JPH0557642B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0557642B2 JPH0557642B2 JP57095740A JP9574082A JPH0557642B2 JP H0557642 B2 JPH0557642 B2 JP H0557642B2 JP 57095740 A JP57095740 A JP 57095740A JP 9574082 A JP9574082 A JP 9574082A JP H0557642 B2 JPH0557642 B2 JP H0557642B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower core
- thin film
- coil
- magnetic head
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘツドに関するものである。
薄膜磁気ヘツドは通常第１図に示す断面形状を持
つように成形されている。すなわち、基台１に下
部コア２を配設し、さらにその上に第１絶縁体層
３を設け、次いでこの第１絶縁体層３上に、第２
図ａに示すような平面形状を有する第１コイル部
分４を配設し、次いでこの第１コイル部分の端部
４ａを除き第２絶縁体層５を付設し、その後この
第２絶縁体層５の上に前記端部４ａに接続する端
部６ａを有する第２コイル部分６を第２図ｂに示
す如く設け、さらにその上に第３絶縁体層７を配
設し、次いでこの第３絶縁体層の上から上部コア
８を配設して構成するようにしている。ところ
で、この磁気ヘツドは上部コア８の巾Ｐ（第２図
ｃ）でトラツク巾を規定し、上下各部コア２，８
の距離Ｑでギヤツプ長を規定するようにしてい
る。距離Ｑは第１、第２、第３絶縁体層３，５，
７の各層厚の和であり、各層厚は必要な絶縁を確
保するために小さくするには限度があるからギヤ
ツプ長を小さくするには限度がある。例えば各絶
縁体層３，５，７をSiO2膜で成形する場合、各
膜のピンホールをなくすためには0.5μｍ以上、ま
た絶縁の完全性およびコイルによる段差（例えば
1μｍ）のカバーから各膜につき0.7μｍ、したがつ
てギヤツプ長は2.1μｍ以上となる。
薄膜磁気ヘツドは通常第１図に示す断面形状を持
つように成形されている。すなわち、基台１に下
部コア２を配設し、さらにその上に第１絶縁体層
３を設け、次いでこの第１絶縁体層３上に、第２
図ａに示すような平面形状を有する第１コイル部
分４を配設し、次いでこの第１コイル部分の端部
４ａを除き第２絶縁体層５を付設し、その後この
第２絶縁体層５の上に前記端部４ａに接続する端
部６ａを有する第２コイル部分６を第２図ｂに示
す如く設け、さらにその上に第３絶縁体層７を配
設し、次いでこの第３絶縁体層の上から上部コア
８を配設して構成するようにしている。ところ
で、この磁気ヘツドは上部コア８の巾Ｐ（第２図
ｃ）でトラツク巾を規定し、上下各部コア２，８
の距離Ｑでギヤツプ長を規定するようにしてい
る。距離Ｑは第１、第２、第３絶縁体層３，５，
７の各層厚の和であり、各層厚は必要な絶縁を確
保するために小さくするには限度があるからギヤ
ツプ長を小さくするには限度がある。例えば各絶
縁体層３，５，７をSiO2膜で成形する場合、各
膜のピンホールをなくすためには0.5μｍ以上、ま
た絶縁の完全性およびコイルによる段差（例えば
1μｍ）のカバーから各膜につき0.7μｍ、したがつ
てギヤツプ長は2.1μｍ以上となる。
薄膜磁気ヘツドにおいては発生磁界の増大、発
熱防止、及び微小電流による駆動を可能にするた
めコイルのターン数を上げる必要があるが、第１
図の磁気ヘツドではコイルの多層化に比例してギ
ヤツプ長は大きくならざるを得ない。このため磁
気ヘツドのフロントギヤツプ部における絶縁体層
の一部を除去あるいは省略して該当部における層
厚を小さくするようにしている。第３図及び第４
図はそのための工夫を施した磁気ヘツドの異なる
例を断面して示すものである。第３図は、コイル
４をマスクとしてコイル下を除く部分の絶縁体層
