JPH0434825B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0434825B2 JPH0434825B2 JP58250537A JP25053783A JPH0434825B2 JP H0434825 B2 JPH0434825 B2 JP H0434825B2 JP 58250537 A JP58250537 A JP 58250537A JP 25053783 A JP25053783 A JP 25053783A JP H0434825 B2 JPH0434825 B2 JP H0434825B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- power transistor
- semiconductor
- present
- coupling agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/121—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by multiple encapsulations, e.g. by a thin protective coating and a thick encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/114—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by a substrate and the encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は組立作業に要する時間を大巾に短縮す
ることができるとともに、併せて組立の自動化を
はかることができ、さらに完成した樹脂封止形半
導体装置の信頼性の向上をはかることができる樹
脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
ることができるとともに、併せて組立の自動化を
はかることができ、さらに完成した樹脂封止形半
導体装置の信頼性の向上をはかることができる樹
脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
樹脂閉止形半導体装置、例えば樹脂封止形パワ
ートランジスターの組み立ては、通常第１図で示
すように銅などの熱伝導が良好な金属材料からな
る半導体基板支持体１の凹所に、パワートランジ
スター素子２を臘材３を用いて接着固定し、さら
にパワートランジスター素子２上の電極と外部リ
ードとの間を金属細線により電気的に接続（図示
せず）したのち、パワートランジスター素子２の
周囲を表面保護用樹脂（ジヤンクシヨンコーテイ
ングレジンとも称される）４で被覆し、最後に、
成形用樹脂５によつて封止することによつてなさ
れていた。そして、上記の表面保護用樹脂４は、
成形用樹脂５が硬化するまでの重合反応におい
て、水分あるいは有害イオン例えばNa+、H+、
Cl-などが遊離し、これがパワートランジスター
素子２の表面に付着すると、電気的特性が損われ
ること、あるいは成形用樹脂５が有する吸水性な
いしは透湿性により、電気的特性が損なわれるこ
となどの不都合を排除するために不可欠なもので
ある。
ートランジスターの組み立ては、通常第１図で示
すように銅などの熱伝導が良好な金属材料からな
る半導体基板支持体１の凹所に、パワートランジ
スター素子２を臘材３を用いて接着固定し、さら
にパワートランジスター素子２上の電極と外部リ
ードとの間を金属細線により電気的に接続（図示
せず）したのち、パワートランジスター素子２の
周囲を表面保護用樹脂（ジヤンクシヨンコーテイ
ングレジンとも称される）４で被覆し、最後に、
成形用樹脂５によつて封止することによつてなさ
れていた。そして、上記の表面保護用樹脂４は、
成形用樹脂５が硬化するまでの重合反応におい
て、水分あるいは有害イオン例えばNa+、H+、
Cl-などが遊離し、これがパワートランジスター
素子２の表面に付着すると、電気的特性が損われ
ること、あるいは成形用樹脂５が有する吸水性な
いしは透湿性により、電気的特性が損なわれるこ
となどの不都合を排除するために不可欠なもので
ある。
ところで、この表面保護用樹脂４によるパワー
トランジスター素子２の被覆は、オイル状あるい
はグリース状の表面保護樹脂４を凹所内へ充填し
てパワートランジスター素子２の表面を覆つたの
ち160℃〜230℃程度の加熱炉内で時間感に及ぶ加
熱処理を施すことによつて表面保護樹脂を硬化さ
せるとともに、併せて脱水することによつてなさ
れている。このため組立作業能率が著しく損われ
るところとなり、このことが製品のコストを低下
させる面での大きな障害となつていた。またこの
ように長い時間を要する始業工程を含む組立作業
は、これをライン化することが困難であつた。さ
らに表面保護樹脂４を硬化させた場合、これにピ
ンホールあるいはマイクロクラツクの発生するこ
とがあり、このことによつて、形成された樹脂封
止形パワートランジスターの特性劣化あるいは信
頼性の低下をきたすおそれもあつた。
トランジスター素子２の被覆は、オイル状あるい
