JPH0434743B2 - - Google Patents
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- JPH0434743B2 JPH0434743B2 JP57073437A JP7343782A JPH0434743B2 JP H0434743 B2 JPH0434743 B2 JP H0434743B2 JP 57073437 A JP57073437 A JP 57073437A JP 7343782 A JP7343782 A JP 7343782A JP H0434743 B2 JPH0434743 B2 JP H0434743B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Other In-Based Heterocyclic Compounds (AREA)
Description
本発明は、新規なジスアゾ化合物を含有する電
子写真感光層を有することを特徴とする電子写真
感光体に関するものである。 電子写真感光体の光導電過程は (1) 露光により電荷を発生する過程、 (2) 電荷を輸送する過程、 から成る。 (1)と(2)を同一物質で行う例としてセレン感光板
が挙げられる。一方(1)と(2)とを別々の物質で行う
例として無定形セレンとポリ−N−ビニルカルバ
ゾールの組合せが良く知られている。(1)と(2)を
別々の物質で行なう方法は電子写真感光体に用い
る材料の選択範囲を拡げ、それに伴い、電子写真
感光体の感度、受容電位等の電子写真特性が向上
し、また電子写真感光体塗膜作製上好都合な物質
を広い範囲から選び得るという長所を有してい
る。 従来、電子写真方式において使用される電子写
真感光体の光導電性素材として用いられているも
のに、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの
無機物質がある。 電子写真法はすでにカールソンが米国特許第
2297691号明細書に明らかにしたように、画像露
光の間に受けた照射量に応じその電気抵抗が変化
する暗所で絶縁性の物質をコーテイングした支持
体よりなる光導電性材料を用いる。この光導電性
材料は一般に適当な時間の暗順応の後、暗所で、
まず一様な表面電荷が与えられる。次に、この材
料は照射パターンの種々の部分に含まれる相対エ
ネルギーに応じて表面電荷を減らす効果を有する
照射のパターンにより画像露光される。このよう
にして光導電性物質層(電子写真感光層)表面に
残つた表面電荷又は静電潜像は次にその画面が適
当な検電表示物質、すなわちトナーで接触されて
可視像となる。 トナーは絶縁液中あるいは乾燥担体中に含まれ
るがどちらの場合にも電荷パターンに応じて電子
写真感光層表面上に付着させることができる。付
着した表示物質は、熱、圧力、溶媒蒸気のような
公知の手段により定着することができる。又静電
潜像は第2の支持体(例えば紙、フイルムなど)
に転写することができる。同様に静電潜像を第2
の支持体に転写し、そこで現像することも可能で
ある。電子写真法はこの様にして画像を形成する
ようにした画像形成法の一つである。 このような電子写真法において電子写真感光体
に要求される基本的な特性としては、(1)暗所で適
当な電位に帯電できること、(2)暗所において電荷
の逸散が少ないこと、(3)光照射によつて速やかに
電荷を逸散せしめうることなどがあげられる。 従来用いられている前記無機物質は、多くの長
所を持つていると同時にさまざまな欠点を有して
いることは事実である。例えば、現在広く用いら
れているセレンは前記(1)〜(3)の条件は十分に満足
するが、製造する条件がむずかしく、製造コスト
が高くなり、可撓性がなく、ベルト状に加工する
ことがむづかしく、熱や機械的衝撃に鋭敏なため
取扱いに注意を要するなどの欠点もある。硫化カ
ドミウムや酸化亜鉛は、結合剤としての樹脂中に
分散させて電子写真感光体として用いられている
が、平滑性、硬度、引張り強度、耐摩擦性などの
機械的な欠点があるためにそのままでは反復して
使用することができない。 近年、これら無機物質の欠点を排除するために
いろいろの有機物質を用いた電子写真感光体が提
案され、実用に供されているものもある。例え
ば、ポリ−N−ビニルカルバゾールと2,4,7
−トリニトロフルオレン−9−オンとからなる電
子写真感光体(米国特許3484237)、ポリ−N−ビ
ニルカルバゾールをピリリウム塩系色素で増感し
たもの(特公昭48−25658)、有機顔料を主成分と
する電子写真感光体(特開昭47−37543)、染料と
樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする電子写真
感光体(特開昭47−10735)などである。 これらの有機電子写真感光体は、前記無機電子
写真感光体の機械的特性及び可撓性もある程度ま
で、改善したものの概して光感度が低くまた繰り
返し使用に適さず電子写真感光体としての要求を
充分に満足するものではなかつた。 本発明者らは、前記従来の電子写真感光体のも
つ欠点を改良すべく鋭意研究の結果、新規なジス
アゾ化合物を含有する電子写真感光体が十分に実
用に供しうる程の高感度・高耐久性を有する事を
見出し、本発明に到達したものである。 本発明は、下記一般式〔1〕で表わされる新規
なジスアゾ化合物(ジスアゾ顔料)を含有する電
子写真感光層を有することを特徴とする電子写真
感光体に関するものである。 本発明は (1) 下記の一般式〔1〕で表わされるジスアゾ化
合物を含有する電子写真感光層を有する電子写
真感光体である 上記一般式〔1〕において、 Aは
子写真感光層を有することを特徴とする電子写真
感光体に関するものである。 電子写真感光体の光導電過程は (1) 露光により電荷を発生する過程、 (2) 電荷を輸送する過程、 から成る。 (1)と(2)を同一物質で行う例としてセレン感光板
が挙げられる。一方(1)と(2)とを別々の物質で行う
例として無定形セレンとポリ−N−ビニルカルバ
ゾールの組合せが良く知られている。(1)と(2)を
別々の物質で行なう方法は電子写真感光体に用い
る材料の選択範囲を拡げ、それに伴い、電子写真
感光体の感度、受容電位等の電子写真特性が向上
し、また電子写真感光体塗膜作製上好都合な物質
を広い範囲から選び得るという長所を有してい
る。 従来、電子写真方式において使用される電子写
真感光体の光導電性素材として用いられているも
のに、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの
無機物質がある。 電子写真法はすでにカールソンが米国特許第
2297691号明細書に明らかにしたように、画像露
光の間に受けた照射量に応じその電気抵抗が変化
する暗所で絶縁性の物質をコーテイングした支持
体よりなる光導電性材料を用いる。この光導電性
材料は一般に適当な時間の暗順応の後、暗所で、
まず一様な表面電荷が与えられる。次に、この材
料は照射パターンの種々の部分に含まれる相対エ
ネルギーに応じて表面電荷を減らす効果を有する
照射のパターンにより画像露光される。このよう
にして光導電性物質層(電子写真感光層)表面に
残つた表面電荷又は静電潜像は次にその画面が適
当な検電表示物質、すなわちトナーで接触されて
可視像となる。 トナーは絶縁液中あるいは乾燥担体中に含まれ
るがどちらの場合にも電荷パターンに応じて電子
写真感光層表面上に付着させることができる。付
着した表示物質は、熱、圧力、溶媒蒸気のような
公知の手段により定着することができる。又静電
潜像は第2の支持体(例えば紙、フイルムなど)
に転写することができる。同様に静電潜像を第2
の支持体に転写し、そこで現像することも可能で
ある。電子写真法はこの様にして画像を形成する
ようにした画像形成法の一つである。 このような電子写真法において電子写真感光体
に要求される基本的な特性としては、(1)暗所で適
当な電位に帯電できること、(2)暗所において電荷
の逸散が少ないこと、(3)光照射によつて速やかに
電荷を逸散せしめうることなどがあげられる。 従来用いられている前記無機物質は、多くの長
所を持つていると同時にさまざまな欠点を有して
いることは事実である。例えば、現在広く用いら
れているセレンは前記(1)〜(3)の条件は十分に満足
するが、製造する条件がむずかしく、製造コスト
が高くなり、可撓性がなく、ベルト状に加工する
