。 また、変調伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）は、空間周波数が
２サイクル／ｌの時の値である。 実施例２゜ 実施例１と同様の支持体を用い、パブ研磨、脱脂、水洗
の後、実施例１と同様のメッキ条件のもとで支持体上に
クロムをメッキした。 その後、このクロムメッキ層を上部に有する支持体を水
洗、乾燥し、実施例１と同様の蒸着法を用いて輝尽性蛍
光体ＲｂＢ　ｒ：ｏ、００４Ｔ　Ｑを蒸着し、膜厚が約
２５０μ−の輝尽性蛍光体層を形成した０次にこれを真
空内で約４００℃の加熱処理を打い、本発明の放射線画
像変換パネルＢを得た。 この本発明のパネルＢは、実施例１と同様にして評価し
、結果を第１表に併記する。 比較例１゜ 輝尽性蛍光体ＲｂＢ　ｒ：ｏ、００４Ｔ　Ｑ　８　ｉ！
１１１部とポリビニルブチラール樹脂１重量部と溶剤（
シクロヘキサノン）５重量部を用いて混合、分散し、輝
尽性蛍光体層用塗布液をｉｓ２した１次にこの塗布液を
水平に置いた３００μｍ厚の支持体としての黒色ポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に均一に塗布し、自然
乾燥させて２５０μｍ厚の輝尽性蛍光体層を形成した。 このようにして得られた比較のパネルＰは実施例１と同
様にして評価し、結果を第１表に併記する。 第　１２！２ Ｗ＆１表より明らかなように本発明の放射線画像変換パ
ネルＡ、Ｂは、比較の放射線画像変換パネルＰに比べて
Ｘｌｓ感度が約２倍高くしかも画像の粒状性が優れでい
た。これは本発明の放射線画像変換パネルは輝尽性蛍光
体層中に結着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体の充填率が
比較のパネルに比べて高くＸ線の吸収率が良いためであ
る。 また、本発明の放射線画像変換パネルＡ、Ｂは比較の放
射線画像変換パネルＰに比べでＸ＃ｌ感度が高いにもか
がわらず鮮鋭性の点でも優れていた。 これは、本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層は微細柱状ブロック構造を有しているので、輝尽励起
光である半導体レーザの輝尽性蛍光体層中での散乱が減
少するためである。

【発明の効果】

以上述べてきたように、本発明によれば輝尽性蛍光体層
が微細柱状ブロック構造を有するため、輝尽励起光の輝
尽性蛍光体層中での散乱が着しく減少し、その結果画像
の鮮鋭性を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く放射線感度を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体Ｍ厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く画像の粒状性を向上させることが可能である。 また、本発明によれば本発明の放射線画像変換パネルを
安価に安定して製造することが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）（ｂ）は本発明の一例の放射線画像変換パ
ネルの一部を示す断面図である。第２図は本発明の一例
の放射線画像変換パネルの多孔性クロム層表面の顕微鏡
写真である。第３図（ａ）は本発明の一例に関する放射
線画像変換パネルにお（九、Ｚ輝尽性蛍光体層厚及び付
着量と放射線に対する感度とを示す図であり、（ｂ）は
空間周波数と変調伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）との関係を
示す図である。第４図は本発明のパネルがｍいられる放
射線画像変換装置の概略図である。＠５図（ａ）は従来
の放射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層成ゾ付
着量と放射線に対°する感度とを示す図であり、（ｂ）
は前記従来の放射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍光
体／！ｙ厚及び付着量と空間周波数が２サイクル／ｍｌ
１１における変調伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）とを示す図
である。 １１・・・・・・アルミニウム支持体 １２・・・・・・多孔性クロム層 １３・・・・・・輝尽性蛍光体層 １４・・・・・・保護層 ３１・・・・・・本発明の放射線画像変換パネルの特性
３２・・・・・・微細柱状ブロック構造を有する放射線
画像変換パネルの特性 ３３・・・・・・従来の放射線画像変換パネルの特性４
１・・・・・・放射線発生ＶＣ置 ４２・・・・・・被写体 ４３・・・・・・放射線画像変換パネル４４・・・・・
・Ｖ＄尽励起光源 ４５・・・・・・光電変換装置 ４６・・・・・・画像再生装置 ４７・・・・・・画像表示装置 ４８・・・・・・フィルター 出願人　小西六写真工業株式会社 第３図 （１つ） ９簡ｎ４数（１強い） 第４図 第５図 （ｂ） 手　糸龜　ｈ’ＦＴ　　正　社Ｆ（方式）昭和６０年１
２月２４日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１８０７０６号 ２、発明の名称 放射線画像変換パネル ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号連絡先 〒１９１ 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真工業株式会社（電話０４２５−８３−１５２
１）特　　許　　部 ５、補正の対象 図　　面 ６、補正の内容 （１）第２図を添付図面代用写真に差し替えまず。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 金属支持体上に多孔性クロム層を有し、該多孔性クロム
   層の上に少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を有すること
   を特徴とする放射線画像変換パネル。