はグリース状の表面保護樹脂４を凹所内へ充填し
てパワートランジスター素子２の表面を覆つたの
ち160℃〜230℃程度の加熱炉内で時間感に及ぶ加
熱処理を施すことによつて表面保護樹脂を硬化さ
せるとともに、併せて脱水することによつてなさ
れている。このため組立作業能率が著しく損われ
るところとなり、このことが製品のコストを低下
させる面での大きな障害となつていた。またこの
ように長い時間を要する始業工程を含む組立作業
は、これをライン化することが困難であつた。さ
らに表面保護樹脂４を硬化させた場合、これにピ
ンホールあるいはマイクロクラツクの発生するこ
とがあり、このことによつて、形成された樹脂封
止形パワートランジスターの特性劣化あるいは信
頼性の低下をきたすおそれもあつた。
発明の目的
本発明の目的は、上述した表面保護樹脂の被覆
にかえて、短時間で表面保護層を形成することが
でき、しかも表面保護樹脂による被覆を行つた場
合に不可避であつたピンホールあるいはマイクロ
クラツクの発生に起因する問題を排除することの
できる樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
にかえて、短時間で表面保護層を形成することが
でき、しかも表面保護樹脂による被覆を行つた場
合に不可避であつたピンホールあるいはマイクロ
クラツクの発生に起因する問題を排除することの
できる樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
発明の構成
本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法は半
導体基板支持体上へ半導体素子基板を接着したの
ち、前記半導体素子基板の全面及び半導体素子基
板を接着した基板支持体の面全面を樹脂カツプリ
ング剤で被覆したのち、成形樹脂による封止を行
なう方法である。本発明の製造方法によれば、半
導体素子基板の表面保護が、樹脂カツプリング剤
の絶縁物層で構成された樹脂封止形半導体装置を
得ることができる。そして、表面保護層の形成に
は、樹脂カツプリング剤で滴下塗布によつて被覆
したのち、１０秒程度の風乾で完了する。また、
半導体素子基板の周囲を覆う表面保護層に低粘度
の高分子剤であり、硬化は加熱によらず自然乾燥
の樹脂カツプリング剤を使用するためピンホー
ル、あるいはマイクロクラツク等に起因する問題
が生じることがない。
導体基板支持体上へ半導体素子基板を接着したの
ち、前記半導体素子基板の全面及び半導体素子基
板を接着した基板支持体の面全面を樹脂カツプリ
ング剤で被覆したのち、成形樹脂による封止を行
なう方法である。本発明の製造方法によれば、半
導体素子基板の表面保護が、樹脂カツプリング剤
の絶縁物層で構成された樹脂封止形半導体装置を
得ることができる。そして、表面保護層の形成に
は、樹脂カツプリング剤で滴下塗布によつて被覆
したのち、１０秒程度の風乾で完了する。また、
半導体素子基板の周囲を覆う表面保護層に低粘度
の高分子剤であり、硬化は加熱によらず自然乾燥
の樹脂カツプリング剤を使用するためピンホー
ル、あるいはマイクロクラツク等に起因する問題
が生じることがない。
実施例の説明
本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法につ
いて第２図を参照して詳しく説明する。第２図は
本発明の製造方法により、形成された樹脂封止形
パワートランジスターの要部の断面構造を示す図
である。
いて第２図を参照して詳しく説明する。第２図は
本発明の製造方法により、形成された樹脂封止形
パワートランジスターの要部の断面構造を示す図
である。
この樹脂封止形パワートランジスターは、以下
のような組立作業工程を経て形成される。従来と
同様先づ、凹所をもつた半導体基板支持体１にパ
ワートランジスター素子２を臘材３を用いて接着
固定し、さらに、パワートランジスター素子２の
電極と外部リードとの間を金属細線を用いて電気
的に接続し（図示せず）パワートランジスター素
子組立構体を形成する。
のような組立作業工程を経て形成される。従来と
同様先づ、凹所をもつた半導体基板支持体１にパ
ワートランジスター素子２を臘材３を用いて接着
固定し、さらに、パワートランジスター素子２の
電極と外部リードとの間を金属細線を用いて電気
的に接続し（図示せず）パワートランジスター素
子組立構体を形成する。
次いで、半導体基板支持体１の凹所内中に、オ
イル状の粘度の低い絶縁物の樹脂カツプリング剤
６、例えばシリコンイソシアーナートを５％程度
の濃度になるようにトルエン、酢酸エチル等の溶
剤で希釈したものをプライマーとしてパワートラ
ンジスター素子２の全面および半導体基板支持体
１の凹所全面に塗布することによりパワートラン
ジスター素子２の表面保護層が形成される。
イル状の粘度の低い絶縁物の樹脂カツプリング剤
６、例えばシリコンイソシアーナートを５％程度
の濃度になるようにトルエン、酢酸エチル等の溶
剤で希釈したものをプライマーとしてパワートラ
ンジスター素子２の全面および半導体基板支持体
１の凹所全面に塗布することによりパワートラン
ジスター素子２の表面保護層が形成される。
そして最後に、成形用樹脂５による封止を行な
うことによつて、本発明の製造方法による樹脂形