をすべて除去したものであり、第４図はギヤツプ
部（フロント側及びリヤ側）の絶縁体層のみを写
真蝕刻技術を用いて除去しその後にギヤツプ長を
規定するためのスペーサ９を設けて上部コア８を
形成するようにしたものである。しかしながら、
前者は下部コアとコイル平面間の段差が大きくこ
れらを包み込むように形成するその後の絶縁体層
の成形時に図中Ｒ部分が被覆不完全となる可能性
が大きい、また後者は上部コアの、下部コアと絶
縁体層表面間の段差部Ｓにおいて膜厚低下、磁束
漏れを発生させるおそれがある、などの欠点があ
つた。
熱防止、及び微小電流による駆動を可能にするた
めコイルのターン数を上げる必要があるが、第１
図の磁気ヘツドではコイルの多層化に比例してギ
ヤツプ長は大きくならざるを得ない。このため磁
気ヘツドのフロントギヤツプ部における絶縁体層
の一部を除去あるいは省略して該当部における層
厚を小さくするようにしている。第３図及び第４
図はそのための工夫を施した磁気ヘツドの異なる
例を断面して示すものである。第３図は、コイル
４をマスクとしてコイル下を除く部分の絶縁体層
をすべて除去したものであり、第４図はギヤツプ
部（フロント側及びリヤ側）の絶縁体層のみを写
真蝕刻技術を用いて除去しその後にギヤツプ長を
規定するためのスペーサ９を設けて上部コア８を
形成するようにしたものである。しかしながら、
前者は下部コアとコイル平面間の段差が大きくこ
れらを包み込むように形成するその後の絶縁体層
の成形時に図中Ｒ部分が被覆不完全となる可能性
が大きい、また後者は上部コアの、下部コアと絶
縁体層表面間の段差部Ｓにおいて膜厚低下、磁束
漏れを発生させるおそれがある、などの欠点があ
つた。
本発明はこの欠点を除去し、良好なギヤツプを
有する磁気ヘツドを提供することを目的とするも
のであり、下部コアと、該下部コアの上に形成さ
れる、コイルを含む複数の絶縁体層との間の段差
を減少又は解消するために、上部コアに対向する
下部コア上に第２の下部コアを配備してなる磁気
ヘツドを提供しようとするものである。
有する磁気ヘツドを提供することを目的とするも
のであり、下部コアと、該下部コアの上に形成さ
れる、コイルを含む複数の絶縁体層との間の段差
を減少又は解消するために、上部コアに対向する
下部コア上に第２の下部コアを配備してなる磁気
ヘツドを提供しようとするものである。
次に、本発明を図示実施例に基づき説明する。
第５図は１実施例の平面図、第６図は第５図中の
Ａ−A′断面図、第７図は第５図の矢印Ｂ方向か
ら見た正面図である。ただし第５図及び第６図に
おいて上部コアの上方の保護部材を省略してい
る。本実施例は１つの基板上に20個の磁気ヘツド
を備えており、各磁気ヘツドは一定のトラツク巾
Ｔ（例えば80μ）を有しかつ一定のトラツクピツ
チＵ（例えば165μ）で揃列されており、両端の磁
気ヘツドの各側方にギヤツプ深さＶを規定するた
めのモニタパターン４０を配備し、該モニタパタ
ーンを利用してテープ当接面４１を研磨するよう
にしている。また、この研磨により除去される部
分４２内に、後述の第２の下部コアを形成するた
めの電極導入部４３を備えている。各磁気ヘツド
は何れも対称的に形成されているので、以下１つ
の磁気ヘツドについて代表して詳説する。
第５図は１実施例の平面図、第６図は第５図中の
Ａ−A′断面図、第７図は第５図の矢印Ｂ方向か
ら見た正面図である。ただし第５図及び第６図に
おいて上部コアの上方の保護部材を省略してい
る。本実施例は１つの基板上に20個の磁気ヘツド
を備えており、各磁気ヘツドは一定のトラツク巾
Ｔ（例えば80μ）を有しかつ一定のトラツクピツ
チＵ（例えば165μ）で揃列されており、両端の磁
気ヘツドの各側方にギヤツプ深さＶを規定するた
めのモニタパターン４０を配備し、該モニタパタ
ーンを利用してテープ当接面４１を研磨するよう
にしている。また、この研磨により除去される部
分４２内に、後述の第２の下部コアを形成するた
めの電極導入部４３を備えている。各磁気ヘツド
は何れも対称的に形成されているので、以下１つ
の磁気ヘツドについて代表して詳説する。
