JPH0435558B2 - - Google Patents

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JPH0435558B2
JPH0435558B2 JP57223125A JP22312582A JPH0435558B2 JP H0435558 B2 JPH0435558 B2 JP H0435558B2 JP 57223125 A JP57223125 A JP 57223125A JP 22312582 A JP22312582 A JP 22312582A JP H0435558 B2 JPH0435558 B2 JP H0435558B2
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nozzle
orifice
orifices
substrate
gas
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Karupusukopufu Rainharuto
Baumuberugaa Otsutoo
Masoon Seruju
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Societa Italiana Vetro SIV SpA
Original Assignee
Societa Italiana Vetro SIV SpA
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Publication date
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Publication of JPH0435558B2 publication Critical patent/JPH0435558B2/ja
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/453Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD

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  • Nozzles (AREA)
  • Aerodynamic Tests, Hydrodynamic Tests, Wind Tunnels, And Water Tanks (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 基板たとえばガラス板を半導体材料の層たとえ
ば酸化すずの層で被覆するために種々な方法およ
び装置が提案されている、このような層は基板の
透明度とまつたく同様な透明度を有するとともに
比較的電気的抵抗が低く、かつ機械的強度が高い
ことが必要である。
従来技術 これらの方法のうちで特に、化学気相成長法す
なわちCVD法をこの目的で使用する試みがなさ
れた。H.Koch、“Elektrische Untersuchungen
an Zinndioxydschichten”(Phys.Stat.1963、
Vol.3、page1059以降)の論文は小さなガラス板
の上でSnCl4とH2Oとを反応させて、SnO2薄層を
沈着させる方法および装置を記載している。この
方法ではこれらの反応剤を担体気体、この場合は
空気に希釈した形で、予め200〜400℃の温度に加
熱した小さなガラス板の表面と相互に接触させ
る。これらの2つの気体反応剤は2つの共軸なオ
リフイスを有するノズルによつてガラスの上に吹
付ける。これらのオリフイスすなわちジエツトダ
クトは、中央のオリフイスにSnCl4希釈気体を、
外側のオリフイスにH2O希釈気体を供給する。
これと同様な方法および装置は特にドイツ特許
出願第2123274号に提案されており、これは基板
の上にSnO2層を沈着させ、この場合に基板は小
さなガラス板である。そしてアンチモニーでドー
プしてこの層の電気的抵抗を減少させる。この目
的のためにSbCl4を担体気体、ここでは特に窒素
で希釈した形で使用し、これを3つの共軸なオリ
フイスを有するノズルによつて基板の上方に導
き、SnCl4とH2Oとを存在させる。これらのオリ
フイスに前述の成分のうちの1つを供給する。こ
の反応がおきるのは基板の近傍であつて、かつノ
ズルの3つのオリフイスから所定の距離だけ離れ
た場所においておきる。
上記の2つの場合において使用する方法および
装置は、ドープするか否かにかかわらず、SnO2
層を比較的小さな板の上に沈着させることを目的
とするものであつて、ノズルと小さな板とを相対
的に横方向に移動させることによつて被覆操作を
行なう。得た沈着物は酸化すずの形で帯状体であ
つて、その透明度は帯状体の全長にわたつて全く
不均一である。上記の型のノズルから噴出する反
応剤混合物は実際に完全には均一ではないので、
ノズルと基板との相対的な運動の軸に平行な帯状
体は、沈着領域によつて厚みおよび組成が異なる
ことがある。
留意すべきことは、比較的小さな基板を被覆す
る時はこれらの方法および装置を使用することが
もちろんできるが、工業的に重要な用途である特
に大面積の基板を被覆する時に、実際に使用する
ことができない。たとえば数メートルの幅を有す
る実際に無限な長さのガラス帯状体はたとえば
「フロート」法と呼ばれる方法によつて得られる
のであるが、この様な場合には使用することがで
きない。
実際に上記の方法および装置は、この種の応用
のために使用することを意図したものではあるけ
れども、ガラス帯状体の全幅にわたつて上記の型
の複数のノズルを並べて行なうこともできるが、