パワートランジスターが完成する。
うことによつて、本発明の製造方法による樹脂形
パワートランジスターが完成する。
本発明の実施によつて得られたパワートランジ
スター製品は、その信頼性テストのひとつである
プレツシヤークツカー（PC）熱疲試験（半導体
素子に電気的入力を与えて接合温度を40℃に上昇
させる過程を５分毎に反復して、その継続によ
り、劣化寿命を測定するテスト法）を実施したと
ころ、従来例の水準を十分しのぐものであつた。
スター製品は、その信頼性テストのひとつである
プレツシヤークツカー（PC）熱疲試験（半導体
素子に電気的入力を与えて接合温度を40℃に上昇
させる過程を５分毎に反復して、その継続によ
り、劣化寿命を測定するテスト法）を実施したと
ころ、従来例の水準を十分しのぐものであつた。
また、本発明の実施例で得られた樹脂封止形パ
ワートランジスター製品の耐湿性試験、特に高
湿、高圧下でのボイルテストに対しては、従来例
製品の場合の10倍以上の耐性が認められた。これ
は樹脂カツプリング剤６の存在によりパワートラ
ンジスタ素子２およびその支持体１と成形用樹脂
５との接着力が高いレベルに達していることを示
しており、これにより実用性の高いものであるこ
とが確認された。
ワートランジスター製品の耐湿性試験、特に高
湿、高圧下でのボイルテストに対しては、従来例
製品の場合の10倍以上の耐性が認められた。これ
は樹脂カツプリング剤６の存在によりパワートラ
ンジスタ素子２およびその支持体１と成形用樹脂
５との接着力が高いレベルに達していることを示
しており、これにより実用性の高いものであるこ
とが確認された。
発明の効果
本発明によれば、樹脂封止形半導体装置におけ
る内部半導体素子を、オイル状の樹脂カツプリン
グ剤を全域に塗布し外囲樹脂成形を行なうことに
より、大幅な工程時間短縮が可能である。とりわ
け、本発明で用いられる樹脂カツプリング剤は秒
単位の短時間で完了するので、作業能率の向上が
はかられ、自動化、ライン化には最適であり量
産、低コスト化に有用である。
る内部半導体素子を、オイル状の樹脂カツプリン
グ剤を全域に塗布し外囲樹脂成形を行なうことに
より、大幅な工程時間短縮が可能である。とりわ
け、本発明で用いられる樹脂カツプリング剤は秒
単位の短時間で完了するので、作業能率の向上が
はかられ、自動化、ライン化には最適であり量
産、低コスト化に有用である。
第１図は従来例半導体装置の断面図、第２図は
本発明実施例で得られた半導体装置の断面図であ
る。 １……半導体基板支持体、２……トランジスタ
ー素子、３……臘材、５……成形樹脂、６……樹
脂カツプリング剤（プライマー）。
本発明実施例で得られた半導体装置の断面図であ
る。 １……半導体基板支持体、２……トランジスタ
ー素子、３……臘材、５……成形樹脂、６……樹
脂カツプリング剤（プライマー）。
Claims (1)
- １ 半導体基板支持体上に半導体素子基板を接着
したのち、前記半導体素子基板の全面および前記
半導体基板支持体の少なくとも前記半導体素子基
板の周囲の面を樹脂カツプリング剤のみで保護
し、ついで、成形用樹脂により封止を行うことを
特徴とする樹脂封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250537A JPS60137043A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250537A JPS60137043A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60137043A JPS60137043A (ja) | 1985-07-20 |
| JPH0434825B2 true JPH0434825B2 (ja) | 1992-06-09 |
Family
ID=17209373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250537A Granted JPS60137043A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60137043A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55156343A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-05 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6134253U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-03-01 | 敏和 岸本 | 磁気治療器を埋め込んだ眼鏡 |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP58250537A patent/JPS60137043A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60137043A (ja) | 1985-07-20 |
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