各図において、１０は基台、１１はこの基台上
に付設してなる下部コア、１２はこの下部コア上
に配設してなる第２の下部コア、１３，１４，１
５は第１、第２、第３絶縁体層、１６，１７はそ
れぞれ第１、第２コイル部分、１８はフロントギ
ヤツプ部を構成するスペーサ、１９は上部コアで
ある。下部コア１１及び第２の下部コア１２は何
れも導電性の良いパーマロイで形成され、各絶縁
体層１３，１４，１５及び各コイル部分はそれぞ
れシリカ（SiO2）、アルミニウム（Al）で形成さ
れている。
に付設してなる下部コア、１２はこの下部コア上
に配設してなる第２の下部コア、１３，１４，１
５は第１、第２、第３絶縁体層、１６，１７はそ
れぞれ第１、第２コイル部分、１８はフロントギ
ヤツプ部を構成するスペーサ、１９は上部コアで
ある。下部コア１１及び第２の下部コア１２は何
れも導電性の良いパーマロイで形成され、各絶縁
体層１３，１４，１５及び各コイル部分はそれぞ
れシリカ（SiO2）、アルミニウム（Al）で形成さ
れている。
第２のコア部分１２は第１〜第３絶縁体層１
３，１４，１５をマスクとして下部コア１１上に
これら絶縁体層の全厚分に相当する厚さだけ電着
によつて形成されるものであり、この第２の下部
コア１２表面と第３絶縁体層１５の、下部にコイ
ル部分を含まない部分の表面との間には実質的な
段差を形成しないようにしている。そのため、こ
の第２の下部コア１２と第３絶縁体層１５上にス
ペーサ１８を介して共通的に形成される上部コア
１９はコイル部分１６，１７に対しては絶縁体層
１４，１５によつて十分に絶縁され、また第４図
に示す従来例のように段差部分Ｓを備えていない
ので該上部コア自体の肉厚が極端に薄くなるよう
なことがなく磁束漏れを防止することができる。
３，１４，１５をマスクとして下部コア１１上に
これら絶縁体層の全厚分に相当する厚さだけ電着
によつて形成されるものであり、この第２の下部
コア１２表面と第３絶縁体層１５の、下部にコイ
ル部分を含まない部分の表面との間には実質的な
段差を形成しないようにしている。そのため、こ
の第２の下部コア１２と第３絶縁体層１５上にス
ペーサ１８を介して共通的に形成される上部コア
１９はコイル部分１６，１７に対しては絶縁体層
１４，１５によつて十分に絶縁され、また第４図
に示す従来例のように段差部分Ｓを備えていない
ので該上部コア自体の肉厚が極端に薄くなるよう
なことがなく磁束漏れを防止することができる。
モニタパタン４０上には、上記第２の下部コア
の成形時に同時に該第２の下部コア材が付着さ
れ、磁気ヘツドのデプス（ギヤツプのテープ当接
面からギヤツプエンドまでの距離）Ｖを決めるた
め複数の深さの異なるくし歯が形成されている。
第７図の正面図を見てわかるように、モニタパタ
ーンのくし歯数によつてデプスＶを推定すること
ができる。かかる方式に代え、第５図中に仮想線
で示したように、コイル部分の成形時に同時に図
示の如きモニタパターン４４を成形しかつ該パタ
ーン上の一部４５をデプスを決める位置に切欠縁
をもつように切欠いて、テープ当接面をパターン
４４ａ，４４ｂ間の抵抗値の変化で検出するよう
にしても良い。尚、第７図中、５０は保護層、５
１は装着材層、５２はシールド及び保護材であ
り、これらの保護部材については他の図面では図
示省略している。
の成形時に同時に該第２の下部コア材が付着さ
れ、磁気ヘツドのデプス（ギヤツプのテープ当接
面からギヤツプエンドまでの距離）Ｖを決めるた
め複数の深さの異なるくし歯が形成されている。
第７図の正面図を見てわかるように、モニタパタ
ーンのくし歯数によつてデプスＶを推定すること
ができる。かかる方式に代え、第５図中に仮想線
で示したように、コイル部分の成形時に同時に図
示の如きモニタパターン４４を成形しかつ該パタ
ーン上の一部４５をデプスを決める位置に切欠縁
をもつように切欠いて、テープ当接面をパターン
４４ａ，４４ｂ間の抵抗値の変化で検出するよう
にしても良い。尚、第７図中、５０は保護層、５
１は装着材層、５２はシールド及び保護材であ
り、これらの保護部材については他の図面では図
示省略している。
次に、かかる磁気ヘツドを製造する手順につい