これでは装置がきわめて複雑になる。また限られ
た数のノズルを使用してガラス帯状体の移動軸に
対して横方向に急速に往復運動させて、この帯状
体の全表面を被覆する必要がある。また明かなよ
うにこれらの解決方法は、SnO2被覆を得ても十
分に均一ではなく、同時に導電性、透明度、およ
び最終製品に望まれる高い品質である一般的外見
を得るのには十分でない。このガラスは建物の窓
またはドアー、およびたとえば全ての型の交通機
関の窓または風防窓を製造するために使用するこ
とを目的としているので、上記の性質はきわめて
望ましいものであることは明らかであろう。
SnO2被覆を行なつても、ガラス板にこれらの
性質を付与するため通常行なう熱処理または機械
的処理を行なうことができる能力を有する必要が
ある。特に必要なことはこの様なガラス板が、ド
ープされているか否かにかかわらず、SnO2で被
覆したガラスである時は、どちらの側のガラスの
面も、ダイヤモンドで裁断する時にSnO2被覆の
性質に悪影響を与えてはならない。同様に必要な
ことは、このようなガラス板を裁断し、次に焼入
れ強化を行なう時にその被覆層の機械的または光
学的性質を劣化させてはならない。最後に望まし
いことは、この型のガラス板を加熱して湾曲させ
ることができることである、特にこれはたとえば
交通機関の風防窓または後窓を製造する目的の時
に必要であつて、この場合には上記性質である電
気抵抗が低いこと、機械的高度が良好であるこ
と、透明度が良好であることおよび光反射能がガ
ラス板の全面積にわたつてできるだけ均一であ
り、これらの性質を変化させないことである。
全てのこれらの性質は従来記載された型の方法
または装置を使用しては得ることができない。す
なわちこれらの方法または装置ではきわめて小さ
なガラスの表面を個別に処理することができるだ
けである。これらの方法および装置を、たとえば
米国特許第3850679号および同第3888649号および
英国特許第1507996号の主題を構成する方法およ
び装置によつて置換えることは、恐らくは緊急な
問題であつたのであろう。
これらの特許に記載された装置は予め調製した
反応気体を分配する装置を一般に使用し、これら
の気体をガラス板の全表面に、同時にガラス板の
全幅にわたつて指向させ、米国特許においては2
つのスクリーンの型で行ない、英国特許において
はガラス板によつて規定される長さにわたつてガ
ラスに対して正接するように気体の流れを指向さ
せる。
しかしこれらの装置は上記の型のCVD法を実
施するには適当ではない。CVD法ではガラスの
表面を被覆する温度は500〜600℃であるが、これ
らの装置の分配開口の近傍において、装置の開口
を形成する壁の温度が、その反応温度と実際的に
同一な高い温度になるので、これらの装置の分配
開口の近傍にSnCl4とH2Oとの混合気体が到着す
る時は、これらの成分が早すぎる時期に激しく反
応してしまう。その結果、次の2つの不利益を生
ずる。一方において分配装置の噴出開口を多少と
も塞いでしまい、他方においてガラスの上に特に
SnO2を不近一に沈着させ、これはその電気的、
機械的、または物理的の性質を著しく変化させる
ことになる。
上記の不利益は英国特許出願第2044137号に記
載する方法および装置によつて大いに改良され
た。この目的は高温に加熱した基板の表面に気体
の、または気体で希釈した少なくとも2つの反応
剤を反応させて、固体物質の層を連続的に沈着さ
せることである。この方法の特徴は反応ガスの流
れを直線的な気体のスクリーンの形として、その
横方向の形は全ての気体の流れが交差する共通な
仮想線に向かつて収斂している。これらのスクリ
ーンおよび/または基板は前記の仮想線が基板表
面の平面に実質的に含まれていて、基板とこのス
クリーンとが前記共通な線に対して実質的に直角
な方向に相対的に移動し、この線を基板表面の面
に実質的に保持し、反応剤の流れが基板に衝突す
ることによつて起きる気体は前記共通な仮想線の
両側に延在する基板の所定部分に平行して流れ、
最終的にこれらの気体は、前記スクリーンが交差
する共通な仮想線に対して配置した基板の部分の
端において排出される。
この方法の特殊な態様として、3つの気体のス
クリーンを使用し、これらは2つであつて正接す
る。中央のスクリーンは第1の反応剤の流れによ
つて形成され、横の2つのスクリーンは他の反応
剤の気体の流れによつて形成される。
この方法を使用して基板、特に高温度たとえば
600℃程度に加熱したガラス板に窒素のような不
活性担体で希釈した液体SnCl4およびH2O蒸気を
反応させて、SnO2層を沈着させるため使用する
時は、希釈したSnCl4気体によつて中央の気体ス
クリーンを形成し、横の2つのスクリーンは希釈
した水蒸気によつて形成することができる。
この方法を実施する装置は次の要素からなる。
−気体の、または担体気体に希釈した第1反応剤
の供給源と、 −気体の、または担体気体に希釈した第2反応剤
の供給源と、 −3つのオリフイスを有するノズルであつて、各
オリフイスは、直線状スリツトと各スリツトの
長手方向の縁面を形成する横壁とによつて開口
を形成し、これらの横壁はすべてのオリフイス
に共通な仮想線に向かつて収斂し、第1のオリ
フイスは、その噴出開口の第1の長手方向の縁
を有して、これが第2のオリフイスの噴出開口
の長手方向の縁に隣接し、かつ第1のオリフイ
スは、その開口の第2の長手方向の縁を有し
て、これが第3のオリフイスの噴出開口の長手
方向の縁に隣接しているノズルと、 −第2および第3のオリフイスの各噴出開口の第
2の長手方向の縁からオリフイスの両側に所定
の距離にわたつて延在する第1および第2のそ
らせ面であつて、ノズルのオリフイスの開口の