ことがむづかしく、熱や機械的衝撃に鋭敏なため
取扱いに注意を要するなどの欠点もある。硫化カ
ドミウムや酸化亜鉛は、結合剤としての樹脂中に
分散させて電子写真感光体として用いられている
が、平滑性、硬度、引張り強度、耐摩擦性などの
機械的な欠点があるためにそのままでは反復して
使用することができない。 近年、これら無機物質の欠点を排除するために
いろいろの有機物質を用いた電子写真感光体が提
案され、実用に供されているものもある。例え
ば、ポリ−N−ビニルカルバゾールと2,4,7
−トリニトロフルオレン−9−オンとからなる電
子写真感光体(米国特許3484237)、ポリ−N−ビ
ニルカルバゾールをピリリウム塩系色素で増感し
たもの(特公昭48−25658)、有機顔料を主成分と
する電子写真感光体(特開昭47−37543)、染料と
樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする電子写真
感光体(特開昭47−10735)などである。 これらの有機電子写真感光体は、前記無機電子
写真感光体の機械的特性及び可撓性もある程度ま
で、改善したものの概して光感度が低くまた繰り
返し使用に適さず電子写真感光体としての要求を
充分に満足するものではなかつた。 本発明者らは、前記従来の電子写真感光体のも
つ欠点を改良すべく鋭意研究の結果、新規なジス
アゾ化合物を含有する電子写真感光体が十分に実
用に供しうる程の高感度・高耐久性を有する事を
見出し、本発明に到達したものである。 本発明は、下記一般式〔1〕で表わされる新規
なジスアゾ化合物(ジスアゾ顔料)を含有する電
子写真感光層を有することを特徴とする電子写真
感光体に関するものである。 本発明は (1) 下記の一般式〔1〕で表わされるジスアゾ化
合物を含有する電子写真感光層を有する電子写
真感光体である 上記一般式〔1〕において、 Aは
【式】
【式】また
は
【式】
を表わし、
Xは、ヒドロキシ基とYとが結合している上記
式中のベンゼン環と縮合してナフタレン環、アン
トラセン環などの芳香族環またはインドール環、
カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベン
ゾフラン環などの複数環(いずれの環も置換また
は無置換でよい。)を形成するのに必要な原子団
を表わし、Yは
式中のベンゼン環と縮合してナフタレン環、アン
トラセン環などの芳香族環またはインドール環、
カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベン
ゾフラン環などの複数環(いずれの環も置換また
は無置換でよい。)を形成するのに必要な原子団
を表わし、Yは
【式】または−COOR5
を表わし、
R1は炭素数1〜8のアルキル基、フエニル基
またはそれらの置換体を表わし、 R2は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、
カルバモイル基、カルボキシル基、炭素数1〜10
のアルコキシカルボニル基、炭素数6〜12のアリ
ールオキシカルボニル基、または置換または無置
換のアミノ基を表わし、 R3及びR5は炭素数1〜8のアルキル基、フエ
ニル基、ナフチル基などの芳香族基、ジベンゾフ
ラニル基、カルバゾリル基などの複数芳香族環基
またはそれらの置換体を表わし、 R4は水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、
フエニル基またはそれらの置換体を表わす。 一般式〔1〕で表わされるジスアゾ化合物につ
いてさらに詳しく説明する。 Xはヒドロキシル基とYとが結合しているベン
ゼン環と縮合してナフタレン環、アントラセン環
などの芳香族環またはインドール環、カルバゾー
ル環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環
などの複素環を形成し得る基である。 Xが置換基を有する芳香族環または複素環系の
場合、置換基としてハロゲン原子(例えば、弗素
原子、塩素原子、臭素原子等)、低級アルキル基
好ましくは炭素数1〜8の低級アルキル基(例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、イソプロピル基、イソブチル基等)があげら
れ、置換基の数は1個または2個であり、置換基
が2個の場合にはそれらは同じでも異なつていて
もよい。 R′は炭素数1〜8のアルキル基、フエニル基
またはそれらの置換体を表す。 R1が非置換のアルキル基の場合、その具体例
としてメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、
イソブチル基、イソアミル基、イソヘキシル基、
ネオペンチル基、tert−ブチル基等をあげること
ができる。 R1が置換アルキル基の場合、置換基としては
ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、シ
アノ基、アミノ基、炭素数1〜12のアルキルアミ
ノ基、炭素数1〜12のアルキル基を2個有するジ
アルキルアミノ基、ハロゲン原子、炭素数6〜15
のアリールなどがある。その例として、ヒドロキ
シアルキル基(例えば、ヒドロキシメチル基、2
−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピル
基、2−ヒドロキシプロピル基等)、アルコキシ
アルキル基(例えば、メトキシメチル基、2−メ
トキシエチル基、3−メトキシプロピル基、エト
キシメチル基、2−エトキシエチル基等)、シア
ノアルキル基(例えば、シアノメチル基、2−シ
アノエチル基等)、アミノアルキル基(例えば、
アミノメチル基、2−アミノエチル基、3−アミ
ノプロピル基等)、(アルキルアミノ)アルキル基
(例えば、(メチルアミノ)メチル基、2−(メチ
ルアミノ)エチル基、(エチルアミノ)メチル
基)、(ジアルキルアミノ)アルキル基(例えば、
(ジメチルアミノ)メチル基、2−(ジメチルアミ
ノ)エチル基等)、ハロゲノアルキル基(例えば、
フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチ
ル基等)、アラルキル基(例えば、ベンジル基、
フエネチル基等)をあげることができる。 R1が置換フエニル基の場合、置換基としては
ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、シ
アノ基、アミノ基、炭素数1〜12のアルキルアミ
ノ基、炭素数1〜12のアルキル基を2個有するジ
アルキルアミノ基、ハロゲン原子、炭素数1〜6
のアルキル基、ニトロ基などがある。その例とし
て、ヒドロキシフエニル基、アルコキシフエニル
基(例えば、メトキシフエニル基、エトキシフエ
ニル基等)、シアノフエニル基、アミノフエニル
基、(アルキルアミノ)フエニル基(例えば、(メ
チルアミノ)フエニル基、(エチルアミノ)フエ
ニル基等)、(ジアルキルアミノ)フエニル基(例
えば、(ジメチルアミノ)フエニル基等)、ハロゲ
ノフエニル基(例えば、フルオロフエニル基、ク
ロロフエニル基、ブロモフエニル基等)、アルキ
ルフエニル基(例えば、トリル基、エチルフエニ
ル基、クメニル基、キシリル基、メシチル基等)、
ニトロフエニル基、およびこれらの置換基(互い
に同じでも異なつてもよい。)を2個または3個
を有する置換基(置換基の位置または複数個の置
換基相互の位置関係は任意である)をあげること
ができる。 R2としては水素原子、炭素数1〜6の低級ア
ルキル基、カルバモイル基、カルボキシル基、炭
素数1〜10のアルコキシ基を有するアルコキシカ
ルボニル基、炭素数6〜12のアリールオキシ基を
有するアリールオキシカルボニル基及び置換また
は無置換のアミノ基がある。 R2が置換アミノ基の場合、その具体例として
メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミ
ノ基、フエニルアミノ基、トリルアミノ基、ベン
ジルアミノ基、フエネチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、ジフエニルアミノ基
等をあげることができる。 R2が低級アルキル基の場合、その具体例とし
てメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