て第８図の工程図に従い説明する。厚さ１mm程度
のホトセラム製基台８０の表面に、３〜5μ程度
の厚さで下部コアとなる導電性の良い軟磁性体
（パーマロイ）よりなる薄膜８１を付設する。（第
８図ａ）次いでこの薄膜８１の上に絶縁体たとえ
ばSiO2よりなる第１絶縁体膜となる薄膜８２図
（膜厚は1.5μ程度）を付設し（第８図ｂ）、その後
この薄膜の上に第１コイル部分となるアルミニウ
ムよりなるパターン８３を付設し（第８図ｃ）、
次いで第２絶縁体膜となる薄膜８４、第２コイル
部分となるパターン８５、さらに第３絶縁体膜と
なる薄膜８６を順次同様に付設する（第８図ｄ）。
なお薄膜８４の付設後、パターン８３ａ上の薄膜
を除去し、パターン８５の成形時、薄膜８２上の
パターン８３ａに短絡するようにしている。
て第８図の工程図に従い説明する。厚さ１mm程度
のホトセラム製基台８０の表面に、３〜5μ程度
の厚さで下部コアとなる導電性の良い軟磁性体
（パーマロイ）よりなる薄膜８１を付設する。（第
８図ａ）次いでこの薄膜８１の上に絶縁体たとえ
ばSiO2よりなる第１絶縁体膜となる薄膜８２図
（膜厚は1.5μ程度）を付設し（第８図ｂ）、その後
この薄膜の上に第１コイル部分となるアルミニウ
ムよりなるパターン８３を付設し（第８図ｃ）、
次いで第２絶縁体膜となる薄膜８４、第２コイル
部分となるパターン８５、さらに第３絶縁体膜と
なる薄膜８６を順次同様に付設する（第８図ｄ）。
なお薄膜８４の付設後、パターン８３ａ上の薄膜
を除去し、パターン８５の成形時、薄膜８２上の
パターン８３ａに短絡するようにしている。
このようにしてコイル部分を基台８０上に成形
した後、このコイル部分を挟むフロント及びバツ
クギヤツプとなる部分及びモニタパターンを形成
する部分の薄膜８２，８４，８６を写真蝕刻技術
によつて打抜き作成し、同時に電極導入穴４３を
形成する（第８図ｅ）。尚、８７は打抜孔である。
本実施例のように絶縁層としてシリカ（SiO2）
を用いている場合には、HF・NH4F混合溶液を
用いることによつて不要部を除去することができ
る（なお、CCl4＋O2ガスのリアクテイブイオン
エツチングを用いれば更に精度良く打抜くことが
できる）。次いでこの打抜部分に、次の浴槽を用
いて、下部コアとなる薄膜８１上に第２の下部コ
アとなるパーマロイよりなる厚さ4.5μ程度の薄膜
８８を電着で付設する（第８図ｆ）。溶液は、
NiSO4・6H2O、NiCl4・6H2O、FeSO4・7H2O、
H2BO3、サツカリン・ナトリウム、ラウリル酸
ソーダがそれぞれ、300、25、５〜20、15、0.5、
0.2〔ｇ／〕であり、陽極は78％Ni／Feである。
した後、このコイル部分を挟むフロント及びバツ
クギヤツプとなる部分及びモニタパターンを形成
する部分の薄膜８２，８４，８６を写真蝕刻技術
によつて打抜き作成し、同時に電極導入穴４３を
形成する（第８図ｅ）。尚、８７は打抜孔である。
本実施例のように絶縁層としてシリカ（SiO2）
を用いている場合には、HF・NH4F混合溶液を
用いることによつて不要部を除去することができ
る（なお、CCl4＋O2ガスのリアクテイブイオン
エツチングを用いれば更に精度良く打抜くことが
できる）。次いでこの打抜部分に、次の浴槽を用
いて、下部コアとなる薄膜８１上に第２の下部コ
アとなるパーマロイよりなる厚さ4.5μ程度の薄膜
８８を電着で付設する（第８図ｆ）。溶液は、
NiSO4・6H2O、NiCl4・6H2O、FeSO4・7H2O、
H2BO3、サツカリン・ナトリウム、ラウリル酸
ソーダがそれぞれ、300、25、５〜20、15、0.5、
0.2〔ｇ／〕であり、陽極は78％Ni／Feである。
その後、スペーサとなる薄膜（材料は例えばシ
リカ）をスパツタリング、蒸着等により厚さ例え
ば0.7μ程度付設する。この際、バツクギヤツプに
相当する部分にマスクを設けその部分に薄膜が付
着しないようにしても良いが、本実施例では作業
を単純化するためこの薄膜を全面に付設するよう
にしている。次いで、軟磁性材料（例えばパーマ
ロイ）の薄膜をスパツタリング、蒸着等によつて