長手方向の縁とともに相互に面を共通にし、ノ
ズルと機構学的剛性に結合している第1および
第2のそらせ面と、 −ノズルの第1のオリフイスに第1反応剤の供給
源を連結する第1の分配管路と、 −ノズルの第2および第3のオリフイスに第2反
応剤の供給源を連結する第2の分配管路系と、 −前記仮想線に対して実質的に直角な方向におい
て、基板とノズルとを相互的に移動させる手段
と、 −この相対的移動中に、ノズルのオリフイスの開
口を含む面とそらせ面とを基板面から一定の距
離に保つ手段と、 −そらせ面と共板面との間の間隙に設けた、オリ
フイスの開口から最も離れたこの間隙の端から
反応気体を排出するための、少なくとも1つの
反応気体排出装置とを有する装置である。
上記の方法および装置はきわめて高速度でガラ
スシートまたはガラス板の上に十分な均一性を有
するSnO2層を沈着させることができ、機械的強
度、電気的および工学的のすべての性質をきわめ
て高い水準に達成することができる。
本発明の分野における、従来技術としてまた次
の特許がある。
ヨーロツパ特許出願第0023471号はドイツ特許
出願第2044137号に開示されたものと同様な方法
及び装置を記載するが、その主な相違点はCVD
法に使用する担体気体が高い割合いで還元剤を含
むことである。
フランス特許出願第2288068号は板状材料の表
面に特に液体を噴霧して薄層を沈着させる方法お
よび装置を記載する。この装置はアトマイザ室を
有し、これは噴霧用オリフイスを備え、このオリ
フイスは処理すべき板面に向かつて開口してお
り、また噴霧すべき液体を加圧気体の流れととも
にアトマイザ室に導入する手段を有し、これによ
つてアトマイザ室のオリフイスを通して液体を噴
出させることができ、アトマイザ室とオリフイス
とは実質的に長手方向に延在し、液体をアトマイ
ザ室に導入する手段はダクトを有し、このダクト
はアトマイザ室に沿つて延在するスリツトを通し
て前記の方向に対して平行な方向で延在する。
フランス特許出願第2068937号に記載する方法
および装置は、長手方向に移動するガラス帯状体
の表面に金属または金属化合物の被覆を形成す
る。この装置は連続的に長手方向に移動する高温
度のガラス帯状体を支持する手段を特に有し、お
よびこの型の帯状体の表面に液体媒体を放出する
手段を有する。この放出手段はこの面に対して傾
斜する方向で、この面上に液体媒体の少なくとも
1つの流れを放出するように形成して配置する。
これによつて液体媒体の流れは帯状体の移動方向
の速度成分を有し、この面に入射する流体の流れ
の入射角または平均の入射角は鋭角であつて、帯
状体の長手方向の移動に対して平行であり、この
面に対して直角な面において測つた角度は60°を
こえない。
英国特許出願第2068937号の開示する方法およ
び装置は加熱したガラス基板の表面に金属または
金属化合物を被覆する。この装置は放出される被
覆生成物の小さな滴に対して基板を移動させる手
段と、この表面の運動方向に対して交互に前後に
被覆すべき表面を気体で掃引する手段とを有す
る。
ヨーロツパ特許出願第0029809号は基板の表面
に3つの反応気体の流れを同時に放出するノズル
に関し、これらの反応気体は基板の直接近傍にお
いて混合し、反応生成物は基板の上に被覆層の型
で沈着する。一般的な型としてはこのノズルは英
国特許出願第2044137号の記載のノズルときわめ
て類似している。
最近の従来技術によつて上記のような種々な改
良が提案されているが、さらに英国特許出願第
2044137号に記載する装置の特性をさらに改良し
て、沈着物の均一性およびその透明度の一定性を
改良する試みを行なつた。これはオリフイスの出
口において反応剤の噴出通路の形をわずかに変形
することによつて得たものである。
本発明は気体相を形成する少なくとも2つの反
応剤を反応させて高温度に加熱した基板の上に固
体の被覆層を連続的に沈着させる装置を提供す
る。
この装置は (a) 気体の、または担体気体に希釈した第1反応
剤の供給源と、 (b) 気体の、または担体気体に希釈した第2反応
剤の供給源と、 (c) 3つのオリフイスを有するノズルであつて、
各オリフイスは直線状スリツトによつて開口を
形成し、このスリツトの長手方向の縁面を形成
する横壁の方向は共通な仮想線に向かつて収斂
し、第1のオリフイスは、中央にあつて他の2
つのオリフイスの側に並んでおり、一方におい
て第2のオリフイスとは第1および第2のオリ
フイスの各側壁の結合点で隣接し、他方におい
て第3のオリフイスとは第1および第3の各側
壁の結合点で隣接し、これによつて、オリフイ
スから気体が前記共通な仮想線に向かつて噴出
するようにオリフイスを設けたノズルと、 (d) ノズルと剛性に連結した、基板に面する第1
および第2のそらせ面であつて、第2および第
3のオリフイスの噴出開口の長手方向の外側の
縁からオリフイスの両側に所定の距離にわたつ
て延在する第1および第2のそらせ面と、 (e) ノズルの第1のオリフイスに第1反応剤の供
給源を連結する第1の分配管路系と、 (f) ノズルの第2および/または第3のオリフイ
スに第2反応剤の供給源を連結する第2の分配
管路系と、 (g) 前記共通な仮想線に対して実質的に直角な方
向において、基板とノズルとを相互に相対的に
移動させる手段と、 (h) この相対的な移動中に、ノズルのオリフイス
の開口とそらせ面とを基板から一定な距離に保
つ手段と、 (i) そらせ面と基板との間の間隙において反応し
た生成気体を、ノズルの開口から最も離れたこ
の間隙の端から除去する少なくとも1つの手段
とを有する。
この装置の特徴は、2つのそらせ面を有し、第
1のそらせ面はノズルに対する基板の移動方向と
は反対な方向に、かつノズルの中間面に対して直
