JPH02170576A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02170576A JPH02170576A JP32663788A JP32663788A JPH02170576A JP H02170576 A JPH02170576 A JP H02170576A JP 32663788 A JP32663788 A JP 32663788A JP 32663788 A JP32663788 A JP 32663788A JP H02170576 A JPH02170576 A JP H02170576A
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- JP
- Japan
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- aluminum wiring
- wiring
- semiconductor device
- metal powder
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Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N (1s,2s,3s,5r)-1-(carboxymethyl)-3,5-bis[(4-phenoxyphenyl)methyl-propylcarbamoyl]cyclopentane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound O=C([C@@H]1[C@@H]([C@](CC(O)=O)([C@H](C(=O)N(CCC)CC=2C=CC(OC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C1)C(O)=O)C(O)=O)N(CCC)CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N 0.000 abstract description 4
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コンタクト部分において断線が起こりに＜＜
、配線抵抗の小さい電極配線を備えた半導体装置に関す
るものである。
、配線抵抗の小さい電極配線を備えた半導体装置に関す
るものである。
従来の技術
従来、第２図に示す様に半導体基板２１の一生面上に層
間絶縁膜２２をパターンニングしてコンタクト窓を形成
し、その上にアルミニウム配線２３を形成した電極配線
構造が知られている。
間絶縁膜２２をパターンニングしてコンタクト窓を形成
し、その上にアルミニウム配線２３を形成した電極配線
構造が知られている。
発明が解決しようとする課題
従来、第２図に示す様に電極配線として使われているア
ルミニウム配線はコンタクトの底部の中央部で厚くなる
２４のに対し、コンタクトの底部の周辺部の角で配線が
薄くなる２５゜そのため、配線抵抗が高（なったり、時
にはコンタクトの底部の周辺部の角で配線が断線するこ
とも見られる。また、コンタクト付近で半導体装置の段
差が低くなるなどの問題が発生する。
ルミニウム配線はコンタクトの底部の中央部で厚くなる
２４のに対し、コンタクトの底部の周辺部の角で配線が
薄くなる２５゜そのため、配線抵抗が高（なったり、時
にはコンタクトの底部の周辺部の角で配線が断線するこ
とも見られる。また、コンタクト付近で半導体装置の段
差が低くなるなどの問題が発生する。
課題を解決するための手段
本発明は前記目的を達成するために、コンタクト部分に
おいてアルミニウム配線層の内部に金属粉を含む高分子
化合物を設けた電極配線を用いる。
おいてアルミニウム配線層の内部に金属粉を含む高分子
化合物を設けた電極配線を用いる。
作用
この構成によって、半導体装置の平坦化が図れるととも
に、配線抵抗を低減することができる。
に、配線抵抗を低減することができる。
また、コンタクト底部での配線の断線は、上部の金属粉
を含む高分子化合物及び上部のアルミニウム配線層によ
って救済される。
を含む高分子化合物及び上部のアルミニウム配線層によ
って救済される。
実施例
以下に、第１図を参照にして本発明の半導体装置につい
て詳しく説明する。
て詳しく説明する。
第１図は本発明の半導体装置に於ける一実施例のコンタ
クト部分を示す断面図である。
クト部分を示す断面図である。
図示するように、半導体基板１１の一生面上に層間絶縁
膜１２をパターンニングし、コンタクト窓を形成した上
に第１のアルミニウム配線１３を形成し、この第１のア
ルミニウム配線１３の凹部に金属粉を含む高分子化合物
１４を設は平坦化を行い、第１のアルミニウム配線１３
及び金属粉を含む高分子化合物１４の上部に第２のアル
ミニウム配線１５を形成する。
膜１２をパターンニングし、コンタクト窓を形成した上
に第１のアルミニウム配線１３を形成し、この第１のア
ルミニウム配線１３の凹部に金属粉を含む高分子化合物
１４を設は平坦化を行い、第１のアルミニウム配線１３
及び金属粉を含む高分子化合物１４の上部に第２のアル
ミニウム配線１５を形成する。
以上のように本実施例によれば、コンタクト部分におい
てアルミニウム配線層の内部に金属粉を含む高分子化合
物を設け′た電極配線を用いることにより、半導体装置
の平坦化が図れるとともに、配線抵抗を低減することが
できる。また、コンタクト底部での配線の断線は、上部
の金属粉を含む高分子化合物及び上部のアルミニウム配
線によって救済される。
てアルミニウム配線層の内部に金属粉を含む高分子化合
物を設け′た電極配線を用いることにより、半導体装置
の平坦化が図れるとともに、配線抵抗を低減することが
できる。また、コンタクト底部での配線の断線は、上部
の金属粉を含む高分子化合物及び上部のアルミニウム配
線によって救済される。
発明の効果
以上のように本発明は、コンタクト部分においてアルミ
ニウム配線層の内部に金属粉を含む高分子化合物を設け
た電極配線を用いることにより、配線抵抗を低減すると
ともに、コンタクト付近での半導体装置の平坦化が図れ
る。
ニウム配線層の内部に金属粉を含む高分子化合物を設け
た電極配線を用いることにより、配線抵抗を低減すると
ともに、コンタクト付近での半導体装置の平坦化が図れ
る。
第１図は本発明の一実施例にかかる半導体装置のコンタ
クト部分を示す断面図、第２図は従来の半導体装置のコ
ンタクト部分を示す断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・層間絶
縁膜、１３・・・・・・第１のアルミニウム配線、１４
・・・・・・金属粉を含む高分子化合物、１５・・・・
・・第２のアルミニウム配線、２１・・・・・・半導体
基板、２２・・・・・・層間絶縁膜、２３・・・・・・
アルミニウム配線、２４・・・・・・コンタクト中央で
アルミニウム配線が厚くなっている部分、２５・・・・
・・コンタクト周辺でアルミニウム配線が薄（なってい
る部分。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名呼
クト部分を示す断面図、第２図は従来の半導体装置のコ
ンタクト部分を示す断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・層間絶
縁膜、１３・・・・・・第１のアルミニウム配線、１４
・・・・・・金属粉を含む高分子化合物、１５・・・・
・・第２のアルミニウム配線、２１・・・・・・半導体
基板、２２・・・・・・層間絶縁膜、２３・・・・・・
アルミニウム配線、２４・・・・・・コンタクト中央で
アルミニウム配線が厚くなっている部分、２５・・・・
・・コンタクト周辺でアルミニウム配線が薄（なってい
る部分。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名呼
Claims (1)
- コンタクト部分において、アルミニウム配線層の内部に
金属粉を含む高分子化合物が設けられた電極配線を有す
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32663788A JPH02170576A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32663788A JPH02170576A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170576A true JPH02170576A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18190011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32663788A Pending JPH02170576A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170576A (ja) |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32663788A patent/JPH02170576A/ja active Pending
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