厚さ３〜5μ程度付設し、これを写真蝕刻技術を
用いてパターン化を行ない上部コアを作成する。
尚、ギヤツプデプスをモニタするために利用する
切欠４５を成形するには、アルミニウムよりなる
パターン４４を選択的に除去するエツチヤントを
使用すれば良く、本実施例ではCF4＋O2ガスのプ
ラズマエツチングにより選択的に切欠４５に表出
するパターンを除去するようにしている。
リカ）をスパツタリング、蒸着等により厚さ例え
ば0.7μ程度付設する。この際、バツクギヤツプに
相当する部分にマスクを設けその部分に薄膜が付
着しないようにしても良いが、本実施例では作業
を単純化するためこの薄膜を全面に付設するよう
にしている。次いで、軟磁性材料（例えばパーマ
ロイ）の薄膜をスパツタリング、蒸着等によつて
厚さ３〜5μ程度付設し、これを写真蝕刻技術を
用いてパターン化を行ない上部コアを作成する。
尚、ギヤツプデプスをモニタするために利用する
切欠４５を成形するには、アルミニウムよりなる
パターン４４を選択的に除去するエツチヤントを
使用すれば良く、本実施例ではCF4＋O2ガスのプ
ラズマエツチングにより選択的に切欠４５に表出
するパターンを除去するようにしている。
第９図は他の実施例の第６図に相当する断面図
を示すもので、図中同一機能要素には同一図番を
付している。これは第１〜第３絶縁体層１３′，
１４′，１５′を水ガラスを固化して成形したもの
である。これにより、第１第２コイル部の接続を
行なうスルーホールを除き全ての段差を解消する
ことができ、段差部における断線、絶縁破壊、磁
束漏れなどをほゞ完全になくすことができる。ま
た、常に平面上で膜作成およびパターン化を実行
でき、膜の特性、工程を安定化させることができ
る。
を示すもので、図中同一機能要素には同一図番を
付している。これは第１〜第３絶縁体層１３′，
１４′，１５′を水ガラスを固化して成形したもの
である。これにより、第１第２コイル部の接続を
行なうスルーホールを除き全ての段差を解消する
ことができ、段差部における断線、絶縁破壊、磁
束漏れなどをほゞ完全になくすことができる。ま
た、常に平面上で膜作成およびパターン化を実行
でき、膜の特性、工程を安定化させることができ
る。
第１０図及び第１１図は更に他の実施例の、第
６図及び第７図に相当する図で各図中、同一図番
は同一機能要素を示している。これは、第２の下
部コア１２を付設するためのスルーホール２０の
トラツク巾方向の巾Ｗをトラツク巾に一致させ、
かつ、このスルーホール内への第２の下部コアの
付設量（薄膜）Ｘを第１〜第３絶縁体層の全厚Ｙ
に比べて小さくするように構成し、もつて、トラ
ツク巾を絶縁体層のスルーホールで規制するよう
にしたものである。これにより、正確なトラツク
巾制御が可能となりまた上部コアの微細なパター
ン化が不要となる。
６図及び第７図に相当する図で各図中、同一図番
は同一機能要素を示している。これは、第２の下
部コア１２を付設するためのスルーホール２０の
トラツク巾方向の巾Ｗをトラツク巾に一致させ、
かつ、このスルーホール内への第２の下部コアの
付設量（薄膜）Ｘを第１〜第３絶縁体層の全厚Ｙ
に比べて小さくするように構成し、もつて、トラ
ツク巾を絶縁体層のスルーホールで規制するよう
にしたものである。これにより、正確なトラツク
巾制御が可能となりまた上部コアの微細なパター
ン化が不要となる。
第１図は従来の薄膜磁気ヘツドの部分縦断面図
である。第２図ａ，ｂ，ｃはコイル部分及び上部
コアの成形手順を示す部分平面図である。第３図
及び第４図はそれぞれ従来例の部分縦断面図であ
る。第５図、第６図、第７図は本発明の磁気ヘツ
ドの中央断面図、部分平面図、正面図である。第
８図ａ〜ｆは磁気ヘツドの製造手順図を示し、
ａ，ｂ，ｄ，ｅ，ｆは断面図、ｃは部分平面図で
ある。第９図は他の実施例の断面図、第１０図及
び第１１図は更に他の実施例の断面図及び正面図
である。 主な図番の説明、１１……下部コア、１３，１
４，１５……第１、第２、第３絶縁体層（絶縁体
層）、１２……第２の下部コア、１９……上部コ
ア。
である。第２図ａ，ｂ，ｃはコイル部分及び上部