角方向に延在して、第3のオリフイスの外側の壁
とともに鋭角をなす尖つた縁を形成し、前記移動
方向においてノズルの中間面に対して横方向に片
寄つており、 第2のそらせ面は、これとは反対に、第2のオ
リフイスの対応する外側の長手方向の壁とともに
角の取れたすなわち丸味をおびた縁を形成し、こ
れによつて前記2つの縁の間に形成されたノズル
の開口が湾曲し、これから噴出する気体を、基板
の移動方向に、かつ基板に対して実質的に平行な
方向にそらせる、第1および第2のそらせ面を有
する。
この型の装置によれば、オリフイスから噴出す
る気体が乱流となることを著しく減少させて、気
体の拡散によつて相互に浸透することを改良し、
さらに反応の進行を制御することができる。その
結果被覆層の透明度の規則性は改良される。
発明を実施する好ましい態様 第1図に示す装置は基板、この場合は高温度に
熱したガラス板Vであるが、この上にCVD法に
よつて酸化すずSnO2層を沈着させる、これには
次の化学反応を使用する。
SnCl4+2H2O→SnO2+4HCl↑ この目的のためにこの装置は、まず一連のロー
ラ1を有し、この上に板Vを置き方向Fに移動さ
せ、図に示さない電動モータによつて時計の方向
と反対方向にこれらのローラを回転させる。ロー
ラの長さはローラが支持するガラス板の幅と等し
いことはもちろんである。ローラ1の回転速度は
板Vが1秒間に数メートルの線速度で移動するよ
うにし、特殊な場合には1〜20m/minの程度と
する。
一連のローラ1の上方にノズル2があつて、そ
の基体的な構造の形状は第2図および第3図に示
すとおりであり、次に説明を加える。このノズル
は実際に3つの分離した噴出ダクトすなわちオリ
フイス3,4,5を有し、これらは上記ローラ1
に対して平行な方向に長手方向に延在し、ガラス
板Vの幅に対応する長さにわたつて延在する。オ
リフイス3,4,5は長さを数メートルとするこ
とができる。図面から明かなように、オリフイス
3,4,5は細長い本体部分6a,6bおよび壁
体部分7a,7bの集合体によつて形成される。
これらの部分はそれぞれ一対の部分9a,9b、
および一対の部分10a,10bに、適当な手段
によつて固定してある。そしてこれらの部分の間
に通路11,12,13を形成し、これらの通路
はそれぞれオリフイス3,4,5と連通する。
オリフイス3,4,5の角横壁3a,3b,4
a,4bおよび5a,5bの方向は共通な仮想線
に向かつて収斂している、この仮想線は部分7
a,7bの下端をこえているが、ノズル2の実際
の出口領域中にある。オリフイス3,4,5の噴
出開口は3つの細長いスリツトの型をしていて、
前記本体部分の全長にわたつて延在し、その幅は
1/10mmの数倍、たとえば1/10または8/10mmであ
る。
本体部分6a,6bの下面の幅はオリフイス
3,4,5の噴出スリツトの全幅の10〜20倍とす
ることが好ましい。
本体部分6a,6bのこの下面は、必ずしなけ
ればならないというわけではないが、化学的に不
活性な金属またはこのような金属合金または金属
酸化物で被覆することが好ましい。この金属はた
とえば金または白金とすることができ、酸化物は
SnO2、SiO2、またはAl2O3からえらぶことがで
きる。
実際、担体気体、特に水素が成分として存在す
るときは、通常の構造用金属および合金、たとえ
ば鋼または真鍮を使用すると、触媒作用を有する
ので、所望の機械的、物理的および光学的性質を
有するSnO2沈着物を得るように所望の反応を制
御することを妨害することがある。
ノズル2を形成する前記部分の集合体は、もち
ろんその横端を、図に示さない閉止板で被い、こ
れによつてオリフイス3,4,5および通路1
1,12,13を横方向に気密に閉じて全体の気
密を達成する。ダクト14a,14b,14c,
14dは部分10a,10b,6a,6bの中に
設けられ、その全長にわたつて延在し、流体たと
えばオイルを循環させてノズル2を最適な動作温
度たとえば100〜160℃程度に保つ。
蓋板15はノズル2の上面をその全面にわたつ
て被い、気密にし、これによつて通路11,1
2,13がその間で連通することを防止する。
また留意すべきことは、オリフイス3〜5およ
び通路11〜13を形成する壁の全体の形状およ
びその表面の精密状態、さらにその断面を、気体
の流量がノズルの長さの1cmにつき3〜6/h
程度であるときに、オリフイス出口における気体
の流れが層流をなすように設定することである。
図に示す装置はノズル2の両側においてその全
長にわたつて、2つの吸引ダクト16,17を有
し(第1、第2図)、これらのダクトは四角な断
面をしているが、どのような形でもかまわない。
ダクトは本体部分6a,6bに隣接して配置し、
これらとほとんど同一の水準とする。ダクト1
6,17はそれぞれ実施態様において1つまたは
2つの長手方向の開口(16aおよび/または1
6b,17aおよび/または17bをそれぞれダ
クト16,17に有する)。これらのダクトは管
路系18(第1図)によつて吸引ポンプ19の入
口に連結され、このポンプの出口は、耐火材料の
ラツシヒリングをみたした洗浄塔20の底に連結
する。
第1図に示す装置は2つの恒温制御された気泡
槽21,22を有し、第1の気泡槽は液体の塩化
すずSnCl4を入れ、第2の気泡槽は水を入れ、2
つの流量計23,24が流量制御弁23a,24
aをそれぞれ有し、窒素と水素との所定の比の混
合物を供給する、この混合比はたとえば体積比で
60/40である。2つの弁25,26は流量計2
3,24をこれらの気泡槽21,22にそれぞれ
連結する導管27,28に取付けてある。2つの
導管29,30は気泡槽21,22の出口をそれ
ぞれノズル2の通路11,12および13に連結