イソプロピル基、イソブチル基等があげられる。 R2がアルコキシカルボニル基の場合、その具
体例としてメトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカ
ルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ベン
ジルオキシカルボニル基等があげられる。 R2がアリールオキシカルボニル基の場合、そ
の具体例として、フエノキシカルボニル基、トル
オキシカルボニル基等があげられる。 R3及びR5としては、炭素数1〜8のアルキル
基、フエニル基、ナフチル基などの芳香族基、ジ
ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの酸素原
子、窒素原子、硫黄原子などの複素芳香族環基ま
たはそれらの置換体がある。 R3またはR5が、置換または無置換のアルキル
基の場合、その例はそれぞれ前述のR1における
置換または無置換のアルキル基の具体例と同じ基
をあげることができる。 R3またはR5が置換フエニル基、置換ナフチル
基等の置換芳香族基、置換ジベンゾフラニル基ま
たは置換カルバゾリル基等の置換複素芳香族環基
の場合、置換基の例としてヒドロキシル基、シア
ノ基、ニトロ基、ハロゲン原子(例えば、弗素原
子、塩素原子、臭素原子等)、炭素数1〜12アル
キル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基等)、炭素数1〜12のアルコ
キシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソ
プロポキシ基、イソブトキシ基、イソアミルオキ
シ基、tert−ブトキシ基、ネオペンチルオキシ基
等)、アミノ基、炭素数1〜12のアルキルアミノ
基(例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、
プロピルアミノ基等)、炭素数1〜12のアルキル
基を2個有するジアルキルアミノ基(例えば、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル
−N−エチルアミノ基等)、炭素数6〜12のアリ
ールアミノ基(例えば、フエニルアミノ基、トリ
ルアミノ基等)、炭素数6〜15のアリール基を2
個有するジアリールアミノ基(例えば、ジフエニ
ルアミノ基等)、カルボキシル基、アルカリ金属
カルボキシラト基(アルカリ金属(陽イオン)の
例、Na 、K 、Li 等)、アルカリ金属スルホ
ナト基(アルカリ金属(陽イオン)の例、Na 、
K 、Li 等)、アルキルカルボニル基(例えば、
アセチル基、プロピオニル基、ベンジルカルボニ
ル基等)、炭素数6〜12のアリール基を有するア
リールカルボニル基(例えば、ベンゾイル基、ト
オイル基、フロイル基等)、炭素数1〜12のアル
キルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ
基等)または炭素数1〜12のアリールチオ基(例
えば、フエニルチオ基、トリルチオ基等)をあげ
ることができ、置換基の個数は1個ないし3個で
あり、複数の置換基が結合している場合にはそれ
らは互いに同じでも異なつてもよく任意の組合せ
をとつてよく、また置換基の結合位置は任意であ
る。 R4としては、水素原子、炭素数1〜8のアル
キル基、フエニル基またはそれらの置換体があ
る。 R4が置換または無置換のアルキル基及びフエ
ニル基の場合前述のR3及びR5における置換また
は無置換のアルキル基及びフエニル基の具体例と
同じ基をあげることができる。 カプラーに由来するAとしては、光感度が高い
光導電性組成物または電子写真感光層を与え、か
つ製造原料化合物を容易に入手することができる
ので低コストでジスアゾ化合物を製造することが
できるという観点から
またはそれらの置換体を表わし、 R2は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、
カルバモイル基、カルボキシル基、炭素数1〜10
のアルコキシカルボニル基、炭素数6〜12のアリ
ールオキシカルボニル基、または置換または無置
換のアミノ基を表わし、 R3及びR5は炭素数1〜8のアルキル基、フエ
ニル基、ナフチル基などの芳香族基、ジベンゾフ
ラニル基、カルバゾリル基などの複数芳香族環基
またはそれらの置換体を表わし、 R4は水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、
フエニル基またはそれらの置換体を表わす。 一般式〔1〕で表わされるジスアゾ化合物につ
いてさらに詳しく説明する。 Xはヒドロキシル基とYとが結合しているベン
ゼン環と縮合してナフタレン環、アントラセン環
などの芳香族環またはインドール環、カルバゾー
ル環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環
などの複素環を形成し得る基である。 Xが置換基を有する芳香族環または複素環系の
場合、置換基としてハロゲン原子(例えば、弗素
原子、塩素原子、臭素原子等)、低級アルキル基
好ましくは炭素数1〜8の低級アルキル基(例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、イソプロピル基、イソブチル基等)があげら
れ、置換基の数は1個または2個であり、置換基
が2個の場合にはそれらは同じでも異なつていて
もよい。 R′は炭素数1〜8のアルキル基、フエニル基
またはそれらの置換体を表す。 R1が非置換のアルキル基の場合、その具体例
としてメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、
イソブチル基、イソアミル基、イソヘキシル基、
ネオペンチル基、tert−ブチル基等をあげること
ができる。 R1が置換アルキル基の場合、置換基としては
ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、シ
アノ基、アミノ基、炭素数1〜12のアルキルアミ
ノ基、炭素数1〜12のアルキル基を2個有するジ
アルキルアミノ基、ハロゲン原子、炭素数6〜15
のアリールなどがある。その例として、ヒドロキ
シアルキル基(例えば、ヒドロキシメチル基、2
−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピル
基、2−ヒドロキシプロピル基等)、アルコキシ
アルキル基(例えば、メトキシメチル基、2−メ
トキシエチル基、3−メトキシプロピル基、エト
キシメチル基、2−エトキシエチル基等)、シア
ノアルキル基(例えば、シアノメチル基、2−シ
アノエチル基等)、アミノアルキル基(例えば、
アミノメチル基、2−アミノエチル基、3−アミ
ノプロピル基等)、(アルキルアミノ)アルキル基
(例えば、(メチルアミノ)メチル基、2−(メチ
ルアミノ)エチル基、(エチルアミノ)メチル
基)、(ジアルキルアミノ)アルキル基(例えば、
(ジメチルアミノ)メチル基、2−(ジメチルアミ
ノ)エチル基等)、ハロゲノアルキル基(例えば、
フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチ
ル基等)、アラルキル基(例えば、ベンジル基、
フエネチル基等)をあげることができる。 R1が置換フエニル基の場合、置換基としては
ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、シ
アノ基、アミノ基、炭素数1〜12のアルキルアミ
ノ基、炭素数1〜12のアルキル基を2個有するジ
アルキルアミノ基、ハロゲン原子、炭素数1〜6
のアルキル基、ニトロ基などがある。その例とし
て、ヒドロキシフエニル基、アルコキシフエニル
基(例えば、メトキシフエニル基、エトキシフエ
ニル基等)、シアノフエニル基、アミノフエニル
基、(アルキルアミノ)フエニル基(例えば、(メ
チルアミノ)フエニル基、(エチルアミノ)フエ
ニル基等)、(ジアルキルアミノ)フエニル基(例
えば、(ジメチルアミノ)フエニル基等)、ハロゲ
ノフエニル基(例えば、フルオロフエニル基、ク
ロロフエニル基、ブロモフエニル基等)、アルキ
ルフエニル基(例えば、トリル基、エチルフエニ
ル基、クメニル基、キシリル基、メシチル基等)、
ニトロフエニル基、およびこれらの置換基(互い