コアの成形手順を示す部分平面図である。第３図
及び第４図はそれぞれ従来例の部分縦断面図であ
る。第５図、第６図、第７図は本発明の磁気ヘツ
ドの中央断面図、部分平面図、正面図である。第
８図ａ〜ｆは磁気ヘツドの製造手順図を示し、
ａ，ｂ，ｄ，ｅ，ｆは断面図、ｃは部分平面図で
ある。第９図は他の実施例の断面図、第１０図及
び第１１図は更に他の実施例の断面図及び正面図
である。 主な図番の説明、１１……下部コア、１３，１
４，１５……第１、第２、第３絶縁体層（絶縁体
層）、１２……第２の下部コア、１９……上部コ
ア。
Claims (1)
- １ 基台上に平坦な下部コアを備え、該下部コア
上にコイルと、該コイルを内包しフロント及びバ
ツクギヤツプ構成部分を除いて形成される絶縁体
層と、該絶縁体層が形成されていない前記フロン
ト及びバツクギヤツプ構成部分に付設される第２
の下部コアとを備え、前記絶縁体層及び第２の下
部コア上にギヤツプを構成するスペーサを備え、
該スペーサ上に上部コアを配備したことを特徴と
する磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9574082A JPS58212616A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9574082A JPS58212616A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58212616A JPS58212616A (ja) | 1983-12-10 |
| JPH0557642B2 true JPH0557642B2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=14145881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9574082A Granted JPS58212616A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58212616A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0218445A3 (en) * | 1985-10-01 | 1989-08-30 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
| JP2529194B2 (ja) * | 1985-11-01 | 1996-08-28 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS62110612A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0391108A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US5241440A (en) * | 1989-08-23 | 1993-08-31 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and manufacturing method therefor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778613A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-17 | Canon Inc | Thin film magnetic head and its manufacture |
-
1982
- 1982-06-03 JP JP9574082A patent/JPS58212616A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58212616A (ja) | 1983-12-10 |
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