し、すなわち短かく言えば導管29はオリフイス
3に、導管30はオリフイス4,5に連結する。
導管29,30は加熱器E1を通りこの加熱器
は図では破線で示してあるが、加熱液体たとえば
オイルを入れてこれを100〜130℃の程度の一定な
温度に保ち、動作条件を調節する、温度はどの場
合においても適当なことが必要である。
第3図から特に明かなように、ノズル2に対す
る基板Vの移動に関して、ノズル2の上流側に延
在する前記部分6bのそらせ面51は基板および
尖つた縁53に平行している。この縁53は第3
のオリフイス5の延在する外側の壁5bと鋭角を
形成するが、ノズルの中間軸面に関して、横方向
で下流方向にかたよつている。他方において本体
部分6aのそらせ面52は第2のオリフイスの対
応する長手方向の縁4bと共に角がとれた丸い縁
54を形成する。この配置の結果として縁53,
54の間の噴射気体が集中する点をこえて配置し
たノズルの実際の開口部は湾曲し、ノズルから噴
出する気体はガラス板Vの移動方向に規則的にそ
らせられ、かつガラス板に対して実質的に平行な
方向にそらせられる。このようにそらせられた気
体は英国特許出願第2044137号に記載する構造の
場合より緩慢に基板に衝突して、これによつて乱
流の程度を調節するので基板を十分に被覆するこ
とができる。従来の装置では、時によると被覆さ
れない部分が残ることがあつた。さらに留意すべ
きことは、第2のそらせ面52は、図に示すよう
に、基板の移動方向において基板に向かつて傾斜
しており、この配置によつてノズルから噴出する
気体を加速する。
気体の流れは流入ダクト12,13に多孔質物
質55を存在させて同様に調整できることも留意
すべきである。多孔質物質はたとえばカーボンフ
アイバまたはテフロンフアイバ、テフロンはポリ
テトラフローロエチレンの商品名であるが、これ
を使用することができる。
上述の装置はたとえばガラス板を酸化チタン層
で被覆する。これは導電性が比較的高く、ガラス
への接着が良好で、機械的強度が高く、かつ酸に
対する抵抗が大きい。
この型の実験装置は、長さ20cmのノズルを有
し、そのオリフイス3,4,5の開口は幅がそれ
ぞれ0.2、0.1および0.1mmであり、幅20cmおよび厚
み4mmのガラス板を約600℃に加熱して第1図お
よび第2図のF方向に速度1.2m/minで移動さ
せる。ノズルの下面とガラス面との間隔は3mmで
あつた。沈着物の成長速度は約0.3μm/sであつ
た。
使用した気泡槽21,22は、槽21に約200
〜300mlの液体SnCl4を入れ、槽22に同様の容
量の水を入れた。これらの気泡槽を加熱して
N2/H2の担体気体の流量は槽21では60/h
とし、槽22では1205hとし、流量は弁23
a,24aを動作させて制御した。この気体の中
で希釈した反応剤の流れは、塩化すずSnCl42モ
ル/hとし、H2O1モル/hとした。さらにノズ
ルの温度はノズルのダクト14a,b,c,dに
オイルを循環させて約120℃に保つた。
ノズル2のオリフイス3,4,5の形は、特に
共通な仮想線に向かつて収斂するオリフイスの横
壁があるので、気体の流れは層流となつて、オリ
フイスから噴出する。2つの流れはH2Oの蒸気
を含み、オリフイス4,5から噴出し、他の流れ
はオリフイス3から噴出し、まず相互に正接しな
がら摩擦しあい、つぎに被覆すべき基板に近づく
といつそう摩擦しあう。これらの3つの気体の流
れは急速に干渉しあつて乱流になりやすい。そら
せ面51,52の配置によつてこの干渉を遅ら
せ、約600℃に加熱したガラスVの表面で緩慢に
混りあうことは上述のとおりであり、この反応は
次式によつて、 SnCl4+2H2O→SnO2+4HCl↑ ガラスの上でおきる。留意すべきことはこの点
において、他の特殊な方法を行なつて、反応条件
を緩慢にし、大量の酸化すずSnO2を形成し、か
つ水和物SnO2・nH2Oを大量に形成することを防
止することができる。これらが形成すると、ノズ
ル2のオリフイスの出口を部分的に塞いだり、ま
たは全く塞いでしまうことがあり、また酸化すず
はガラスの上に白い膜の形で沈着するので、所望
の透明な半導体層を形成しないことがある。
このために還元剤を2つの気体の流れ、すなわ
ちSnCl4およびH2O蒸気に加えることができる。
この還元剤は担体気体中の水素である。水素は
SnCl4またはH2Oのいずれとも反応しない気体で
ある。それゆえこれを不活性担体気体として使用
することができる。
SnCl4とH2Oとの置換反応はノズル2の中央領
域においておきるのみではなくて、オリフイス
3,4,5が開口するノズル本体部分の近傍にお
いておきる。実際この反応はポンプ9が動作して
ダクト16,17がノズルの両側にあるが、これ
を通つてガラス板Vとノズル本体部分6a,6b
の下面との間の間隙において、図面において右端
および左端において減圧を生じる。その結果気体
の流れは、この間隙において間隙の中央部分から
上記ダクト16,17に向かつて流れる。この流
れは、担体気体に分散した未反応のSnCl4および
H2Oと、すでに反応したHClと、ある量の、すで
に反応した反応剤を含まない担体気体を含む。
SnO2とH2Oとの間の反応は、残留反応気体とと
もに、前記間隙において所定の長さにわたつてオ
リフイスの収斂線の両側において継続する。下流
方向にある気体はそらせられるのでダクト16は
ダクト17よりも多くの反応気体を補集する。
ダクト16,17による吸引の強さは、ノズル
2から噴出する反応気体が、ガラスの上にSnO2
沈着物をうるのに厳密に必要な期間だけ、この間
隙に残留するように選択し、沈着物が透明層の形
で形成され、SnO2粉末が形成されないように行
なう。吸引はもちろん強すぎてはならない、もし