に同じでも異なつてもよい。)を2個または3個
を有する置換基(置換基の位置または複数個の置
換基相互の位置関係は任意である)をあげること
ができる。 R2としては水素原子、炭素数1〜6の低級ア
ルキル基、カルバモイル基、カルボキシル基、炭
素数1〜10のアルコキシ基を有するアルコキシカ
ルボニル基、炭素数6〜12のアリールオキシ基を
有するアリールオキシカルボニル基及び置換また
は無置換のアミノ基がある。 R2が置換アミノ基の場合、その具体例として
メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミ
ノ基、フエニルアミノ基、トリルアミノ基、ベン
ジルアミノ基、フエネチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、ジフエニルアミノ基
等をあげることができる。 R2が低級アルキル基の場合、その具体例とし
てメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
イソプロピル基、イソブチル基等があげられる。 R2がアルコキシカルボニル基の場合、その具
体例としてメトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカ
ルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ベン
ジルオキシカルボニル基等があげられる。 R2がアリールオキシカルボニル基の場合、そ
の具体例として、フエノキシカルボニル基、トル
オキシカルボニル基等があげられる。 R3及びR5としては、炭素数1〜8のアルキル
基、フエニル基、ナフチル基などの芳香族基、ジ
ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの酸素原
子、窒素原子、硫黄原子などの複素芳香族環基ま
たはそれらの置換体がある。 R3またはR5が、置換または無置換のアルキル
基の場合、その例はそれぞれ前述のR1における
置換または無置換のアルキル基の具体例と同じ基
をあげることができる。 R3またはR5が置換フエニル基、置換ナフチル
基等の置換芳香族基、置換ジベンゾフラニル基ま
たは置換カルバゾリル基等の置換複素芳香族環基
の場合、置換基の例としてヒドロキシル基、シア
ノ基、ニトロ基、ハロゲン原子(例えば、弗素原
子、塩素原子、臭素原子等)、炭素数1〜12アル
キル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基等)、炭素数1〜12のアルコ
キシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソ
プロポキシ基、イソブトキシ基、イソアミルオキ
シ基、tert−ブトキシ基、ネオペンチルオキシ基
等)、アミノ基、炭素数1〜12のアルキルアミノ
基(例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、
プロピルアミノ基等)、炭素数1〜12のアルキル
基を2個有するジアルキルアミノ基(例えば、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル
−N−エチルアミノ基等)、炭素数6〜12のアリ
ールアミノ基(例えば、フエニルアミノ基、トリ
ルアミノ基等)、炭素数6〜15のアリール基を2
個有するジアリールアミノ基(例えば、ジフエニ
ルアミノ基等)、カルボキシル基、アルカリ金属
カルボキシラト基(アルカリ金属(陽イオン)の
例、Na 、K 、Li 等)、アルカリ金属スルホ
ナト基(アルカリ金属(陽イオン)の例、Na 、
K 、Li 等)、アルキルカルボニル基(例えば、
アセチル基、プロピオニル基、ベンジルカルボニ
ル基等)、炭素数6〜12のアリール基を有するア
リールカルボニル基(例えば、ベンゾイル基、ト
オイル基、フロイル基等)、炭素数1〜12のアル
キルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ
基等)または炭素数1〜12のアリールチオ基(例
えば、フエニルチオ基、トリルチオ基等)をあげ
ることができ、置換基の個数は1個ないし3個で
あり、複数の置換基が結合している場合にはそれ
らは互いに同じでも異なつてもよく任意の組合せ
をとつてよく、また置換基の結合位置は任意であ
る。 R4としては、水素原子、炭素数1〜8のアル
キル基、フエニル基またはそれらの置換体があ
る。 R4が置換または無置換のアルキル基及びフエ
ニル基の場合前述のR3及びR5における置換また
は無置換のアルキル基及びフエニル基の具体例と
同じ基をあげることができる。 カプラーに由来するAとしては、光感度が高い
光導電性組成物または電子写真感光層を与え、か
つ製造原料化合物を容易に入手することができる
ので低コストでジスアゾ化合物を製造することが
できるという観点から
【式】が好ましい。
以下に本発明の化合物の具体例をあげる。
本発明の新規なジスアゾ化合物は、公知の方法
によつて製造することができる。すなわち、2,
6−ビス(4−アミノスチリル)ナフタレンをジ
アゾ化してテトラゾニウム塩として単離した後、
これを適当な有機溶媒例えばN,N−ジメチルホ
ルムアミド中で前述の各顔料に対応する化合物
(例えばナフトールAS系等のカプラー)とアルカ
リの存在下にカツプリング反応させることにより
容易に製造することができる。 本発明のジスアゾ化合物はジスアゾ顔料として
用いることができる。 例えば前記ジスアゾ化合物〔1〕は合成例1に
従つて製造することができる。 合成例 1 2,6−ビス(4−アミノスチリル)ナフタレ
ン2.20gを濃塩酸5ml及び水5mlから調整した希
塩酸に加えて60℃の水浴上で約30分間、よく撹拌
した。次にこの混合物を0℃に冷却し、それに亜
硝酸ナトリウム881mgを水3mlに溶解した溶液を
0℃で約30分間かけて滴下した。その後同温度で
1時間撹拌し、生成するテトラゾニウム塩化物質
を別し、テトラゾニウム塩を水で溶解し、その
溶液と液を合併した。合併した溶液に42%硼弗
化水素酸6mlを加え析出した結晶を取した。こ
の結晶を少量の冷水で洗つた後、乾燥してテトラ
ゾニウムフルオロボレートの橙赤色結晶2.97g
(収率87%)を得た。 次にこうして得られたテトラゾニウム塩280mg
及びカプラーとして2−ヒドロキシ−3−ナフト
エ酸アニリド263mgを12mlのN,N−ジメチルホ
ルムアミドに溶解し、これに酢酸ナトリウム500
mg及び水2mlからなる溶液を0℃の温度で約20分
かけて滴下した後、室温で約2時間撹拌した。そ
の後生成した沈澱を取し、200mlの水で洗浄後、
これを100mlのN,N−ジメチルホルムアミドで
撹拌しつつ洗浄した。次にエタノールで洗浄して
乾燥し、化合物(1)のジスアゾ顔料410mg(収率90
%)を得た。分解温度300℃以上 元素分析 C60H42O4N6として 計算値C,79.1% H,4.65% N,9.22% 実測値C,79.3% H,4.71% N,9.43% IR吸収スペクトル(KBr錠剤) アミド 1680cm-1 可視吸収スペクトル 吸収極大波長 543nm(ジクロロメタン溶液
中) 合成例 2〜11 カプラーとして表記化合物を用いた他は、合成
例1と同じ方法でジスアゾ化合物(2)、(3)、(4)、
(5)、(11)、(13)、(15)、(25)、(26)、(46
)をそ
れぞれ合成した。それぞれのジスアゾ化合物の分
解温度、元素分析値、IR吸収スペクトル、可視
吸収スペクトルを第1表に示す。
によつて製造することができる。すなわち、2,
6−ビス(4−アミノスチリル)ナフタレンをジ
アゾ化してテトラゾニウム塩として単離した後、
これを適当な有機溶媒例えばN,N−ジメチルホ
ルムアミド中で前述の各顔料に対応する化合物
(例えばナフトールAS系等のカプラー)とアルカ
リの存在下にカツプリング反応させることにより
容易に製造することができる。 本発明のジスアゾ化合物はジスアゾ顔料として
用いることができる。 例えば前記ジスアゾ化合物〔1〕は合成例1に
従つて製造することができる。 合成例 1 2,6−ビス(4−アミノスチリル)ナフタレ
ン2.20gを濃塩酸5ml及び水5mlから調整した希
塩酸に加えて60℃の水浴上で約30分間、よく撹拌
した。次にこの混合物を0℃に冷却し、それに亜
硝酸ナトリウム881mgを水3mlに溶解した溶液を
0℃で約30分間かけて滴下した。その後同温度で
1時間撹拌し、生成するテトラゾニウム塩化物質
を別し、テトラゾニウム塩を水で溶解し、その
溶液と液を合併した。合併した溶液に42%硼弗
化水素酸6mlを加え析出した結晶を取した。こ
の結晶を少量の冷水で洗つた後、乾燥してテトラ
ゾニウムフルオロボレートの橙赤色結晶2.97g
(収率87%)を得た。 次にこうして得られたテトラゾニウム塩280mg
及びカプラーとして2−ヒドロキシ−3−ナフト
エ酸アニリド263mgを12mlのN,N−ジメチルホ
ルムアミドに溶解し、これに酢酸ナトリウム500
mg及び水2mlからなる溶液を0℃の温度で約20分
かけて滴下した後、室温で約2時間撹拌した。そ
の後生成した沈澱を取し、200mlの水で洗浄後、
これを100mlのN,N−ジメチルホルムアミドで
撹拌しつつ洗浄した。次にエタノールで洗浄して
乾燥し、化合物(1)のジスアゾ顔料410mg(収率90
%)を得た。分解温度300℃以上 元素分析 C60H42O4N6として 計算値C,79.1% H,4.65% N,9.22% 実測値C,79.3% H,4.71% N,9.43% IR吸収スペクトル(KBr錠剤) アミド 1680cm-1 可視吸収スペクトル 吸収極大波長 543nm(ジクロロメタン溶液
中) 合成例 2〜11 カプラーとして表記化合物を用いた他は、合成
例1と同じ方法でジスアゾ化合物(2)、(3)、(4)、
(5)、(11)、(13)、(15)、(25)、(26)、(46
)をそ
れぞれ合成した。それぞれのジスアゾ化合物の分
解温度、元素分析値、IR吸収スペクトル、可視
吸収スペクトルを第1表に示す。
【表】
【表】
【表】
ジスアゾ化合物(15)赤外線吸収スペクトル
(KBr法)は第1図に示した。 他のジスアゾ化合物もカプラーを変える他は、
上記合成例に従がつて合成する事ができる。 本発明の電子写真感光体は前記一般式で表わさ
れるジスアゾ化合物を1種又は2種以上含有する
電子写真感光層を有する。各種の形態の電子写真
感光体が知られているが、本発明の電子写真感光
体はそのいずれのタイプの感光体であつてもよい
が通常下に例示したタイプの電子写真感光体構造
をもつ。 (1) 導電性支持体上にジスアゾ化合物をバインダ
ーあるいは電荷担体輸送媒体中に分散させて成
る電子写真感光層を設けたもの。 (2) 導電性支持体上にジスアゾ化合物を主成分と
する電荷担体発生層を設け、その上に電荷担体
輸送媒体層を設けたもの。 本発明のジスアゾ化合物は光導電性物質として
作用し、光を吸収すると極めて高い効率で電荷担
体を発生し、発生した電荷担体はジスアゾ化合物
を媒体として輸送することもできるが、電荷担体
輸送化合物を媒体として輸送させた方が更に効果
的である。 タイプ(1)の電子写真感光体を作成するにはジス
アゾ化合物の微粒子をバインダー溶液もしくは電
荷担体輸送化合物とバインダーを溶解した溶液中
に分散せしめ、これを導電性支持体上に塗布乾燥
すればよい。この時の電子写真感光層の厚さは3
〜30μ、好ましくは5〜20μがよい。 タイプ(2)の電子写真感光体を作成するには導電
性支持体上にジスアゾ化合物を真空蒸着するか、
アミン等の溶媒に溶解せしめて塗布するか、ある
いはジスアゾ化合物の微粒子を適当な溶剤もしく
は必要があればバインダーを溶解せしめた溶剤中
に分散して塗布乾燥した後、その上に電荷担体輸
送化合物及びバインダーを含む溶液を塗布乾燥し
て得られる。この時の電荷担体発生層となるジス
アゾ化合物層の厚みは4μ以下、好ましくは2μ以
下がよく、電荷担体輸送媒体層の厚みは3〜
30μ、好ましくは5〜20μがよい。 (1)及び(2)のタイプの感光体で用いられるジスア
ゾ化合物はボールミル、サンドミル、振動ミル等
の分散機により粒径5μ以下、好ましくは2μ以下
に粉砕して用いられる。 タイプ(1)の電子写真感光体において使用される
ジスアゾ化合物の量は少な過ぎると感度が悪く、
多すぎると帯電性が悪くなつたり、電子写真感光
層の強度が弱くなつたりし、電子写真感光層中の
ジスアゾ化合物の占める割合はバインダーに対し
0.01〜2重量倍、好ましくは0.05〜1重量倍がよ
く、必要に応じて添加する電荷担体輸送化合物の
割合はバインダーに対し0.1〜2重量倍、好まし
くは0.3〜1.3重量倍の範囲がよい。またそれ自身
バインダーとして使用できる電荷担体輸送化合物
の場合には、ジスアゾ化合物の添加量はバインダ
ーに対し0.01〜0.5重量倍使用するのが好ましい。 またタイプ(2)の電子写真感光体において電荷担
体発生層となるジスアゾ化合物含有層を塗布形成
する場合、バインダー樹脂に対するジスアゾ化合
物の使用量は1重量倍以上が好ましくそれ以下だ
と十分な感光性が得られない。電荷担体輸送媒体
中の電荷担体輸送化合物の割合はバインダーに対
し0.2〜2重量倍、好ましくは0.3〜1.3重量倍が好
ましい。それ自身バインダーとして使用できる高
分子電荷担体輸送化合物を使用する場合は、他の
バインダーは無くとも使用できる。 本発明の電子写真感光体を作成する場合、バイ
ンダーと共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤
を使用してもよい。 本発明の電子写真感光体において使用される導
電性支持体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等
の金属板、ポリエステル等のプラスチツクシート
またはプラスチツクフイルムにアルミニウム、
SnO2等の導電材料を蒸着、もしくは分散塗布し
たもの、あるいは導電処理した紙等が使用され
る。 バインダーとしては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、
ポリカーボネートなどの縮合系樹脂やポリビニル
ケトン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバ
ゾール、ポリアクリルアミドなどのビニル重量体
などが挙げられるが、絶縁性で且つ接着性のある
樹脂は全て使用できる。 可塑剤としてはビフエニル、塩化ビフエニル、
o−テルフエニル、p−テルフエニル、ジブチル
フタレート、ジメチルグリコールフタレート、ジ
オクチルフタレート、トリフエニル燐酸、メチル
ナフタリン、ベンゾフエノン、塩素化パラフイ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ジラウリル
チオジプロピオネート、3,5−ジニトロサリチ
ル酸、各種フルオロ炭化水素類等が挙げられる。 その他、電子写真感光体の表面性をよくするた
めに、シリコンオイル等を加えてもよい。 増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエ
チレン、メチルバイオレツト、ローダミンB、シ
アニン染料、メロシアニン染料、ピリリウム染
料、チアピリリウム染料等が挙げられる。 電荷担体を輸送する化合物として一般に電子を
輸送する化合物と正孔を輸送する化合物との二種
類に分類されるが、本発明の電子写真感光体には
両者とも使用することができる。電子を輸送する
化合物としては電子吸引性基を有する化合物、例
えば2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノ
ン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン、9−ジシアノメチレン−2,4,7−ト
リニトロフルオレノン、9−ジシアノメチレン−
2,4,5,7−テトラニトロフルオレノン,テ
トラニトロカルバゾールクロラニル、2,3−ジ
クロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、2,
4,7−トリニトロ−9,10−フエナントレンキ
ノン、テトラクロロ無水フタール酸、テトラシア
ノエチレン、テトラシアノキノジメタン等をあげ
ることができる。 正孔を輸送する化合物としては、電子供与基を
有する化合物、例えば米国特許3567450、特公昭
49−35702、西独国特許(DAS)1110518などに
開示されているトリフエニルアミン誘導体、米国
特許3542544、特公昭45−555、特開昭51−93224
などに開示されているポリアリールアルカン誘導
体、特開昭52−72231、特開昭49−105537、特公