強すぎると、反応気体がノズルから噴出してガラ
ス表面に到達する時間を持てなくなる。従つて、
吸引の強さは層の成長速度および品質を限定する
因子である。留意すべきことは、この吸引によつ
て所望の反応がおきるガラス板とノズルとの間の
間隙が、周囲の雰囲気から分離されてこの間隙に
付加的な湿分を浸透させないことである。この湿
分は置換反応をそこなう。たとえばHClのような
有毒ガスもしくは水素が範囲の雰囲気に向かつて
流れることがあり、また周囲の空気がスリツト1
6a,16bまたは17a,17bに向かつて流
れる傾向があり、一方においてダクト16または
17の間を通り、他方においてガラス板Vとノズ
ル2との間を通過する。
ポンプ19によつて吸引される生成気体は所望
のように洗浄塔20に送り、ここで残留した揮発
性酸を洗浄して水溶液とし、生成した酸溶液は洗
浄された気体から分離して導管20aを通つて排
出する。
上記の動作条件において、反応収率は約60%で
あつた。ガラスはその全表面をSnO2層で被覆し、
その厚みは0.5μmであり、透明度は80〜90%で、
これは試料によつて変化し、平均抵抗値はR□=
100Ωであつた。
こうして形成されたSnO2層は、その硬度は
SnO2層が沈着するガラス自身の硬度よりも高か
つた。またこの層はたとえば衝撃のような機械的
応力に対しても、また酸による化学的浸食に対し
てもその抵抗はきわめて高かつた。特にこのガラ
スは温度600〜700℃に加熱して曲率半径が15cmと
なるように湾曲させることができ、これによつて
SnO2被覆に何等の損傷も認められなかつた。ま
た通常のガラスに行なう通常の条件のもとで加熱
強化することができた。最後に留意すべきことは
上記の方法の条件のもとでSnO2層で被覆したガ
ラス板はこのガラス板のどちらの面からダイヤモ
ンドで裁断してもその被覆層を剥すことがなかつ
た。
つぎに第1図の装置の変型として特に工業的使
用に適する装置を説明する。この装置は第4図に
示してあり第1図に使用したものと同一の参照番
号はこれらの2つの図面において共通に使用し
た。
すでに第1図に示した、ガラス板Vの上に反応
剤を噴出させるのに適するノズル2に加えて、第
4図の装置は吸引系16,17を設けて使用済み
気体を吸引し、また第1のSnCl4供給系を有し、
これは塩化すず貯層21からなり、さらに蒸発器
101を有しこれは温度120〜150℃に加熱し、こ
の蒸発器に送るSnCl4の流れを測定するために計
量ポンプ102を有する。蒸発器101は常に担
体気体すなわちN2またはN2/H2の混合物の流れ
をローターメータ105によつて測定し、弁10
3,104によつて制御して送り、101の中を
通す。さらにHFボンベ106によつてSnCl4
フツ素を供給して弁107によつてその流れを調
整する。この第1の供給系は導管29によつて中
央オリフイス3に連結する。
この装置はまた第2の供給系を有する。これは
水の供給であつて導管30によつてオリフイス4
に連結され、水槽22、蒸発器111、ポンプ1
12、弁113,114および流量計115を有
する。
最後にこの装置は第3の供給系を有し、これは
担体気体のみを供給するものであつて、弁12
3,124、流量計125および供給導管126
を有し、これはオリフイス5に連結する。この装
置の残りの部分は図面にあらわされていると否か
にかかわらず、第1図ないし第3図について説明
したものと同様である。
この装置の動作は先に記載した装置の動作とほ
ぼ同一であるが、この場合は反応気体の流れを担
体気体の流れと別々にポンプ102,112によ
つて制御することができるので、工業的使用にい
つそう有用であつて良好な装置である。担体気体
のみをオリフイス5から供給することは反応を制
御をさらに改良することができる。
この装置は幅が3mの「フロート」ガラス帯状
体を焼入れ炉の入口と熔融すず浴の出口との間の
領域で、11.5m/minで移動させて使用した。こ
の装置はノズル2と同様な5個のノズルを1mの
間隔で、順次かつ片寄せて配置したセツトを有
し、これによつてガラス全体の幅を被覆するよう
にした。オリフイスは次のようにして気体を供給
した。
すなわち、 オリフイス3では、SnCl4の全流量を1.44N
m3/hとし、担体気体はN2/H2の比を60/40と
し、その流量を1.06Nm3/hとした。
オリフイス4では、5%HFを含むH2Oで全体
の流れを0.92Nm3/hとし、担体気体すなわち
N2/H2は1.58Nm3/hとした。
オリフイス5では、担体気体すなわちN2/H2
で、その流量を2.5Nm3/hとした。
ここでNm3=標準状態の温度および圧力におけ
る立方メートルの意味である。
従つてオリフイス1個について全体の流れは
0.5Nm3/hであり、オリフイスのスリツトの幅
は0.4mmであつた。SnO2被覆層は厚み0.14μmで、
その抵抗R□=90Ωであり、可視光の透過率は90
%であつた。
この装置は第1図ないし第3図について記載し
たが、酸化チタンTiO2の層をガラス板にCVD法
によつて沈着させることもできる。この目的には
塩化すずSnCl4のかわりに塩化チタンTiCl4とし、
気泡槽21を通せばよい。担体気体としては窒素
のみを含むものを使用することができる。
この反応はノズル2の出口において次のように
おきる。
TiCl4+2H2O→TiO2+4HCl↑ 特殊な場合としてガラス板は幅を20cmとし、厚
みを4mmとし、これを温度600℃に加熱して、ノ
ズルから3mmの距離を速度1.2ミクロンm/min
で長手方向にノズル2の前面を移動させた。弁2
3a,24aを動作させることによつて、担体気
体を流れは流量計23によつて60/hに設定
し、流量計28によつて120/hに設定した。