昭52−4188などに開示されているピラゾリン誘導
体、米国特許3717462、特開昭54−59143(米国特
許4150987に対応)、特開昭55−52063、特開昭55
−52064、特開昭55−46760、特開昭55−85495、
特願昭55−85495、特願昭56−33832などに開示さ
れているヒドラゾン誘導体などがある。これらの
電荷輸送材料は場合により2種類以上を併用する
ことも可能である。 なお、以上のようにして得られる感光体には、
導電性支持体と感光層の間に、必要に応じて接着
層またはバリヤ層を設けることができる。これら
の層に用いられる材料としては、ポリアミド、ニ
トロセルロース、酸化アルミニウムなどであり、
これらの層の厚さは1μm以下が好ましい。 以上本発明の電子写真用感光体について詳細に
説明したが、本発明の電子写真感光体は一般に感
度が高く耐久性が優れているというような特徴を
有している。 本発明の電子写真感光体は電子写真複写機のほ
かレーザー、ブワウン管を光源とするプリンター
の感光体などの分野に広く応用する事ができる。 本発明のジスアゾ化合物を含む光導電性組成物
はビデオカメラの撮像管の光導電層として、また
公知の信号転送や走査を行う一次元または二次元
配列された半導体回路の上の全面に設けられた受
光層(光導電層)を有する固体撮像素子の光導電
層として用いることができる。 また、A.K.Ghosh Tom Feng.J.Appl.Phys.49
(12)5982(1978)に記載されている様に、太陽電
池の光導電層としても用いることができる。 次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、これにより本発明が実施例に限定されるもの
ではない。なお実施例中「部」とあるのは「重量
部」を示す。 実施例 1 ジスアゾ化合物(1)1部と4,4′−ビス(ジエチ
ルアミノ)−2,2′−ジメチルトリフエニルメタ
ン5部とビスフエノールAのポリカルボネート5
部とをジクロロメタン95部に加え、これをボール
ミル中で粉砕、混合して調液し、この塗布液をワ
イヤーラウンドロツドを用いて導電性透明支持体
(100μmのポリエチレンテレフタレートフイルム
の表面に酸化インジウムの蒸着膜を設けたもの。
表面抵抗103Ω)上に塗布、乾燥して、厚さ約8.4μ
mの単層型電子写真感光層を有する電子写真感光
体を調製した。 この電子写真感光体について、静電複写紙試験
装置(川口電気(株)製、SP−428型)を用いて+
5KVのコロナ放電により+420Vに帯電させ、つ
いで色温度3000〓のタングステンランプによつて
その表面4ルツクスになる様にして光を照射し、
その表面電位が初期表面電位の半分に減衰するの
に要する時間を求め半減露光量E50(Lux.sec)を
測定したところ6.6(Lux.sec)であつた。帯電と
露光の2工程を3000回繰返した後のE50値ももほ
とんど変化しなかつた。 実施例 2〜13 ジスアゾ化合物(1)の代わりにそれぞれジスアゾ
化合物(2)、(3)、(4)、(5)、(11)、(13)、(15)、
(25)、(26)、(46)、(55)、(59)を用いたほか
は
実施例1と同様にして、単層構成の電子写真感光
体を作成し、実施例と同様にして、正帯電による
半減露光量を測定し、第2表の値を得た。
(KBr法)は第1図に示した。 他のジスアゾ化合物もカプラーを変える他は、
上記合成例に従がつて合成する事ができる。 本発明の電子写真感光体は前記一般式で表わさ
れるジスアゾ化合物を1種又は2種以上含有する
電子写真感光層を有する。各種の形態の電子写真
感光体が知られているが、本発明の電子写真感光
体はそのいずれのタイプの感光体であつてもよい
が通常下に例示したタイプの電子写真感光体構造
をもつ。 (1) 導電性支持体上にジスアゾ化合物をバインダ
ーあるいは電荷担体輸送媒体中に分散させて成
る電子写真感光層を設けたもの。 (2) 導電性支持体上にジスアゾ化合物を主成分と
する電荷担体発生層を設け、その上に電荷担体
輸送媒体層を設けたもの。 本発明のジスアゾ化合物は光導電性物質として
作用し、光を吸収すると極めて高い効率で電荷担
体を発生し、発生した電荷担体はジスアゾ化合物
を媒体として輸送することもできるが、電荷担体
輸送化合物を媒体として輸送させた方が更に効果
的である。 タイプ(1)の電子写真感光体を作成するにはジス
アゾ化合物の微粒子をバインダー溶液もしくは電
荷担体輸送化合物とバインダーを溶解した溶液中
に分散せしめ、これを導電性支持体上に塗布乾燥
すればよい。この時の電子写真感光層の厚さは3
〜30μ、好ましくは5〜20μがよい。 タイプ(2)の電子写真感光体を作成するには導電
性支持体上にジスアゾ化合物を真空蒸着するか、
アミン等の溶媒に溶解せしめて塗布するか、ある
いはジスアゾ化合物の微粒子を適当な溶剤もしく
は必要があればバインダーを溶解せしめた溶剤中
に分散して塗布乾燥した後、その上に電荷担体輸
送化合物及びバインダーを含む溶液を塗布乾燥し
て得られる。この時の電荷担体発生層となるジス
アゾ化合物層の厚みは4μ以下、好ましくは2μ以
下がよく、電荷担体輸送媒体層の厚みは3〜
30μ、好ましくは5〜20μがよい。 (1)及び(2)のタイプの感光体で用いられるジスア
ゾ化合物はボールミル、サンドミル、振動ミル等
の分散機により粒径5μ以下、好ましくは2μ以下
に粉砕して用いられる。 タイプ(1)の電子写真感光体において使用される
ジスアゾ化合物の量は少な過ぎると感度が悪く、
多すぎると帯電性が悪くなつたり、電子写真感光
層の強度が弱くなつたりし、電子写真感光層中の
ジスアゾ化合物の占める割合はバインダーに対し
0.01〜2重量倍、好ましくは0.05〜1重量倍がよ
く、必要に応じて添加する電荷担体輸送化合物の
割合はバインダーに対し0.1〜2重量倍、好まし
くは0.3〜1.3重量倍の範囲がよい。またそれ自身
バインダーとして使用できる電荷担体輸送化合物
の場合には、ジスアゾ化合物の添加量はバインダ
ーに対し0.01〜0.5重量倍使用するのが好ましい。 またタイプ(2)の電子写真感光体において電荷担
体発生層となるジスアゾ化合物含有層を塗布形成
する場合、バインダー樹脂に対するジスアゾ化合
物の使用量は1重量倍以上が好ましくそれ以下だ
と十分な感光性が得られない。電荷担体輸送媒体
中の電荷担体輸送化合物の割合はバインダーに対
し0.2〜2重量倍、好ましくは0.3〜1.3重量倍が好
ましい。それ自身バインダーとして使用できる高
分子電荷担体輸送化合物を使用する場合は、他の
バインダーは無くとも使用できる。 本発明の電子写真感光体を作成する場合、バイ
ンダーと共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤
を使用してもよい。 本発明の電子写真感光体において使用される導
電性支持体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等
の金属板、ポリエステル等のプラスチツクシート
またはプラスチツクフイルムにアルミニウム、
SnO2等の導電材料を蒸着、もしくは分散塗布し
たもの、あるいは導電処理した紙等が使用され
る。 バインダーとしては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、
ポリカーボネートなどの縮合系樹脂やポリビニル
ケトン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバ
ゾール、ポリアクリルアミドなどのビニル重量体
などが挙げられるが、絶縁性で且つ接着性のある
樹脂は全て使用できる。 可塑剤としてはビフエニル、塩化ビフエニル、
o−テルフエニル、p−テルフエニル、ジブチル
フタレート、ジメチルグリコールフタレート、ジ
オクチルフタレート、トリフエニル燐酸、メチル
ナフタリン、ベンゾフエノン、塩素化パラフイ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ジラウリル
チオジプロピオネート、3,5−ジニトロサリチ
ル酸、各種フルオロ炭化水素類等が挙げられる。 その他、電子写真感光体の表面性をよくするた
めに、シリコンオイル等を加えてもよい。 増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエ
チレン、メチルバイオレツト、ローダミンB、シ
アニン染料、メロシアニン染料、ピリリウム染
料、チアピリリウム染料等が挙げられる。 電荷担体を輸送する化合物として一般に電子を
輸送する化合物と正孔を輸送する化合物との二種
類に分類されるが、本発明の電子写真感光体には
両者とも使用することができる。電子を輸送する
化合物としては電子吸引性基を有する化合物、例
えば2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノ
ン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン、9−ジシアノメチレン−2,4,7−ト
リニトロフルオレノン、9−ジシアノメチレン−
2,4,5,7−テトラニトロフルオレノン,テ
トラニトロカルバゾールクロラニル、2,3−ジ
クロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、2,
4,7−トリニトロ−9,10−フエナントレンキ
ノン、テトラクロロ無水フタール酸、テトラシア
ノエチレン、テトラシアノキノジメタン等をあげ
ることができる。 正孔を輸送する化合物としては、電子供与基を
有する化合物、例えば米国特許3567450、特公昭
49−35702、西独国特許(DAS)1110518などに
開示されているトリフエニルアミン誘導体、米国
特許3542544、特公昭45−555、特開昭51−93224
などに開示されているポリアリールアルカン誘導
体、特開昭52−72231、特開昭49−105537、特公
昭52−4188などに開示されているピラゾリン誘導
体、米国特許3717462、特開昭54−59143(米国特
許4150987に対応)、特開昭55−52063、特開昭55
−52064、特開昭55−46760、特開昭55−85495、
特願昭55−85495、特願昭56−33832などに開示さ
れているヒドラゾン誘導体などがある。これらの
電荷輸送材料は場合により2種類以上を併用する
ことも可能である。 なお、以上のようにして得られる感光体には、
導電性支持体と感光層の間に、必要に応じて接着
層またはバリヤ層を設けることができる。これら
の層に用いられる材料としては、ポリアミド、ニ
トロセルロース、酸化アルミニウムなどであり、
これらの層の厚さは1μm以下が好ましい。 以上本発明の電子写真用感光体について詳細に
説明したが、本発明の電子写真感光体は一般に感
度が高く耐久性が優れているというような特徴を
有している。 本発明の電子写真感光体は電子写真複写機のほ
かレーザー、ブワウン管を光源とするプリンター
の感光体などの分野に広く応用する事ができる。 本発明のジスアゾ化合物を含む光導電性組成物
はビデオカメラの撮像管の光導電層として、また
公知の信号転送や走査を行う一次元または二次元
配列された半導体回路の上の全面に設けられた受
光層(光導電層)を有する固体撮像素子の光導電
層として用いることができる。 また、A.K.Ghosh Tom Feng.J.Appl.Phys.49
(12)5982(1978)に記載されている様に、太陽電
池の光導電層としても用いることができる。 次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、これにより本発明が実施例に限定されるもの
ではない。なお実施例中「部」とあるのは「重量
部」を示す。 実施例 1 ジスアゾ化合物(1)1部と4,4′−ビス(ジエチ
ルアミノ)−2,2′−ジメチルトリフエニルメタ
ン5部とビスフエノールAのポリカルボネート5
部とをジクロロメタン95部に加え、これをボール
ミル中で粉砕、混合して調液し、この塗布液をワ
イヤーラウンドロツドを用いて導電性透明支持体
(100μmのポリエチレンテレフタレートフイルム
の表面に酸化インジウムの蒸着膜を設けたもの。
表面抵抗103Ω)上に塗布、乾燥して、厚さ約8.4μ
mの単層型電子写真感光層を有する電子写真感光
体を調製した。 この電子写真感光体について、静電複写紙試験
装置(川口電気(株)製、SP−428型)を用いて+
5KVのコロナ放電により+420Vに帯電させ、つ
いで色温度3000〓のタングステンランプによつて
その表面4ルツクスになる様にして光を照射し、
その表面電位が初期表面電位の半分に減衰するの
に要する時間を求め半減露光量E50(Lux.sec)を
測定したところ6.6(Lux.sec)であつた。帯電と
露光の2工程を3000回繰返した後のE50値ももほ
とんど変化しなかつた。 実施例 2〜13 ジスアゾ化合物(1)の代わりにそれぞれジスアゾ
化合物(2)、(3)、(4)、(5)、(11)、(13)、(15)、
(25)、(26)、(46)、(55)、(59)を用いたほか
は
実施例1と同様にして、単層構成の電子写真感光
体を作成し、実施例と同様にして、正帯電による
半減露光量を測定し、第2表の値を得た。
【表】
実施例 14
ジスアゾ化合物(1)5gとポリビニルブチラール
樹脂(ブチラール化度63モル%)2gをエタノー
ル100mlに溶かした液と共にポールミルで、20時
間分散した後、ワイヤーラウンドロツドを用い
て、導電性透明支持体(100μmのポリエチレン
テレフタレートフイルムの表面にアルミニウムの
蒸着膜を設けたもの。表面電気抵抗103Ω)上に
塗布、乾燥して、厚さ1μmの電荷発生層を作成
した。 次に電荷発生層を上にp−(ジフエニルアミノ)
ベンズアルデヒドN′−メチル−N′−フエニルヒ
ドラゾン 2部とビスフエノールAのポリカーボネート4部
とをジクロロメタン60部に溶解した溶液をワイヤ
ーラウンドロツドを用いて塗布乾燥し、厚さ8μ
mの電荷輸送層を形成させて2層からなる電子写
真感光層を有する電子写真感光体を作成した。 この感光体を−5KVのコロナ放電により−
400Vに帯電させた後、半減露光量を測定した所、
E50は5.8(lux.sec)であつた。 実施例 15〜24 ジスアゾ化合物(1)のかわりにそれぞれジスアゾ
化合物(6),(7),(8),(12),(16),(41),(45
),
(48),(51),(60)を用いた他は実施例14と同様
にして、二層構成の電子写真感光体を作成し、
E50を測定した。 結果を第3表に示す。
樹脂(ブチラール化度63モル%)2gをエタノー
ル100mlに溶かした液と共にポールミルで、20時
間分散した後、ワイヤーラウンドロツドを用い
て、導電性透明支持体(100μmのポリエチレン
テレフタレートフイルムの表面にアルミニウムの
蒸着膜を設けたもの。表面電気抵抗103Ω)上に
塗布、乾燥して、厚さ1μmの電荷発生層を作成
した。 次に電荷発生層を上にp−(ジフエニルアミノ)
ベンズアルデヒドN′−メチル−N′−フエニルヒ
ドラゾン 2部とビスフエノールAのポリカーボネート4部
とをジクロロメタン60部に溶解した溶液をワイヤ
ーラウンドロツドを用いて塗布乾燥し、厚さ8μ
mの電荷輸送層を形成させて2層からなる電子写
真感光層を有する電子写真感光体を作成した。 この感光体を−5KVのコロナ放電により−
400Vに帯電させた後、半減露光量を測定した所、
E50は5.8(lux.sec)であつた。 実施例 15〜24 ジスアゾ化合物(1)のかわりにそれぞれジスアゾ
化合物(6),(7),(8),(12),(16),(41),(45
),
(48),(51),(60)を用いた他は実施例14と同様
にして、二層構成の電子写真感光体を作成し、
E50を測定した。 結果を第3表に示す。
【表】
実施例 25
電荷輸送層として、p−(ジフエニルアミノ)
ベンスアルデヒドN′−メチル−N′−フエニルヒ
ドラゾンの代わりに、2,4,7−トリニトロ−
9−フルオレノン4部を用いた他は、実施例11と
同様にして1μmの電荷発生層の上に、厚さ12μm
の電荷輸送層を形成させた。 この電子写真感光体を+5KVのコロナ放電に
より+600Vに帯電させて、E50を測定した所、
7.2(lux・sec)であつた。 実施例 26〜29 ジスアゾ化合物(1)の代わりに、それぞれジスア
ゾ化合物(9),(42),(52),(61)を用いた他は実
施例25と同様にして二層構成の電子写真感光体を
作成し、E50を測定した。 結果を第4表に示す。
ベンスアルデヒドN′−メチル−N′−フエニルヒ
ドラゾンの代わりに、2,4,7−トリニトロ−
9−フルオレノン4部を用いた他は、実施例11と
同様にして1μmの電荷発生層の上に、厚さ12μm