気泡槽21,22は加熱してTiCl40.2モル/hお
よびH2O0.01モル/hの反応剤を流した。
得たTiO2層は、厚みが0.01μmであり、可視光
の透過率は約75%であり、可視光に対する反射能
は沈着物を支持するガラス自身の反射能よりも大
きかつた。機械的強さは上記のようにして得た
SnO2沈着物の強さと匹敵した。
ひろく言えば抵抗、反射能および透過率は、
SnO2層の厚みがガラス上に0.5μmより厚い時に、
この層をふつ素でドープすると非常に改良するこ
とができる。この目的のために第1図の装置を使
うことが好ましく、これにHF気体を入れたボン
ベ41と、導管42とを使用し、この導管はボン
ベを導管30に連結するが、第1図においてすべ
てのこれらの部材の破線の中に囲まれている。
厚み4mmのガラスを温度約600℃としてノズル
の正面をノズルから約3mmの距離をおいて速度
1.2m/minで通過させ、ふつ素でドープした
SnO2層0.75μmで被覆した。担体気体のN240%
H2混合物はSnCl4および水蒸気に対して60/h
の流量で流した。HFの流量は0.1/minであつ
た。
ふつ素でドープしたSnO2沈着物は特に良い性
能を示した。実際その抵抗率はR□=6Ωであつ
て、可視光に対するその反射能は沈着物を支持す
るガラス自身よりも大きく、その赤外線に対する
反射能は特に高くて75%程度であつた。さらにそ
の可視光に対する透過率は85%であつた。機械的
強さの特性もきわめて高い、ふつ素でドープした
SnO2で被覆したガラスは交通機関の窓ガラスた
とえば自動車の横窓に従来行なつていた焼入れ強
化処理を行なうことができた。またこの型のガラ
ス板を約650℃の温度において湾曲させ、曲率半
径を15cmとしてもドープしたSnO2沈着物の特性
を変化させることがなかつた。さらに上記のよう
に被覆したガラス板は従来の方法で裁断したり、
研削したりする加工を行なつても、沈着物は損傷
を受けなかつた。ふつ素でドープしたSnO2層は
この層を支持するガラスよりも強い硬さを有する
ので、引つかき傷をつけることができなかつた。
さらに酸に対する化学的抵抗力および衝撃に対す
る抵抗力は特に高いことを示した。
さらにSnO2の沈着物はアンチモニーでドープ
することができる。これを行なうために気泡槽2
1のSnCl4にSbCl5を混ぜるか、またはSbCl3を含
む付加的な気泡槽をノズル2の中央オリフイス3
に続く導入導管29に連結することができる。
留意すべきことは、この連結においてふつ素ま
たはアンチモニーでドープしたSnO2の層を上記
の条件でガラス板に沈着させた層に600℃で銀ま
たは銀ペイントを沈着させて被覆し、たとえばこ
れによつて電気接点を形成することができる。こ
の型の銀沈着物はSnO2沈着物の表面にきわめて
良好に接着する。
アンチモニーまたはふつ素でドープしたか否か
を問わず、SnO2層で被覆した全ての寸法のガラ
ス板を使用して、その性質、特に物理的および電
気的性質を広範囲に変化させることができる。
ドープしていないSnO2層は比較的高い抵抗を
有するが、これはアンチモニーまたはふつ素をド
ープした同様な層の抵抗とくらべると、この型の
層で被覆したガラス板はたとえば住居の窓または
フレンチ窓を形成するのに使用したり、さらに船
舶または列車の窓に使用することができ、可視光
に対する透過率が良好なことおよび赤外線に対す
る反射率が比較的高いことを利用することができ
る。
アンチモニーまたはふつ素ドープしたSnO2
で被覆したガラスの場合には、絶縁性が著しく大
きい。さらにこの層の抵抗はアンチモニードープ
SnO2層についてきわめて低く、またふつ素ドー
プ層についても全く低いので、ドープしたSnO2
で被覆した窓を加熱窓たとえば交通機関の後窓と
して、使用することができる。
さらに観察したところによると、湿度の高い雰
囲気においた時にアンチモニーまたはふつ素でド
ープしたか否かを問わず、SnO2層を沈着させた
ガラス板は、水蒸気の均一な層によつて被覆され
ないで、多数の水滴によつて被覆された。この様
な水滴は実際の沈着層およびガラス板を透して観
る力を減少させる程度がきわめて少ない。
窓とくに交通機関の窓さらに自動車、バス、お
よびトラツクの風防窓および後窓を形成しようと
するガラス板の場合には、これらの特性が明かに
顕著な利点を示す。
最後に留意すべきことは、本発明の方法および
装置を添附図面の第1〜第3図を参照して説明し
たが、SnCl4およびH2Oの置換反応を制御する手
段として水素を使用することができ、この型の反
応をH.Kochの前記論文またはドイツ特許出願第
2123274号に記載したようなCVD法による他の方
法および装置を使用することによつて得られるの
であれば、同一な目的および同一な利益を得るこ
とができる。
工業的応用の可能性 つぎに本発明を詳細に説明する例を示す。第1
図に示す装置を使用し、ノズルは第3図に示すも
のを使用し、次の動作条件において実施した。
基板の反応温度:590℃ 動作圧力:大気圧 水蒸気の流量(導管30):10モル/h(約250/
h) H2O中のHF濃度:2/98(容積/容積) 担体気体の組成:H2/N2:40/60(容積/容積) 容器21のSnCl4気体の流量:370/h 容器21の温度:120℃ SnCl4の流量:10モル/h ガラス板Vの移動速度:1.2m/mn 反応ガスの吸引流量:1500/h 担体気体の流量:500/h この条件によつて得た沈着物の特性は、厚み
0.6μm、抵抗R□20Ω、透過率80%であつた。
上記の例において、本発明の流れを湾曲させる
ノズルは、英国特許出願第2044137号によるノズ
ルによつて置きかえると、すなわち基板に直角な