の電荷輸送層を形成させた。 この電子写真感光体を+5KVのコロナ放電に
より+600Vに帯電させて、E50を測定した所、
7.2(lux・sec)であつた。 実施例 26〜29 ジスアゾ化合物(1)の代わりに、それぞれジスア
ゾ化合物(9),(42),(52),(61)を用いた他は実
施例25と同様にして二層構成の電子写真感光体を
作成し、E50を測定した。 結果を第4表に示す。
【表】
実施例 30
ジスアゾ化合物(1)1部と、ビスフエノールAの
ポリカーボネート1部とをジクロロメタン25部に
加え、これをボールミル中で粉砕、混合して調液
し、この塗布液をワイヤーラウンドロツドを用い
て導電性透明支持体(100μmのポリエチレンテ
レフタレートフイルムの表面に酸化インジウムの
蒸着膜を設けたもの。表面抵抗103Ω)上に塗布、
乾燥して、厚さ約9μmの単層型電子写真感光層
を有する電子写真感光体を得た。 この電子写真感光体を+5KVのコロナ放電に
より+450Vに帯電させた後、E50を測定した所、
9.8(lux・sec)であつた。 実施例 31〜34 ジスアゾ化合物(1)のかわりにそれぞれジスアゾ
化合物(10)、(43)、(56)、(62)用いた他は、実施
例27と同様にして単層型の電子写真感光体を作成
し、E50を測定した。結果を第5表に示す。
ポリカーボネート1部とをジクロロメタン25部に
加え、これをボールミル中で粉砕、混合して調液
し、この塗布液をワイヤーラウンドロツドを用い
て導電性透明支持体(100μmのポリエチレンテ
レフタレートフイルムの表面に酸化インジウムの
蒸着膜を設けたもの。表面抵抗103Ω)上に塗布、
乾燥して、厚さ約9μmの単層型電子写真感光層
を有する電子写真感光体を得た。 この電子写真感光体を+5KVのコロナ放電に
より+450Vに帯電させた後、E50を測定した所、
9.8(lux・sec)であつた。 実施例 31〜34 ジスアゾ化合物(1)のかわりにそれぞれジスアゾ
化合物(10)、(43)、(56)、(62)用いた他は、実施
例27と同様にして単層型の電子写真感光体を作成
し、E50を測定した。結果を第5表に示す。
第1図は本発明のジスアゾ化合物(15)の赤外
線吸収スペクトル(KBr法)である。
線吸収スペクトル(KBr法)である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記の一般式〔1〕で表わされるジスアゾ化
合物を含有する電子写真感光層を有することを特
徴とする電子写真感光体。 上記一般式〔1〕において、 Aは 【式】【式】 【式】 【式】または【式】 を表わし、 Xは、ヒドロキシ基とYとが結合している上記
式中のベンゼン環と縮合してナフタレン環、アン
トラセン環などの芳香族環またはインドール環、
カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベン
ゾフラン環などの複素環(いずれの環も置換また
は無置換でよい。)を形成するのに必要な原子団
を表わし、Yは【式】または−COOR5 を表わし、R1は炭素数1〜8のアルキル基、フ
エニル基またはそれらの置換体を表わし、 R2は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、
カルバモイル基、カルボキシル基、炭素数1〜10
のアルコキシカルボニル基、炭素数6〜12のアリ
ールオキシカルボニル基、または置換または無置
換のアミノ基を表わし、 R3及びR5は炭素数1〜8のアルキル基、フエ
ニル基、ナフチル基、ジベンゾフラニル基、カル
バゾリル基またはそれらの置換体を表わし、 R4は水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、
フエニル基またはそれらの置換体を表わす。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7343782A JPS58192042A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 電子写真感光体 |
| GB08301237A GB2117391B (en) | 1982-01-18 | 1983-01-18 | Disazo naphthylene compounds, and photoconductive compositions and electrophotographic materials containing them |
| DE19833301453 DE3301453A1 (de) | 1982-01-18 | 1983-01-18 | Disazoverbindungen, photoleitfaehige zusammensetzungen und elektrophotographische aufzeichnungsmaterialien |
| US06/755,504 US4622280A (en) | 1982-01-18 | 1985-07-16 | Disazo compound, and photoconductive composition and electrophotographic photoreceptor containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7343782A JPS58192042A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192042A JPS58192042A (ja) | 1983-11-09 |
| JPH0434743B2 true JPH0434743B2 (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=13518215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7343782A Granted JPS58192042A (ja) | 1982-01-18 | 1982-05-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58192042A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923347A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-06 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| US7410746B2 (en) | 2002-03-29 | 2008-08-12 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoradical polymerization initiator, radical generator, photosensitive compound and photosensitive resin composition containing these materials and product or its accessory portions using the composition |
| JP2009128587A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電子写真感光体、画像形成装置及び電子写真感光体カートリッジ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027014B2 (ja) * | 1977-04-27 | 1985-06-26 | 株式会社リコー | 電子写真用感光体 |
| JPS6029107B2 (ja) * | 1977-06-09 | 1985-07-09 | 株式会社リコー | 電子写真用感光体 |
-
1982
- 1982-05-04 JP JP7343782A patent/JPS58192042A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58192042A (ja) | 1983-11-09 |
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