流れとすると、同様な結果が得られるが、痕跡の
霧状のものがSnO2沈着物の上に、時によると観
察されることがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の装置の1つの実施態様の説明
図であり、第2図は第1図の装置の要部の拡大斜
視図であり、第3図は第2図の装置の要部をさら
に拡大した断面図であり、第4図は本発明の装置
の他の実施態様であつて、唯1つのオリフイスが
1つの反応剤源に連結され、他のオリフイスが第
3の分配によつて担体気体に連結されている装置
の説明図である。 V……基板、F……基板の移動方向、1……ロ
ーラ、2……ノズル、3,4,5……第1、第2
および第3のオリフイス、3a,3b,4a,5
a……オリフイスの横壁、4b,5b……第2お
よび第3のオリフイスの外側の長手方向の縁、1
6,17……反応生成気体除去手段、29,30
……第1および第2の分配手段、51,52……
第1および第2のそらせ面、53……鋭角を有す
る尖つた縁、54……丸味を帯びた角を取つた
縁、123〜126……第3の分配手段。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (a) 気体の、または担体気体に希釈した第1
    反応剤の第1供給源と、 (b) 気体の、または担体気体に希釈した第2反応
    剤の第2供給源と、 (c) 3つのオリフイス3,4,5を有するノズル
    2であつて、各オリフイスは直線状スリツトと
    このスリツトの長手方向の縁面を形成する横壁
    3a,3b,4a,4b,5a,5bとによつ
    て開口を形成し、これらの横壁の方向は共通な
    仮想線に向かつて収斂し、第1のオリフイス3
    は、他の2つのオリフイス4,5の側に並んで
    おり、一方において第2のオリフイス4とは第
    1および第2のオリフイスの各側壁3a,4a
    の結合点で隣接し、他方において第3のオリフ
    イス5とは第1および第3のオリフイスの各側
    壁3b,5aの結合点で隣接し、これによつ
    て、オリフイスから気体が、前記共通な仮想線
    に向かつて噴出するようにオリフイスを設けた
    ノズル2と、 (d) ノズル2と剛性に連結した、基板に面する第
    1および第2のそらせ面51,52であつて、
    第2および第3のオリフイスの開口の長手方向
    の外側の縁4b,5bからオリフイスの両側に
    所定の距離にわたつて延在する第1および第2
    のそらせ面51,52と、 (e) ノズル2の第1のオリフイス3に第1反応剤
    の供給源を連結する第1の分配手段29と、 (f) ノズル2の第2および第3のオリフイス4,
    5の少なくとも1つに第2反応剤の供給源を連
    結する第2の分配手段30と、 (g) 前記共通な仮想線に対して実質的に直角な方
    向で、かつ基板に対して平行な方向に、基板
    (V)とノズル2とを相互に相対的に移動させ
    る手段であつて、この相対的な移動中に、オリ
    フイスの開口とそらせ面とを基板から一定な距
    離に保つ移動手段と、 (h) そらせ面51,52と基板との間の間隙にお
    いて反応した生成気体を、この間隙から除去す
    る手段16,17と、 を有する、高温に加熱された基板に、気相中の少
    なくとも2つの反応剤を反応させて固体被覆層を
    連続的に沈着させる装置であつて、 第1のそらせ面51は、ノズル2に対する基板
    (V)の移動方向に関して上流側で、かつノズル
    2の中間面に対して直角方向に延在して、第3の
    オリフイス5の外側の壁5bとともに鋭角をなす
    尖つた縁53を形成し、この壁5bは内側の壁5
    aを越えて延在し、鋭角の縁53は前記移動方向
    においてノズル2の中間面に対して横方向に片寄
    つており、 第2のそらせ面52は、これとは反対に、第2
    のオリフイス4の対応する外側の長手方向の壁4
    bとともに丸味をおびた縁54を形成し、これに
    よつて前記2つの縁53,54の間に形成された
    ノズルの開口が湾曲し、これから噴出する気体
    を、基板の移動方向に、かつ基板に対して実質的
    に平行な方向にそらせる、第1および第2のそら
    せ面51,52を有することを特徴とする装置。 2 第2および第3のオリフイス4,5のうちの
    1つのみを第2の分配手段30に連結し、第3の
    分配手段123〜126が残りのオリフイスを担
    体気体の供給源に連結している、特許請求の範囲
    第1項記載の装置。 3 第2のそらせ面52が基板の相対的な移動方
    向において基板に向かつて傾斜しており、これに
    よつて気体を下流方向に絶えず加速して進める第
    2のそらせ面52を有する、特許請求の範囲第1
    または第2項記載の装置。 4 ノズルのオリフイス3,4,5の開口を形成
    するスリツトの幅が少なくとも1/10mm、多くとも
    8/10mmである、特許請求の範囲第1〜第3項のい
    ずれかに記載の装置。 5 そらせ面51,52の延在する距離がオリフ
    イスの開口を形成するスリツトの横方向の寸法の
    10〜20倍である、特許請求の範囲第1〜第4項の
    いずれかに記載の装置。
JP57223125A 1981-12-22 1982-12-21 高温の基板面に固体物質層を連続的に沈着させる装置 Granted JPS58114726A (ja)

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